JPS6145500A - 文字フオントの読み出し専用メモリ - Google Patents

文字フオントの読み出し専用メモリ

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Publication number
JPS6145500A
JPS6145500A JP60172312A JP17231285A JPS6145500A JP S6145500 A JPS6145500 A JP S6145500A JP 60172312 A JP60172312 A JP 60172312A JP 17231285 A JP17231285 A JP 17231285A JP S6145500 A JPS6145500 A JP S6145500A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
circuit
memory
word
read
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60172312A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6356547B2 (ja
Inventor
Kazuhiko Iwasaki
一彦 岩崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60172312A priority Critical patent/JPS6145500A/ja
Publication of JPS6145500A publication Critical patent/JPS6145500A/ja
Publication of JPS6356547B2 publication Critical patent/JPS6356547B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は読み出し専用メ七り、特に文字フォントを記憶
する読み出し専用メモリに関するものである。
〔発明の背景〕
文字フォントとは、m1×m2(m1m2は正整数)行
倒の各要素に白または黒を割り当てる事により文字を表
すもので“あ“る。第1図は大きさIOX 105素か
らなる文字フォントの一例であり「岩」という漢字を表
している。′ 文字フォントを記憶す゛る耽み出し専用メ七りの記憶容
量はフォントの大きさを16X16、文字数を3000
とすると、約770にビット必要となり、フォントの大
きさを32X32、文字数を4000とすると約4Mビ
ット必要となる。現在の半纏体技術では大容量読み出し
専用メモリにおいですべての記憶素子に所期の値を記憶
させる事は、製造技術の面から因難である。従って読み
出・し時に誤りの訂正・修整の必要が”あり種々の誤り
訂正、修正方式が考えられている。ハミング符号等の誤
り訂正符号を用いる方法は、冗長度が大きくかつ比較的
大規模の誤り訂正回路を必要とし、経済性、信頼性の面
で必ずしも得策ではない。また、単゛なる奇偶検査では
検出能力のみで訂正能力がなく修!I能力1ζ欠ける。
同じ読み出し専用メモを複数イ15用意し、奇偶検査で
誤りを恢出した場合。
別の耽み出し専用メモリの内容を読み出すという方法も
あるが、冗長度が大きく経済的に難点がある0 〔発明の目的〕 本発明の目的は、大きな冗長度を必要とせず、比較的小
規模の回路で文字フォント用読み出し専用記憶部内の記
憶誤りを修整する回路を有する読み出し専用メモリを実
現する事である。
〔発明の概要〕
本発明(は、上記目的を達成するため、文字フォント特
有の性質を利用した誤り訂正を行う回路を有する。まず
上記文字7オンIf有の性質iこついて例を用い説明す
る。第2図は大きさl0XIOの文字フォントを表す。
、この文字フォントにおいて、第2図中破線で示される
ような大きさ3×3のプレート1に着目する。このプレ
ートは行方向及び列方向にそれぞれ8通りの場所を占め
つるから合計64通り考える事ができる。またプレート
は大きさb53 X 3であるのでそれ自身9個の要素
を持っており、それぞれ白または黒であり、そn故2’
 −512通りのパターン(例えば、全日、全点、市松
)がありうる。ところが、文字フォント・の性質上現れ
やすいパターンと、現れにくいパターンが存在する。こ
れが文字フォント特有の性質である。大きさl0XIO
の文字フォントの場合第3図(a) 、 (blは非常
に現れにくいパターンであり(al ’ 、 (b) 
’は比較的現れやすいパターンである。
従って本発明では読み出し専用メモリの第1番地の例内
容に誤りが検出された場合、第(i−1)番地及び第(
i+1)i地の例の内容を用い、上記3×3のプレート
を調べ、第3図(alのパターン2>5あれば、(al
’へ、 (bンのパターンがあれば(b)′へそれぞれ
修整する。誤が検出され、しかもa、 bのいずれのパ
ターンも含まれない場合、或いは第1番地が文字フォン
トの最下行、最下行の場合は修整不能と判断してもよい
第3因は一例であり1文字フォントの大きさ、プレート
の大きさにより、プレートのパターン出現頻度は異なっ
てくる。
〔発明の実施例〕
第4図は本発明による実施例を示す。本実施例において
文字フォントの大きさは10XIOとする。第4図にお
いて、アドレス生成器2は文字フォントの行の番地を指
示する。読み出し専用記憶部3の各ワード(文字フォン
トの行に対応する)の長さは11ビツトであり、1ビッ
トは奇偶検査ビットである。1つの文字フォントは10
個の行から成っているため1文字の総数X10X’ll
ビツトの記憶容量が必要となる。奇偶検査回路4は読み
出し専用記憶部3から読み出された各ワードについて奇
偶検査を行う回路であり、誤りが検出されなければ、出
力線5を通し外部へ出力する。
誤りが検出さnた場合、パターンマツチング回路′6へ
移される。パターンマツチング回路は、誤りが検出され
たワード及びその前後のワードを記憶するメモリ7を有
し、3×3のプレート64伽のうち1′で示されるパタ
ーンと一致するものがあるかどうか調べる回路である。
もし一致するものがあれば、修整回路8により第4図中
1″で示されるパターンに修整され、線路9,5を通し
外部へ出力さrLる。パターンマツチング回路61)1
1.、’で示されるパターンと一致するプレートを検出
できなかった時は、修整不能と判断し、10.5を辿し
外部へ出力する。
本実施例では、文字フォントの大きさをl0X10とし
、プレートの大きさを3×3として説明したがこれに限
るものではなく、又、プレートの修整パターンも第3図
の例に限るものではない。
以上、本発明は、例えば大きさがl0XIOの文字フォ
ントにおいて例えば第3図(al 、 (blのパター
ンが現れにくく、第3図(a) ’ 、 (b)’ 、
のパターンが現れやすいというような文字フォント特有
の性質を利用しシCみ出し専用記憶部内の記憶誤りを修
整するものである。
〔発明の効果〕
本発明による読出し専用メモリを用いると、大きな冗長
度を必要とせず比較的小規模の回路で文字フォント用読
み出し−v用メモリ内の記憶誤りを修整する回路を有す
る読み出し専用メモリを実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は文字フォントの一例を示す図、第2図は文字フ
ォントとプレートの一例を示す図、第3図はプレートの
パターン例を示す図、第4図は本発明による読出し専用
メモリの一実施例を辰す図である。 1・・・プレート、2・・・アドレス生成器、 3id
み出し専用記憶部、4・・・奇偶検査同好、6・・・パ
ターンマツチング回路、7・・・メモリ、8・・・修整
回路。 ′¥J 1 回 箇2 図 (0,、ン              (と1.′)
(bン           (b′)′!J 4 閉 ■

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、各ワードがnビット長(nは2以上の整数)でであ
    る読み出し専用メモリであつて、各ワードのnビットの
    うち1ビットを奇偶検査ビットとして割り合て、読み出
    し時に奇偶検査を行う回路と、この検査により第i番地
    のワードに誤りが検出された場合第(i−j)番地から
    第(i+k)番地(j、kは整数)に記憶されている情
    報を用い第i番地の情報を修整する回路とを有してなる
    ことを特徴とする読み出し専用メモリ。
JP60172312A 1985-08-07 1985-08-07 文字フオントの読み出し専用メモリ Granted JPS6145500A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60172312A JPS6145500A (ja) 1985-08-07 1985-08-07 文字フオントの読み出し専用メモリ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60172312A JPS6145500A (ja) 1985-08-07 1985-08-07 文字フオントの読み出し専用メモリ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6145500A true JPS6145500A (ja) 1986-03-05
JPS6356547B2 JPS6356547B2 (ja) 1988-11-08

Family

ID=15939578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60172312A Granted JPS6145500A (ja) 1985-08-07 1985-08-07 文字フオントの読み出し専用メモリ

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Country Link
JP (1) JPS6145500A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10539847B2 (en) 2005-12-05 2020-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2020100324A1 (ja) * 2018-11-13 2020-05-22 Smc株式会社 デュアルチラー

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10539847B2 (en) 2005-12-05 2020-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2020100324A1 (ja) * 2018-11-13 2020-05-22 Smc株式会社 デュアルチラー

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Publication number Publication date
JPS6356547B2 (ja) 1988-11-08

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