JPS6145537A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
- Publication number
- JPS6145537A JPS6145537A JP59167077A JP16707784A JPS6145537A JP S6145537 A JPS6145537 A JP S6145537A JP 59167077 A JP59167077 A JP 59167077A JP 16707784 A JP16707784 A JP 16707784A JP S6145537 A JPS6145537 A JP S6145537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield box
- magnetron
- radio wave
- power supply
- radio waves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/14—Leading-in arrangements; Seals therefor
- H01J23/15—Means for preventing wave energy leakage structurally associated with tube leading-in arrangements, e.g. filters, chokes, attenuating devices
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマグネトロンの構成に関するものである。マグ
ネトロンは高効率のマイクロ波発振管として、電子レン
ジ等で数多く利用されている。マグネトロンは一部の進
行波型増幅器であり、基本波の他にも高調波も同時に発
振する。一方、衛星放送等に見られる如く、微弱でかつ
マグネトロンの高調波領域の周波数を利用するシステム
が出現し、今後増加の傾向にある。
ネトロンは高効率のマイクロ波発振管として、電子レン
ジ等で数多く利用されている。マグネトロンは一部の進
行波型増幅器であり、基本波の他にも高調波も同時に発
振する。一方、衛星放送等に見られる如く、微弱でかつ
マグネトロンの高調波領域の周波数を利用するシステム
が出現し、今後増加の傾向にある。
したがって電子レンジ等の高周波加熱機器とニューメデ
ィア通信系が共存するためには、マグネトロンの高調波
も低減する対策が必要となる。
ィア通信系が共存するためには、マグネトロンの高調波
も低減する対策が必要となる。
従来例の構成とその問題点
第1図ば従来のマグネトロンの外観図であり、1はマイ
クロ波を放射するアンテナ、2.2′は機器に装着する
ためのフレーム、3,3′は磁石、4はアルミ板等で形
成され放熱フィン、5はマグネトロンのマイクロ波発振
電力供給部からの電波の漏れをしゃへいするシールド箱
であり、蓋6で密閉されている。7は貫通型コンデンサ
ーであり、8は前記マイクロ波電力供給用リード線(端
子)である。第2図は第1図のマグネトロンの一部断面
図を示す貫通型コンデンサー7とコイル9を通じて電波
作用空間10に電力が供給される。電波作用空間IOと
シールド箱空間11とはセラミック材12により仕切ら
れている。結合部材13は一方はメタライズ化したセラ
ミックと他方は無酸素銅よりなるアノード部14とロウ
付は等で結合されている。
クロ波を放射するアンテナ、2.2′は機器に装着する
ためのフレーム、3,3′は磁石、4はアルミ板等で形
成され放熱フィン、5はマグネトロンのマイクロ波発振
電力供給部からの電波の漏れをしゃへいするシールド箱
であり、蓋6で密閉されている。7は貫通型コンデンサ
ーであり、8は前記マイクロ波電力供給用リード線(端
子)である。第2図は第1図のマグネトロンの一部断面
図を示す貫通型コンデンサー7とコイル9を通じて電波
作用空間10に電力が供給される。電波作用空間IOと
シールド箱空間11とはセラミック材12により仕切ら
れている。結合部材13は一方はメタライズ化したセラ
ミックと他方は無酸素銅よりなるアノード部14とロウ
付は等で結合されている。
したがって、電波作用空間10とシールド箱空間11に
は漏洩電波に対する低減対策は何ら成されていない。シ
ールド箱空間11より機器内部13への漏洩を低減する
方策として、シールド箱5の壁面を貫くコンデンサー7
とコイル9によるL −C共振回路を形成するフィルタ
ーを設けている。しかし、この種のフィルターの共振周
波数は、数100 M +−1z程度であり、高調波は
もちろん基本波(マグ2)ロン2450MHzの発振周
波数が多い)に対しても全く効果が1男特出来ないばか
りかチタン酸バリウム等の誘導体15 (Cの役目をす
る)、及びリード端子8の絶縁スペーサー16を介して
漏洩を多くしている。
は漏洩電波に対する低減対策は何ら成されていない。シ
ールド箱空間11より機器内部13への漏洩を低減する
方策として、シールド箱5の壁面を貫くコンデンサー7
とコイル9によるL −C共振回路を形成するフィルタ
ーを設けている。しかし、この種のフィルターの共振周
波数は、数100 M +−1z程度であり、高調波は
もちろん基本波(マグ2)ロン2450MHzの発振周
波数が多い)に対しても全く効果が1男特出来ないばか
りかチタン酸バリウム等の誘導体15 (Cの役目をす
る)、及びリード端子8の絶縁スペーサー16を介して
漏洩を多くしている。
発明の目的
本発明は上記の欠点を解消するものでマグネトロンのシ
ールド箱内部の電波が外部に漏洩するのを防1トするこ
とを目的とする。
ールド箱内部の電波が外部に漏洩するのを防1トするこ
とを目的とする。
発明の(11Y成
上記目的を達成するために本発明はマグネトロンのシー
ルド箱から外部の電力供給線部に介在する貫通型コンデ
ンサーの部分を複合フェライト等の誘電体で同軸線路状
に形成することにより、作用空間よりシールド箱内に漏
れた電磁波エネルギーを熱エネルギーに変換し、シール
ド箱外部への基本波及び高調波成分の放射を抑える効果
を有するものである。
ルド箱から外部の電力供給線部に介在する貫通型コンデ
ンサーの部分を複合フェライト等の誘電体で同軸線路状
に形成することにより、作用空間よりシールド箱内に漏
れた電磁波エネルギーを熱エネルギーに変換し、シール
ド箱外部への基本波及び高調波成分の放射を抑える効果
を有するものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図面に基づいて説明す
る。第3図は本発明に係るマグネトロンの一部断面図で
ある。5はシールド箱、9はコイル、12は電波作用空
間10とシールド箱空間11を仕切るセラミック筒であ
る。
る。第3図は本発明に係るマグネトロンの一部断面図で
ある。5はシールド箱、9はコイル、12は電波作用空
間10とシールド箱空間11を仕切るセラミック筒であ
る。
電波作用11で発振された電波の一部は電力供給用内部
リード線15を伝ってシールド箱空間11に放出される
。シールド箱空間11の電波は大部分がコイル9を経由
して外部に漏れ出る。そこでコイル9より外部端子8間
のリード線16の外周部に磁気共振により電波を吸収す
る樹脂材料(シリコンゴム、ポリエステル等)とフェラ
イト粉の混合体よりなる複合フェライトや誘電損失によ
り電波を吸収する誘電体等の電波吸収体17を配置する
。上記電波吸収体17の更に外周部には導電体4A料よ
りなる外周導体18がシールド箱5壁に接続を保って設
けられている。19はリード線部の絶縁を保つための絶
縁スペーサである。なお、このリード線16と電波吸収
体17、外周導体I8による電波減衰線路の効果を更に
あげるために電波吸収体にテーパ一部を設けである。こ
れば線路上の電波が吸収体により反射を起こすのを防ぎ
吸収量を増大させるためである。又、電波吸収体の電波
吸収量の周波数特性の内最大の吸収量を共振周波数を呼
ぶが、配置する電波吸収体の共振周波数を線路より漏洩
する電波の周波数に合致させれば良く、広い周波数帯に
於いて効果を上げるためには、それぞれ共振周波数の異
なる電波吸収体を多層もしくは直列に重ね合わせると良
い。
リード線15を伝ってシールド箱空間11に放出される
。シールド箱空間11の電波は大部分がコイル9を経由
して外部に漏れ出る。そこでコイル9より外部端子8間
のリード線16の外周部に磁気共振により電波を吸収す
る樹脂材料(シリコンゴム、ポリエステル等)とフェラ
イト粉の混合体よりなる複合フェライトや誘電損失によ
り電波を吸収する誘電体等の電波吸収体17を配置する
。上記電波吸収体17の更に外周部には導電体4A料よ
りなる外周導体18がシールド箱5壁に接続を保って設
けられている。19はリード線部の絶縁を保つための絶
縁スペーサである。なお、このリード線16と電波吸収
体17、外周導体I8による電波減衰線路の効果を更に
あげるために電波吸収体にテーパ一部を設けである。こ
れば線路上の電波が吸収体により反射を起こすのを防ぎ
吸収量を増大させるためである。又、電波吸収体の電波
吸収量の周波数特性の内最大の吸収量を共振周波数を呼
ぶが、配置する電波吸収体の共振周波数を線路より漏洩
する電波の周波数に合致させれば良く、広い周波数帯に
於いて効果を上げるためには、それぞれ共振周波数の異
なる電波吸収体を多層もしくは直列に重ね合わせると良
い。
第4図はマグネトロンの発振周波数スペクトラムを測定
したものであり、横軸は発振周波数、縦軸ば放射電力量
となっている。第4図Aは従来のマグネトロンを使用し
た場合であり、fo(基本周波数)の整数倍(2rO・
・・・・・5fo)の近傍に高調波成分が表われている
のが解かる。一方策4図Bは本実施例のマグネトロンを
用いた場合であり、fo基以外周波数での放射電力量は
全てリイズレベルとなっている。なお2fo近傍に表わ
れているものは測定機器の内部雑音によるもので本発明
の効果をそこなうものでは無い。
したものであり、横軸は発振周波数、縦軸ば放射電力量
となっている。第4図Aは従来のマグネトロンを使用し
た場合であり、fo(基本周波数)の整数倍(2rO・
・・・・・5fo)の近傍に高調波成分が表われている
のが解かる。一方策4図Bは本実施例のマグネトロンを
用いた場合であり、fo基以外周波数での放射電力量は
全てリイズレベルとなっている。なお2fo近傍に表わ
れているものは測定機器の内部雑音によるもので本発明
の効果をそこなうものでは無い。
発明の効果
本発明によれば次の効果が得られる。
+1) シールド箱内の電波の密度が最大となる箇所
に電波吸収体を配しているため又、シールド箱は電波に
対して共振器として動作するので、電波が直接吸収され
る他に箱の内部に電波吸収体と外周導体によるQの低い
別個の共振器が設けることが出来、ヒーター箱内で効率
良く不要な電波を減衰することが可能となる。
に電波吸収体を配しているため又、シールド箱は電波に
対して共振器として動作するので、電波が直接吸収され
る他に箱の内部に電波吸収体と外周導体によるQの低い
別個の共振器が設けることが出来、ヒーター箱内で効率
良く不要な電波を減衰することが可能となる。
(2)電波吸収体(誘電体)と外周導体間には容量Cが
出来る為、従来のL−C共振による低い周波数に対する
フィルターも同時に形成出来る。
出来る為、従来のL−C共振による低い周波数に対する
フィルターも同時に形成出来る。
第1図ば従来のマグネトロンの外観図である。
第2図は従来のマグネトロンの部分断面図である。
第3図は本発明の一実施例であるマグネトロンの部/)
″i断面図である。第4図ばマグネ1−ロンの発振周波
数スペクl〜ラムを示す特性図である。 7・・・・・・Ha型コンデンサー、9・・・・・・コ
イル、17・・・・・・電波吸収体、18・・・・・・
外周導体。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名書 2 図
″i断面図である。第4図ばマグネ1−ロンの発振周波
数スペクl〜ラムを示す特性図である。 7・・・・・・Ha型コンデンサー、9・・・・・・コ
イル、17・・・・・・電波吸収体、18・・・・・・
外周導体。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名書 2 図
Claims (1)
- マイクロ波電力供給部にシールド箱を備え、上記シール
ド箱の壁面を貫通し、シールド箱と外部を連通する導電
性材料より成る筒をシールド箱と接続させて設け外周導
体とし、この外周導体の中を電力供給線を通し、前記外
部導体と電力供給線の間隙に複合フェライト等の誘電物
より成る電波吸収体を配置する構成としたマグネトロン
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167077A JPS6145537A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167077A JPS6145537A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | マグネトロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6145537A true JPS6145537A (ja) | 1986-03-05 |
Family
ID=15842975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59167077A Pending JPS6145537A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6145537A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5606221A (en) * | 1993-06-28 | 1997-02-25 | Eev Limited | Electron beam tubes having a resonant cavity with high frequency absorbing material |
| JP2006127767A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | New Japan Radio Co Ltd | マイクロ波発振素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5123137A (ja) * | 1974-08-20 | 1976-02-24 | Canon Kk | Jidoshotenseigohoshiki |
| JPS5140839A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Hitachi Ltd | Zatsuonboshofuirutasochi |
-
1984
- 1984-08-09 JP JP59167077A patent/JPS6145537A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5123137A (ja) * | 1974-08-20 | 1976-02-24 | Canon Kk | Jidoshotenseigohoshiki |
| JPS5140839A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Hitachi Ltd | Zatsuonboshofuirutasochi |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5606221A (en) * | 1993-06-28 | 1997-02-25 | Eev Limited | Electron beam tubes having a resonant cavity with high frequency absorbing material |
| JP2006127767A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | New Japan Radio Co Ltd | マイクロ波発振素子 |
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