JPS6146030A - 加熱炉 - Google Patents
加熱炉Info
- Publication number
- JPS6146030A JPS6146030A JP16866484A JP16866484A JPS6146030A JP S6146030 A JPS6146030 A JP S6146030A JP 16866484 A JP16866484 A JP 16866484A JP 16866484 A JP16866484 A JP 16866484A JP S6146030 A JPS6146030 A JP S6146030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- basket
- wafer
- heating
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は通常の構造の加熱炉であるが、加熱炉の炉軸方
向の傾斜角度を可変にした加熱炉に関するものである。
向の傾斜角度を可変にした加熱炉に関するものである。
最近半導体装置の製造工程をはじめとして、多くの産業
分野の製造工程で広範囲に加熱炉が使用されている。
分野の製造工程で広範囲に加熱炉が使用されている。
例えば半導体装置の製造工程における半導体ウェハを酸
化させる場合とか、半導体ウェハをCVD法を行う場合
にはこれらの加熱炉−が使用されている。
化させる場合とか、半導体ウェハをCVD法を行う場合
にはこれらの加熱炉−が使用されている。
然しなから従来の加熱炉は、炉軸角度がほぼ水平に保持
されているか、或いはほぼ鉛直に保持されて使用する場
合に限定されているため、例えば半導体ウェハをウェハ
バスケットに収納して、加熱炉の加熱管に挿入する際な
ど、半導体ウェハをウェハバスケットに収納する際の作
業性とか、加熱炉を運転する場合の振動に対する半導体
ウェハの安定性等、加熱炉に多くの不利がある。
されているか、或いはほぼ鉛直に保持されて使用する場
合に限定されているため、例えば半導体ウェハをウェハ
バスケットに収納して、加熱炉の加熱管に挿入する際な
ど、半導体ウェハをウェハバスケットに収納する際の作
業性とか、加熱炉を運転する場合の振動に対する半導体
ウェハの安定性等、加熱炉に多くの不利がある。
例えば最近、広範囲に採用されている縦型加熱炉の場合
には、通常ウェハバスケットには複数の半導体ウェハを
所定のピッチで水平方向に平行に配列され、このウェハ
バスケットを加熱管内に挿入して、加熱炉体によりウェ
ハバスケットが加熱される。
には、通常ウェハバスケットには複数の半導体ウェハを
所定のピッチで水平方向に平行に配列され、このウェハ
バスケットを加熱管内に挿入して、加熱炉体によりウェ
ハバスケットが加熱される。
従って、半導体ウェハはウェハバスケットを加熱管に挿
入する際の作業取扱とか、加熱管を移動して加熱炉体に
挿入する際等の機械的振動等により、半導体ウェハがウ
ェハバスケットから滑り洛ちるとか位置ずれ等があって
、それに伴う半導体ウェハの破損や、その破損した破片
が原因となって、更に他の半導体ウェハに損傷を与える
等の不具合があり、それらの改善が要望されている。
入する際の作業取扱とか、加熱管を移動して加熱炉体に
挿入する際等の機械的振動等により、半導体ウェハがウ
ェハバスケットから滑り洛ちるとか位置ずれ等があって
、それに伴う半導体ウェハの破損や、その破損した破片
が原因となって、更に他の半導体ウェハに損傷を与える
等の不具合があり、それらの改善が要望されている。
第4図は、従来の縦形加熱炉に半導体ウェハを実装をす
る際の概要を説明する模式図であるが、1は移動する加
熱管であり、2は加熱炉体、3はバスケット台、4はウ
ェハバスケット、5は半導体ウェハである。
る際の概要を説明する模式図であるが、1は移動する加
熱管であり、2は加熱炉体、3はバスケット台、4はウ
ェハバスケット、5は半導体ウェハである。
加熱炉体は垂直に固定されており、加熱炉体2から下方
に引き出された加熱管1には、その内部に半導体ウェハ
5が収納されたウェハバスケット4がバスケット台3に
積載された後、上部に押し上げられ加熱炉体の内部に挿
入される。
に引き出された加熱管1には、その内部に半導体ウェハ
5が収納されたウェハバスケット4がバスケット台3に
積載された後、上部に押し上げられ加熱炉体の内部に挿
入される。
第5図はウェハバスケットの一例を示す斜視図であるが
、ウェハバスケット4に、所定のピッチで、半導体ウェ
ハ挿入溝6が設けられ、半導体ウェハ5が一枚づつが収
納されるが、溝の幅が半導体ウェハの厚みである1a+
mに対して約211III程度になっているために、ウ
ェハバスケットに水平に配列されて収納された半導体ウ
ェハは振動が挿入等の際の取扱の際に、屡々変位又は転
落して破損することがある。
、ウェハバスケット4に、所定のピッチで、半導体ウェ
ハ挿入溝6が設けられ、半導体ウェハ5が一枚づつが収
納されるが、溝の幅が半導体ウェハの厚みである1a+
mに対して約211III程度になっているために、ウ
ェハバスケットに水平に配列されて収納された半導体ウ
ェハは振動が挿入等の際の取扱の際に、屡々変位又は転
落して破損することがある。
又縦形加熱炉の構造では、加熱炉体と加熱管の引出し長
さの合計が長くなり、垂直方向の占有スペースが大きく
、又横型加熱炉にしても同様に水平方向に装置のスペー
スを占有するという不利がある。
さの合計が長くなり、垂直方向の占有スペースが大きく
、又横型加熱炉にしても同様に水平方向に装置のスペー
スを占有するという不利がある。
このような観点から取扱が容易で且つ被加熱体が安定で
ある加熱炉で、且つ装置スペースの小な加熱炉が要望さ
れている。
ある加熱炉で、且つ装置スペースの小な加熱炉が要望さ
れている。
上記の構成のものにおいては、問題点として加熱炉への
ウェハバスケットの挿入や又加熱管の移動の際の半導体
ウェハの振動による破損があるので、ウェハバスケット
の加熱管への挿入や加熱作業時の半導体ウェハが安定性
があり、同時に占有スペースの小なる加熱炉を実現する
ことにある。
ウェハバスケットの挿入や又加熱管の移動の際の半導体
ウェハの振動による破損があるので、ウェハバスケット
の加熱管への挿入や加熱作業時の半導体ウェハが安定性
があり、同時に占有スペースの小なる加熱炉を実現する
ことにある。
本発明は上記問題点を解消した可変傾斜角度の加熱炉を
提供するもので、その手段は、加熱炉の炉軸方向の傾斜
角度をほぼ水平からほぼ鉛直:の間に設定したことを特
徴とする加熱炉によって達成できる。
提供するもので、その手段は、加熱炉の炉軸方向の傾斜
角度をほぼ水平からほぼ鉛直:の間に設定したことを特
徴とする加熱炉によって達成できる。
〔1ウミ用〕
即ち、従来の縦型の加熱炉の場合に屡々発生した、加熱
管内にウェハバスケットを挿入する際の半導体ウェハが
移動したり、振動して損傷することがないように、本発
明は、加熱炉の炉軸方向に傾斜角度をつけておき、その
ためにウェハバスケットも傾斜したままで加熱管に保持
され、半導体ウェハも傾斜して装着されることになるた
めに、半導体ウェハが脱落したり移動することがなく安
定に保持されるように考慮したものである。
管内にウェハバスケットを挿入する際の半導体ウェハが
移動したり、振動して損傷することがないように、本発
明は、加熱炉の炉軸方向に傾斜角度をつけておき、その
ためにウェハバスケットも傾斜したままで加熱管に保持
され、半導体ウェハも傾斜して装着されることになるた
めに、半導体ウェハが脱落したり移動することがなく安
定に保持されるように考慮したものである。
第1図は本発明の加熱炉で半導体ウェハの実装をする際
の説明する断面図であるが、11は加熱管であり、12
は加熱炉体、13はバスケット台、14はウェハバスケ
ット、5は半導体ウェハである。
の説明する断面図であるが、11は加熱管であり、12
は加熱炉体、13はバスケット台、14はウェハバスケ
ット、5は半導体ウェハである。
実施例の一例として、加熱炉が自在な可変範囲内に傾斜
されている場合を示すと、加熱管に挿入されたウェハバ
スケットも過熱炉と同様に傾斜され、その内部に収納さ
れた半導体ウェハも傾斜する。
されている場合を示すと、加熱管に挿入されたウェハバ
スケットも過熱炉と同様に傾斜され、その内部に収納さ
れた半導体ウェハも傾斜する。
第2図は固定ピン支持によるウェハバスケットの一例を
示す斜視図であるが、ウェハバスケア)14に所定ピッ
チで半導体ウェハ支持の固定ピン15が設けられ、半導
体ウェハ5が支持されているが、このウェハバスケット
の特徴として傾斜されたウェハを支持する上で損傷の軽
減化と支持性能の向上が可能になる。
示す斜視図であるが、ウェハバスケア)14に所定ピッ
チで半導体ウェハ支持の固定ピン15が設けられ、半導
体ウェハ5が支持されているが、このウェハバスケット
の特徴として傾斜されたウェハを支持する上で損傷の軽
減化と支持性能の向上が可能になる。
第3図はウェハバスケット14に半導体ウェハ5を搭載
する際の取扱の容易性を説明する斜視図であるが、半導
体ウェハが傾斜されてウェハバスケットに搭載されてい
ると、その半導体ウェハの挿入や引出しが容易になり取
り扱いの安全性が高まる。
する際の取扱の容易性を説明する斜視図であるが、半導
体ウェハが傾斜されてウェハバスケットに搭載されてい
ると、その半導体ウェハの挿入や引出しが容易になり取
り扱いの安全性が高まる。
半導体ウェハを取り扱う一例として、真空チャック16
により半導体ウェハ5を吸着して、ウェハバスケットの
上方に位置させ、そのままの位置で下方から真空ガイド
チャック17を上昇して半導体ウェハを吸着する。
により半導体ウェハ5を吸着して、ウェハバスケットの
上方に位置させ、そのままの位置で下方から真空ガイド
チャック17を上昇して半導体ウェハを吸着する。
真空チャック及び真空ガイドチャックにより支持された
ウェハは、ウェハバスケットの所定位置の固定ピンに買
くだげで完全に保持されるし、又常に半導体ウェハがウ
ェハバスケント内のガイドバーに接触し、溝構造の場合
のような接触が無いため、ウェハにa接触で発生する分
布むらが防止でき、且つ取扱が容易になる。
ウェハは、ウェハバスケットの所定位置の固定ピンに買
くだげで完全に保持されるし、又常に半導体ウェハがウ
ェハバスケント内のガイドバーに接触し、溝構造の場合
のような接触が無いため、ウェハにa接触で発生する分
布むらが防止でき、且つ取扱が容易になる。
かかる傾斜した加熱炉装置は占有スペースも、水平、垂
直両方向で均等なスペースとなり、経済的なスペースが
実現できる。
直両方向で均等なスペースとなり、経済的なスペースが
実現できる。
以上詳細に説明したように本発明の傾斜角度をもつ加熱
炉は半導体ウェハの安全性と取扱の容易性及び装置の占
有スペースの経済性を計ることができ、効果大なるもの
がある。
炉は半導体ウェハの安全性と取扱の容易性及び装置の占
有スペースの経済性を計ることができ、効果大なるもの
がある。
第1図は本発明の加熱炉の模式断面図、第2図は本発明
の加熱炉に使用されるウェハバスケットの斜視図、 第3図は半導体ウェハの取扱を説明するための斜視図、 第4図は従来の縦型加熱炉の模式断面図、第5図は従来
のウェハバスケットの斜視図である。 図において、11は加熱管、12は加熱炉体、13はバ
スケット台、14はウェハバスケット、15は固定ピン
、16は真空チャック、17は真空ガイドチャックであ
る。 第 2図 3WJ 1B 4図 第5WJ
の加熱炉に使用されるウェハバスケットの斜視図、 第3図は半導体ウェハの取扱を説明するための斜視図、 第4図は従来の縦型加熱炉の模式断面図、第5図は従来
のウェハバスケットの斜視図である。 図において、11は加熱管、12は加熱炉体、13はバ
スケット台、14はウェハバスケット、15は固定ピン
、16は真空チャック、17は真空ガイドチャックであ
る。 第 2図 3WJ 1B 4図 第5WJ
Claims (1)
- 加熱炉の炉軸方向の傾斜角度をほぼ水平からほぼ鉛直の
間に設定したことを特徴とする加熱炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16866484A JPS6146030A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 加熱炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16866484A JPS6146030A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 加熱炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6146030A true JPS6146030A (ja) | 1986-03-06 |
Family
ID=15872209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16866484A Pending JPS6146030A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 加熱炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6146030A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH035722A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH04502486A (ja) * | 1989-11-01 | 1992-05-07 | エフ ホフマン―ラ ロシュ アーゲー | 液晶パラメータの温度補償 |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP16866484A patent/JPS6146030A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH035722A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH04502486A (ja) * | 1989-11-01 | 1992-05-07 | エフ ホフマン―ラ ロシュ アーゲー | 液晶パラメータの温度補償 |
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