JPS6146061A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6146061A JPS6146061A JP59167469A JP16746984A JPS6146061A JP S6146061 A JPS6146061 A JP S6146061A JP 59167469 A JP59167469 A JP 59167469A JP 16746984 A JP16746984 A JP 16746984A JP S6146061 A JPS6146061 A JP S6146061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imaging device
- solid
- state imaging
- light receiving
- channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、チャンネルストップ領域によって各受光素子
が分離されているインターライントランスファ構造の固
体撮像装置に関する。
が分離されているインターライントランスファ構造の固
体撮像装置に関する。
第１図は従来例に係るインターライントランスファ構造
の固体撮像装置の概略上面図である。図のように、イン
ターライントランスファ構造の固体撮像装置はライン状
の受光素子と非照射領域のレジスタの平行列から成って
おシ、各受光素子は１のチャンネルストップによシミ気
的に分離されている。レジスタは例えば２層ポリシリコ
ン電極匝よシ形成され、２は１層目のポリシリコン電極
。
の固体撮像装置の概略上面図である。図のように、イン
ターライントランスファ構造の固体撮像装置はライン状
の受光素子と非照射領域のレジスタの平行列から成って
おシ、各受光素子は１のチャンネルストップによシミ気
的に分離されている。レジスタは例えば２層ポリシリコ
ン電極匝よシ形成され、２は１層目のポリシリコン電極
。
３は２層目のポリシリコン電極である。第２図は第１図
のＩ−Ｉ線上の断面図で４はＰＭ半導体基′板、６はＰ
型半導体基板４の表面に形成されているｎ型領域の受光
素子、７は基板４の表面に形成され九ｎｕ領域のレジス
タである。入射した光は光量に応じて受光素子６におい
て電荷を発生蓄積し、蓄積された電荷はポリシリコン電
極２がオン状態であるときのみ、垂直シフトレジスタ７
に読み出される。ところで、このようなインターライン
トランスファ構造の固体撮像装置では、受光素子６から
のレジスタ７へ信号電荷を読み出す場合、１層目のポリ
シリコ／電極２を用いるよりも２層目のポリシリコン電
極３を用いたほうがシェーディングなどの特性が良いこ
とがわかってきた。これは２層目のポリシリコ／電極３
が゛１層目のボリシリコン電極２に比べて負荷容量が小
さくなるためと考えられる。
のＩ−Ｉ線上の断面図で４はＰＭ半導体基′板、６はＰ
型半導体基板４の表面に形成されているｎ型領域の受光
素子、７は基板４の表面に形成され九ｎｕ領域のレジス
タである。入射した光は光量に応じて受光素子６におい
て電荷を発生蓄積し、蓄積された電荷はポリシリコン電
極２がオン状態であるときのみ、垂直シフトレジスタ７
に読み出される。ところで、このようなインターライン
トランスファ構造の固体撮像装置では、受光素子６から
のレジスタ７へ信号電荷を読み出す場合、１層目のポリ
シリコ／電極２を用いるよりも２層目のポリシリコン電
極３を用いたほうがシェーディングなどの特性が良いこ
とがわかってきた。これは２層目のポリシリコ／電極３
が゛１層目のボリシリコン電極２に比べて負荷容量が小
さくなるためと考えられる。
しかしこうした２層目のポリシリコン電極３による読み
出しを従来のような第１図に示したような構造でおこな
った場合、受光素子６から垂直レジスタ７への信号電荷
を読み出す読み出しチャンネル（第１図Ａの部分）の幅
はチャンネルストップ領域ｌのバーズ・ピーク等の影響
で著しく狭くなる。かかる狭チャンネル効果により受光
索子６から垂直レジスタ７への信号電荷転送が完全にお
こなわれないため、残像などの画質劣化が生じる〇一方
、１層目のポリシリコン電極２のゲートポリシリ寸法を
小さくして読み出しチャンネルＡを広げることは、２層
目ポリシリコン電極３の同層ショートを生じゃすくなＩ
）製造歩留シを著しく劣化させる原因となる。
出しを従来のような第１図に示したような構造でおこな
った場合、受光素子６から垂直レジスタ７への信号電荷
を読み出す読み出しチャンネル（第１図Ａの部分）の幅
はチャンネルストップ領域ｌのバーズ・ピーク等の影響
で著しく狭くなる。かかる狭チャンネル効果により受光
索子６から垂直レジスタ７への信号電荷転送が完全にお
こなわれないため、残像などの画質劣化が生じる〇一方
、１層目のポリシリコン電極２のゲートポリシリ寸法を
小さくして読み出しチャンネルＡを広げることは、２層
目ポリシリコン電極３の同層ショートを生じゃすくなＩ
）製造歩留シを著しく劣化させる原因となる。
本発明は狭チャンネルを防止し、良質画像を可能とする
固体撮像装置の提供を目的とする。
固体撮像装置の提供を目的とする。
本発明は複数の受光素子と電荷転送素子がそれぞれ対向
して設けられ、前記各受光素子は互いにチャンネルスト
ップ領域により電気的に分離されている固体撮像装置に
おいて、前記チャンネルストップ領域が受光素子から電
荷転送素子に信号電荷を読み出す読み出しチャンネルに
隣接する部分で狭くなっていることを特徴とする。
して設けられ、前記各受光素子は互いにチャンネルスト
ップ領域により電気的に分離されている固体撮像装置に
おいて、前記チャンネルストップ領域が受光素子から電
荷転送素子に信号電荷を読み出す読み出しチャンネルに
隣接する部分で狭くなっていることを特徴とする。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の実施例に係る固体撮像装置の概路上面
図でおる。図において第１図と同じ番号は同じものを示
している。従来例に係る固定撮像装置（第１図参照）と
比較して本発明の特徴は、受光素子からレジスタへ信号
読み出しをおこなう読み出しチャンネルＡに隣接する部
分において、チャンネルストップ領域１が狭くなってい
ることにある。このことによシ読み出しチャンネルＡの
領域は、バーズビーク等の影響を受けないですむ。
図でおる。図において第１図と同じ番号は同じものを示
している。従来例に係る固定撮像装置（第１図参照）と
比較して本発明の特徴は、受光素子からレジスタへ信号
読み出しをおこなう読み出しチャンネルＡに隣接する部
分において、チャンネルストップ領域１が狭くなってい
ることにある。このことによシ読み出しチャンネルＡの
領域は、バーズビーク等の影響を受けないですむ。
なお第３図に示すようにチャンネル幅が広くなるように
ポリシリコン２の形状を変えている。これによシ狭チャ
ンネルによる悪影響をいっそう少なくできる。
ポリシリコン２の形状を変えている。これによシ狭チャ
ンネルによる悪影響をいっそう少なくできる。
また実施例では２層ポリシリコン電極による電荷読み出
しによる場合を説明したが、１層ポリシリコン電極の場
合にも本発明が適用できることは明らかである。
しによる場合を説明したが、１層ポリシリコン電極の場
合にも本発明が適用できることは明らかである。
以上説明したように本発明によれば、２層目のポリシリ
コン電極で受光素子からレジスタへの信号を読み出す読
み出しチャンネル領域の幅を効果的に確保することがで
きる。
コン電極で受光素子からレジスタへの信号を読み出す読
み出しチャンネル領域の幅を効果的に確保することがで
きる。
第１図は従来例に係るインターライントランスファ構造
の固体撮像装置の一部を示す概路上面図。 第２図は第１図のＩ−Ｉ線の断面図、第３図は本発明の
実施例に係る固体撮像装置の概路上面図である。 １・・・チャンネルストップ領域 ２・・・ｌＮＪ目のポリシリコン電極 ３・・・２Ｒｒｉ目のポリシリコン′畦極４・・・半導
体基板 ５・・・絶縁膜 ６・・・受光素子 ７・・・レジスタ Ａ・・・チャンネル領域
の固体撮像装置の一部を示す概路上面図。 第２図は第１図のＩ−Ｉ線の断面図、第３図は本発明の
実施例に係る固体撮像装置の概路上面図である。 １・・・チャンネルストップ領域 ２・・・ｌＮＪ目のポリシリコン電極 ３・・・２Ｒｒｉ目のポリシリコン′畦極４・・・半導
体基板 ５・・・絶縁膜 ６・・・受光素子 ７・・・レジスタ Ａ・・・チャンネル領域
Claims (1)
- 複数の受光素子と電荷転送素子がそれぞれ対向して設け
られ、前記各受光素子は互いにチャンネルストップ領域
により電気的に分離されている固体撮像装置において、
前記チヤンネルストツプ領域が受光素子から電荷転送素
子に信号電荷を読み出す読み出しチャンネルに隣接する
部分で狭くなつていることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167469A JPS6146061A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167469A JPS6146061A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6146061A true JPS6146061A (ja) | 1986-03-06 |
Family
ID=15850249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59167469A Pending JPS6146061A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6146061A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164460A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP59167469A patent/JPS6146061A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164460A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
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