JPS6146235A - 改質装置 - Google Patents
改質装置Info
- Publication number
- JPS6146235A JPS6146235A JP16624784A JP16624784A JPS6146235A JP S6146235 A JPS6146235 A JP S6146235A JP 16624784 A JP16624784 A JP 16624784A JP 16624784 A JP16624784 A JP 16624784A JP S6146235 A JPS6146235 A JP S6146235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reforming
- tube
- plate
- catalyst layer
- welded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/02—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は一般的なガス改質器あるいはガスとガスとの熱
交換器の改良に関するものである。
交換器の改良に関するものである。
[発明の技術的背景とその問題点]
一般に使用されているガス改質器の構造につき第2図を
参照して説明する。図においてガス改質器1は、バーナ
2へ燃焼ガスと燃焼空気とを送り込んで燃焼室3におい
て燃焼させ、燃焼、により生じた加熱流体は加熱!!1
4を通り排ガス出口5より外部に排出される。この燃焼
熱により、改質器1の内部に設けた複数の改質管6を加
熱する。
参照して説明する。図においてガス改質器1は、バーナ
2へ燃焼ガスと燃焼空気とを送り込んで燃焼室3におい
て燃焼させ、燃焼、により生じた加熱流体は加熱!!1
4を通り排ガス出口5より外部に排出される。この燃焼
熱により、改質器1の内部に設けた複数の改質管6を加
熱する。
一方改質管の内部には、上記燃焼ガス加熱流路4とは完
全に隔離して改質ガスの流路が設けられ゛ る、改
質ガス入ロアから流入した改質ガスは、改質管6の内壁
に設けられ下部目皿18により支えられた触媒層8の内
部を流れて上昇し、上端で逆向きに方向転換して触媒層
8とセンタプラグ9と−の間に構成されるリターンバス
10を流れて改質ガス出口11から流出する。そしてこ
の間に、改質ガス例えばメタンと水蒸気とが水素と炭酸
ガスに改質される如く改質される。なお、改質管6は改
質器1の内部に1本のみの場合もあるが、一般には第2
図に示す如く複数本設けられる。
全に隔離して改質ガスの流路が設けられ゛ る、改
質ガス入ロアから流入した改質ガスは、改質管6の内壁
に設けられ下部目皿18により支えられた触媒層8の内
部を流れて上昇し、上端で逆向きに方向転換して触媒層
8とセンタプラグ9と−の間に構成されるリターンバス
10を流れて改質ガス出口11から流出する。そしてこ
の間に、改質ガス例えばメタンと水蒸気とが水素と炭酸
ガスに改質される如く改質される。なお、改質管6は改
質器1の内部に1本のみの場合もあるが、一般には第2
図に示す如く複数本設けられる。
第3図は、第2図により概要を説明した1反応触媒11
8の上部部分を拡大して示した詳細断面図である。図に
おいて、改質管6は鏡板12と溶接線13により溶接し
て作られている。この改質管6は既に第2図、で説明し
たように、その上部の燃焼室3に近い部分は高温になる
ので、断熱材で作られたキャップ14が鏡板12の上に
かぶせられる。
8の上部部分を拡大して示した詳細断面図である。図に
おいて、改質管6は鏡板12と溶接線13により溶接し
て作られている。この改質管6は既に第2図、で説明し
たように、その上部の燃焼室3に近い部分は高温になる
ので、断熱材で作られたキャップ14が鏡板12の上に
かぶせられる。
また溶接線13に欠陥が生じ易いので、この部分に温度
Il爺素子15を設けて温度を測定する。
Il爺素子15を設けて温度を測定する。
改質ガスは触媒層8の中を上昇し、触媒上端16を通り
て目皿17の上端で逆転しプラグガイド19により形成
されるリターンバス10を通って下降し流出する。目皿
17は、断熱材で作られた多孔板である。この目皿17
は、本来は触媒層上端16で触媒粒子の浮き上がりを防
止するために設けられるものであるが、実際には下記の
ようなぞ 理由により触媒層上端16と目皿17との間に寸法1の
空隙ができてしまう。
て目皿17の上端で逆転しプラグガイド19により形成
されるリターンバス10を通って下降し流出する。目皿
17は、断熱材で作られた多孔板である。この目皿17
は、本来は触媒層上端16で触媒粒子の浮き上がりを防
止するために設けられるものであるが、実際には下記の
ようなぞ 理由により触媒層上端16と目皿17との間に寸法1の
空隙ができてしまう。
即ち第1の理由は、一般に改質反応中には改質管6が熱
膨張により伸びるのに対し、反応触媒の熱膨張係数は改
質管6のそれに比べて小さいためである。また第2の理
由は、触媒118は下部目皿18(第1因)により支え
られているが、改質管6の内径が熱により膨張するのみ
ならず、更に触媒層内管20の外径も膨張することから
、この間の容積が増加する分だけ触媒層上端16が下が
ることになる。また触媒粒子の充填時には、改質管6を
上下逆さまにして管に振動を与えながら充填するが、十
分に充填できず改質反応のため高温に上げ下げする運転
をしているうちに、触媒層上端16は沈下して目皿17
との間に寸法1の空間ができてしまう。このような状態
になると、改質管6の溶接41113が触媒層上端16
より上部に出ることになるので、その結果溶接線13の
温度と触媒層8の温度とに大きな差が現われるようにな
る。
膨張により伸びるのに対し、反応触媒の熱膨張係数は改
質管6のそれに比べて小さいためである。また第2の理
由は、触媒118は下部目皿18(第1因)により支え
られているが、改質管6の内径が熱により膨張するのみ
ならず、更に触媒層内管20の外径も膨張することから
、この間の容積が増加する分だけ触媒層上端16が下が
ることになる。また触媒粒子の充填時には、改質管6を
上下逆さまにして管に振動を与えながら充填するが、十
分に充填できず改質反応のため高温に上げ下げする運転
をしているうちに、触媒層上端16は沈下して目皿17
との間に寸法1の空間ができてしまう。このような状態
になると、改質管6の溶接41113が触媒層上端16
より上部に出ることになるので、その結果溶接線13の
温度と触媒層8の温度とに大きな差が現われるようにな
る。
このような理由から、温度測定素子15によって溶接線
13の温度を監視しながら改質運転を行なうが、空間が
できてしまうと触媒層上端16の温度はそれ捏上がらず
改質効率が悪くなる。
13の温度を監視しながら改質運転を行なうが、空間が
できてしまうと触媒層上端16の温度はそれ捏上がらず
改質効率が悪くなる。
以上の関係を更に詳細に説明すると、改質管6の内部が
改質ガスの流れだけの場合には、改質管6の内部に触媒
が充填されている場合に比べると、その壁面から内部改
質ガスへ・の熱伝達率が非常に悪くなるので、改質管6
の溶接部の内部に触媒がない場合には、溶接線13の温
度と改質ガスの出口の温度とに大きな差が現われてしま
う。また、常温で十分触媒層8と接触するように改質管
6の溶接線13を設けても、改質管6の上端が約100
0℃という高温になることにより、改質管6の長さが約
2mある場合、20〜30amはど改質管6が熱膨張し
て触媒層8より上部に突き出てしまう。
改質ガスの流れだけの場合には、改質管6の内部に触媒
が充填されている場合に比べると、その壁面から内部改
質ガスへ・の熱伝達率が非常に悪くなるので、改質管6
の溶接部の内部に触媒がない場合には、溶接線13の温
度と改質ガスの出口の温度とに大きな差が現われてしま
う。また、常温で十分触媒層8と接触するように改質管
6の溶接線13を設けても、改質管6の上端が約100
0℃という高温になることにより、改質管6の長さが約
2mある場合、20〜30amはど改質管6が熱膨張し
て触媒層8より上部に突き出てしまう。
[発明の目的]
本r@明は上記のような同層を解決するために成された
もので、その目的は長期使用による改質触媒層の沈下を
防止しかつ改質管の温度変化による熱膨張に追従°して
極めて効率の良い改質を行なうことが可能な改質装置を
提供することにある。
もので、その目的は長期使用による改質触媒層の沈下を
防止しかつ改質管の温度変化による熱膨張に追従°して
極めて効率の良い改質を行なうことが可能な改質装置を
提供することにある。
[発明の概要]
上記目的を達成するために本発明では、触媒層内管の外
側に目皿で支持された触媒層が形成されその水平断面が
環状をなし改質ガスの往路となる流路が、上記触媒層内
管の内側にその水平断面が環状をなし改質ガスの復路と
なる流路が夫々形成され、かつ一端開口部にドーム状の
鏡板、が溶接され、外部からの加熱により上記往路にお
いてガスの改質を行なう改質管を内蔵して成る改質器に
おいて、上記改質管を鏡板が溶接された側の端部が下側
となるように配設すると共にその下方位置に当該改質管
を加熱するバーナを設け、また上記改質管を鏡板が溶接
された側と反対側の端部側を管板で支蹄し、上記鏡板の
外側を覆うように断熱用のキャップを取付け、上記改質
管の外側にはそれを取り囲むようにスリーブ管を配設し
、かつ上記改質管とスリーブ管との藺に伝熱充填層を形
成すると共に当該伝熱充填層をスリーブ管の下端部側に
設けた目皿で支持するようにし、上記伝熱充填層を支持
する目皿の高さ位置を上記改質管の触媒層を支持する目
皿の高さ位置よりも高い位置となるようにしたことを特
徴とする。
側に目皿で支持された触媒層が形成されその水平断面が
環状をなし改質ガスの往路となる流路が、上記触媒層内
管の内側にその水平断面が環状をなし改質ガスの復路と
なる流路が夫々形成され、かつ一端開口部にドーム状の
鏡板、が溶接され、外部からの加熱により上記往路にお
いてガスの改質を行なう改質管を内蔵して成る改質器に
おいて、上記改質管を鏡板が溶接された側の端部が下側
となるように配設すると共にその下方位置に当該改質管
を加熱するバーナを設け、また上記改質管を鏡板が溶接
された側と反対側の端部側を管板で支蹄し、上記鏡板の
外側を覆うように断熱用のキャップを取付け、上記改質
管の外側にはそれを取り囲むようにスリーブ管を配設し
、かつ上記改質管とスリーブ管との藺に伝熱充填層を形
成すると共に当該伝熱充填層をスリーブ管の下端部側に
設けた目皿で支持するようにし、上記伝熱充填層を支持
する目皿の高さ位置を上記改質管の触媒層を支持する目
皿の高さ位置よりも高い位置となるようにしたことを特
徴とする。
[発明の実施例1
以下、本発明を図面に示す一実施例について説明する。
第1図は、本発明による改質装置の構成例を断面図にて
示したものであり、第2図および第3図と同一部分には
同一符号を付して示している。図において、改質器容器
1aの内部には複数本の改質管6を、鏡板12が溶接さ
れた側の端部が下側となるように配設し、その下方位置
の燃焼室3には当該改質管6を加熱するバーナ2を図示
の如く上向きに設けている。また、上記鏡板12の外側
にはそれを覆うようにセラミックやアルミナ等で成形さ
れた断熱用のキャップ14を取付リテーナ21により取
付は固定している。さらに、上記各改質管6の外側には
それを取り囲むように、上部スリーブ管22およびこの
上部スリーブ122の下部7ランジ23に押え板24を
介して取付けられた下部スリーブ管25を配設している
。こ 1こで、上部スリーブ管22は改質管6と
同様の金属つまりステンレス鋼あるいはインコネル等の
耐熱鋼からなり、また下部スリーブ管25はセラミック
等の高分子材料からなる。そして、高分子材料からなる
断熱板に多数の穴をあけて成形した目皿26を、上記下
部スリーブ管25に設けられた内側突起部27によって
支持し、かつ上記改質管6、上部スリーブ管22、下部
スリーブ管25及び目[26で囲まれた加熱流路4内に
伝熱材を充填して伝熱充填層4aを形成している。この
場合、伝熱充填層4aを支持する目皿26の高さ位置は
、上記改質管6の触媒層8を支持する下部の目皿17の
高さ位置よりも高い位置となるように設けて、改質管6
の温度変化による熱膨張に追従可能な構成としている。
示したものであり、第2図および第3図と同一部分には
同一符号を付して示している。図において、改質器容器
1aの内部には複数本の改質管6を、鏡板12が溶接さ
れた側の端部が下側となるように配設し、その下方位置
の燃焼室3には当該改質管6を加熱するバーナ2を図示
の如く上向きに設けている。また、上記鏡板12の外側
にはそれを覆うようにセラミックやアルミナ等で成形さ
れた断熱用のキャップ14を取付リテーナ21により取
付は固定している。さらに、上記各改質管6の外側には
それを取り囲むように、上部スリーブ管22およびこの
上部スリーブ122の下部7ランジ23に押え板24を
介して取付けられた下部スリーブ管25を配設している
。こ 1こで、上部スリーブ管22は改質管6と
同様の金属つまりステンレス鋼あるいはインコネル等の
耐熱鋼からなり、また下部スリーブ管25はセラミック
等の高分子材料からなる。そして、高分子材料からなる
断熱板に多数の穴をあけて成形した目皿26を、上記下
部スリーブ管25に設けられた内側突起部27によって
支持し、かつ上記改質管6、上部スリーブ管22、下部
スリーブ管25及び目[26で囲まれた加熱流路4内に
伝熱材を充填して伝熱充填層4aを形成している。この
場合、伝熱充填層4aを支持する目皿26の高さ位置は
、上記改質管6の触媒層8を支持する下部の目皿17の
高さ位置よりも高い位置となるように設けて、改質管6
の温度変化による熱膨張に追従可能な構成としている。
一方、触媒層内管20はその中間と上部の管の外側外周
に4〜6箇所のリプを設けて上記改質管6の内部に挿入
し、かつ上部のリプ28を管板29の上部に広げてこの
リプで当該内管20の重量を支持するようにしている。
に4〜6箇所のリプを設けて上記改質管6の内部に挿入
し、かつ上部のリプ28を管板29の上部に広げてこの
リプで当該内管20の重量を支持するようにしている。
また、触媒層内管20の内側には復路となるリターンバ
ス10を形成するために上、中、下の3箇所に4〜6等
配のリプを設けて、内部にセンタプラグ9を挿入してい
る。さらに、管板29はその上部の周囲に円筒壁30を
設け、これに仕切板31とその上方に位置する鏡板32
を7ランジ33にてカバーボルト34で締結している。
ス10を形成するために上、中、下の3箇所に4〜6等
配のリプを設けて、内部にセンタプラグ9を挿入してい
る。さらに、管板29はその上部の周囲に円筒壁30を
設け、これに仕切板31とその上方に位置する鏡板32
を7ランジ33にてカバーボルト34で締結している。
さらにまた、上記管板29はその端部を断熱材35を介
して、改賀機容11aに設けられた台36上に載置して
いる。ここで、断熱材35は管板29の中心が偏心しな
いように夫々半径方向のみ自由に可動なキー構造として
、管板29の半径方向の熱膨張に対処可能にしている。
して、改賀機容11aに設けられた台36上に載置して
いる。ここで、断熱材35は管板29の中心が偏心しな
いように夫々半径方向のみ自由に可動なキー構造として
、管板29の半径方向の熱膨張に対処可能にしている。
なお改質のための改質ガスは、改質ガス人ロアから入口
至37に流入して改質触媒1!18を流下し、下端部で
反転してリターンバス10を上昇し、出口管38を通し
て上部M39に出て改質ガス出口11より外部へ流出さ
せ、一方バーナ2での燃焼により生じた加熱流体は、伝
熱充填層4aを通して排ガス出口5より外部へ排出する
ようにしている。
至37に流入して改質触媒1!18を流下し、下端部で
反転してリターンバス10を上昇し、出口管38を通し
て上部M39に出て改質ガス出口11より外部へ流出さ
せ、一方バーナ2での燃焼により生じた加熱流体は、伝
熱充填層4aを通して排ガス出口5より外部へ排出する
ようにしている。
かかる改質装置においては、改質管6を鏡板12が溶接
された側の端部が下側となるように配設すると共に、そ
の下方位置に当該改質管6を加熱するバーナ2を設け、
かつ上記改質管6を鏡板12が溶接された側と反対側の
端部側を管板29に、より支持するようにしているので
、前述したような装置の長時間にわたる運転に伴う触媒
層8の沈下によって、高温側の目皿17と触媒層、8と
の間に空隙が発生するような、ことがない。一方この場
合、触媒層8自身の重力により層が沈下して上部の目皿
18と触媒層8との間に空隙が発生するが、この部分は
ガス入口のため温度が低い部所であり改質がそれほど行
なわれていないことから空隙が゛ 形成されても問題
にならない。もって、極めて効率の良い改質を行なうこ
とが可能となる。また、上記鏡板12には断熱用のキャ
ップ14を取付リテーナ21により取付は固定し、さら
に上記各改−質管6の外側には上部スリーブ管22およ
びこの上部スリーブ管22の下部フランジ23に押え板
24を介して取付けられた下部スリーブ管25を配設す
ると共に、目皿26を下部スリーブ管25に設けられた
内側突起部27によって支持し、かつ上記改質管6、上
部スリーブ管22、下部スリーブ管25及び目皿26で
囲まれた加熱流路4内に伝熱材を充填して伝熱充填層4
aを形成し、伝熱充填層4aを支持する目皿26の高さ
位置を、改質管6の触媒層8を支・持する下部の目皿1
7の高さ位置よりも高い位置となるように設けているの
で、改質管6の温度変化による熱膨張に追従することが
可能となる。つまり、改質管6は装置運転中は熱膨張に
よって下側に向かって伸びるが、この改質管6の外側に
設けた上部スリーブ管22および下部スリーブ管25は
金属であり改質管6と同程度の温度になるので同程度に
熱膨張し、改質管6の熱膨張に追従して伝熱充填層4a
を支持する目皿26が下方に移動するため、改質特性の
良い改質管6を得ることができる。ざらに、上部のカバ
ーボルト34を取外して仕切板31を取去ることにより
、改質管6内部の触媒層8の触媒の取替え作業を容易に
行なうことが可能となる。 !尚、上記実施例で
は改質管6を複数本設けた場合を述べたが、これに限ら
ず一本のみ設ける場合においても本発明を同様に適用す
ることができるものである。
された側の端部が下側となるように配設すると共に、そ
の下方位置に当該改質管6を加熱するバーナ2を設け、
かつ上記改質管6を鏡板12が溶接された側と反対側の
端部側を管板29に、より支持するようにしているので
、前述したような装置の長時間にわたる運転に伴う触媒
層8の沈下によって、高温側の目皿17と触媒層、8と
の間に空隙が発生するような、ことがない。一方この場
合、触媒層8自身の重力により層が沈下して上部の目皿
18と触媒層8との間に空隙が発生するが、この部分は
ガス入口のため温度が低い部所であり改質がそれほど行
なわれていないことから空隙が゛ 形成されても問題
にならない。もって、極めて効率の良い改質を行なうこ
とが可能となる。また、上記鏡板12には断熱用のキャ
ップ14を取付リテーナ21により取付は固定し、さら
に上記各改−質管6の外側には上部スリーブ管22およ
びこの上部スリーブ管22の下部フランジ23に押え板
24を介して取付けられた下部スリーブ管25を配設す
ると共に、目皿26を下部スリーブ管25に設けられた
内側突起部27によって支持し、かつ上記改質管6、上
部スリーブ管22、下部スリーブ管25及び目皿26で
囲まれた加熱流路4内に伝熱材を充填して伝熱充填層4
aを形成し、伝熱充填層4aを支持する目皿26の高さ
位置を、改質管6の触媒層8を支・持する下部の目皿1
7の高さ位置よりも高い位置となるように設けているの
で、改質管6の温度変化による熱膨張に追従することが
可能となる。つまり、改質管6は装置運転中は熱膨張に
よって下側に向かって伸びるが、この改質管6の外側に
設けた上部スリーブ管22および下部スリーブ管25は
金属であり改質管6と同程度の温度になるので同程度に
熱膨張し、改質管6の熱膨張に追従して伝熱充填層4a
を支持する目皿26が下方に移動するため、改質特性の
良い改質管6を得ることができる。ざらに、上部のカバ
ーボルト34を取外して仕切板31を取去ることにより
、改質管6内部の触媒層8の触媒の取替え作業を容易に
行なうことが可能となる。 !尚、上記実施例で
は改質管6を複数本設けた場合を述べたが、これに限ら
ず一本のみ設ける場合においても本発明を同様に適用す
ることができるものである。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、長期使用による改
質触媒層の沈下を防止しかつ改質管の温度変化による熱
膨張に追従して極めて効率の良い改質を行なうことが可
能な信頼性の高い改質装置が提供できる。
・
質触媒層の沈下を防止しかつ改質管の温度変化による熱
膨張に追従して極めて効率の良い改質を行なうことが可
能な信頼性の高い改質装置が提供できる。
・
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図は従来
の改質装置の構成例を示す断面図、第3図は第2図の改
質管上部の詳細を示す断面図である。 1・・・改質器、1a・・・改質器容器、2・・・バー
ナ、3・・・湛焼空、4・・・加熱流路、4a・・・伝
熱充填層、5・・・排ガス出口、6・・・改質管、7・
・・改質ガス入口、8・・・触媒層、9・・・センタプ
ラグ、10・・・リターンバス、11・・・改質ガス出
口、12・・・鏡板、13・・・溶接線、14・・・キ
ャップ、15・・・温度測定素子、16・・・触媒上端
、17.18・・・目皿、19・・・プラグガイド、2
0・・・触媒層内管、21・・・取付リテーナ、22・
・・上部スリーブ管、23・・・下部7ランジ、24・
・・押え板、25・・・下部スリーブ管、26・・・目
皿、27・・・内側突起部1.2,8・・・リブ、29
・・・管板、30・・・円筒壁、31・・・仕切板、3
2・・・鏡板、33・・・7ランジ、34・・・カバー
ボルト、35・・・断熱材、36川台、37・・・λ0
空、38・・・出口管、39・4・上部至。
の改質装置の構成例を示す断面図、第3図は第2図の改
質管上部の詳細を示す断面図である。 1・・・改質器、1a・・・改質器容器、2・・・バー
ナ、3・・・湛焼空、4・・・加熱流路、4a・・・伝
熱充填層、5・・・排ガス出口、6・・・改質管、7・
・・改質ガス入口、8・・・触媒層、9・・・センタプ
ラグ、10・・・リターンバス、11・・・改質ガス出
口、12・・・鏡板、13・・・溶接線、14・・・キ
ャップ、15・・・温度測定素子、16・・・触媒上端
、17.18・・・目皿、19・・・プラグガイド、2
0・・・触媒層内管、21・・・取付リテーナ、22・
・・上部スリーブ管、23・・・下部7ランジ、24・
・・押え板、25・・・下部スリーブ管、26・・・目
皿、27・・・内側突起部1.2,8・・・リブ、29
・・・管板、30・・・円筒壁、31・・・仕切板、3
2・・・鏡板、33・・・7ランジ、34・・・カバー
ボルト、35・・・断熱材、36川台、37・・・λ0
空、38・・・出口管、39・4・上部至。
Claims (2)
- (1)触媒層内管の外側に目皿で支持された触媒層が形
成されその水平断面が環状をなし改質ガスの往路となる
流路が、前記触媒層内管の内側にその水平断面が環状を
なし改質ガスの復路となる流路が夫々形成され、かつ一
端開口部にドーム状の鏡板が溶接され、外部からの加熱
により前記往路においてガスの改質を行なう改質管を内
蔵して成る改質器において、前記改質管を鏡板が溶接さ
れた側の端部が下側となるように配設すると共にその下
方位置に当該改質管を加熱するバーナを設け、かつ前記
改質管を鏡板が溶接された側と反対側の端部側を管板で
支持して成ることを特徴とする改質装置。 - (2)触媒層内管の外側に目皿で支持された触媒層が形
成されその水平断面が環状をなし改質ガスの往路となる
流路が、前記触媒層内管の内側にその水平断面が環状を
なし改質ガスの復路となる流路が夫々形成され、かつ一
端開口部にドーム状の鏡板が溶接され、外部からの加熱
により前記往路においてガスの改質を行なう改質管を内
蔵して成る改質器において、前記改質管を鏡板が溶接さ
れた側の端部が下側となるように配設すると共にその下
方位置に当該改質管を加熱するバーナを設け、前記改質
管を鏡板が溶接された側と反対側の端部側を管板で支持
し、前記鏡板の外側を覆うように断熱用のキャップを取
付け、前記改質管の外側にはそれを取り囲むようにスリ
ーブ管を配設し、かつ前記改質管とスリーブ管との間に
伝熱充填層を形成すると共に当該伝熱充填層をスリーブ
管の下端部側に設けた目皿で支持するようにし、前記伝
熱充填層を支持する目皿の高さ位置を前記改質管の触媒
層を支持する目皿の高さ位置よりも高い位置となるよう
にしたことを特徴とする改質装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166247A JPH0645442B2 (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 改質装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166247A JPH0645442B2 (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 改質装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6146235A true JPS6146235A (ja) | 1986-03-06 |
| JPH0645442B2 JPH0645442B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=15827840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59166247A Expired - Lifetime JPH0645442B2 (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 改質装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645442B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015515438A (ja) * | 2012-03-22 | 2015-05-28 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | 焼結結合されたセラミック物品 |
| US9995417B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-06-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Extended length tube structures |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151439U (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-11 | 三菱電機株式会社 | 反応管 |
| JPS5978904A (ja) * | 1982-10-23 | 1984-05-08 | Jgc Corp | 炭化水素の水蒸気改質反応器 |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP59166247A patent/JPH0645442B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151439U (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-11 | 三菱電機株式会社 | 反応管 |
| JPS5978904A (ja) * | 1982-10-23 | 1984-05-08 | Jgc Corp | 炭化水素の水蒸気改質反応器 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015515438A (ja) * | 2012-03-22 | 2015-05-28 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | 焼結結合されたセラミック物品 |
| JP2017081816A (ja) * | 2012-03-22 | 2017-05-18 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | 焼結結合されたセラミック物品 |
| US9995417B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-06-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Extended length tube structures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0645442B2 (ja) | 1994-06-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |