JPS6149482A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
- Publication number
- JPS6149482A JPS6149482A JP59172082A JP17208284A JPS6149482A JP S6149482 A JPS6149482 A JP S6149482A JP 59172082 A JP59172082 A JP 59172082A JP 17208284 A JP17208284 A JP 17208284A JP S6149482 A JPS6149482 A JP S6149482A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electrode
- receiving plate
- substrate
- transmitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は太陽光等の光エネルギを直接電気エネルギに変
換する光起電力装置に関し、主として所請太陽電池とし
て利用されろ。
換する光起電力装置に関し、主として所請太陽電池とし
て利用されろ。
（ロ）従来の技術
支持基板に光照射により光電変換動作する光電変換膜を
直接形成せしめた光起電力装置は既に知られており、ま
た上記基板を透光性となすことによりこの基板を受光面
側とした光起電力装置も例えば米国特許第４，２８１，
２０８号に開示された如く現存する。上記透光性の基板
は実用的にはガラスが用いられ、ｉた研究所レベルでｔ
ｉ特公昭５９−６０７４号の如く焼結度を高くすること
によって透光性を得たセラミックも使用されている。
直接形成せしめた光起電力装置は既に知られており、ま
た上記基板を透光性となすことによりこの基板を受光面
側とした光起電力装置も例えば米国特許第４，２８１，
２０８号に開示された如く現存する。上記透光性の基板
は実用的にはガラスが用いられ、ｉた研究所レベルでｔ
ｉ特公昭５９−６０７４号の如く焼結度を高くすること
によって透光性を得たセラミックも使用されている。
然し乍ら、上述の如き光起電力装置の光電変換膜は膜状
を呈するが故に、該変換膜を支持する支持基板は不可欠
な存在でアシ、また支持基板を受光面側としブヒ場合、
上記ガラス或いは透光性セラミックは有益な基板材料で
ある反面１両者共に衝撃による破壊危惧を有しており、
特に斯る光起電力装置（太陽電池）を組み込んだポケッ
トラジオ。
を呈するが故に、該変換膜を支持する支持基板は不可欠
な存在でアシ、また支持基板を受光面側としブヒ場合、
上記ガラス或いは透光性セラミックは有益な基板材料で
ある反面１両者共に衝撃による破壊危惧を有しており、
特に斯る光起電力装置（太陽電池）を組み込んだポケッ
トラジオ。
腕時計、電車等の小屋民生機器に於いて上述の如き支持
基板が衝撃破壊され飛散すると危険である。
基板が衝撃破壊され飛散すると危険である。
（う 発明が解決しようとした問題点
本発明は斯る透光性の支持基板が衝撃付加されると破壊
し、その破片が飛散する点を解決しようとしたものであ
る。
し、その破片が飛散する点を解決しようとしたものであ
る。
に）問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するために、光電変換動作す
る光電変換膜を、一方の主面に於いて支持する透光性の
支持基板の他方の主面側を受光面側とし、その受光面側
に光屈折率が上記支持基板とほぼ等しい透明接着層を介
して透光性受光板を配置し之構成にある。また上記透光
性受光板は強化ガラスよりなっている□ （ホ）作 用 上述の如く透光性の受光面側に光屈折率が上記支持基板
とほぼ等しい透明接着層を介して透光性受光板を配置す
ることによって、上記透明接着層は仮に受光板が衝繋破
壊されたとしても斯る破壊による破片の飛散を防止する
（９）をする。更に上記受光板として強化ガラスを使用
すると、耐衝撃性そのものが上昇する。
る光電変換膜を、一方の主面に於いて支持する透光性の
支持基板の他方の主面側を受光面側とし、その受光面側
に光屈折率が上記支持基板とほぼ等しい透明接着層を介
して透光性受光板を配置し之構成にある。また上記透光
性受光板は強化ガラスよりなっている□ （ホ）作 用 上述の如く透光性の受光面側に光屈折率が上記支持基板
とほぼ等しい透明接着層を介して透光性受光板を配置す
ることによって、上記透明接着層は仮に受光板が衝繋破
壊されたとしても斯る破壊による破片の飛散を防止する
（９）をする。更に上記受光板として強化ガラスを使用
すると、耐衝撃性そのものが上昇する。
（へ）実 施 例
第１図は本発光起電力装置の分解斜視図１％２図は要部
の拡大断面図である。第１図及び第２図に於いて、（１
ンは太陽光等の光照射を受けると起電力を発生する光起
電力素子で、該素子（１）は透光性のガラス、セラミッ
ク等の支持基板【２）と、該基板（２）の一方の主面（
２１１１）側に被着形成された光電変換膜（３）と、該
光電変換膜（３）の上記基板（２」と反対側の主面を覆
うパッシベーション膜【４）と、から構成されている。
の拡大断面図である。第１図及び第２図に於いて、（１
ンは太陽光等の光照射を受けると起電力を発生する光起
電力素子で、該素子（１）は透光性のガラス、セラミッ
ク等の支持基板【２）と、該基板（２）の一方の主面（
２１１１）側に被着形成された光電変換膜（３）と、該
光電変換膜（３）の上記基板（２」と反対側の主面を覆
うパッシベーション膜【４）と、から構成されている。
（５１Ｆｉ上記光電変換膜（３） １に支持する支持基
板（２）の他方の主面（２ｓ２）側に配置され受光面と
して作用する透光性のガラス、セラミック等からなる受
光板、（６）は該受光板（５）と支持基板（２）との間
に配挿され両者を結合するシート状の透明接着層で、該
接着層（６）は支持基板（２）と受光板（５）の屈折率
とほぼ等しい屈折率を備えている。例えば上記支持基板
（２）及び受光板（５）として通常の窓ガラス用の所謂
板ガラスを使用すると、そのガラス材はソーダ石灰ガラ
スでる）約１．４５〜１６０程度の屈折率を持ち、斯ろ
屈折率とほぼ等しい透明接着層（６）としては屈折本釣
１．４８のポリビニルブチラール（ＰＶＢ）やエチレン
ビニルアセテ−）（ＥＶＡ）が存在する。斯るＰＶＢ及
びＥＶＡ共に厚み［１１〜数ＩＭ程度のシート状のもの
が例えば米国デュポン社から市販されておシ、購入時白
濁している透明接着層（６）用シート材を支持基板（２
〕と受光板（５）との間に挟み込み、例えば１ＱＴｏｒ
ｒ以下の減圧状態に於いて加熱温度８０〜１７０ ”Ｃ
圧力０，５〜５即／−の条件でホットプレスすることに
より、白濁していたシート材から気泡がｘＶ気され透明
となった透明接着層「６）により受光板〔５ンと支持基
板（２）とが一体的に結合される。
板（２）の他方の主面（２ｓ２）側に配置され受光面と
して作用する透光性のガラス、セラミック等からなる受
光板、（６）は該受光板（５）と支持基板（２）との間
に配挿され両者を結合するシート状の透明接着層で、該
接着層（６）は支持基板（２）と受光板（５）の屈折率
とほぼ等しい屈折率を備えている。例えば上記支持基板
（２）及び受光板（５）として通常の窓ガラス用の所謂
板ガラスを使用すると、そのガラス材はソーダ石灰ガラ
スでる）約１．４５〜１６０程度の屈折率を持ち、斯ろ
屈折率とほぼ等しい透明接着層（６）としては屈折本釣
１．４８のポリビニルブチラール（ＰＶＢ）やエチレン
ビニルアセテ−）（ＥＶＡ）が存在する。斯るＰＶＢ及
びＥＶＡ共に厚み［１１〜数ＩＭ程度のシート状のもの
が例えば米国デュポン社から市販されておシ、購入時白
濁している透明接着層（６）用シート材を支持基板（２
〕と受光板（５）との間に挟み込み、例えば１ＱＴｏｒ
ｒ以下の減圧状態に於いて加熱温度８０〜１７０ ”Ｃ
圧力０，５〜５即／−の条件でホットプレスすることに
より、白濁していたシート材から気泡がｘＶ気され透明
となった透明接着層「６）により受光板〔５ンと支持基
板（２）とが一体的に結合される。
一方、一般に屈折率ｎ１の物質からｎ２の物質へ光が垂
直に入射した場合、その界面に於いて生じる光反射率Ｒ
は、 Ｒ＝（） ｎｌ＋ｎ２ で表わされることは周知の通シである。従って。
直に入射した場合、その界面に於いて生じる光反射率Ｒ
は、 Ｒ＝（） ｎｌ＋ｎ２ で表わされることは周知の通シである。従って。
上記接着層（６）の屈折率が支持基板（２）及び受光板
（５）との屈折率とほぼ等しめために、光電変換膜］３
ノの入射面に至るまでに光が受光板（５）、透明接着層
（６）及び支持基板（２）の三層を透過しなければなら
ないにも拘らず、最初の大気と受光板（５）との界面に
於いて大きく反射する以外は夫々の界面ｒこ於けろ反射
は殆ど無視し得る。即ち、受光板（５）及び支持基板（
２）として最も一般的な窓用ガラス材を用いると、その
ガラス材の屈折率は約１５２であり、その中間に位置す
るＰＶＢ或いはＥＶＡの屈折率が上述の如く約１４８で
るるから、光電変換膜（３）に到達するまで光が反射し
ようとした総合反射率ＲｓＨ１でアシ、従来の如く支持
基板（２）に直接光が照射される場合の反射率Ｒ１が。
（５）との屈折率とほぼ等しめために、光電変換膜］３
ノの入射面に至るまでに光が受光板（５）、透明接着層
（６）及び支持基板（２）の三層を透過しなければなら
ないにも拘らず、最初の大気と受光板（５）との界面に
於いて大きく反射する以外は夫々の界面ｒこ於けろ反射
は殆ど無視し得る。即ち、受光板（５）及び支持基板（
２）として最も一般的な窓用ガラス材を用いると、その
ガラス材の屈折率は約１５２であり、その中間に位置す
るＰＶＢ或いはＥＶＡの屈折率が上述の如く約１４８で
るるから、光電変換膜（３）に到達するまで光が反射し
ようとした総合反射率ＲｓＨ１でアシ、従来の如く支持
基板（２）に直接光が照射される場合の反射率Ｒ１が。
であることからして、三層構造にすることによる反射率
の増加は０．０００４に過ない。
の増加は０．０００４に過ない。
再び第２図を参照して光電変換膜（３）の具体的構成に
ついて説明を加える。支持基板（２）の一方の主面（２
８１）、即ち光入射側から見て背面に設けられた光電変
換膜（３）は、電子ビーム蒸着法等にょシ選択形成或い
は全面に形成後フォトリングラフィ手法若しくはレーザ
スクライブ手法により複数個にバター二／グされた酸化
スズ、酸化インジウムスズ等の単層或いは積層構造の透
光性導電酸化物電極（以下ＴＣＯ電極と呼ぶ）（７）と
、シラン等の反応ガス雰囲気中でのグロー放電によシ形
弐されたアモルファスシリコン系半導体の光氾一層（８
）と、アルミニウム等のオーミック性の背面電極（９）
と、の膜厚ミクロンオーダ乃至サブミクロンオーダの積
層構造体部を、それ等の隣接間隔部［１１）Ｖｃ於いて
チタン或いは該チタンとアルミニウム更ＶｃＶｉチタン
の積層構成Ｖｃめる結合電極α２１を介して電気的に直
列関係になるべく接続している。上記結合電極０はアル
ミニウムからなる背面電極（９）が直接隣接間隔部αυ
に露出した隣りの積層構造体１１ＧのＴＣＯ電極（７）
と接触すると、その接触界面に於いてＴＣＯ電極（７）
中の酸素が背面電極（９）材のアルミニｒ
ラムを酸化せしめて抵抗層を形成するのを防止する
ためのものであり、従って、斯る結合電極［＋２１の結
合面材は酸化しにくμものであればチタンに限る必要は
ない。
ついて説明を加える。支持基板（２）の一方の主面（２
８１）、即ち光入射側から見て背面に設けられた光電変
換膜（３）は、電子ビーム蒸着法等にょシ選択形成或い
は全面に形成後フォトリングラフィ手法若しくはレーザ
スクライブ手法により複数個にバター二／グされた酸化
スズ、酸化インジウムスズ等の単層或いは積層構造の透
光性導電酸化物電極（以下ＴＣＯ電極と呼ぶ）（７）と
、シラン等の反応ガス雰囲気中でのグロー放電によシ形
弐されたアモルファスシリコン系半導体の光氾一層（８
）と、アルミニウム等のオーミック性の背面電極（９）
と、の膜厚ミクロンオーダ乃至サブミクロンオーダの積
層構造体部を、それ等の隣接間隔部［１１）Ｖｃ於いて
チタン或いは該チタンとアルミニウム更ＶｃＶｉチタン
の積層構成Ｖｃめる結合電極α２１を介して電気的に直
列関係になるべく接続している。上記結合電極０はアル
ミニウムからなる背面電極（９）が直接隣接間隔部αυ
に露出した隣りの積層構造体１１ＧのＴＣＯ電極（７）
と接触すると、その接触界面に於いてＴＣＯ電極（７）
中の酸素が背面電極（９）材のアルミニｒ
ラムを酸化せしめて抵抗層を形成するのを防止する
ためのものであり、従って、斯る結合電極［＋２１の結
合面材は酸化しにくμものであればチタンに限る必要は
ない。
上記アモルファスシリコン系の光活性層（８）は膜面に
平行なＰｉｎ等の周知の半導体接合を備えており、受光
板（５）、透明接着層（６）、支持基板（２）及びＴＣ
Ｏ電極（７）を経て光が照射されると、主に肉厚な１型
層に於いて自由状態の電子及び正孔の光キャリアが発生
して、斯る光キャリアがＴＣＯ電極（７１及び背面電極
（９）に集電されることによって光起電力が発生する。
平行なＰｉｎ等の周知の半導体接合を備えており、受光
板（５）、透明接着層（６）、支持基板（２）及びＴＣ
Ｏ電極（７）を経て光が照射されると、主に肉厚な１型
層に於いて自由状態の電子及び正孔の光キャリアが発生
して、斯る光キャリアがＴＣＯ電極（７１及び背面電極
（９）に集電されることによって光起電力が発生する。
そして発生した光起電力は結合電極１■を介して隣接し
た積層構造体曝の光起電力と相加され、その積層構造体
間の面積に孔列した出力が端子電極（１３）から取り出
される。
た積層構造体曝の光起電力と相加され、その積層構造体
間の面積に孔列した出力が端子電極（１３）から取り出
される。
而して、この様な構造に於いて受光板（５）の光入射面
に衝撃が加えられろと、受光板（５）は破損しその破片
は飛散しようとしたが、透明接着層＋６１が破片の飛散
力を吸収するために斯る受光板（５）の破片は飛散する
に至らない。
に衝撃が加えられろと、受光板（５）は破損しその破片
は飛散しようとしたが、透明接着層＋６１が破片の飛散
力を吸収するために斯る受光板（５）の破片は飛散する
に至らない。
更ＶＣ％本発明光起電力装置［６りては受光板（５）と
して通常の同厚の板ガラスに比して約３〜８倍程度機械
的強度の太きｈ強化ガラスを使用することが可能となる
。即ち１強化ガラスとしては、通常の板ガラスを、軟化
温度付近（５００〜７００℃）まで均一に加熱した後、
これに均一に冷却ガスを吹き付けて急冷すると、すでに
冷却硬化した表層のために内部の収縮が妨げられ、引張
応力を生じ、その結果表層に圧縮応力が誘発されること
によって強化される風冷強化と、カリウム水溶液中に浸
漬することによって上記カリウムを表層に取り込ませて
化学的に強化する化学強化と、の２種類が存在する。斯
る２種類の強化ガラスの共通の欠点は強化後任意の形状
に切断加工できず、更には光電変換膜（３）のＴＣＯ電
極（７）の透明度を上昇せしめるために約３００〜５０
０℃付近まで加熱したシ、更には光活性層（８）として
上述の如きシランのグロー放電によりアモルファスシリ
コン系半導体膜を形成す（へ）く支持基板（２）を約２
００〜３５０℃程度に加熱しなければならず、この両者
の加熱により強化されていた強化ガラスは通常の板ガラ
スに戻ることでめる〇 従って、従来から加熱処理を必要とした光起電力装置の
支持基板として強化ガラスを用いたとしても製造後はた
だの板ガラスと同じ機械的強度しか備えておらず、また
仮に強化ガラスの状態でめったとしても１０側×１０備
〜４０ｃｓＸ４０国の大型基板にポケットラジオ、電卓
、腕時計等の小型民生機器に用いられる太陽電池全同時
に多数個作製したとして′ｉｂ％個々のモジュールに切
断加工を施すべく表層にスクライプ溝を形成すると、−
瞬にして内部応力のために粉砕するため−て、斯る機械
的強度が大きい強化ガラスを使用することができなかっ
たのである。
して通常の同厚の板ガラスに比して約３〜８倍程度機械
的強度の太きｈ強化ガラスを使用することが可能となる
。即ち１強化ガラスとしては、通常の板ガラスを、軟化
温度付近（５００〜７００℃）まで均一に加熱した後、
これに均一に冷却ガスを吹き付けて急冷すると、すでに
冷却硬化した表層のために内部の収縮が妨げられ、引張
応力を生じ、その結果表層に圧縮応力が誘発されること
によって強化される風冷強化と、カリウム水溶液中に浸
漬することによって上記カリウムを表層に取り込ませて
化学的に強化する化学強化と、の２種類が存在する。斯
る２種類の強化ガラスの共通の欠点は強化後任意の形状
に切断加工できず、更には光電変換膜（３）のＴＣＯ電
極（７）の透明度を上昇せしめるために約３００〜５０
０℃付近まで加熱したシ、更には光活性層（８）として
上述の如きシランのグロー放電によりアモルファスシリ
コン系半導体膜を形成す（へ）く支持基板（２）を約２
００〜３５０℃程度に加熱しなければならず、この両者
の加熱により強化されていた強化ガラスは通常の板ガラ
スに戻ることでめる〇 従って、従来から加熱処理を必要とした光起電力装置の
支持基板として強化ガラスを用いたとしても製造後はた
だの板ガラスと同じ機械的強度しか備えておらず、また
仮に強化ガラスの状態でめったとしても１０側×１０備
〜４０ｃｓＸ４０国の大型基板にポケットラジオ、電卓
、腕時計等の小型民生機器に用いられる太陽電池全同時
に多数個作製したとして′ｉｂ％個々のモジュールに切
断加工を施すべく表層にスクライプ溝を形成すると、−
瞬にして内部応力のために粉砕するため−て、斯る機械
的強度が大きい強化ガラスを使用することができなかっ
たのである。
また、受光板（５）として、強化ガラスの使用と同じ〈
従来２００℃以上の加熱処理を必要としていた光起電力
装置では使用することのでき々かりた反射防止膜を備え
たものを利用することが可能となる。
従来２００℃以上の加熱処理を必要としていた光起電力
装置では使用することのでき々かりた反射防止膜を備え
たものを利用することが可能となる。
（ト」発明の効果
本発明光起電力装置は以上の説明から明らかな如く、光
入射面を形成する透光性受光板と透光性支持基板との間
に両者を接着せしめる透明接着層を配挿せしめることに
よって、該透明接着層は受光板の衝撃破壊による破片の
飛散を防止すべく作用するので、斯る破片の飛散による
危険性を回避することができると共ｒｃ％屈折率が王者
ともにほぼ等しいために、上記透明接着層を原因とした
光反射率の増加を実質的に無視することができ光電変換
効率の低下を招くことはない。
入射面を形成する透光性受光板と透光性支持基板との間
に両者を接着せしめる透明接着層を配挿せしめることに
よって、該透明接着層は受光板の衝撃破壊による破片の
飛散を防止すべく作用するので、斯る破片の飛散による
危険性を回避することができると共ｒｃ％屈折率が王者
ともにほぼ等しいために、上記透明接着層を原因とした
光反射率の増加を実質的に無視することができ光電変換
効率の低下を招くことはない。
第１図は本発明光起電力装置の分解斜視図、第２図は第
」図の要部拡大断面図、を夫々示している０ （２）・・・支持基板、（３）・・・光電変換膜、（５
）・・・受光板、（６）・・・透明接着層。
」図の要部拡大断面図、を夫々示している０ （２）・・・支持基板、（３）・・・光電変換膜、（５
）・・・受光板、（６）・・・透明接着層。
Claims (2)
- （１）光照射により光電変換動作する光電変換膜を、一
方の主面に於いて支持する透光性の支持基板の他方の主
面側を受光面側とし、その受光面側に光屈折率が上記支
持基板とほぼ等しい透明接着層を介して透光性受光板を
配置したことを特徴とした光起電力装置。 - （２）上記透光性受光板は強化ガラスよりなることを特
徴とした特許請求の範囲第１項記載の光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59172082A JPS6149482A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59172082A JPS6149482A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6149482A true JPS6149482A (ja) | 1986-03-11 |
Family
ID=15935200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59172082A Pending JPS6149482A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6149482A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995009442A1 (en) * | 1993-09-30 | 1995-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module having surface coating material of three-layer structure |
| WO1996007956A1 (en) * | 1994-09-08 | 1996-03-14 | Citizen Watch Co., Ltd. | Solar cell timepiece |
| WO1996012989A1 (en) * | 1994-10-21 | 1996-05-02 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dial for solar cell timepiece and production method thereof |
| WO1996031810A1 (en) * | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dial of solar-cell timepiece |
| WO2006011522A1 (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | 発光モジュールおよびその製造方法 |
| WO2006011525A1 (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | 発光モジュールおよび発光システム |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP59172082A patent/JPS6149482A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995009442A1 (en) * | 1993-09-30 | 1995-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module having surface coating material of three-layer structure |
| US5650019A (en) * | 1993-09-30 | 1997-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module having a surface coating material of three-layered structure |
| WO1996007956A1 (en) * | 1994-09-08 | 1996-03-14 | Citizen Watch Co., Ltd. | Solar cell timepiece |
| WO1996012989A1 (en) * | 1994-10-21 | 1996-05-02 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dial for solar cell timepiece and production method thereof |
| CN1065052C (zh) * | 1994-10-21 | 2001-04-25 | 西铁城钟表株式会社 | 太阳能电池钟表面板及其制法 |
| WO1996031810A1 (en) * | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dial of solar-cell timepiece |
| US5912064A (en) * | 1995-04-07 | 1999-06-15 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dial plate for solar battery powered watch |
| WO2006011522A1 (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | 発光モジュールおよびその製造方法 |
| WO2006011525A1 (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | 発光モジュールおよび発光システム |
| US7641357B2 (en) | 2004-07-28 | 2010-01-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting module and light-emitting system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0694213B1 (en) | Method of fabricating solar cell modules | |
| JP3866747B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JPH11312820A (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| JPS625671A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| TWI398007B (zh) | Lighting type solar module | |
| KR101621989B1 (ko) | 태양전지 패널 | |
| JP2009076739A (ja) | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
| US20170018672A1 (en) | High power solar cell module | |
| EP2141747B2 (en) | Solar cell module | |
| JP2002299666A (ja) | シースルー型薄膜太陽電池モジュール | |
| JP2025148562A (ja) | 発電装置 | |
| US20170194525A1 (en) | High power solar cell module | |
| JP2002043594A (ja) | 光透過型薄膜太陽電池モジュール | |
| JPS6149482A (ja) | 光起電力装置 | |
| JP2001244486A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP2011029273A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| KR101747344B1 (ko) | 태양전지 모듈 | |
| CN111886705B (zh) | 太阳能电池模块、玻璃建材、以及太阳能电池模块的制造方法 | |
| KR101405279B1 (ko) | 태양전지모듈 | |
| JP2012109414A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| KR101714780B1 (ko) | 태양전지 모듈 | |
| JP3363367B2 (ja) | 太陽電池モジュール用カバーガラス構造 | |
| JP6516228B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP2012089577A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JPS6149481A (ja) | 光起電力装置の製造方法 |