JPS6149784B2 - - Google Patents
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- JPS6149784B2 JPS6149784B2 JP11469478A JP11469478A JPS6149784B2 JP S6149784 B2 JPS6149784 B2 JP S6149784B2 JP 11469478 A JP11469478 A JP 11469478A JP 11469478 A JP11469478 A JP 11469478A JP S6149784 B2 JPS6149784 B2 JP S6149784B2
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- Japan
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- magnetic
- cathode ray
- ray tube
- focusing
- small holes
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 11
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電磁集束型陰極線管のビームスポツト
の真円度を改善する手段に関するものである。
の真円度を改善する手段に関するものである。
第1図は本発明者の開発に係わる従来の電磁集
束型陰極線管の一例を示す縦断平面図である。こ
の陰極線管は3個の電子銃1,2,3を水平に配
列(図では説明のため縦に配列してある)したい
わゆるインライン型カラー陰極線管の縦断平面図
である。図において、4は陰極線管のネツク部、
5はネツク部4の周辺に設けた円筒状永久磁石、
6,7は高透磁率の磁性体片、8はけい光面であ
る。第2図aは第1図のインライン型カラー陰極
線管のネツク部4を特に拡大して示した縦断平面
図であり、bは第1図の切断面A―A線断面図を
示す。
束型陰極線管の一例を示す縦断平面図である。こ
の陰極線管は3個の電子銃1,2,3を水平に配
列(図では説明のため縦に配列してある)したい
わゆるインライン型カラー陰極線管の縦断平面図
である。図において、4は陰極線管のネツク部、
5はネツク部4の周辺に設けた円筒状永久磁石、
6,7は高透磁率の磁性体片、8はけい光面であ
る。第2図aは第1図のインライン型カラー陰極
線管のネツク部4を特に拡大して示した縦断平面
図であり、bは第1図の切断面A―A線断面図を
示す。
以下に従来の電磁集束型陰極線管の動作を述べ
る。水平に配列されたセンター電子銃2及び両サ
イド電子銃1,3において陰極から放射された電
子ビーム9b,9a,9cは磁性体片6及び7に
設けられた各小孔10b,10a,10cを通過
し、けい光面8に到達する。一方、磁性体片6及
び7は円筒状永久磁石5から内側方向に発生する
磁束を吸収し、磁性体片6はS極に磁性体片7は
N極に着磁したと等価になる。従つて、磁性体片
7の各小孔10a,10b,10cから磁性体片
6の各小孔10a,10b,10cによつて形成
される小円筒内及びその近傍に集束磁界(第2図
aの点線部)が発生し、小孔を通過する電子ビー
ムは集束作用を受ける。しかしながら第2図bで
示すごとく、磁性体片7上における小孔10a,
10b,10cのX方向とY方向では構造上非対
称となるために(X方向には隣接の小孔が有る
が、Y方向には無いため)、磁界の強さがX方向
とY方向で異なり、Y方向の方が大である。中心
の小孔9bについて磁場強度を測定してみると、
Y方向の磁場強度がX方向のそれよりも10%程度
強い事がわかる。その結果電子ビーム9a,9
b,9cはX方向とY方向で集束力が異なるの
で、真円とならずY方向に偏平したビーム形状に
なる。
る。水平に配列されたセンター電子銃2及び両サ
イド電子銃1,3において陰極から放射された電
子ビーム9b,9a,9cは磁性体片6及び7に
設けられた各小孔10b,10a,10cを通過
し、けい光面8に到達する。一方、磁性体片6及
び7は円筒状永久磁石5から内側方向に発生する
磁束を吸収し、磁性体片6はS極に磁性体片7は
N極に着磁したと等価になる。従つて、磁性体片
7の各小孔10a,10b,10cから磁性体片
6の各小孔10a,10b,10cによつて形成
される小円筒内及びその近傍に集束磁界(第2図
aの点線部)が発生し、小孔を通過する電子ビー
ムは集束作用を受ける。しかしながら第2図bで
示すごとく、磁性体片7上における小孔10a,
10b,10cのX方向とY方向では構造上非対
称となるために(X方向には隣接の小孔が有る
が、Y方向には無いため)、磁界の強さがX方向
とY方向で異なり、Y方向の方が大である。中心
の小孔9bについて磁場強度を測定してみると、
Y方向の磁場強度がX方向のそれよりも10%程度
強い事がわかる。その結果電子ビーム9a,9
b,9cはX方向とY方向で集束力が異なるの
で、真円とならずY方向に偏平したビーム形状に
なる。
第3図は上記した従来の磁性体6,7を通過し
た後けい光面8に到達した時のビームスポツト形
状を示したものであ。ビームスポツトが矢印の回
転作用を受けるため偏平方向が回転してけい光面
上に映る。一般にビームスポツトが偏平すると偏
平に伸びた方向の解像度が著しく劣化するばかり
でなく、周辺フオーカスにも多大な悪影響を与え
るので好ましくない。
た後けい光面8に到達した時のビームスポツト形
状を示したものであ。ビームスポツトが矢印の回
転作用を受けるため偏平方向が回転してけい光面
上に映る。一般にビームスポツトが偏平すると偏
平に伸びた方向の解像度が著しく劣化するばかり
でなく、周辺フオーカスにも多大な悪影響を与え
るので好ましくない。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点を除
き、ビームスポツトの伸長に基づく解像度の劣化
を低減する電磁集束陰極線管を提供するにある。
き、ビームスポツトの伸長に基づく解像度の劣化
を低減する電磁集束陰極線管を提供するにある。
この目的を達成するため、本発明は前記磁性体
片の各小孔の配列方向を対称軸として、各小孔の
両側軸対称位置にそれぞれ対称的に整磁用の小孔
を設け、各小孔の配列方向に対し直角の方向の集
束磁界を配列方向の磁界とほぼ等しくするように
構成することを特徴とする。
片の各小孔の配列方向を対称軸として、各小孔の
両側軸対称位置にそれぞれ対称的に整磁用の小孔
を設け、各小孔の配列方向に対し直角の方向の集
束磁界を配列方向の磁界とほぼ等しくするように
構成することを特徴とする。
第4図は本発明の一実施例の要部を示す図で、
aはネツク部の縦断平面図、bはネツク部の横断
面図である。第2図と同じ内容のものには同じ番
号を付けてある。
aはネツク部の縦断平面図、bはネツク部の横断
面図である。第2図と同じ内容のものには同じ番
号を付けてある。
第4図の実施例において、第2図の従来例と構
成上異なる部分は、前記磁性体片6,7の小孔1
0a,10b,10cの配列方向(X方向)に対
し直角な方向(Y方向)における、小孔10a,
10b,10cの両側の対称的位置にそれぞれ整
磁用の小孔11a,11b,12a,12b,1
3a,13bを設けたことである。これらの整磁
用小孔を設けることにより、Y方向の集束磁界を
弱めることができ、整磁用小孔の位置及び孔径を
適当に選ぶことにより、X方向とY方向の集束磁
界を等しくすることができる。
成上異なる部分は、前記磁性体片6,7の小孔1
0a,10b,10cの配列方向(X方向)に対
し直角な方向(Y方向)における、小孔10a,
10b,10cの両側の対称的位置にそれぞれ整
磁用の小孔11a,11b,12a,12b,1
3a,13bを設けたことである。これらの整磁
用小孔を設けることにより、Y方向の集束磁界を
弱めることができ、整磁用小孔の位置及び孔径を
適当に選ぶことにより、X方向とY方向の集束磁
界を等しくすることができる。
このような構成をとる本発明の原理について、
以下に詳細に説明する。第2図bにおいてセンタ
ービーム用小孔10bによつて作り出される集束
磁界がX方向で同一とならない原因は小孔10b
のX方向とY方向の構造が異なるためであつた
が、第4図に示す小孔12a,12bはそれを補
正するために設けた整磁孔である。整磁孔12
a,12bは、小孔10bから小孔10a,10
cとほぼ同距離に離れたY方向に設置すれば、小
孔10bのX方向とY方向は構造上対称となり、
集束磁界は等しくなる。
以下に詳細に説明する。第2図bにおいてセンタ
ービーム用小孔10bによつて作り出される集束
磁界がX方向で同一とならない原因は小孔10b
のX方向とY方向の構造が異なるためであつた
が、第4図に示す小孔12a,12bはそれを補
正するために設けた整磁孔である。整磁孔12
a,12bは、小孔10bから小孔10a,10
cとほぼ同距離に離れたY方向に設置すれば、小
孔10bのX方向とY方向は構造上対称となり、
集束磁界は等しくなる。
すなわち、第2図の構造のとき、中心軸からX
方向にΔγだけ離れた場合とY方向にΔγだけ離
れた場合の、Z軸と平行な線上の、ビーム集束の
主成分であるZ方向磁界分布はそれぞれ第5図の
曲線16(X方向),17(Y方向)に示すよう
になつている。すなわちX方向にずれたときとY
方向にずれたときで磁界分布が異なり、軸対称分
布となつていない。本発明の第4図に示した形状
にすることによつて、X,Y方向にずれた第5図
に相当する磁界分布は、第6図に示すようにX,
Y方向の差はなくなり、ほとんど同一分布とな
り、軸対称磁界が形成され、理想的な集束作用を
受ける。
方向にΔγだけ離れた場合とY方向にΔγだけ離
れた場合の、Z軸と平行な線上の、ビーム集束の
主成分であるZ方向磁界分布はそれぞれ第5図の
曲線16(X方向),17(Y方向)に示すよう
になつている。すなわちX方向にずれたときとY
方向にずれたときで磁界分布が異なり、軸対称分
布となつていない。本発明の第4図に示した形状
にすることによつて、X,Y方向にずれた第5図
に相当する磁界分布は、第6図に示すようにX,
Y方向の差はなくなり、ほとんど同一分布とな
り、軸対称磁界が形成され、理想的な集束作用を
受ける。
又同様にサイドビーム用小孔10a,10cの
X方向、Y方向の非対象磁界を補正する整磁孔が
11a,11b及び13a,13bである。整磁
孔11a,1b及び13a,13bが特に上記し
た整磁孔12a,12bと異なる点は小孔10
a,10eはX方向の非対称も補正しなければな
らないことである。この点を考慮し小孔10a,
10cはX方向とY方向の非対称磁界の補正を行
なう必要がある。整磁孔11a,11b及び13
a,13bの位置と孔径を適切に選ぶ事によつ
て、X,Y方向の非対称磁界及びX方向内の非対
称磁界の補正が可能となる。
X方向、Y方向の非対象磁界を補正する整磁孔が
11a,11b及び13a,13bである。整磁
孔11a,1b及び13a,13bが特に上記し
た整磁孔12a,12bと異なる点は小孔10
a,10eはX方向の非対称も補正しなければな
らないことである。この点を考慮し小孔10a,
10cはX方向とY方向の非対称磁界の補正を行
なう必要がある。整磁孔11a,11b及び13
a,13bの位置と孔径を適切に選ぶ事によつ
て、X,Y方向の非対称磁界及びX方向内の非対
称磁界の補正が可能となる。
例えば磁性体片6,7の外径を22.4mmφ,小孔
10a,10b,10cの孔径を5.5mmφ,中心
の相互間隔を6.6mmにした時に、整磁孔12a,
12bの孔径を5.0mmφ,Y方向の距離を6.6mmと
し、11a,11b及び13a,13bの孔径を
2.5mmφ,中心位置を小孔10a,10cの中心
に対してY方向は4.5mm,X方向は1.0mm外側へ離
れた位置に設置すれば、電子ビーム9a,9b,
9cはほぼ真円となる事が実験的に得られる。
10a,10b,10cの孔径を5.5mmφ,中心
の相互間隔を6.6mmにした時に、整磁孔12a,
12bの孔径を5.0mmφ,Y方向の距離を6.6mmと
し、11a,11b及び13a,13bの孔径を
2.5mmφ,中心位置を小孔10a,10cの中心
に対してY方向は4.5mm,X方向は1.0mm外側へ離
れた位置に設置すれば、電子ビーム9a,9b,
9cはほぼ真円となる事が実験的に得られる。
第7図は本発明の他の実施例を示すネツク部の
横断面図であり、センタービーム用小孔10bに
対しては円形の整磁孔12a,12bであが、サ
イドビーム用小孔10a,10cに対しては三日
月形の整磁孔14a,14b及び15a,15b
にしてある。このようにするとサイドビームのス
ポツトの真円度は更に高くなる。
横断面図であり、センタービーム用小孔10bに
対しては円形の整磁孔12a,12bであが、サ
イドビーム用小孔10a,10cに対しては三日
月形の整磁孔14a,14b及び15a,15b
にしてある。このようにするとサイドビームのス
ポツトの真円度は更に高くなる。
以上述べたように、本発明によれば電子ビーム
の偏平による解像度劣化もなく、しかも加工量産
性にも適した安価な電磁集束型陰極線管を実現す
ることができる。
の偏平による解像度劣化もなく、しかも加工量産
性にも適した安価な電磁集束型陰極線管を実現す
ることができる。
第1図は従来の電磁集束型陰極線管の一例を示
す縦断平面図、第2図aは第1図のネツク部の拡
大説明図、第2図bは第1図のA−A線拡大断面
図、第3図は従来の電磁集束型陰極線管を用いた
場合電子ビームがけい光面に到達した時のビーム
スポツト形状を示す図、第4図a及びbは本発明
の一実施例の要部を示す、ネツク部縦断面図及び
横断面図、第5図及び第6図は本発明の原理を説
明する図、第7図は本発明の他の実施例を示すネ
ツク部の横断面図である。 1,2,3:電子銃、4:陰極線管ネツク部、
5:電子ビーム集束用永久磁石、6,7:磁性体
片、9a,9b,9c:電子ビーム、10a,1
0b,10c:磁性体片の小孔、{11a,11
b,12a,12b,13a,13b,14a,
14b,15a,15b}整磁用小孔。
す縦断平面図、第2図aは第1図のネツク部の拡
大説明図、第2図bは第1図のA−A線拡大断面
図、第3図は従来の電磁集束型陰極線管を用いた
場合電子ビームがけい光面に到達した時のビーム
スポツト形状を示す図、第4図a及びbは本発明
の一実施例の要部を示す、ネツク部縦断面図及び
横断面図、第5図及び第6図は本発明の原理を説
明する図、第7図は本発明の他の実施例を示すネ
ツク部の横断面図である。 1,2,3:電子銃、4:陰極線管ネツク部、
5:電子ビーム集束用永久磁石、6,7:磁性体
片、9a,9b,9c:電子ビーム、10a,1
0b,10c:磁性体片の小孔、{11a,11
b,12a,12b,13a,13b,14a,
14b,15a,15b}整磁用小孔。
Claims (1)
- 1 陰極線管内で一線上に設けられた複数の電子
銃から放射される複数の電子ビームを集束させる
磁界を発生する手段を有し、この陰極線管内に前
記集束磁界が分布する部分に、電子ビームの通過
する複数の小孔を夫々有する2個の高透磁率の磁
性体片を管軸方向に相互に隔てて設け、この小孔
を通過した各電子ビームがほぼターゲツト上に交
わるように集束磁界を調整してなる電磁集束型陰
極線管において、前記磁性体片の各小孔の配列方
向を対称軸として、各小孔の両側にそれぞれ対称
的に整磁用の小孔を設け、配列方向とその直角方
向における集束磁界を等しくするようにしたこと
を特徴とする陰極線管。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2826858A DE2826858C2 (de) | 1977-06-20 | 1978-06-19 | Magnetisches Fokussiersystem einer Mehrstrahl-Kathodenstrahl-Bildröhre |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS551060A JPS551060A (en) | 1980-01-07 |
| JPS6149784B2 true JPS6149784B2 (ja) | 1986-10-31 |
Family
ID=6042181
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11469378A Granted JPS551059A (en) | 1978-06-19 | 1978-09-20 | Electromagnetic focus cathode-ray tube |
| JP11469478A Granted JPS551060A (en) | 1978-06-19 | 1978-09-20 | Electromagnetic focus cathode-ray tube |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11469378A Granted JPS551059A (en) | 1978-06-19 | 1978-09-20 | Electromagnetic focus cathode-ray tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS551059A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4460844A (en) * | 1980-12-15 | 1984-07-17 | Hitachi, Ltd. | Magnetic focusing, three in-line gun type color picture tube |
| JPS5840749A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-09 | Toshiba Corp | 磁気集束型陰極線管 |
| JPS60156483A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-16 | 株式会社ソフイア | パチンコ遊技機の打球装置 |
| JPS61137580A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | 桂 治 | 遊技機 |
| JP2576855B2 (ja) * | 1985-12-13 | 1997-01-29 | 株式会社 大一商会 | パチンコ遊技機 |
-
1978
- 1978-09-20 JP JP11469378A patent/JPS551059A/ja active Granted
- 1978-09-20 JP JP11469478A patent/JPS551060A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS551059A (en) | 1980-01-07 |
| JPS551060A (en) | 1980-01-07 |
| JPS6149783B2 (ja) | 1986-10-31 |
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