JPS61501302A - How to attach the SAW element and its structure - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】 SAW素子の取り付は方法およびその構造〔技術分野〕 本発明は表面音響波(SAW)素子の構造および取り付は方法に関する。[Detailed description of the invention] SAW element mounting method and its structure [Technical field] The present invention relates to the structure and mounting method of surface acoustic wave (SAW) devices.
SAW素子は例えば電子回路に接続して帯域通過フィルタとして用いられる。典 型的な公知のSAW素子は、長方形の水晶基板を備え、この基板の表面に金属電 極が形成されている。これらの電極は過当なリード線により回路に接続すること ができる。基板は金属支持台に取り付けられ、有機接着剤により接続される。有 機接着剤は、通常は基板の′4!!端の周囲に形成され、水晶の終端面からの音 響反射を削減するための音響吸収体として働く、金属に取り付けられたパンケー ジは、表面に取り付けられた部品を含む厚膜回路板に使用するには実用的ではな い。このような金属パッケージを用いるために、レーザ穴開けにより厚膜仮に取 り付は用の孔を設けることも可能であるがこれは高価である。これとは別に、有 機接着剤を用いてSAW素子を直接に回路板に取り付けることもできる。しかし 、有機接着剤は、塩化物および水f気のようなガスを放出し、SAW素子が用い られる回路おび素子自体に悪影響を及ぼす、このため、従来のSAW素子は他の 回路から分離してパフケージされていた。 For example, the SAW element is connected to an electronic circuit and used as a bandpass filter. Noriyoshi A typical known SAW device has a rectangular crystal substrate, and a metal electrode is placed on the surface of this substrate. poles are formed. These electrodes should be connected to the circuit with proper leads. Can be done. The substrate is mounted on a metal support and connected by an organic adhesive. Yes Machine adhesive is usually attached to the board. ! Sound formed around the edges and from the end face of the crystal A metal-mounted pancase that acts as an acoustic absorber to reduce acoustic reflections. is impractical for use on thick film circuit boards containing surface-mounted components. stomach. In order to use such metal packages, the thick film is temporarily removed by laser drilling. It is also possible to provide holes for mounting, but this is expensive. Apart from this, there are SAW elements can also be attached directly to circuit boards using mechanical adhesives. but , organic adhesives emit gases such as chlorides and water vapor, and the SAW devices use For this reason, conventional SAW devices are It was puff caged and separated from the circuit.
本発明は、を機接着剤を用いず、ハイブリッド回路上に直接に取り付けて完成し た素子を実現できるSAW素子の取り付は方法に関する。The present invention can be completed by attaching directly onto the hybrid circuit without using adhesive. The present invention relates to a method for mounting a SAW device that can realize a device similar to the above.
〔発明の開示〕 本発明の第一の要点により、第一の基板の表面にメタライズされた一つ以上の領 域を設け、このメタライズされた領域に導電リード線を取り付け、上記第一の基 板の表面を第二の基板の選択された表面の近傍に配置して上記リード線をこの第 二の基板上の導電領域に接触させ、この第二の基板上の導電領域に上記リード線 を取り付けて上記リード線および上記第二の基板上の導電領域の上に上記第一の 基板を保持するSAW素子の取り付は方決を提供する。[Disclosure of the invention] According to the first aspect of the invention, one or more regions metalized on the surface of the first substrate A conductive lead wire is attached to this metalized area, and the first base is connected to the metallized area. The surface of the plate is placed near the selected surface of the second board and the lead wires are connected to this second board. contact the conductive area on the second substrate, and connect the lead wire to the conductive area on this second substrate. Attach the above lead wires and the above first conductive area on the above second board. Mounting the SAW element holding the substrate provides a solution.
この方法は、SAW素子を形成するに通した一片の材料上に複数の上記メタライ ズされた領域を形成するステップと、この後に上記材料を上記リード線の取り付 は前に個々の素子に切り出すステップとを含んでもよい。This method involves applying a plurality of the above-mentioned metal layers on a piece of material that is passed through to form a SAW device. forming an area where the material has been removed, and this is followed by applying the material to the attachment of the lead wire. The method may include the step of cutting out individual elements beforehand.
SAW基板に特に都合のよい形状は一般に菱形であることが知られている。この 形を用いた場合には素子の終端に音響吸収体を必要としない。A particularly advantageous shape for SAW substrates is generally known to be diamond-shaped. this When a shape is used, there is no need for an acoustic absorber at the end of the element.
リード線を熱圧着によりメタライズされた領域に取り付けることができるゆまた 、リード線を熱圧着により第二の基板の導電領域に取り付けることができる。第 二の基板としてはハイブリッド回路が用いられる。Yumata allows lead wires to be attached to metalized areas by thermocompression bonding. , the lead wire can be attached to the conductive region of the second substrate by thermocompression bonding. No. A hybrid circuit is used as the second substrate.
SAW基板のメタライズされた領域はアルミニウム(Af)層および金(Au) 層を含む、アルミニウムと金との相互拡散を防ぐために、アルミニウム層と金層 との間にチタニウム(Ti)層を形成することが望ましい。The metallized area of the SAW substrate consists of an aluminum (Af) layer and a gold (Au) layer. layer, aluminum layer and gold layer to prevent interdiffusion between aluminum and gold. It is desirable to form a titanium (Ti) layer between the two.
リード線および第二の基板上の導電領域は金(Au)で形成する。The lead wires and conductive regions on the second substrate are formed of gold (Au).
SAW基板は水晶で形成する。The SAW substrate is made of crystal.
本方法で形成した素子は、厚膜および薄膜ハイブリッド回路での使用に特に適す る。Devices formed using this method are particularly suitable for use in thick film and thin film hybrid circuits. Ru.
本発明の他の要点によると、半導体領域が形成され、この導電領域の上にSAW 素子が取り付けられ、このSAW素子は、基板と、この基板上のメタライズされ た領域と、この領域に取り付けられた導電リード線とを含み、この導電リード線 は上記導電領域に接続された構造であるハイブリッド回路を提供する。According to another aspect of the invention, a semiconductor region is formed and a SAW is formed on the conductive region. The SAW device is attached to the substrate and the metallization on the substrate. a conductive lead wire attached to the region; and a conductive lead wire attached to the region. provides a hybrid circuit which is a structure connected to the conductive region.
さらに本発明の他の要点によると、基板と、上記基板上のメタライズされた領域 と、上記メタライズされた領域に取り付けられた導電リード線を備えたSAW素 子を提供する。基板は一般的に菱形であることが望ましい。According to yet another aspect of the invention, a substrate and a metallized area on said substrate. and a SAW element with conductive leads attached to the metallized area. provide a child. It is generally desirable that the substrate be diamond-shaped.
添付図面を一つの参照例として、本発明を実施例により説明する。The invention will now be described by way of example, with reference to the accompanying drawings.
第1図は本発明の方法の第一ステップを示す図である。 FIG. 1 shows the first step of the method of the invention.
第2図は本発明により形成されたSAW素子の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a SAW device formed according to the present invention.
第3図は基ヰ反上に取り付けられたSAW素子の側面上部を示す。FIG. 3 shows the upper side of the SAW element mounted on the substrate.
第4図は基板上の典型的な導電パターンの平面図である。FIG. 4 is a plan view of a typical conductive pattern on a substrate.
第5図は、部分的に切除した、基板上に取り付ける前の導電パターンおよびSA W素子の斜視図である。FIG. 5 shows a partially cut out conductive pattern and SA before mounting on the substrate. It is a perspective view of a W element.
本発明の方法では、第一ステップで、一般に10で示される水晶の平板の表面に 複数のメタライズされた領域を形成する。第1図では、実質的に一つのSAW素 子に関連する領域だけを示すが、い(つかのSAW素子のためのメタライズされ た領域を同時に形成できるように、平板10を図示した領域より非常に大きい、 メタライズされた領域は第1図に11で示す、各々のメタライズされた領域は、 アルミニウム(A1)で形成されたL型層12と、部分的にL型の一方の脚の上 に重なる金(Au)で形成された方形層14とを含む、金とアルミニウムとのマ イグレーションを防ぐために、金およびアルミニウムの間にチタニウム(Ti) 層を形成することが望ましい。 In the method of the invention, in a first step, the surface of a quartz crystal plate, generally designated 10, is Forming multiple metalized areas. In Figure 1, there is essentially one SAW element. Only child-related areas are shown; In order to be able to simultaneously form the same area, the plate 10 is made of a material much larger than the area shown. The metallized areas are shown at 11 in FIG. An L-shaped layer 12 made of aluminum (A1) and partially on one leg of the L-shaped A matrix of gold and aluminum including a rectangular layer 14 formed of gold (Au) overlapping the Titanium (Ti) is added between the gold and aluminum to prevent migration. It is desirable to form a layer.
メタライズされた領域を形成した後に、水晶の平板を個々の素子に切り出す、各 々の個別素子を第1図の線16で示し、この素子が菱形であることがわかる。第 2図に示したように、各々の素子の表面上の金接着領域に金属テープを取り付け る。金属テープは参照番号18で示し、後述する熱圧着によりそれぞれの金接着 領域に取り付けられる。それぞれの素子の典型的な寸法を第1図に示す。After forming the metallized areas, each crystal slab is cut into individual elements. Each individual element is indicated by line 16 in FIG. 1, and it can be seen that this element is diamond-shaped. No. Attach metal tape to the gold bonding area on the surface of each element as shown in Figure 2. Ru. The metal tape is indicated by reference number 18, and each gold bond is attached by thermocompression bonding as described below. attached to the area. Typical dimensions of each element are shown in FIG.
ここで第5図を参照すると、それぞれのSAW素子は、このとき以下のようにし てハイブリッド回路板に取り付けられる。リード線18を取り付けた表面が下向 きになるように素子を反転させる。第4図および第5図に示した導電パターンを もつハイブリッド配線板上に素子を配置する。リード線1日が30で示した導電 領域上に保持されるように素子を配置する。第3図を参照すると、リード線18 が導電体30に向き合って接触し、これにより保持されていることがわかる。Referring to FIG. 5, each SAW element is then configured as follows. and attached to the hybrid circuit board. The surface where the lead wire 18 is attached is facing downward. Flip the element so that the The conductive patterns shown in Figures 4 and 5 The elements are placed on a hybrid wiring board with The conductivity of the lead wire was 30 on the 1st day. The element is placed so that it is held over the area. Referring to FIG. 3, lead wire 18 It can be seen that they face and contact the conductor 30 and are thereby held.
リード線18を熱圧着で導電体30に取り付けて完全な構成を作る。Lead wire 18 is attached to conductor 30 by thermocompression to create a complete configuration.
本技術は多(の点で従来技術よりを用である。菱形基板は、基板の終端に音9減 衰材料を用いる必要なしに、終端反射を削減する。The present technology is more efficient than the conventional technology in terms of the amount of noise. Reduce end reflections without the need to use attenuating materials.
回路板に素子を取り付けるためにテープ接着を用いる技術は、高さの低い素子を 実現でき、第4図に示した導電体構成とともに用いて5AW)ランスデューサの 間のtm気的ブレークスルーを削減する助けとなる。ハイブリッド基板から水晶 基板へ応力が伝達しないようにしてテープを形成することができる。The technique of using tape adhesive to attach devices to a circuit board allows for the installation of low profile devices. can be realized and used with the conductor configuration shown in Figure 4 to create a 5AW) transducer. This helps reduce TM breakthroughs during the period. crystal from hybrid substrate The tape can be formed in such a way that stress is not transmitted to the substrate.
第4図および第5図に示した導電体構成では、参照番号34で示した領域は接地 シールドであり、上述の電磁気的ブレークスルーを削減する助けとなる。 ・ 本方法の主な特徴は、どのような形態でも有機接着剤を用いないことである。し たがって、このような化合物からのアウトガスの問題は発生せず、SAW素子を 直接にハイブリッド回路板に取り付けることが可能である。In the conductor configuration shown in FIGS. 4 and 5, the area designated by reference numeral 34 is grounded. shielding, which helps reduce the electromagnetic breakthroughs mentioned above.・ The main feature of the method is that it does not use organic adhesives in any form. death Therefore, the problem of outgassing from such compounds does not occur, and the SAW device can be It is possible to attach directly to the hybrid circuit board.
この取り付は方法はまた、動作期間中に水晶基板に加えられる応力を削減する。This mounting method also reduces the stress applied to the crystal substrate during operation.
従来技術の構成では、響板化合物がSAW素子を固定して保持する。これは、金 属パフケージに関連する基板の熱膨張を許容しない、このような問題は、本発明 の構成ではそれほど問題とならない、特に第3図から、SAW基板10は主にメ タライゼーション領域11に対応する領域に保持されることがわかる。これは、 SAW素子の経年変化を削減する比較的応力のない取り付けを提供し、長時間信 頼性をできるだけ改善する。In prior art configurations, the soundboard compound securely holds the SAW element. This is gold This problem, which does not allow for thermal expansion of the substrate associated with bulk puff cages, is addressed by the present invention. This is not so much of a problem in the configuration shown in Figure 3. It can be seen that the image is held in an area corresponding to the totalization area 11. this is, Provides a relatively stress-free installation that reduces aging of the SAW element and provides long-term reliability. Improve reliability as much as possible.
(例) 本出願人は、1■の厚さのST面に切り出された天然水晶で、SAWフィルタを 製造した。互いに入り込んだトランスデユーサを印刷し、光学的な光蝕刻を用い て150nmの厚さのアルミニウムメタライゼーションにエツチングした0例え ば、フラリイ、ジェー・エム(FI?ARY、J門)およびセス1 ピー(SE SSE、P) : r微細配線金属パターンのためのリフトオフ技術(Lift −off Techniques for Fine Line?Ietal Patterning) J 、セミコンダクタ・インタナショナル(Sea+ 1−conductor Tnternational)、1981年12月、 第72〜88頁に説明されているようなリフトオフ工程を用いて、アルミニウム の指の先端にチタンおよび金の接着パッドを定める。水晶を、ダイヤモンドカッ ターを用いて基板から完全に切り出し、個々の素子に分離する。上述のように端 反射の効果を最小にするために、水晶を菱形チップに切り出す。チップの頂点に 向かって伝わる音響波は、収束するエツジの間で多重反射により大きく減衰する 。(example) The applicant has developed a SAW filter using natural crystal cut out on the ST plane with a thickness of 1. Manufactured. Print interdigitated transducers and use optical photoetching 0 example etched into 150nm thick aluminum metallization. BA, Flurry, JM (FI?ARY, J Gate) and Seth 1P (SE SSE, P): Lift-off technology for fine interconnect metal patterns -off Techniques for Fine Line? Ital Patterning) J, Semiconductor International (Sea+ 1-conductor Tnational), December 1981, aluminum using a lift-off process as described on pages 72-88. Determine the titanium and gold adhesive pad on the tip of the finger. crystal, diamond cut The device is completely cut out from the substrate using a microprocessor and separated into individual devices. edge as mentioned above Cut the crystal into diamond-shaped chips to minimize the effects of reflections. at the top of the chip Acoustic waves traveling in the direction are greatly attenuated due to multiple reflections between the converging edges. .
SAWチップを取り付けるために、金テープのリード線をトランスデユーサの接 着パッドに取り付け、上述のように、°チップの面を下に向けてバイブリフト基 板に直接取り付ける。To attach the SAW chip, connect the gold tape leads to the transducer. Attach it to the mounting pad and place it on the Vibelift base with the tip side facing down as described above. Attach directly to the board.
純度99.99%、実測で厚さ0.0751mm 、幅0.375mm+の金テ ープをリード線として用いた。使用直前に、テープを311III+の長さに切 り出して、空気中で800℃で15分間アニールした。SAWチップにビームリ ード線を取り付けるために、通常の真空操作吸入コレットの替わりに硬鋼層の鋭 (尖った接着具を備えた、ディジ・プレシマ(DagePrecima)・グイ ・ボンダを用いた。各々のトランスデユーサの接着パッド上に各々のリード線の 一端を配置し、直径0.125mmの接続具のチップを用いて熱圧着した。この 処理を、乾燥窒素雰囲気中で、0.6Nの力を印加して250℃の温度で実行し た。Gold plate with purity of 99.99%, actual thickness of 0.0751mm, width of 0.375mm+ A loop was used as a lead wire. Just before use, cut the tape to 311III+ length. The sample was taken out and annealed in air at 800°C for 15 minutes. Beam re to SAW chip A hard steel layer sharpener replaces the usual vacuum-operated suction collet to attach the wire. (DagePrecima Gui with sharp adhesive) ・Used bonder. Place each lead on the adhesive pad of each transducer. One end was placed and thermocompression bonded using the tip of a connector having a diameter of 0.125 mm. this The treatment was carried out at a temperature of 250° C. with a force of 0.6 N in a dry nitrogen atmosphere. Ta.
接着中にリード線が水晶表面の平面を歪めた。チア1面を下向きにして清浄に研 磨されたガラス表面に載置し、小さい力を水晶の裏面に加えることにより、平面 性を戻した。The lead wire distorted the plane of the crystal surface during bonding. Grind the chia cleanly with one side facing down. By placing it on a polished glass surface and applying a small force to the back side of the crystal, I got my sex back.
このとき、チップを、金リード線の終端を厚い金接着島の上にして、音響面を下 に句けてハイブリッドにR置した。接着機械の加熱されたチャックでハイブリッ ドを締め、SAWチップにリード線を取り付けるために使用した接着具を再び用 いて、リード線を厚膜に接着した。これらの基板接着を作成するとき、リード線 がカンチレバーとなる傾向があった。移動を防ぐために、接着を行う一方でチッ プの裏に力を加えた。At this time, place the chip with the end of the gold lead wire on top of the thick gold adhesive island, and the acoustic surface facing down. I decided to put R on the hybrid. The hybrid is bonded with the heated chuck of the bonding machine. and re-use the adhesive used to attach the leads to the SAW chip. The lead wires were then glued to the thick film. When creating these board bonds, the lead wires tended to become cantilevered. To prevent movement, do not touch the chip while gluing. I applied force to the back of the tap.
チタンおよび金の接着パッドを備えたトランスデユーサを機械的に試験し、金リ ード線に0.5Nを越える引張り強度を与え、これらの素子で故障したものはリ ード線の破損によるものであった。これに対して、金リード線をSAWチップ上 のアルミニウム接着バンドに直接に接着した場合には、リード線の引張り強度は 数グラムであり、水晶基板からアルミニウム金属が持ち上がることにより故障し た。チタンおよび金の接着バンドを備えて組立てられたSAW素子は、2000 gで衝撃を与え180Hz (20gの強度)で1分間振動させたが故障しな かった。Transducers with titanium and gold adhesive pads were mechanically tested and Give the lead wire a tensile strength exceeding 0.5N, and if these elements fail, they will be replaced. This was due to damage to the cable. In contrast, the gold lead wire is placed on the SAW chip. When bonded directly to the aluminum adhesive band, the tensile strength of the lead wire is It is several grams, and the failure occurs due to the aluminum metal being lifted from the crystal substrate. Ta. SAW devices assembled with titanium and gold adhesive bands were I gave it a shock at 180 Hz (intensity of 20 g) and vibrated it for 1 minute, but it did not break down. won.
本発明の方法によるSAW素子の取り付けはまたSAW素子の性能を改善する。Attaching a SAW device according to the method of the present invention also improves the performance of the SAW device.
第一に、低プロファイル接着リード線を用いることにより電磁的ブレークスルー を削減し、第二に、厚膜回路上の接地面をトランスデユーサの非常に近くに配置 でき、優れたスクリーニングをもたらす、このように取り付けられSAW素子の 阻止帯域除去が全体として10dBも改善された。振幅応答に導入されたリップ ルは約±0.05dBであった。First, electromagnetic breakthroughs can be achieved by using low-profile adhesive leads. Second, placing the ground plane on the thick film circuit very close to the transducer of SAW elements mounted in this way, resulting in excellent screening. Stopband rejection was improved by 10 dB overall. lip introduced into the amplitude response The signal was approximately ±0.05 dB.
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61501302A true JPS61501302A (en) | 1986-06-26 |
Family
ID=10556877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60500871A Pending JPS61501302A (en) | 1984-02-20 | 1985-02-20 | How to attach the SAW element and its structure |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61501302A (en) |
| GB (1) | GB8404398D0 (en) |
-
1984
- 1984-02-20 GB GB848404398A patent/GB8404398D0/en active Pending
-
1985
- 1985-02-20 JP JP60500871A patent/JPS61501302A/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8404398D0 (en) | 1984-03-28 |
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