JPS61502017A - ラップ・アラウンドコンタクトソ−ラセル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ラップ・アラウンドコンタクトソーラセル本発明は、概して、ラップ・アラウン ド（ｗｒａｐａｒｏｕｎｄ　、包み込む形状）電極を有する半導体大阪電池（ソ ーラセルと称す）の製造に関し、特に、種々の直径を有するシリコンウェーハを 処理するフレキシビイリティ（適応性）を改善する方法に関し、これによってウ ェーハの直径に拘ず多くの所望の予じめ選択された寸法を有するソーラセルを得 ることができる方法に関するものである。

バックグランド シリコンソーラセルを相互接続して所望の電流および電圧の供給力を有するセル アレイを得るために用いられる会知製造方法の１つに、一般に２形状を有するオ ーバー／アンダー（上側／下側）コンタクトを利用することが知られている。こ れらのコンタクトは、一方のセルの裏面を隣接のセルの頂面に接続して、並列お よび／または直列に個々のセルを相互接続して、特定のソーツノ４ネルに対して 所望の電力を得るために利用されている。

スペース（空間）およびバッキング密度に対する要求がソー２パネルの利用分野 、例えば宇宙船において徐々に厳しくなってきたので、ソーラセルの製造業者に よっては、上述したオーバー／アンダー電気的相互接続技術の代りに所謂１ラツ グ・アラウンド（包み込み形状）″電気的相互接続構成を導入するようになって きた。概して、このラップ・アラウンド法は、最初、従来のホトリソグラフィ・ マスキング、エツチングおよびｐ−ｎ　）ヤンクシ、ン（接合）形成ステップを 利用して、シリコンウェーハ即ち基板中にｐ−ｎジャンクシ璽ンを所望の幾何形 状で形成すると共に、次に、このｐ−ｎジャンクシ、ンの各側面に次のような方 法で電気的接点を形成する。即ち、両方の接点が、半導体基板の一表面に隣接し た領域の１周シ＃まで延在するような形状である。通常、このような方法は、ノ ーラセル用のｐまたはｎタイプの接点の一方を、基板の一表面から、セル基板の 反対側まで１包囲”することを意味し、ここでは、この接点が他の接点の隣シの 位置まで延在していた。このようなシップ・アラウンド法を用いることＫよって 個々のシリコンセルを、従来のオーバー／アンダー相互接続法を用いてこれらセ ルを配置した場合に比べて更に近接して配置することができた。このような包み 込み相互接続法の１つとして、例えば米国特許第４，３６１，９５０号、１９８ ２年１２月７日発行、Ｊ、Ａ、　Ａｍ１ｅｋ発明者１ラップ・アラウンド電極を 有するソーラセルの製造方法が開示されている。

長年に亘り、ソーラセルの製造業者の多くは、３インチの直径のシリコンウェー ハを処理して来ると共に、従って、ソーラセルの製造に対する彼等の製造ライン の多くを適合させ、これらソーラセルは隅かう隅まで約３インチである。これら の寸法は、ソーラセルを３インチの直径のウェーハから切取る場合に材料の無駄 を最少にするために決められている。従って、ソーラセルの製造業者の多くはか なシの金額を、従来の３インチ寸法のシリコンソーラセルを製造するための製造 ラインを建設したシ、保守したシするために投資している。゛ しかし、最近、これらのシリコンウェーハ製遺業者は、結晶の成長技術の長足の 進歩の結果、４インチおよびそれよシ大きな直径の結晶インゴットを製造するよ うになってきた。このような変化の意味する処は、ソーラセルの製造ラインは、 最早、これらの大きな直径のウェーハを取扱うだけでなく、標準の３インチ直径 のソーラセルを成る程度の数量だけ取扱うことができる必要があることである。

この標準サイズのセルは、未だ多くの製造業者によって好適な寸法のセルである 。

３インチ×３インチのソー２セルを製造するために３インチ直径のシリコンウェ ーハを処理するに当シ、一方法として、四角形の４つの側面上のウェーハをさい の目に切っていた。この四角形の隅は円筒状シリコンウェーハの周縁を幾何学的 に、少し越えて延在している。この方法において、各シリコンのダイス（小立方 体）は隣接した４つの垂直な縁部によって形状付けられておシ、各々は、円筒状 ウェーハの縁部をかって形成していた短かい弓形セクションによって相互接続さ れる。これらのダイスを次に適切に拡散用マスク処理して所望のｐ−ｎジャンク シ、ン幾何形状を得て、それらを拡散炉に設置する。この炉内ではｐ−ｎジャン クシ、ンが形成される。その後で、ダイスは、更に通常のフォトリソグラフィお よび誘電層形成ステップを利用して次のラップ・アラウンドメタライゼーシ、ン をステップの準備の度に処理される。

上述した公知のタイプのプロセスを利用して、ｐ−ｎジャンクションをセルの一 側から反対の側まで延在することかでき、これによってｐおよびｎタイプのコン タクトの両者をウェーハの同一側面上で受けられるようになる。また、平坦なｐ −ｎ−／ヤンクシ、ン幾何形状の場合では、メタライゼーシ、ンをセルの一側か ら他側に包み込むことができた。３インチの直径のウェーハの処理を包含するい ずれの場合おいては、このウェーハの一方の縁部によって最終的にソーラセルの 一方の縁部を形成できたので、この結果、この縁部をｐ−ｎジャンクシ、ンラッ プ・アラクンドステッｆまたはメタライゼーシ、ンラッゾ・アラウンドステツブ 用に露出させることは好しいものである。

一方、例えば４インチ直径等の大きなサイズのウェーハをソーラセルの製造プロ セスに利用した場合には、前述した従来のプロセスは、個々の３インチ×３イン チのソーラセルまたは、４インチやそれ以上の直径のシリコンウェーハのものよ シ小さな寸法でセルを形成するために使用できなかった。従って、これらの従来 のプロセスは大きな直径のウェーハプロセスラインでの利用が制限されておシ、 ソーラセルの最終寸法は、常にウェーハの直径によって決定されるものである。

このような従来の問題点を解決するために、本発明の方法が用いられる。

本発明 本発明の一般的な目的はう、プ・アラクンドソーラセルを製造するための新規で 且つ、改善されたプロセスを提供することである。このような本発明のプロセス を用いるととによって、あらゆる所望のサイズまで（半導体ウェーハの直径を含 む）のセルを製造することができる。また、本発明の製造方法によれば、特殊な ソーラノぐネルに応用される種々のＸおよびｙ側面サイズを有するソーラセルを 製造することもできる。

この目的のため、新規なソーラセル製造プロセスを開発した。このプロセスには 、半導体ウェーハニ垂直の開口を形成し、ソーラセルの所望の横方向の寸法によ って離間させるステ、７ａが包含されている。これら開口は、ウェーハの主表面 から他表面へ垂直方向にスロットを切削することによって形成され、この切削法 には例えばレーザスクライビング法が用いられ、次に、これらスロットを工、チ ングしてこれら開口用に平らかな表面を得、更に結晶に対するあらゆる損傷を除 去している。

次１ｃ、　ｐ−ｎジャンクシ、ン（接合）をこれら開口間のウェーハの部分中に 形成し、その後で独立したメタルコンタクトをこのｐ−ｎジャンクシ、ンの両側 上に設け、更にウェーハの共通の側面の周シまで延在させる。ここで、これらコ ンタクトはソーラパネルの他のエレメント（素子）と電気的に接続することがで きる。

従って、本発明の方法によりてラップ・アラウンド（包み込み）ソーラセルが製 造でき、このセルの最大寸法は、このセルが切シ出される半導体ウェーハの直径 よシ小さいものである。更に、このような製造アプローチによって種々のサイズ のラップ・アラウンドセルを例えば４インチの直径のような大きなシリコンウェ ーハや、現在市販されている標準サイズのシリコンウェーハから製造でき、同時 に前述したウェーハのグロセスステッグの全てにおいて、ラウンドウェーハ構造 を維持できる特徴がある。

上述した目的や、他の目的利点および本発明の新規な特徴は、以下の図面の記載 から明らかである。

図面 第１＆図は、シリコンウェーハの３次元図で、このウェーハはスクライビング処 理されて本発明によって開口が形成されている。

第１ｂ図は第１ａ図のラインｂ−ｂに沿った切断面図、 第１Ｃ図〜ｌｋ図は、本発明の一実施例によシ、シリコン基板の一側までｐタイ プまたはｎタイプのソー２セル接点を包囲するための１プロセスを図示したもの で、 第２図は、他の実施例によってう、ｆアラウンドプロセスによシ製造したソーラ セルを表わし、ここではコンタクトメタライゼーションよＦ）　ｐ−ｎジャンク シ胃ンを半導体基板の一側から他側へ包み込む構成とな先ず、図面の内、第１ａ 図には（斜視図）、４インチの直径を有するシリコンウェーハ１０が表わされて おシ、このウェーハ１０はレーザによってスクライビング（ｓｃｒｌｂｉｎｇ　 ）処理されて図示のように９０’離間して配置されて開口１２，１４．１６およ び１８が形成される。通常の最新レーデスクライビング技術を駆使することによ って、これら４つの開口１２，１４゜１６および１８が形成される。ネオジウム （Ｎｄ）−イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ　）または（Ｎｄ　： 　ＹＡＧ　）レーザスクライバ（１ａｓｅｒ　ａｃｒｉｂｅｒ　）（手動モード で操作可能）を駆使して図示のようにスロット１２，１４．１６および１８を切 削することは極めて有効であったことがわかった。しかし乍ら、これら開口を形 成する為の他の異なった手段を利用することもでき、例えば、キャビテーション 、のこぎυまたは砂吹き法があシ、これらはシリコンウェーハ処理技術分野で利 用されている。

上述したレーデスクライビングステップに続いて、開ロスロ、ト１２，１４．１ ６および１８を工、チング処理して平滑表面を形成し、更にレーデスクライビン グによって発生された結晶の損傷を除去する。これらスロットｘ２，１４．１６ および１８の実際の寸法および正確な位置はセルのサイズ、破砕面、電流および 所定のセルのコンタクト（接点）のデデインによって決められるものである。以 下の説明から明らかなように、例えば現在のプロセスを利用して２．５インチＸ ２．５インチのセル（標準サイズ）を形成し、更に４および５インチ直径のウェ ーハラインの各々よシ標準サイズの３．０インチＸ３．０インチセルを形成する ことができる。

次に、第１ｂ図〜１に図を順次参照し乍ら、本発明の一実施例に従ってソーラセ ルを製造するために利用するウェーハ処理用ステップのシリーズを説明する。

第１ｂ図は第１ａ図のラインｂ−ｂに沿って切断した時の断面図である。この図 には、一般に約１０ミルの厚さのウェーハ１０の中心または主要サブストレート （基板２０）が包含されている。

第１ｂ図に示したｐタイプシリコンウェーハ即ち、基板１０を低温の気相成長法 （ＣＶＤ　）ステーション（図示せず）に転送し、ここで、二酸化珪素（シリコ ン）Ｓ１０２の薄い層１２をクエーハ１０の全体の表面に亘って厚さが代表的な 値として１０，０ＯＯＸ程度になるまで堆積させる。これらの薄い酸化層を形成 するために用いられる低温の気相成長法は一般に、周知の技術であシ、例えばＶ ｏｓｓｅｎおよびＫｅｒｎ著のＡｃａｄｅｍｉｃＰｒ＠ａｓ社にューヨーク、１ ９７８年）の−ＴｈｉｎＦｉｌｍ　Ｐｒｏｃ＠５ｓｅｓ　’の７４−）　３の第 ２５８〜３２０頁に開示されている。

次に１第１Ｃ図の構造を通常の７オトレジスト堆積およびマスク形成ステージ、 ン（図示せず）に転送し、ここで、外側の７オトレジストマスク１４を第１ｄ図 に示したような幾何形状を形成すると共に、このマスクが開口１６を有するよう になる。この開口は基板１０上の最上の酸化層１８のほぼ全体を露出させるよう になる。マスク１４のようなフォトレジスタマスクの形成は周知であり、例えば 、Ｗｉｌｌｉａｍ　Ｓ。

ＤｅＦｏｒｅｓｔ著、　ＭｃＧｒｏｗ　Ｈ１１１社、１９７５年。

”　Ｐｈｏｔｏｒｅｓｌｓｔ　：　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓ ｓｅｓに記載されている。この７オトレジストマスク１４を第１ｄ図で示したよ うな位置に設け、希釈されたフッ化水素酸ＨＦを５ＩＯ２層１２の露出した部分 １８に与えてこの部分を基板１０の上側表面から除去する。その後、適当なソル ベントを第１６図に示した構造のものに与えて、完全な（損傷を受けていない） 酸化物拡散マスク１２を図示のように残したまま、残余の７オトレジストマスク １４を除去する。

次に、第１ｆ図の構造を適当な拡散炉（図示せず）に転送する。ここでは、ｎタ イプの拡散がホスフィンガスＰＨ３を利用して約８００℃および窒素キャリアに よって行われ、これによって、接合（ジャンクション）深さで０．１５〜０．２ ミクロン程度で浅いｐ−ｎジャンクション２２が形成される。既知の如く、この ｐ−ｎジャンクション２２の深さはソー２セルの集光効率に関連するものである 。これに関する文献は、例えば、Ａ１１ｅｎＬ、　Ｆａｈｒｓｕｂｒｕｃｈおよ びＲｌｃｈａｒｄ　Ｋ、　Ｂｕｂｏ著による”　Ｆｏｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ　 ｏｆ　５ｏｌａｒ　Ｃｅ１ｌｓ　：　ＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｏｌａｒ　Ｅ ｎｅｒｇｙ　Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ　”　（１９８３年、　Ｎｅｗ　ＹｏｒｋＡ ｃａｄｅｍｉｃ　Ｐｒ・８ｓ社発行）に記載されている。また、拡散されたｐ− ｎジャンクシ、ンはＡ、Ｓ、　Ｇｒｏｖｅ　、　ＪｏｈｎＷｈｌｌｅｙ　ａｎｄ 　５ｏｎｓ著による−　Ｐｈｙｓｉｃｓ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆ　 Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｄｅｖｌｃｓｓ　”に記載されている。

第１ｆ図に示したような位置にｐ−ｎシャンクシ。

ン２２を有し、第１ｆ図の構造物を再びフォトレジストマスク堆積ステージ、ン に転送する。ここで、もう１つの７オトレジストマスク２４を第１ｇ図に示した 幾何形状で堆積し、更にその中に開口２６を形成し、この開口２６はシリコン酸 化物（ＳＩＯ□）１２の下側層の部分２８を露出させる。第１ｇ図に示した位置 に７オトレゾスト層２４を設けて、希釈したふっ化水素酸工、チャント溶液をこ の５ＩＯ２領域２８に与えてこの領域２８を除去し、これによって第１ｈ図に示 したように基板１０の下側表面領域３０を露出させる。

このように第１ｈ図に示したように下側の基板表面３０を有したまま、フォトレ ジスタマスク２４を適当なエツチング溶液を用いて除去し、その後もう１つのフ ォトレジストマスク３２を第１１図で示す位置に処理すべき構造の下側表面上に 形成する。次に、更にもう１つの７オトレジストマスク３４をウェーハ１０の上 側表面上に長く薄いス）　ＩＪツブ状に形状し、これらストリップを用いて、シ リコン基板１０の上側表面上に形成すべきメタルコレクショングリッド（ｍｅｔ ａｌｃｏｌｌｅｅｔｉｏｎ　ｇｒｉｄ　）の幅および間隔を最終的に規定するよ うにする。

第１１図に示した位置に７オトレジストマスクを有したまま、この構造を適当な 多層メタル堆積ステージ、ン（図示せず）に転送する。ここでは、薄い多層メタ ルフィルム３６を第１１図のマスク処理された構造の両側に堆積させ、第１ｊ図 のメタライズ構造を形成する。次に、従来のフォトレジストリフトオフ技術を駆 使して、第１ｊ図のフォトレジストマスクを適当な浸漬ツルパントエッチャント を用いて除去し、これによってメタライゼーション３６の部分をその上に延在さ せる。このステップによって第１に図に示したメタライゼーションの損傷を受け ていない部分を残すことができ、これら部分はフォトレジストアイランド（島） を包囲していなかったものであると共に、第１に図に示したシリコン酸化物また はシリコンの表面と直接および固く接触していた。

第１に図に示した完全なソーラセル構造の薄いグリ、ドライン３８は、好適には チタン−パラジウム−銀であシ、チタンを厚さ約５００１（オングストローム） の初期、即ち表面層とし、パラジウムを約８００＾の厚さの次の層、即ち内側層 とし、上側層を約５ミクロンの厚さの銀とすることが好しい。ソーラセル用の２ ．ゾ・アラウンドコンタクト（接点）４０および背面コンタクト４２をアルミニ ウム、チタンーノやラジウム−銀とすることが望ましく、このチタン−パラジウ ム−銀をグリッドライン３８の構成物と同一物とし、更に、約１ミクロンの厚さ を有するアルミニウムから成る追加の内側層を有するものである。上述した多重 エレメントメタライゼーションシステムについては、例えば、Ｆｉｓｈｅｒおよ びＧｏ　ｒｅ　ｔｈ著の＠Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　 Ｄｅｖｉｃｅｓ　”　（１９７１年、　Ｖｏｌ、　ＥＤ−１８−屋８８月発行） の第４５７頁に開示されている。一般的にこの薄いコレクシ、ン（集光）グリッ ドラインは厚さ約０．２ミル、幅約Ｘ、Ｏミルで、隅から隅まで約４０ミルの寸 法を有するものである。これら薄いグリ、ドラインは、ソーラセルの上側表面上 に位置する共通パスライン（図示せず）に接続されている。また、これらライン はフォトレジストパターンのデデインによって完成されるようなラップ・アラウ ンドコンタクト４０にも接続される。

ソーラセルグリッドラインおよびｐタイプならびにｎタイプ領域コンタクトを形 成するために用いられる上述のマルチエレメント（多重エレメント）メタ２イゼ ーシ、ン構造を形成する為に、遊星運動式イオンデンバートメントシステムを利 用することが望しい。

このシステムにおいては、アルミニウム、銀、チタンおよびパラジウムのソース を包囲されたスパッタリングチャンバ内の予じめ決められた位置に離間させて設 置し、−このチャンバを加速磁界の下で作動させる。これら金属ソースを回転さ せると共に、制御された磁界中で加速されたイオンでデンバート（衝突）させる ことによって、これら４つの金属素子を所望の量だけ第１１図のマスク処理され た構造物上にスバ、タリングする。この構造物はまた、回転式の遊星運動金属ソ ースから予じめ決められた距離離間させて装着させられている。

第２図には５２で表示されたソーラセル構造が図示されておシ、外側ｎタイプ領 域５６によって部分的に包囲された中心ｐタイプ領域５４を有している。このｎ タイプ領域５６自身は、図示された幾何形状で基板の周囲を”包み込ん”でおシ 、これは従来のフォトリングラフィマスク処理、エツチングおよび拡散技術を駆 使してｐｎジャンクシ、７５８を形成している。

このｐｎシャンクシ、ン５８は、図示のように、構造物の上側表面およびシリコ ン酸化物から成る誘電性アイソレージ、ンおよびジャンクション／Ｊ？ッシペー シ。

ンアイランド６０よシ下方で終了している。この５ＩＯ２アイランド６０はまた 、標準のフォトリングラフィマスク処理、エツチング処理および酸化物形成技術 を利用しても形成でき、これら技術は公知である。

前述した方法でコンタクトメタライゼーションパターンを規定するために従来の ７オトレジストスピンーオンおよび選択性リフトオフ技術を駆使することによっ て、ベースおよびエミッタオーミックコンタクト６２および６４を第２図に示す ように描いている。このエミッタコンタクト６４を頂部表面の周囲のソーラセル ５２の下側または底部表面から包み込む。この頂部表面ではこのコンタクトはベ ースコンタクト６２に隣接した位置で終了しておシ、これによってこれらコンタ クト６２．６４を共通のソーラセル支持部材ヘボンディングし易すくしている。

第２図に示した実施例においては、個々のグリ、ドラインは描かれていないが、 第１１．ｌｊおよび１に図に関連してすでに説明したのと同様な方法で構造の下 側表面の上に形成されている。

本発明によれば種々の変更を加え得る。例えば、本発明のプロセスで製造し九ソ ーラセルは、第１ａ図のレーザスクライビング開口の位置によって決定されるよ うな四角即ち矩形の形状以外の形状および寸法とすることもできる。これらの開 口の１個またはそれ以上の開口をウェーハの周辺以外の位置または中心に切削す ることもでき、ウェーハを露出させる垂直壁を設けるためである。このウェーハ はｐまたはｎコンタクトまたはウェーハの一方の側から他側へのｐ−ｎジャンク シ、ンを包み込むのに必要なものである。

国際調葺報告 １１１１６１Ｍ□、。１１＾−−５や、。ＰＣＴ／ＵＳ　８５１００６５４ＡＮ ＮＥＸ　Ｔｏ　’ｘ−ｙ−ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　５ＥＡＲＣ！（ＲＥ： ’ＯＲＴ　ｕＮ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. １．ラップ・アラウンドコンタクトソーラセルを製造するに当り、 ａ）選択されたサイズおよび形状のシリコン基板を設け、 ｂ）この基板中に開口を形成すると共に、この基板の一主表面から他面へこの基 板中を延在させると共にソーラセルの所望の横方向の寸法によって互いに離間さ せ、 ｃ）この基板を処理してこの中およびこれら開口間にｐ−ｎジャンクションを形 成し、これによってこれら開口を規定する前記基板の垂直壁を酸化、フォトリソ グラフイおよびジャンクション形成ステップのために露出させ； ｄ）前記ステップ（Ｃ）を駆使して前記基板の表面上にｐ領域およびｎ領域コン タクトを形成し、これらコンタクトはこの基板の単一表面までおよび前記開口間 まで延在させ、ここで、これらコンタクトを電気的に絶縁させて共通のソーラセ ル支持部材にボンデングし、更に、 ｅ）前記ｐまたはｎ領域コンタクトの一方の領域に相互接続させるために、前記 基板の一表面上にグリッドラインを形成して；前記ｐ−ｎジャンクションで発生 させたチャージキャリアから得られたソーラセル出力電圧を取出したことを特徴 とするラップ・アラウンドコンタクトソーラセルの製造方法。
2. ２．前記Ｐｎシャシクションを前記半導体基板の一表面上に平行な面内に形成し 、フォトリソグラフイマスキング，エッチングおよびメタライゼーションステッ プを利用して、前記開口間の基板の一表面から他表面までメタライゼーションに 包み込み、これによって前記ｐ−ｎジャンクションの各側面にコンタクトを形成 するようにしたことを特徴とする請求の範囲第１項記載の製造方法。
3. ３．フォトリソグラフイマスキング，エッチングおよびジャンクション形成ステ ップを利用して前記基板の一側から他側へ前記ｐ−ｎジャンクションを包み込み 、その後にメタルパターン形成ステップを利用して前記基板の一表面に隣接した 前記ｐ−ｎジャンクションの対向側上にコンタクトを堆積させたことを特徴とす る請求の範囲第１項記載の製造方法。
4. ４．ラップ・アラウンドコンタクトソーラセルを製造するに当り、 ａ）選択されたサイズおよび形状のシリコン基板を設け、 ｂ）この基板中に開口を形成すると共に、この基板の一主表面から他面へこの基 板中を延在させると共にソーラセルの所望の横方向寸法によって互いに離間させ 、 ｃ）この基板を処理してこの中およびこれら開口間にｐ−ｎジャンクションを形 成し、これによってこれら開口を規定する前記基板の垂直壁を酸化、フォトリソ グラフイおよびジャンクション形成ステップのために露出させ： ｄ）前記ステップ（Ｃ）を駆使して前記基板の表面上にｐ領域およびｎ領域コン タクトを形成し、これらコンタクトはこの基板の単一表面までおよび前記開口間 まで延在させ、ここでこれらコンタクトを電気的に絶縁させて共通のソーラセル 支持部材にボンデングし、更に、 ｅ）前記ｐまたはｎ領域コンタクトの一方の領域に相互接続させるために、前記 基板の一表面上にグリッドラインを形成して、前記ｐ−ｎジャンクションで発生 させたチャージキャリアから得られたソーラセル出力電圧を取出すようにしたス テップを駆使して製造したことを特徴とするラップ・アラウンドコンタクトソー ラセル。