JPS6151912A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は半導体装置の製造方法にかかり、とくに半導体
装置の製造工程における不純分元素の拡散方法に関する
ものである。

（従来技術） 半導体装置は高純腿な半導体基板（以後、ウェハーと呼
ぶ）へ不純分元素を拡散する−こけいくつかの方法があ
る。

例えば高温に加熱した半導体基板の表面に拡散目的の元
素を含む気体を接触させる方法。又は拡散目的元素を含
む固体を半導体基板に隣接して背き高温に加熱して拡散
する方法。あるいは電気エネルギーで高速に加速した拡
散目的原子を半導体等板に当てる方法等でちる。

これらの方法に対して半導体基板上に拡散目的元素を含
有するエマルジョン型の溶液（以後、拡散源と呼ぶ）を
塗布した後、熱処理により拡散を行なう方法がある。

（発明の目的） 本発明の目的はこのエマルジョン型の溶液を塗布して熱
拡散する方法において、複数種類の不純分元素を含有す
るエマルジョン溶液を用いて、同時に、複数種類の不純
分元素の拡散をし、工程の簡略化を計るものである。

（発明の構成） この発明は半導体基板上に拡散目的元素を含有するエマ
ルジョン型の溶液を塗布し熱拡散を行なう方法において
、複数の拡散目的元素を含有するエマルジョン溶液を用
いることを特徴とする半導体装置の製造方法である。

（発明の効果） 半導体装置の製造工程は多数の単一工程の組合せによっ
て成り立っているが、その中でも特に熱拡散工程は製造
時間が長くかかる。本発明によれば、ａ数の不純分元素
を同時に拡散することができるので、この製造工程の数
を低減でき、且つ製造時筒も大幅に短縮できる。

（実施例） 次に本発明の実施列を図面にもとすいて説明する。

まず第１図のようにＮ型の基板１を用いて、工）択拡散
を行なうために、感光性樹脂を用いて、シリコン識化膜
２に部分的に露光部を形成し開孔部を設ける。この上に
ｉｆ　４　、”ｆＪが異なり、拡散係数が異なる不純分
元素（ヒ累とホウ素）を含有するエマルジョン型溶液３
をスピンナーで塗布して（第２図）約１０００°Ｃで熱
拡散する。ヒ素よりもホはホウ素の方が深く拡散する。

これによって電導型がそれぞれ、１→Ｎ型、５→Ｐｆｉ
、４→ＮｕのＮＰＮ型のトランジスタが形成される（第
３図）。

（発明のまとめ） 以上のように、複数の拡散目的元素を含有するエマルジ
ョン溶液を塗布して、つ、ｚノ・−に同時に熱拡散を行
なうと工程の大幅な短縮と、製造時間の短縮になる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明の実施例を示すもので、第１
図は半導体基板上に選択拡散用にバターニング状態にし
た断面図であり、第２図は第１図の表面に拡散源を塗布
した状態を示す断面図であり、第３図は熱処理により不
純分がそれぞれ拡散し九状態を示す断面図である。 同、図において、

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に拡散目的元素を含有するエマルジョン型
   の溶液を塗布し、熱拡散を行なう方法において、複数の
   拡散目的元素を含有するエマルジョン溶液を用いること
   を特徴とする半導体装置の製造方法。