JPS6153199A - ベリル単結晶の育成方法 - Google Patents
ベリル単結晶の育成方法Info
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- JPS6153199A JPS6153199A JP17384484A JP17384484A JPS6153199A JP S6153199 A JPS6153199 A JP S6153199A JP 17384484 A JP17384484 A JP 17384484A JP 17384484 A JP17384484 A JP 17384484A JP S6153199 A JPS6153199 A JP S6153199A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は溶融塩（フラックス）法によるベリル単結晶の
育成に関する。
育成に関する。
従来ベリル単結晶の育成法は、例えば、特公昭５２−３
９３９６．特開昭５８ ’＋１５０９５゜日本化学会
誌（１９７９）Ｐ１４８９〜Ｐ１４９６などに示されて
いるように、フラックス法と呼ばれる方法が一般的であ
る。この方法には、徐冷法、温度差法、蒸発法とあるが
、蒸発法は、色調のコントロールと耐火物、ヒーター等
の消耗を早めるため、量産向きではない。また、徐冷法
と温度差法では、原料組成を（Ｂｏｏ、Ａ、／、２０．
、Ｓｉｎ。
９３９６．特開昭５８ ’＋１５０９５゜日本化学会
誌（１９７９）Ｐ１４８９〜Ｐ１４９６などに示されて
いるように、フラックス法と呼ばれる方法が一般的であ
る。この方法には、徐冷法、温度差法、蒸発法とあるが
、蒸発法は、色調のコントロールと耐火物、ヒーター等
の消耗を早めるため、量産向きではない。また、徐冷法
と温度差法では、原料組成を（Ｂｏｏ、Ａ、／、２０．
、Ｓｉｎ。
）が７ラツクスに溶解する段階で、Ａｔ、Ｏｓ の溶
解速度が遅いことにより、１０５０°Ｃ以上で、まずツ
ェナサイ） （２Ｂｏｏ Ｓｉｎ、）が自然核生成し
、順次、ベリル（３ＢｅＯＡｔ、Ｏ，，６ＳｉＯ，）が
自然核生成し、フラックス中を浮遊する。ベリルシード
上への育成のためには通常チェックシードにより、ベリ
ルの育成段階の確認後に、本シードを投入するが、本シ
ード投入段階では、既に、７ラツクス中に浮遊するフエ
ナサイトとエメラルドの微結晶が本シード上へ付着する
。特に、育成開始段階では、フエナサイトの微結晶の量
か多く、ベリルの微結晶が発生するてっれ、フエナサイ
トは減少する。このため微結晶を含まない良質大型なベ
リル結晶を得ることは困難である。
解速度が遅いことにより、１０５０°Ｃ以上で、まずツ
ェナサイ） （２Ｂｏｏ Ｓｉｎ、）が自然核生成し
、順次、ベリル（３ＢｅＯＡｔ、Ｏ，，６ＳｉＯ，）が
自然核生成し、フラックス中を浮遊する。ベリルシード
上への育成のためには通常チェックシードにより、ベリ
ルの育成段階の確認後に、本シードを投入するが、本シ
ード投入段階では、既に、７ラツクス中に浮遊するフエ
ナサイトとエメラルドの微結晶が本シード上へ付着する
。特に、育成開始段階では、フエナサイトの微結晶の量
か多く、ベリルの微結晶が発生するてっれ、フエナサイ
トは減少する。このため微結晶を含まない良質大型なベ
リル結晶を得ることは困難である。
本発明は、このような問題点を解決するもので、フエナ
サイト及びベリル微結晶をベリル単結晶への介在を防止
することにある。
サイト及びベリル微結晶をベリル単結晶への介在を防止
することにある。
フラックス法によるベリル単結晶の育成において、本シ
ード投入前に、白金ワイヤ、白金板もしくは、ベリル結
晶を７ラツクス中に投入し、７ラツクス中に浮遊する、
フエナサイト及びベリル微結晶を付着させ、これを繰返
すことにより、フラックス中の浮遊微結晶を除去し、し
かる後に、本シードを投入することにより微結晶を含ま
ないベリル単結晶を育成することを特徴とする。
ード投入前に、白金ワイヤ、白金板もしくは、ベリル結
晶を７ラツクス中に投入し、７ラツクス中に浮遊する、
フエナサイト及びベリル微結晶を付着させ、これを繰返
すことにより、フラックス中の浮遊微結晶を除去し、し
かる後に、本シードを投入することにより微結晶を含ま
ないベリル単結晶を育成することを特徴とする。
（１）従来法
■スラックス（モル比）
Ｌｉ、Ｏ：ＭｏＯ３：Ｖ、Ｏ，＝１ ： ５ ： ５■
原料 ＡＡ、 ０３ ： Ｂｅ０＝１ ： ３ −・＝７０
？ＳｉＯ，＝１００ｒ Ｏｒ ２０ Ｂ ＝ ２ ｗ／。
原料 ＡＡ、 ０３ ： Ｂｅ０＝１ ： ３ −・＝７０
？ＳｉＯ，＝１００ｒ Ｏｒ ２０ Ｂ ＝ ２ ｗ／。
■温度 １０５０℃
■フラックス溶解時間＝６０日
上記条件で、チェックシード（ベリル）により、ベリル
単結晶の育成を確認し、従来は、第一図３のアングル（
本シード付）を投入育成した。その結果は第二図のシー
ド近傍に、フエナサイト結晶が付着（ｍａｘサイズ Ｌ
＝０．５ｒａｎ、６角平面）し、さらに育成が進んだと
ころで、ベリルの微結晶が認められた。微結晶の粒度は
比較的そろっており、大きな結晶は沈澱し、より小さな
微結晶はベリル鵬結晶層には入らずに、巡回すると思わ
れる。
単結晶の育成を確認し、従来は、第一図３のアングル（
本シード付）を投入育成した。その結果は第二図のシー
ド近傍に、フエナサイト結晶が付着（ｍａｘサイズ Ｌ
＝０．５ｒａｎ、６角平面）し、さらに育成が進んだと
ころで、ベリルの微結晶が認められた。微結晶の粒度は
比較的そろっており、大きな結晶は沈澱し、より小さな
微結晶はベリル鵬結晶層には入らずに、巡回すると思わ
れる。
条件■までは（１）に同じ。チェックシードで育成を確
認し、第３図の装置をバックル上へ投入。
認し、第３図の装置をバックル上へ投入。
１０日間放置後取出し、本シードを投入育成した。成長
速度は約２０μ／日で、７エナサイトの微結晶は認めら
れず、ベリルの微結晶が、従来法に比し２０％程度減少
した。また、取出した装置の上部の金鋼と下部の白金板
（バッフルと同じく、穴明板）では、粒度に差が認めら
れ、上部はど小さいことが確認された。
速度は約２０μ／日で、７エナサイトの微結晶は認めら
れず、ベリルの微結晶が、従来法に比し２０％程度減少
した。また、取出した装置の上部の金鋼と下部の白金板
（バッフルと同じく、穴明板）では、粒度に差が認めら
れ、上部はど小さいことが確認された。
（２）と同じ装置の中段の白金鋼に、１ｒＩｒ！ｎ角以
上のベリルを散布し、チェックシードで育成確認後１０
日間放置後取出し、本シードを投入育成した。成長速度
は約２０μ／日で、７エナサイトも、ベリル微結晶も（
２）よりの、目視では殆んど確認できない。
上のベリルを散布し、チェックシードで育成確認後１０
日間放置後取出し、本シードを投入育成した。成長速度
は約２０μ／日で、７エナサイトも、ベリル微結晶も（
２）よりの、目視では殆んど確認できない。
以上述べたように、本発明によれば、ベリル単結晶中に
フエナサイト、ベリル微結晶の混入が殆んどなくなり、
濯面ベリルシード上罠育成したベリル単結晶より合成宝
石をカット仕上げる収率が向上し、宝石のコストダウン
に著しい効果を発揮する。また、実施例３のベリルの数
を多く、小さくすることも効果があるが、０．２ｍｆｆ
１角以下になると、７ラツクス中に浮遊する可能性を増
し、回収も・できなくなる。また、粒径を大きくするこ
とは、フラックスに沈澱するので、回収は楽だが、宝石
用としての利用が、第一目的であり、微結晶の吸着効果
も少くなることから、経済的に適正な粒径はα５〜１ｒ
Ｆａｎである。また、微結晶の少ないベリル単結晶から
仕上げられた合成宝石は、外観、符にテリが秀れ、宝石
の価値を大巾に向上させる
フエナサイト、ベリル微結晶の混入が殆んどなくなり、
濯面ベリルシード上罠育成したベリル単結晶より合成宝
石をカット仕上げる収率が向上し、宝石のコストダウン
に著しい効果を発揮する。また、実施例３のベリルの数
を多く、小さくすることも効果があるが、０．２ｍｆｆ
１角以下になると、７ラツクス中に浮遊する可能性を増
し、回収も・できなくなる。また、粒径を大きくするこ
とは、フラックスに沈澱するので、回収は楽だが、宝石
用としての利用が、第一目的であり、微結晶の吸着効果
も少くなることから、経済的に適正な粒径はα５〜１ｒ
Ｆａｎである。また、微結晶の少ないベリル単結晶から
仕上げられた合成宝石は、外観、符にテリが秀れ、宝石
の価値を大巾に向上させる
第一図はフラックス炉の断面図で、第二図は従来法のベ
リル単結晶の断面図、第三図は本発明の本施例の斜視図
。 １・・・・・・・・・白金ルツボ ２・・・・・・・・・バッフル ５・・・・・・・・・シードアングル ４・・・・・・・・・ヒーター ５・・・・・・・・・原料（Ａ４０３＋Ｂｅ０）６・・
・・・・・・・ ｚｚ（ＳｉＯ□ ）７・・・・・・・
・・ベリル単結晶 ８・・・・・・・・・本シード ９・・・・・・・・・フエナサイト微結晶１０・・・・
・・ベリル微結晶 １１・・・・・・白金鋼 １２・・・・・・白金板 以 上
リル単結晶の断面図、第三図は本発明の本施例の斜視図
。 １・・・・・・・・・白金ルツボ ２・・・・・・・・・バッフル ５・・・・・・・・・シードアングル ４・・・・・・・・・ヒーター ５・・・・・・・・・原料（Ａ４０３＋Ｂｅ０）６・・
・・・・・・・ ｚｚ（ＳｉＯ□ ）７・・・・・・・
・・ベリル単結晶 ８・・・・・・・・・本シード ９・・・・・・・・・フエナサイト微結晶１０・・・・
・・ベリル微結晶 １１・・・・・・白金鋼 １２・・・・・・白金板 以 上
Claims (1)
- 溶融塩法によりベリル単結晶をシート上に育成開始前に
、溶融塩中に浮遊する、フエナサイトもしくはベリル微
結晶を白金ワイヤーもしくは、白金板もしくは、０．５
〜１ｍｍ角のベリル結晶を投入することにより、強制的
に、前記微結晶を付着させ、しかる後、ベリルシードを
投入することにより、前記微結晶を含まないベリル単結
晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17384484A JPS6153199A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | ベリル単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17384484A JPS6153199A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | ベリル単結晶の育成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153199A true JPS6153199A (ja) | 1986-03-17 |
| JPH0224800B2 JPH0224800B2 (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=15968205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17384484A Granted JPS6153199A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | ベリル単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153199A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5532787A (en) * | 1978-07-18 | 1980-03-07 | Motorola Inc | Crystal growth by continuous purification |
| JPS5899199A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-13 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 人工ベリル単結晶の合成方法 |
-
1984
- 1984-08-21 JP JP17384484A patent/JPS6153199A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5532787A (en) * | 1978-07-18 | 1980-03-07 | Motorola Inc | Crystal growth by continuous purification |
| JPS5899199A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-13 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 人工ベリル単結晶の合成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0224800B2 (ja) | 1990-05-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |