JPS6153251A - トランス−1,2−ビス(アセトアミド)シクロヘキサンの製造方法 - Google Patents
トランス−1,2−ビス(アセトアミド)シクロヘキサンの製造方法Info
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- JPS6153251A JPS6153251A JP17505284A JP17505284A JPS6153251A JP S6153251 A JPS6153251 A JP S6153251A JP 17505284 A JP17505284 A JP 17505284A JP 17505284 A JP17505284 A JP 17505284A JP S6153251 A JPS6153251 A JP S6153251A
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、医薬品合成中間体として有用なトランス−1
,2−ジアミノシクロヘキサンの前駆体となるトランス
−1,2−ビス(アセトアミド)シクロヘキサンの製造
方法に関する。
,2−ジアミノシクロヘキサンの前駆体となるトランス
−1,2−ビス(アセトアミド)シクロヘキサンの製造
方法に関する。
従来、l、2−ジアミノシクロヘキサンの製造方法とし
ては、たとえばα−クロロシクロヘキサノンを出発原料
とする方法(米国特許2850532また、トランス−
1,2−ジアミノシクロヘキサンの立体選択的合成法と
しては、1,2−イミノシクロへキサンをアジドイオン
で開裂させた後、還元する方法(J、 Org、 Ch
em、、 32.511(1967)’)などがある
。
ては、たとえばα−クロロシクロヘキサノンを出発原料
とする方法(米国特許2850532また、トランス−
1,2−ジアミノシクロヘキサンの立体選択的合成法と
しては、1,2−イミノシクロへキサンをアジドイオン
で開裂させた後、還元する方法(J、 Org、 Ch
em、、 32.511(1967)’)などがある
。
しかしながら、一般的な非選択的合成法では、生成物は
シス体およびトランス体の混合物として得られ、トラン
ス体の取得を目的とする場合には効率が悪い。
シス体およびトランス体の混合物として得られ、トラン
ス体の取得を目的とする場合には効率が悪い。
一方、立体選択的合成法は、目的物を選択的に与えるが
、複雑かつ多段階の工程を要し、工業的に有利な方法と
は言い適い。
、複雑かつ多段階の工程を要し、工業的に有利な方法と
は言い適い。
本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑み、トランス生成
比率の高いl、 2−ジアミノシクロへキサン前駆体を
容易に製造する方法を提供することを目的とする。
比率の高いl、 2−ジアミノシクロへキサン前駆体を
容易に製造する方法を提供することを目的とする。
本発明の上記目的は、2−アミノシクロヘキサノンオキ
シム塩酸塩を無水酢酸、塩基及び金属触媒の共存下で接
触水素添加することを特徴とするトランス−1,2−ビ
ス(アセトアミド)シクロヘキサンの製造方法を採用す
ることによって達成される。
シム塩酸塩を無水酢酸、塩基及び金属触媒の共存下で接
触水素添加することを特徴とするトランス−1,2−ビ
ス(アセトアミド)シクロヘキサンの製造方法を採用す
ることによって達成される。
以下、本発明の構成の詳細を説・明する。
本発明に用いられる2−7ミノシクロへキサノンオキシ
ム塩酸塩は、特公昭48−10789号公報狂@、−、
ケ鐵(1よ久シクロヘキセンを出発原料として、大量に
、かつ安価に製造される。
ム塩酸塩は、特公昭48−10789号公報狂@、−、
ケ鐵(1よ久シクロヘキセンを出発原料として、大量に
、かつ安価に製造される。
本発明の接触水素添加反応において、無水酢酸は、アセ
チル化剤および脱水剤として作用する。無水酢酸の使用
量は、通常2−7ミノシクロへキサノンオキシム塩酸塩
1モルに対して3〜10モル、好ましくは4〜6モルで
ある。
チル化剤および脱水剤として作用する。無水酢酸の使用
量は、通常2−7ミノシクロへキサノンオキシム塩酸塩
1モルに対して3〜10モル、好ましくは4〜6モルで
ある。
また、接触水素添加反応に用いる塩基は、酢酸ナトリウ
ム、炭酸カリウムなど、2−アミノシクロヘキサノンオ
キシム塩酸塩を中和し得るものなら何でも良いが、反応
系に無水酢酸及び酢酸が存在すること力為ら、#酸ナト
リウムナトの金属酢酸塩が好ましく用いられる。塩基の
使用量は、通常2−アミノシクロヘキサノンオキシム塩
酸塩1モルに対して1〜5モル、好ましくは11〜15
モルである。
ム、炭酸カリウムなど、2−アミノシクロヘキサノンオ
キシム塩酸塩を中和し得るものなら何でも良いが、反応
系に無水酢酸及び酢酸が存在すること力為ら、#酸ナト
リウムナトの金属酢酸塩が好ましく用いられる。塩基の
使用量は、通常2−アミノシクロヘキサノンオキシム塩
酸塩1モルに対して1〜5モル、好ましくは11〜15
モルである。
接触水素添加反応は、通常金属・触、媒の存在下丸打わ
れる、。触媒としては、窒素官能・基にょっ・て被青さ
れ難いもの、なら何でも&いが、触媒活性が高いことか
ら、白金−活性炭触誠が特に好ましく用いられる。触媒
の使用量は、通常2−アミノシクロヘキサノンオキシム
塩酸塩lo。
れる、。触媒としては、窒素官能・基にょっ・て被青さ
れ難いもの、なら何でも&いが、触媒活性が高いことか
ら、白金−活性炭触誠が特に好ましく用いられる。触媒
の使用量は、通常2−アミノシクロヘキサノンオキシム
塩酸塩lo。
laに対して、3〜50mff1部、好ましくは5〜2
0Jij1部である。
0Jij1部である。
接触水素添加騙(ス、適当な溶媒を用いて行ってもよい
。溶媒としては、無水酢酸、アミン及びアミドと反応し
ないもので、かつ水素添加され難いものなら何でも良い
が、接触水素添加反応の進行に伴って酢酸が生成するこ
とから酢酸が好ましい。溶媒の使用量は、他の条件によ
っても異なるが、通常2−アミノシクロヘキサノンオキ
シム塩酸塩1部に対して0〜50重量部、好ましくは7
〜15重量部である。
。溶媒としては、無水酢酸、アミン及びアミドと反応し
ないもので、かつ水素添加され難いものなら何でも良い
が、接触水素添加反応の進行に伴って酢酸が生成するこ
とから酢酸が好ましい。溶媒の使用量は、他の条件によ
っても異なるが、通常2−アミノシクロヘキサノンオキ
シム塩酸塩1部に対して0〜50重量部、好ましくは7
〜15重量部である。
接触水素添加反応は、通常20〜80℃、好ましくは4
0〜50℃の温度で行われる。反応時の水素圧は通常1
〜50 #/d 、好ましくは2〜20 kg/dであ
る。反応時間は、反応条件によって異なるが、通常1〜
24時間、好ましくは3〜8時間である。
0〜50℃の温度で行われる。反応時の水素圧は通常1
〜50 #/d 、好ましくは2〜20 kg/dであ
る。反応時間は、反応条件によって異なるが、通常1〜
24時間、好ましくは3〜8時間である。
接触水素添加反応によって得られる1、 2−ビス(ア
セトアミド)7クロヘキナ/中のトランス体の含有比率
は、80〜8596であり、必要に応じ再結晶精製でき
る。このものを常法に従って加水分解すれば、トランス
−1,2−ジアミノシクロヘキサンが得られる。
セトアミド)7クロヘキナ/中のトランス体の含有比率
は、80〜8596であり、必要に応じ再結晶精製でき
る。このものを常法に従って加水分解すれば、トランス
−1,2−ジアミノシクロヘキサンが得られる。
次に本発明法を実施例をもって説明する。
実施例1
酢酸2411と無水酢酸6.6 wlの混合溶液に2−
アミノシクロヘキサノンオキシム塩酸塩3.Of。
アミノシクロヘキサノンオキシム塩酸塩3.Of。
酢酸ナトリウム15F及び596白金−活性炭触媒0.
15Fを加えた。この混合物を20 #/dの水素加圧
下に50℃で4時間攪拌した。反応混合物から触媒を濾
過除去した後、P液を減圧下tこilJ 縮L タ。こ
の残渣をクロロホルム300g/ici釈し、30%水
酸化す) IJウム水溶液30■tで洗浄した後、無水
硫酸す) IJウムで乾燥し、減圧下に濃縮してl、
2−ビス(アセトアミド)シクロヘキサン3.5fを得
た。このものをガスクロマトグラフィー(Thermo
n −3000,3gs+X LO1/1.215℃で
トラフ/C体:8.9分、シス体:111分)で分析し
たところ、トランス体対シス体の比率は81対19であ
った。
15Fを加えた。この混合物を20 #/dの水素加圧
下に50℃で4時間攪拌した。反応混合物から触媒を濾
過除去した後、P液を減圧下tこilJ 縮L タ。こ
の残渣をクロロホルム300g/ici釈し、30%水
酸化す) IJウム水溶液30■tで洗浄した後、無水
硫酸す) IJウムで乾燥し、減圧下に濃縮してl、
2−ビス(アセトアミド)シクロヘキサン3.5fを得
た。このものをガスクロマトグラフィー(Thermo
n −3000,3gs+X LO1/1.215℃で
トラフ/C体:8.9分、シス体:111分)で分析し
たところ、トランス体対シス体の比率は81対19であ
った。
実施例2
実施例1と同様の方法で2−アミノシクロヘキサノンオ
キシム塩酸塩3.Ofを、酢酸ナトリウム161及び5
96白金−活性炭触媒0. l 5 pの共存下に、酢
酸23 ml及び無水ff1′酸6.9 I11’の混
合溶液中で、l ky/dの水素雰囲気下に50℃で3
.5時間纜拌した。同様の後処理により、1.2−ビス
(アセトアミド)シクロヘキサン3,3fを得た。この
ものをガスクロマトグラフィーで分析したところ、トラ
ンス体対シス体の比率は84対16であった。
キシム塩酸塩3.Ofを、酢酸ナトリウム161及び5
96白金−活性炭触媒0. l 5 pの共存下に、酢
酸23 ml及び無水ff1′酸6.9 I11’の混
合溶液中で、l ky/dの水素雰囲気下に50℃で3
.5時間纜拌した。同様の後処理により、1.2−ビス
(アセトアミド)シクロヘキサン3,3fを得た。この
ものをガスクロマトグラフィーで分析したところ、トラ
ンス体対シス体の比率は84対16であった。
実施例3
実施例1と同様の方法で、2−アミノ7クロへキサノン
オキシム塩酸塩40Fを酢酸ナトリウム22F及び5%
白金−活性炭融媒2.Ofの共存下に、酢酸300 m
l及び無水酢酸100層lの混合溶液中で、8 kq/
dの水素加圧下に30℃で6.5時間攪拌した。反応生
成物をガスクロマトグラフィーで分析したところ、トラ
ンス−及びシス−1,2−ビス(アセトアミド)シクロ
ヘキサンの収率は、それぞれ7596及び1596であ
った。
オキシム塩酸塩40Fを酢酸ナトリウム22F及び5%
白金−活性炭融媒2.Ofの共存下に、酢酸300 m
l及び無水酢酸100層lの混合溶液中で、8 kq/
dの水素加圧下に30℃で6.5時間攪拌した。反応生
成物をガスクロマトグラフィーで分析したところ、トラ
ンス−及びシス−1,2−ビス(アセトアミド)シクロ
ヘキサンの収率は、それぞれ7596及び1596であ
った。
本発明は、次のよう・な効果を有する。
■ 本発明法の出発原料となる2−アミノシクロヘキサ
ノンオキシム塩酸塩は、比較的簡単なプロセスで大量に
製造されるので安価に入手できる。
ノンオキシム塩酸塩は、比較的簡単なプロセスで大量に
製造されるので安価に入手できる。
■ 本発明法によれば、トランス体の含有比率の高いl
、 2−ジアミノシクロへキサン前駆体が、接触水素添
加反応で容易に得られるので工業的に有利である。
、 2−ジアミノシクロへキサン前駆体が、接触水素添
加反応で容易に得られるので工業的に有利である。
Claims (1)
- 2−アミノシクロヘキサノンオキシム塩酸塩を、無水酢
酸、塩基及び金属触媒の共存下で接触水素添加すること
を特徴とするトランス−1,2−ビス(アセトアミド)
シクロヘキサンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17505284A JPS6153251A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | トランス−1,2−ビス(アセトアミド)シクロヘキサンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17505284A JPS6153251A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | トランス−1,2−ビス(アセトアミド)シクロヘキサンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153251A true JPS6153251A (ja) | 1986-03-17 |
Family
ID=15989388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17505284A Pending JPS6153251A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | トランス−1,2−ビス(アセトアミド)シクロヘキサンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153251A (ja) |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP17505284A patent/JPS6153251A/ja active Pending
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