JPS6153251A - トランス−１，２−ビス（アセトアミド）シクロヘキサンの製造方法 - Google Patents
トランス−１，２−ビス（アセトアミド）シクロヘキサンの製造方法Info
- Publication number
- JPS6153251A JPS6153251A JP17505284A JP17505284A JPS6153251A JP S6153251 A JPS6153251 A JP S6153251A JP 17505284 A JP17505284 A JP 17505284A JP 17505284 A JP17505284 A JP 17505284A JP S6153251 A JPS6153251 A JP S6153251A
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- cyclohexane
- catalytic hydrogenation
- bis
- acetic anhydride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、医薬品合成中間体として有用なトランス−１
，２−ジアミノシクロヘキサンの前駆体となるトランス
−１，２−ビス（アセトアミド）シクロヘキサンの製造
方法に関する。
，２−ジアミノシクロヘキサンの前駆体となるトランス
−１，２−ビス（アセトアミド）シクロヘキサンの製造
方法に関する。
従来、ｌ、２−ジアミノシクロヘキサンの製造方法とし
ては、たとえばα−クロロシクロヘキサノンを出発原料
とする方法（米国特許２８５０５３２また、トランス−
１，２−ジアミノシクロヘキサンの立体選択的合成法と
しては、１，２−イミノシクロへキサンをアジドイオン
で開裂させた後、還元する方法（Ｊ、 Ｏｒｇ、 Ｃｈ
ｅｍ、、 ３２．５１１（１９６７）’）などがある
。
ては、たとえばα−クロロシクロヘキサノンを出発原料
とする方法（米国特許２８５０５３２また、トランス−
１，２−ジアミノシクロヘキサンの立体選択的合成法と
しては、１，２−イミノシクロへキサンをアジドイオン
で開裂させた後、還元する方法（Ｊ、 Ｏｒｇ、 Ｃｈ
ｅｍ、、 ３２．５１１（１９６７）’）などがある
。
しかしながら、一般的な非選択的合成法では、生成物は
シス体およびトランス体の混合物として得られ、トラン
ス体の取得を目的とする場合には効率が悪い。
シス体およびトランス体の混合物として得られ、トラン
ス体の取得を目的とする場合には効率が悪い。
一方、立体選択的合成法は、目的物を選択的に与えるが
、複雑かつ多段階の工程を要し、工業的に有利な方法と
は言い適い。
、複雑かつ多段階の工程を要し、工業的に有利な方法と
は言い適い。
本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑み、トランス生成
比率の高いｌ、 ２−ジアミノシクロへキサン前駆体を
容易に製造する方法を提供することを目的とする。
比率の高いｌ、 ２−ジアミノシクロへキサン前駆体を
容易に製造する方法を提供することを目的とする。
本発明の上記目的は、２−アミノシクロヘキサノンオキ
シム塩酸塩を無水酢酸、塩基及び金属触媒の共存下で接
触水素添加することを特徴とするトランス−１，２−ビ
ス（アセトアミド）シクロヘキサンの製造方法を採用す
ることによって達成される。
シム塩酸塩を無水酢酸、塩基及び金属触媒の共存下で接
触水素添加することを特徴とするトランス−１，２−ビ
ス（アセトアミド）シクロヘキサンの製造方法を採用す
ることによって達成される。
以下、本発明の構成の詳細を説・明する。
本発明に用いられる２−７ミノシクロへキサノンオキシ
ム塩酸塩は、特公昭４８−１０７８９号公報狂＠、−、
ケ鐵（１よ久シクロヘキセンを出発原料として、大量に
、かつ安価に製造される。
ム塩酸塩は、特公昭４８−１０７８９号公報狂＠、−、
ケ鐵（１よ久シクロヘキセンを出発原料として、大量に
、かつ安価に製造される。
本発明の接触水素添加反応において、無水酢酸は、アセ
チル化剤および脱水剤として作用する。無水酢酸の使用
量は、通常２−７ミノシクロへキサノンオキシム塩酸塩
１モルに対して３〜１０モル、好ましくは４〜６モルで
ある。
チル化剤および脱水剤として作用する。無水酢酸の使用
量は、通常２−７ミノシクロへキサノンオキシム塩酸塩
１モルに対して３〜１０モル、好ましくは４〜６モルで
ある。
また、接触水素添加反応に用いる塩基は、酢酸ナトリウ
ム、炭酸カリウムなど、２−アミノシクロヘキサノンオ
キシム塩酸塩を中和し得るものなら何でも良いが、反応
系に無水酢酸及び酢酸が存在すること力為ら、＃酸ナト
リウムナトの金属酢酸塩が好ましく用いられる。塩基の
使用量は、通常２−アミノシクロヘキサノンオキシム塩
酸塩１モルに対して１〜５モル、好ましくは１１〜１５
モルである。
ム、炭酸カリウムなど、２−アミノシクロヘキサノンオ
キシム塩酸塩を中和し得るものなら何でも良いが、反応
系に無水酢酸及び酢酸が存在すること力為ら、＃酸ナト
リウムナトの金属酢酸塩が好ましく用いられる。塩基の
使用量は、通常２−アミノシクロヘキサノンオキシム塩
酸塩１モルに対して１〜５モル、好ましくは１１〜１５
モルである。
接触水素添加反応は、通常金属・触、媒の存在下丸打わ
れる、。触媒としては、窒素官能・基にょっ・て被青さ
れ難いもの、なら何でも＆いが、触媒活性が高いことか
ら、白金−活性炭触誠が特に好ましく用いられる。触媒
の使用量は、通常２−アミノシクロヘキサノンオキシム
塩酸塩ｌｏ。
れる、。触媒としては、窒素官能・基にょっ・て被青さ
れ難いもの、なら何でも＆いが、触媒活性が高いことか
ら、白金−活性炭触誠が特に好ましく用いられる。触媒
の使用量は、通常２−アミノシクロヘキサノンオキシム
塩酸塩ｌｏ。
ｌａに対して、３〜５０ｍｆｆ１部、好ましくは５〜２
０Ｊｉｊ１部である。
０Ｊｉｊ１部である。
接触水素添加騙（ス、適当な溶媒を用いて行ってもよい
。溶媒としては、無水酢酸、アミン及びアミドと反応し
ないもので、かつ水素添加され難いものなら何でも良い
が、接触水素添加反応の進行に伴って酢酸が生成するこ
とから酢酸が好ましい。溶媒の使用量は、他の条件によ
っても異なるが、通常２−アミノシクロヘキサノンオキ
シム塩酸塩１部に対して０〜５０重量部、好ましくは７
〜１５重量部である。
。溶媒としては、無水酢酸、アミン及びアミドと反応し
ないもので、かつ水素添加され難いものなら何でも良い
が、接触水素添加反応の進行に伴って酢酸が生成するこ
とから酢酸が好ましい。溶媒の使用量は、他の条件によ
っても異なるが、通常２−アミノシクロヘキサノンオキ
シム塩酸塩１部に対して０〜５０重量部、好ましくは７
〜１５重量部である。
接触水素添加反応は、通常２０〜８０℃、好ましくは４
０〜５０℃の温度で行われる。反応時の水素圧は通常１
〜５０ ＃／ｄ 、好ましくは２〜２０ ｋｇ／ｄであ
る。反応時間は、反応条件によって異なるが、通常１〜
２４時間、好ましくは３〜８時間である。
０〜５０℃の温度で行われる。反応時の水素圧は通常１
〜５０ ＃／ｄ 、好ましくは２〜２０ ｋｇ／ｄであ
る。反応時間は、反応条件によって異なるが、通常１〜
２４時間、好ましくは３〜８時間である。
接触水素添加反応によって得られる１、 ２−ビス（ア
セトアミド）７クロヘキナ／中のトランス体の含有比率
は、８０〜８５９６であり、必要に応じ再結晶精製でき
る。このものを常法に従って加水分解すれば、トランス
−１，２−ジアミノシクロヘキサンが得られる。
セトアミド）７クロヘキナ／中のトランス体の含有比率
は、８０〜８５９６であり、必要に応じ再結晶精製でき
る。このものを常法に従って加水分解すれば、トランス
−１，２−ジアミノシクロヘキサンが得られる。
次に本発明法を実施例をもって説明する。
実施例１
酢酸２４１１と無水酢酸６．６ ｗｌの混合溶液に２−
アミノシクロヘキサノンオキシム塩酸塩３．Ｏｆ。
アミノシクロヘキサノンオキシム塩酸塩３．Ｏｆ。
酢酸ナトリウム１５Ｆ及び５９６白金−活性炭触媒０．
１５Ｆを加えた。この混合物を２０ ＃／ｄの水素加圧
下に５０℃で４時間攪拌した。反応混合物から触媒を濾
過除去した後、Ｐ液を減圧下ｔこｉｌＪ 縮Ｌ タ。こ
の残渣をクロロホルム３００ｇ／ｉｃｉ釈し、３０％水
酸化す） ＩＪウム水溶液３０■ｔで洗浄した後、無水
硫酸す） ＩＪウムで乾燥し、減圧下に濃縮してｌ、
２−ビス（アセトアミド）シクロヘキサン３．５ｆを得
た。このものをガスクロマトグラフィー（Ｔｈｅｒｍｏ
ｎ −３０００，３ｇｓ＋Ｘ ＬＯ１／１．２１５℃で
トラフ／Ｃ体：８．９分、シス体：１１１分）で分析し
たところ、トランス体対シス体の比率は８１対１９であ
った。
１５Ｆを加えた。この混合物を２０ ＃／ｄの水素加圧
下に５０℃で４時間攪拌した。反応混合物から触媒を濾
過除去した後、Ｐ液を減圧下ｔこｉｌＪ 縮Ｌ タ。こ
の残渣をクロロホルム３００ｇ／ｉｃｉ釈し、３０％水
酸化す） ＩＪウム水溶液３０■ｔで洗浄した後、無水
硫酸す） ＩＪウムで乾燥し、減圧下に濃縮してｌ、
２−ビス（アセトアミド）シクロヘキサン３．５ｆを得
た。このものをガスクロマトグラフィー（Ｔｈｅｒｍｏ
ｎ −３０００，３ｇｓ＋Ｘ ＬＯ１／１．２１５℃で
トラフ／Ｃ体：８．９分、シス体：１１１分）で分析し
たところ、トランス体対シス体の比率は８１対１９であ
った。
実施例２
実施例１と同様の方法で２−アミノシクロヘキサノンオ
キシム塩酸塩３．Ｏｆを、酢酸ナトリウム１６１及び５
９６白金−活性炭触媒０． ｌ ５ ｐの共存下に、酢
酸２３ ｍｌ及び無水ｆｆ１′酸６．９ Ｉ１１’の混
合溶液中で、ｌ ｋｙ／ｄの水素雰囲気下に５０℃で３
．５時間纜拌した。同様の後処理により、１．２−ビス
（アセトアミド）シクロヘキサン３，３ｆを得た。この
ものをガスクロマトグラフィーで分析したところ、トラ
ンス体対シス体の比率は８４対１６であった。
キシム塩酸塩３．Ｏｆを、酢酸ナトリウム１６１及び５
９６白金−活性炭触媒０． ｌ ５ ｐの共存下に、酢
酸２３ ｍｌ及び無水ｆｆ１′酸６．９ Ｉ１１’の混
合溶液中で、ｌ ｋｙ／ｄの水素雰囲気下に５０℃で３
．５時間纜拌した。同様の後処理により、１．２−ビス
（アセトアミド）シクロヘキサン３，３ｆを得た。この
ものをガスクロマトグラフィーで分析したところ、トラ
ンス体対シス体の比率は８４対１６であった。
実施例３
実施例１と同様の方法で、２−アミノ７クロへキサノン
オキシム塩酸塩４０Ｆを酢酸ナトリウム２２Ｆ及び５％
白金−活性炭融媒２．Ｏｆの共存下に、酢酸３００ ｍ
ｌ及び無水酢酸１００層ｌの混合溶液中で、８ ｋｑ／
ｄの水素加圧下に３０℃で６．５時間攪拌した。反応生
成物をガスクロマトグラフィーで分析したところ、トラ
ンス−及びシス−１，２−ビス（アセトアミド）シクロ
ヘキサンの収率は、それぞれ７５９６及び１５９６であ
った。
オキシム塩酸塩４０Ｆを酢酸ナトリウム２２Ｆ及び５％
白金−活性炭融媒２．Ｏｆの共存下に、酢酸３００ ｍ
ｌ及び無水酢酸１００層ｌの混合溶液中で、８ ｋｑ／
ｄの水素加圧下に３０℃で６．５時間攪拌した。反応生
成物をガスクロマトグラフィーで分析したところ、トラ
ンス−及びシス−１，２−ビス（アセトアミド）シクロ
ヘキサンの収率は、それぞれ７５９６及び１５９６であ
った。
本発明は、次のよう・な効果を有する。
■ 本発明法の出発原料となる２−アミノシクロヘキサ
ノンオキシム塩酸塩は、比較的簡単なプロセスで大量に
製造されるので安価に入手できる。
ノンオキシム塩酸塩は、比較的簡単なプロセスで大量に
製造されるので安価に入手できる。
■ 本発明法によれば、トランス体の含有比率の高いｌ
、 ２−ジアミノシクロへキサン前駆体が、接触水素添
加反応で容易に得られるので工業的に有利である。
、 ２−ジアミノシクロへキサン前駆体が、接触水素添
加反応で容易に得られるので工業的に有利である。
Claims (1)
- ２−アミノシクロヘキサノンオキシム塩酸塩を、無水酢
酸、塩基及び金属触媒の共存下で接触水素添加すること
を特徴とするトランス−１，２−ビス（アセトアミド）
シクロヘキサンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17505284A JPS6153251A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | トランス−１，２−ビス（アセトアミド）シクロヘキサンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17505284A JPS6153251A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | トランス−１，２−ビス（アセトアミド）シクロヘキサンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153251A true JPS6153251A (ja) | 1986-03-17 |
Family
ID=15989388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17505284A Pending JPS6153251A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | トランス−１，２−ビス（アセトアミド）シクロヘキサンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153251A (ja) |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP17505284A patent/JPS6153251A/ja active Pending
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