JPS6153365A - 酸化ケイ素薄膜形成用組成物 - Google Patents
酸化ケイ素薄膜形成用組成物Info
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- JPS6153365A JPS6153365A JP59173410A JP17341084A JPS6153365A JP S6153365 A JPS6153365 A JP S6153365A JP 59173410 A JP59173410 A JP 59173410A JP 17341084 A JP17341084 A JP 17341084A JP S6153365 A JPS6153365 A JP S6153365A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸化ケイ素（以下ｒ ＳｉＯ２」と配子。）
薄膜形成用組成物に係り、さらに詳しくは、８７０２薄
膜と透明な高屈折率の金属酸化物たとえばＴｉ０２Ｔａ
２０ｓ ｌ Ｚｒ０ｚ ｌ ＨｆＯ，等の薄膜（以下ｒ
高屈折″４膜」と称丁。）とン交互に積層した多層膜か
らなる光干渉膜の５ｉｎ２薄膜層形成用として好適な組
成物に関する。 透明な屈折率の異なる２種以上の薄膜？交互にびに積層
順序により、光、特ｃ二特定波長領域の光を反射または
吸収する光干渉性￥有し、ガラス、セラミック、金属等
の耐熱性基板上Ｃ二形成すること（：より光反射膜、光
反射防止膜、光吸収膜として利用される。したがって、
本発明は光干渉膜乞利用した鏡、コールドミラー、太陽
熱集熱鏡、太陽熱吸収装置、太陽電池、光学フィルター
等の製造分野において利用できる。 〔従来の技術〕 光干渉膜の製造方法として、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、ＣＶＤ法等の金属酸化物薄膜形成法Ｃ二より、基
板上Ｃ；高屈折率膜と低屈折率膜とｔ交互に積層して、
多層膜ン形成する方法がある。 これらの方法は一応完成した技術であるが、大量りな製
造設備を必要とするに拘らず、大面積の基板の・処理が
困難であり、また量産性に乏しいため、製品コストは極
めて高いものとなる。 大面積の基板を大量Ｃ二処理することが可能な金属酸化
物薄膜形成方法として、溶剤溶解性の有機金属化合物を
含有する塗布液を基板に塗布し、焼成する塗布焼成法が
あり、該方法により基板上に低屈折率膜と高屈折率膜と
ｔ交互に積層して多層膜を形成し、光干渉膜を製造する
ことが可能であり、不願出願人は特開昭５７−１６１８
０９号公報において、該手法娶採用したＴｉｅ、 ／
ＳｉＯ． ／ Ｔｉｅ、の三層膜からなる光干渉膜の製
造方法を開示した。該公報には、ＳｉＯ．薄膜層形成用
の塗布液として、テトラメトキシシランまたはテトラエ
トキシシランを低級アルコールと酢酸の存在する反応系
ご二ｇいて鉱酸の存在下Ｃ：反応させて得られるシロキ
サン〔発明が解決しようとする問題点〕 ８ｉＬ）１薄膜とＴｉｅ２等の高屈折率膜とｔ交互Ｉ：
積層した多層膜からなる光干渉膜ン、塗布焼成法（；よ
り基板上に形成する場合、ＳｔＯ，の熱膨張率が７×１
０−為であるのＣ：対し、 Ｔｉｅ２の熱膨張率は６×
１０−’／’Ｑと、低屈折率膜と高屈折率膜との間（二
熱膨張率に大きな差異があり、その製造過程で繰返され
る焼成−冷却（二より、膨張−収磨が繰返され各薄膜層
に応力が蓄積される。また有機８ｉ化合物の熱分解によ
り５ｉ０２（二液化する場合の体積収縮Ｃ二よりても応
力が蓄積される。そのため、積層数が多くなればなる程
層間剥離、クラックの発生等の多層膜Ｃ二特有の欠陥が
生じ、特Ｃ：クラックはＳｉｎ。 薄膜層に発生し易い。前記引用した５ｉｎ２薄膜形成用
の塗布液は、ＰｇＯｉＹ含有させることでその欠陥を改
良したものであるが、三層膜では採用できても光の反射
または吸収波長領域の選択性を向上させた二層膜以上の
多層膜を形成する場合ｔ：は、前記多層膜欠陥の発生を
防止するには不充分である。 本発明は、塗布焼成法Ｃ：よる光干渉膜の製造方法にお
いて、ＳｉＯ□薄膜層形成用（二好適なＳｉＯ２薄膜形
薄膜形成物を提供することをその目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、有機ケイ素化合物Ｓよびシリカゾルを有機溶
剤に溶解８よび分散させてなる酸化ケイ素薄膜形成用ｉ
酸物である。 本発明（二おいて、有機８ｉ 化合物に、有機溶剤可溶
性のものであれば丑に制限されることなく使用できる。 時に、有機溶剤溶解性および５ｉ０２薄膜の成膜性に優
れたアルコ午シシラシ類、たとえばメ チトラ博トキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ
イソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメト
キシジイソプロポキシシラン、ジェトキシジイソプロポ
キシシラン、シェドキシジブトキシシラン等の同種また
は異種の置換基な有するテトラブトキシシラシ類、メチ
ルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メ
チルトリイソプロポ中ジシラン、エチルトリエトキシシ
ラン、エチルトリプトキシシラン、フェニル） ＩＪエ
トキシシラν等のトリアルコキシシラン類などおよび前
記アル；キシシラン類の１３）また１１ Ｂ種以上ｖ、
低級アルコールおよびカルボン醸の存在する反応系Ｉ：
おいて、鉱酸たとえば塩酸、リン酸等の存在下に縮重合
させるか、もしくは低級アルコール溶媒中（二おいて酸
性触媒たとえば塩酸、硝酸、リン酸、酢酸等または塩基
性触媒たとえば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の
存在下Ｃ二水を滴下して加水分解し、縮重合させて得ら
れる重合度２−２０のアルコキシシラン重合体類が好ま
しく使用される。 好ましくは平均粒径が５〜ｌ ００ｍａのゾルを用いる
。 永住シリカゾルを用いる場合、有機３ｉ化合物の加水分
解安定性を考慮すると、 ＰＨが７以下の好ましくは２
−４のものを便用する。これらの水性シリカゾルとして
、スノーラックス［Ｆ］０、スノーラックス■ＯＬ（以
上、８産化学＠Ｊ ’Ｅ、 ） 、カタ四イド［Ｆ］８
Ｎ（触媒化成工業
薄膜形成用組成物に係り、さらに詳しくは、８７０２薄
膜と透明な高屈折率の金属酸化物たとえばＴｉ０２Ｔａ
２０ｓ ｌ Ｚｒ０ｚ ｌ ＨｆＯ，等の薄膜（以下ｒ
高屈折″４膜」と称丁。）とン交互に積層した多層膜か
らなる光干渉膜の５ｉｎ２薄膜層形成用として好適な組
成物に関する。 透明な屈折率の異なる２種以上の薄膜？交互にびに積層
順序により、光、特ｃ二特定波長領域の光を反射または
吸収する光干渉性￥有し、ガラス、セラミック、金属等
の耐熱性基板上Ｃ二形成すること（：より光反射膜、光
反射防止膜、光吸収膜として利用される。したがって、
本発明は光干渉膜乞利用した鏡、コールドミラー、太陽
熱集熱鏡、太陽熱吸収装置、太陽電池、光学フィルター
等の製造分野において利用できる。 〔従来の技術〕 光干渉膜の製造方法として、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、ＣＶＤ法等の金属酸化物薄膜形成法Ｃ二より、基
板上Ｃ；高屈折率膜と低屈折率膜とｔ交互に積層して、
多層膜ン形成する方法がある。 これらの方法は一応完成した技術であるが、大量りな製
造設備を必要とするに拘らず、大面積の基板の・処理が
困難であり、また量産性に乏しいため、製品コストは極
めて高いものとなる。 大面積の基板を大量Ｃ二処理することが可能な金属酸化
物薄膜形成方法として、溶剤溶解性の有機金属化合物を
含有する塗布液を基板に塗布し、焼成する塗布焼成法が
あり、該方法により基板上に低屈折率膜と高屈折率膜と
ｔ交互に積層して多層膜を形成し、光干渉膜を製造する
ことが可能であり、不願出願人は特開昭５７−１６１８
０９号公報において、該手法娶採用したＴｉｅ、 ／
ＳｉＯ． ／ Ｔｉｅ、の三層膜からなる光干渉膜の製
造方法を開示した。該公報には、ＳｉＯ．薄膜層形成用
の塗布液として、テトラメトキシシランまたはテトラエ
トキシシランを低級アルコールと酢酸の存在する反応系
ご二ｇいて鉱酸の存在下Ｃ：反応させて得られるシロキ
サン〔発明が解決しようとする問題点〕 ８ｉＬ）１薄膜とＴｉｅ２等の高屈折率膜とｔ交互Ｉ：
積層した多層膜からなる光干渉膜ン、塗布焼成法（；よ
り基板上に形成する場合、ＳｔＯ，の熱膨張率が７×１
０−為であるのＣ：対し、 Ｔｉｅ２の熱膨張率は６×
１０−’／’Ｑと、低屈折率膜と高屈折率膜との間（二
熱膨張率に大きな差異があり、その製造過程で繰返され
る焼成−冷却（二より、膨張−収磨が繰返され各薄膜層
に応力が蓄積される。また有機８ｉ化合物の熱分解によ
り５ｉ０２（二液化する場合の体積収縮Ｃ二よりても応
力が蓄積される。そのため、積層数が多くなればなる程
層間剥離、クラックの発生等の多層膜Ｃ二特有の欠陥が
生じ、特Ｃ：クラックはＳｉｎ。 薄膜層に発生し易い。前記引用した５ｉｎ２薄膜形成用
の塗布液は、ＰｇＯｉＹ含有させることでその欠陥を改
良したものであるが、三層膜では採用できても光の反射
または吸収波長領域の選択性を向上させた二層膜以上の
多層膜を形成する場合ｔ：は、前記多層膜欠陥の発生を
防止するには不充分である。 本発明は、塗布焼成法Ｃ：よる光干渉膜の製造方法にお
いて、ＳｉＯ□薄膜層形成用（二好適なＳｉＯ２薄膜形
薄膜形成物を提供することをその目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、有機ケイ素化合物Ｓよびシリカゾルを有機溶
剤に溶解８よび分散させてなる酸化ケイ素薄膜形成用ｉ
酸物である。 本発明（二おいて、有機８ｉ 化合物に、有機溶剤可溶
性のものであれば丑に制限されることなく使用できる。 時に、有機溶剤溶解性および５ｉ０２薄膜の成膜性に優
れたアルコ午シシラシ類、たとえばメ チトラ博トキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ
イソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメト
キシジイソプロポキシシラン、ジェトキシジイソプロポ
キシシラン、シェドキシジブトキシシラン等の同種また
は異種の置換基な有するテトラブトキシシラシ類、メチ
ルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メ
チルトリイソプロポ中ジシラン、エチルトリエトキシシ
ラン、エチルトリプトキシシラン、フェニル） ＩＪエ
トキシシラν等のトリアルコキシシラン類などおよび前
記アル；キシシラン類の１３）また１１ Ｂ種以上ｖ、
低級アルコールおよびカルボン醸の存在する反応系Ｉ：
おいて、鉱酸たとえば塩酸、リン酸等の存在下に縮重合
させるか、もしくは低級アルコール溶媒中（二おいて酸
性触媒たとえば塩酸、硝酸、リン酸、酢酸等または塩基
性触媒たとえば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の
存在下Ｃ二水を滴下して加水分解し、縮重合させて得ら
れる重合度２−２０のアルコキシシラン重合体類が好ま
しく使用される。 好ましくは平均粒径が５〜ｌ ００ｍａのゾルを用いる
。 永住シリカゾルを用いる場合、有機３ｉ化合物の加水分
解安定性を考慮すると、 ＰＨが７以下の好ましくは２
−４のものを便用する。これらの水性シリカゾルとして
、スノーラックス［Ｆ］０、スノーラックス■ＯＬ（以
上、８産化学＠Ｊ ’Ｅ、 ） 、カタ四イド［Ｆ］８
Ｎ（触媒化成工業
本発明において、ＳｉＯ．薄膜形成用組成物は、従来使
用されてきた有機Ｓｔ化合物の有機溶剤浴液からなるＳ
ｉｎ、薄膜形成用組成物Ｃ二、シリカゾルを添加混合す
ることにより、 ５ｉ０２薄膜形成時の成膜性を改良し
たことχ特徴こする。 丁なわち、不発明の組成物の塗膜を熱分解してｓｉｏ、
ｇ生成するに際し、シリカゾルを含有することにより、
シリカゾルン含有しない塗膜（二比較し、体積収縮が小
さいため、クラック、層間剥離等の一つの原因である、
ＳｉＯ！生成時の体積収縮Ｃ二よる応力の蓄積が低下す
るものと推察される。 また、薄膜に微細なりラックが発生した場合にも分散し
たシリカゾルが障壁となり、剥離（二型るようなりラッ
クの成長が抑止される。 したがって、本発明の組成物を用いて、５ｉｎ２の単独
膜χ形成する場合、シリカゾル？含有しない組成物を用
いる場合に比較して、１回の塗布焼成で欠陥のない厚膜
ン形成することかできる。 また、５ｉｎ２以外の金属酸化物薄膜上Ｃ３ｉＯ，薄膜
を形成する場合には、塗膜中Ｃ二分散したシリカゾルが
、熱膨張の差異を吸収しているものと推察され、層間剥
離、クラック等の認められない合計層数が５層以上の光
干渉膜ン爬造することができる。 く、また過大な場合には、５ｉｎ２薄膜の表面の平滑度
が低下する。したがって好ましいシリカゾルの粒径は５
〜１００ ｍμである。 〔実施例〕 不発明ン実施例により、さらに詳細に説明する。 ただし、本発明の範囲は、下記実施例により伺等限定さ
れるものではない。 薄膜形成用組成物の調整 （ＩＪ Ｔｉｅ、薄膜形成用組成物 テトライソプロポキシチタン： ４２．６９Ｙエタノー
ル： ２８４ｇ（：溶解し、アセチルアセトン：ａｏ９
ｖ添加して反応させ、イソプロポキシ基の一部をアセチ
ルアセトン残基で置換した有機チタン化合物溶液を得た
。 別に、テトライソプロポキシチタン：５６．２Ｌｌｉｌ
ｖエタノール： ８５０Ｆに溶解し、触媒量の塩酸の存
在下Ｃ二本： ３．１ ’に除々１：添加し、攪拌下（
二反応させた。ついで、この反応液にアセチルアセトン
７４０１１Ｙ：添加して反応させ、チタネートポリマー
溶液を得た。 前記合成した有機チタン化合物溶液：３０，９と、チタ
ネートポリマー溶液：４００９Ｙ混合し、Ｐ２Ｏ，：
０．４９’２ガラス質形成剤として添加し・Ｔｉｅ２換
算濃度： ３．（５ｗｔ％のＴｉＯ□薄膜形成用ｍ成物
ン酸物した。 （２）ｓｉｏ、薄膜形成用組成物 Ｗテトラエトキシシラン： １８６ｇ、エタノール：
６４８．９ 、酢酸： ２０ｔ＄、Ｐおよび濃塩酸：０
．８Ｊｉ’を混合し、還流下Ｃ：４５時間反応させ、５
１０２換算濃度５．Ｏｗｔ％のアルコキシシラン重合体
溶液からなるＳｉｎ。 薄膜形成用組成物；Ａ？調整した。 （Ｂ） ５ｉ０２ ’４膜形成用ｍ成物； Ａ ： １
０００ｇＣ１１００Ｏ： １．２５１１ン添加し、室温
下に均一に混合し、８ｉＱ２基準テ２．５ｗｔ％（７）
Ｐ２Ｏ，ｙ２含有Ｔ ６３）０２薄ＦＩＸ形成用組成
物：Ｂぞ調整した。 （ｑメチルトリエトキシシラン： ２００１１、テトラ
エトキシシラン： ２５０ｇ、エタノール： ８８０．
ｌｉ＋、および２０％塩酸： １．５ｇを混合し、７
０°０の温度下に水：１５０ｇ乞徐々に滴下した後、さ
らに７０°０の温度に５時間保持して反応χ完結させ、
５ｉｎ２換算濃度ＩＱｗｔ％のアルコキシシラン１合体
溶液からなる５ｉｏ２薄膜形成用組成物；Ｃを調整した
。 （至）エトラエトキシシラン：１８６．！？、エタノー
ル： １２６．Ｌ 酢酸： ２０ｔ＄ｇ＃、ｍヒ濃塩ａ
ｓ、：０−８Ｊｉ’Ｙ混合し、還流下Ｃ；４５時間保時
して反応を完結させ、８ｉＱ、換算濃度１０ｗｔ％のア
ルコキシシラン重合体溶液からなる、５ｉ０２薄膜形成
用組成物溶液；Ｄを調整した。 実施例１および比較例ｌ Ｔｉ０．／Ｓｉ−交互多層膜の形成 ＳｉＯ．薄膜形成用組成物−Ａに市販の各穏シリカゾル
を添加し、酢酸エチル／エタノール（１／ｌ）の混合溶
剤で希釈し、５ｔＯ２換算濃度：５．Ｏｗｔ％の不発明
のＳｉＯ．薄膜形成用組成物を調整した。 前記調整したＴｉｅ、薄膜形成用組成物専考社、石英ガ
ラス板をディッピングし、該組成物の塗膜を形成した後
、５００℃の温度に８０分間保持して焼成し、石英ガラ
ス板上（＝Ｔｉｅ２ＴｉＯ２薄膜た。 ついで、ＴｉＯ２薄膜を形成した石英ガラス板を前記調
整したシリカゾル含有ｓｉｏ、薄膜形成用組成物または
ＳｔＯ，薄膜形成用組成物；Ａにディッピングして塗膜
を形成した後、５００℃の温度にａＯ分分間時して焼成
し、Ｔｉｅ、薄膜上にｓｉｏ、薄膜を形成した。 前記操作を繰返し、石英ガラス板上に、Ｔｉｅ、／３）
０２／ Ｔｉ０２ ／ ３）０ｇ／ Ｔ１０２ ／ ３
）０２／ ’ｒｔｏ２からなる多層膜を形成した。 各層の膜厚はディッピング時の引上げ速度を調整するこ
こによりＴｉＯ２薄膜は約６０ＯＡ’、ＳｉＯ．薄膜は
１００ｏａ”とした。 成膜結果を第１衣中に示す。 実施例２および比較例２ Ｔ１０２／ ３）０ ｚ交互多層膜の形成前記調整した
５ｉ０２薄膜形成用組成物、 Ｂ ：１０１００Ｏニオ
ルガノシリカゾル、０８ＣＡＬ−１４８２（前出Ｊ：
１７．！ｉ＋ ８よび混合溶剤（酢酸エチル／エタノー
ル＝１／１）：３）ン加え、８ ｉ０２換算濃度Ｈ５，
９ｗｔ％、３）０２基準シリカゾル含有率： ｇ、１ｗ
ｔ％の本発明に係る５ｉｎ２薄膜形成用組成物、 Ｂ′
を調整した。 前記調整したＴｉＱ２薄膜形成用組成物ならびに該組成
物Ｂおよびシリカゾル無添加のＳｉＯ２薄膜形成用組成
物；Ｂを用い実施例１とＰ１様に処理し、ＴｉＯ２７ｓ
ｉ０２の繰返しの多層ＭＸｙｔ形成した。 シリカゾル含有組成物を用いた場合、剥離、クラック等
の欠陥の認められない良好なｇ層膜が得られたが、比較
としたシリカゾル無添加の組成物？用いた場合、６層目
のＳｉＯ２層で剥離が発生した。 実施例８および比較例８ ＳｉＯ．厚膜の形成 前記調整した８ｉＱ２薄膜形成用組成物；ＣおよびＤｃ
、０８ＣＡＬ−１４８２（前出）および混合溶剤（酢酸
エテル／エタノール：１／１）Ｙ加え、ＳｉＯ２換算濃
度１０ｗｔ％、５１０２基準のシリカシル含有率＝５０
ｗｔ％の本発明に係るｓｉｏ、薄膜形成用組成物；Ｃ′
およびＤ／を調整した。 調整した組成物；♂ＳよびＤ′ならびＣニジリカゾル無
添加の組成物：Ｃ８よびＤｇ用い、ソーダガラス板上に
これらの組成物をスピンナー法で塗布した後仮焼し、さ
らτ：高温で焼成し、膜厚が約４００ＯＡ’の５ｉｎ２
膜ンソーダガラス板上（＝形成した。 膜厚：８０００Ａ’の５ｔＯ２膜の形成ン目的として前
記操作を繰返した。 結果な第２表中に示す。 〔発明の効果〕 不発明の５ｔＯ２薄膜形成用組成物乞用いろことにより
前記実施例に示すごと（ＳｉＱ、以外の金属酸化物薄膜
と、ＳｉＯ２薄膜とン交互Ｃ二積層した多層膜からなる
クラック、層間剥離等の欠陥のない光干渉膜ｙｘｌｓ造
することができる。また、１回の塗布焼成で、欠陥のな
い５ｊ０２の厚膜ン形成することかできる。 実施例は示さなかったが、本発明の組成物を用い、低温
また）１中温域における熱処理によりＳｉＯ２を主体と
する表面硬度の高い硬化被膜ンガラス、金属、プラスチ
ック等上（二形成することができる。 本発明に、成膜性、特に光干渉膜形成時の成膜性に優れ
たＳ ｉｏ２薄膜形成用組ｇ＠ン提供するものであり、
その産業的意義は極めて太きい。
用されてきた有機Ｓｔ化合物の有機溶剤浴液からなるＳ
ｉｎ、薄膜形成用組成物Ｃ二、シリカゾルを添加混合す
ることにより、 ５ｉ０２薄膜形成時の成膜性を改良し
たことχ特徴こする。 丁なわち、不発明の組成物の塗膜を熱分解してｓｉｏ、
ｇ生成するに際し、シリカゾルを含有することにより、
シリカゾルン含有しない塗膜（二比較し、体積収縮が小
さいため、クラック、層間剥離等の一つの原因である、
ＳｉＯ！生成時の体積収縮Ｃ二よる応力の蓄積が低下す
るものと推察される。 また、薄膜に微細なりラックが発生した場合にも分散し
たシリカゾルが障壁となり、剥離（二型るようなりラッ
クの成長が抑止される。 したがって、本発明の組成物を用いて、５ｉｎ２の単独
膜χ形成する場合、シリカゾル？含有しない組成物を用
いる場合に比較して、１回の塗布焼成で欠陥のない厚膜
ン形成することかできる。 また、５ｉｎ２以外の金属酸化物薄膜上Ｃ３ｉＯ，薄膜
を形成する場合には、塗膜中Ｃ二分散したシリカゾルが
、熱膨張の差異を吸収しているものと推察され、層間剥
離、クラック等の認められない合計層数が５層以上の光
干渉膜ン爬造することができる。 く、また過大な場合には、５ｉｎ２薄膜の表面の平滑度
が低下する。したがって好ましいシリカゾルの粒径は５
〜１００ ｍμである。 〔実施例〕 不発明ン実施例により、さらに詳細に説明する。 ただし、本発明の範囲は、下記実施例により伺等限定さ
れるものではない。 薄膜形成用組成物の調整 （ＩＪ Ｔｉｅ、薄膜形成用組成物 テトライソプロポキシチタン： ４２．６９Ｙエタノー
ル： ２８４ｇ（：溶解し、アセチルアセトン：ａｏ９
ｖ添加して反応させ、イソプロポキシ基の一部をアセチ
ルアセトン残基で置換した有機チタン化合物溶液を得た
。 別に、テトライソプロポキシチタン：５６．２Ｌｌｉｌ
ｖエタノール： ８５０Ｆに溶解し、触媒量の塩酸の存
在下Ｃ二本： ３．１ ’に除々１：添加し、攪拌下（
二反応させた。ついで、この反応液にアセチルアセトン
７４０１１Ｙ：添加して反応させ、チタネートポリマー
溶液を得た。 前記合成した有機チタン化合物溶液：３０，９と、チタ
ネートポリマー溶液：４００９Ｙ混合し、Ｐ２Ｏ，：
０．４９’２ガラス質形成剤として添加し・Ｔｉｅ２換
算濃度： ３．（５ｗｔ％のＴｉＯ□薄膜形成用ｍ成物
ン酸物した。 （２）ｓｉｏ、薄膜形成用組成物 Ｗテトラエトキシシラン： １８６ｇ、エタノール：
６４８．９ 、酢酸： ２０ｔ＄、Ｐおよび濃塩酸：０
．８Ｊｉ’を混合し、還流下Ｃ：４５時間反応させ、５
１０２換算濃度５．Ｏｗｔ％のアルコキシシラン重合体
溶液からなるＳｉｎ。 薄膜形成用組成物；Ａ？調整した。 （Ｂ） ５ｉ０２ ’４膜形成用ｍ成物； Ａ ： １
０００ｇＣ１１００Ｏ： １．２５１１ン添加し、室温
下に均一に混合し、８ｉＱ２基準テ２．５ｗｔ％（７）
Ｐ２Ｏ，ｙ２含有Ｔ ６３）０２薄ＦＩＸ形成用組成
物：Ｂぞ調整した。 （ｑメチルトリエトキシシラン： ２００１１、テトラ
エトキシシラン： ２５０ｇ、エタノール： ８８０．
ｌｉ＋、および２０％塩酸： １．５ｇを混合し、７
０°０の温度下に水：１５０ｇ乞徐々に滴下した後、さ
らに７０°０の温度に５時間保持して反応χ完結させ、
５ｉｎ２換算濃度ＩＱｗｔ％のアルコキシシラン１合体
溶液からなる５ｉｏ２薄膜形成用組成物；Ｃを調整した
。 （至）エトラエトキシシラン：１８６．！？、エタノー
ル： １２６．Ｌ 酢酸： ２０ｔ＄ｇ＃、ｍヒ濃塩ａ
ｓ、：０−８Ｊｉ’Ｙ混合し、還流下Ｃ；４５時間保時
して反応を完結させ、８ｉＱ、換算濃度１０ｗｔ％のア
ルコキシシラン重合体溶液からなる、５ｉ０２薄膜形成
用組成物溶液；Ｄを調整した。 実施例１および比較例ｌ Ｔｉ０．／Ｓｉ−交互多層膜の形成 ＳｉＯ．薄膜形成用組成物−Ａに市販の各穏シリカゾル
を添加し、酢酸エチル／エタノール（１／ｌ）の混合溶
剤で希釈し、５ｔＯ２換算濃度：５．Ｏｗｔ％の不発明
のＳｉＯ．薄膜形成用組成物を調整した。 前記調整したＴｉｅ、薄膜形成用組成物専考社、石英ガ
ラス板をディッピングし、該組成物の塗膜を形成した後
、５００℃の温度に８０分間保持して焼成し、石英ガラ
ス板上（＝Ｔｉｅ２ＴｉＯ２薄膜た。 ついで、ＴｉＯ２薄膜を形成した石英ガラス板を前記調
整したシリカゾル含有ｓｉｏ、薄膜形成用組成物または
ＳｔＯ，薄膜形成用組成物；Ａにディッピングして塗膜
を形成した後、５００℃の温度にａＯ分分間時して焼成
し、Ｔｉｅ、薄膜上にｓｉｏ、薄膜を形成した。 前記操作を繰返し、石英ガラス板上に、Ｔｉｅ、／３）
０２／ Ｔｉ０２ ／ ３）０ｇ／ Ｔ１０２ ／ ３
）０２／ ’ｒｔｏ２からなる多層膜を形成した。 各層の膜厚はディッピング時の引上げ速度を調整するこ
こによりＴｉＯ２薄膜は約６０ＯＡ’、ＳｉＯ．薄膜は
１００ｏａ”とした。 成膜結果を第１衣中に示す。 実施例２および比較例２ Ｔ１０２／ ３）０ ｚ交互多層膜の形成前記調整した
５ｉ０２薄膜形成用組成物、 Ｂ ：１０１００Ｏニオ
ルガノシリカゾル、０８ＣＡＬ−１４８２（前出Ｊ：
１７．！ｉ＋ ８よび混合溶剤（酢酸エチル／エタノー
ル＝１／１）：３）ン加え、８ ｉ０２換算濃度Ｈ５，
９ｗｔ％、３）０２基準シリカゾル含有率： ｇ、１ｗ
ｔ％の本発明に係る５ｉｎ２薄膜形成用組成物、 Ｂ′
を調整した。 前記調整したＴｉＱ２薄膜形成用組成物ならびに該組成
物Ｂおよびシリカゾル無添加のＳｉＯ２薄膜形成用組成
物；Ｂを用い実施例１とＰ１様に処理し、ＴｉＯ２７ｓ
ｉ０２の繰返しの多層ＭＸｙｔ形成した。 シリカゾル含有組成物を用いた場合、剥離、クラック等
の欠陥の認められない良好なｇ層膜が得られたが、比較
としたシリカゾル無添加の組成物？用いた場合、６層目
のＳｉＯ２層で剥離が発生した。 実施例８および比較例８ ＳｉＯ．厚膜の形成 前記調整した８ｉＱ２薄膜形成用組成物；ＣおよびＤｃ
、０８ＣＡＬ−１４８２（前出）および混合溶剤（酢酸
エテル／エタノール：１／１）Ｙ加え、ＳｉＯ２換算濃
度１０ｗｔ％、５１０２基準のシリカシル含有率＝５０
ｗｔ％の本発明に係るｓｉｏ、薄膜形成用組成物；Ｃ′
およびＤ／を調整した。 調整した組成物；♂ＳよびＤ′ならびＣニジリカゾル無
添加の組成物：Ｃ８よびＤｇ用い、ソーダガラス板上に
これらの組成物をスピンナー法で塗布した後仮焼し、さ
らτ：高温で焼成し、膜厚が約４００ＯＡ’の５ｉｎ２
膜ンソーダガラス板上（＝形成した。 膜厚：８０００Ａ’の５ｔＯ２膜の形成ン目的として前
記操作を繰返した。 結果な第２表中に示す。 〔発明の効果〕 不発明の５ｔＯ２薄膜形成用組成物乞用いろことにより
前記実施例に示すごと（ＳｉＱ、以外の金属酸化物薄膜
と、ＳｉＯ２薄膜とン交互Ｃ二積層した多層膜からなる
クラック、層間剥離等の欠陥のない光干渉膜ｙｘｌｓ造
することができる。また、１回の塗布焼成で、欠陥のな
い５ｊ０２の厚膜ン形成することかできる。 実施例は示さなかったが、本発明の組成物を用い、低温
また）１中温域における熱処理によりＳｉＯ２を主体と
する表面硬度の高い硬化被膜ンガラス、金属、プラスチ
ック等上（二形成することができる。 本発明に、成膜性、特に光干渉膜形成時の成膜性に優れ
たＳ ｉｏ２薄膜形成用組ｇ＠ン提供するものであり、
その産業的意義は極めて太きい。
Claims (5)
- （１）有機ケイ素化合物およびシリカゾルを有機溶剤に
溶解および分散させてなる酸化ケイ素薄膜形成用組成物 - （２）有機ケイ素化合物がアルコキシシラン類および／
またはアルコキシシラン重合体である特許請求の範囲第
（１）項記載の組成物 - （３）シリカゾルが、粒子径５〜１００ｍμの水性シリ
カゾルおよび／またはオルガノゾルである特許請求の範
囲第（１）項記載の組成物 - （４）有機ケイ素化合物とシリカゾルとの合計量をＳｉ
Ｏ＿２に換算して５〜３０重量％含有し、かつＳｉＯ＿
２基準で１〜５０重量％のシリカゾルを含有する特許請
求の範囲第（１）項記載の組成物 - （５）ガラス質形成剤を含有する特許請求の範囲第（１
）項記載の組成物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59173410A JPS6153365A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 酸化ケイ素薄膜形成用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59173410A JPS6153365A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 酸化ケイ素薄膜形成用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153365A true JPS6153365A (ja) | 1986-03-17 |
Family
ID=15959913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59173410A Pending JPS6153365A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 酸化ケイ素薄膜形成用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153365A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6256902A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | カラ−フイルタ− |
| JPS63117074A (ja) * | 1986-11-01 | 1988-05-21 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | コ−テイング用組成物およびその製造方法 |
| JPH02901A (ja) * | 1988-03-03 | 1990-01-05 | Asahi Glass Co Ltd | 耐久性の優れた光学体 |
| JP2009161772A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-07-23 | Aica Kogyo Co Ltd | 組成物、転写シート、メラミン化粧板、及びメラミン化粧板の製造方法 |
| JP2011111558A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Asahi Kasei E-Materials Corp | コーティング組成物及びエネルギー変換用部材 |
| JP5163491B2 (ja) * | 2006-04-21 | 2013-03-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリアフィルムの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス用樹脂基材、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53130732A (en) * | 1977-03-18 | 1978-11-15 | Rohm & Haas | Weatherproof and wearrresistant coating composition and method of bonding same |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP59173410A patent/JPS6153365A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53130732A (en) * | 1977-03-18 | 1978-11-15 | Rohm & Haas | Weatherproof and wearrresistant coating composition and method of bonding same |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6256902A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | カラ−フイルタ− |
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| JP5163491B2 (ja) * | 2006-04-21 | 2013-03-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリアフィルムの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス用樹脂基材、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013121723A (ja) * | 2006-04-21 | 2013-06-20 | Konica Minolta Inc | ガスバリアフィルムの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス用樹脂基材、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2009161772A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-07-23 | Aica Kogyo Co Ltd | 組成物、転写シート、メラミン化粧板、及びメラミン化粧板の製造方法 |
| JP2011111558A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Asahi Kasei E-Materials Corp | コーティング組成物及びエネルギー変換用部材 |
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