JPS6153729A - クロム系膜のドライエツチング方法 - Google Patents

クロム系膜のドライエツチング方法

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JPS6153729A
JPS6153729A JP59175070A JP17507084A JPS6153729A JP S6153729 A JPS6153729 A JP S6153729A JP 59175070 A JP59175070 A JP 59175070A JP 17507084 A JP17507084 A JP 17507084A JP S6153729 A JPS6153729 A JP S6153729A
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    • H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ′産業上の利用分野 本発明はクロム系膜のドライエツチング方法に係シ、特
にクロム系膜のドライエツチングにおける反応ガスに関
するものである。
従来の技術 クロムマスクはＩＣ製造における基本的な／Ｊパターン
形成するために必要不可欠の材料である。
このクロムマスクは写真製板によりレジストｉＲターン
を形成した後１通常溶液中で化学エッチされることによ
り作られる。
しかしながら、パターンの微細化、工程の１゛１ｑ略化
等の理由によってクロムマスク全ドライエツチングによ
って製造する方向に切換えられつつある。
クロムのドライエツチングには反応性ス、ツクツタエツ
チング法（以下Ｒ３Ｅと記す）が用いられる。
しかしながらこのクロムマスクのドライエッチング方法
において、特に耐エツチング性に乏しい感光性レジスト
のノ々ターンが形成されているクロム膜を従来のクロム
のドライエツチングガス、例えば四塩化炭素＋酸素（Ｃ
Ｃ４４＋０２）あるいはＣＦ４＋０２等の混合ガスを用
いてエツチングすると反応によ）一度消失したクロムが
逆反応によって生ずるいわゆるデポジション（堆積）が
’ｌ埋クロム膜の表面に発生する。
該クロムのデポジションのためにエツチングレートが悪
化し混合ガスとクロム膜との反応に不具合を生じ良好な
りロム膜のパターンが形成されない。
発明が解決しようとする問題点 本発明では、耐エツチング性が乏しい感光性レノストの
所定のパターンが形成されているクロム膜のドライエツ
チングにおいて生じるクロムのデポソンヨンによるクロ
ムのエツチングレートの低下、不安定性を解決しようと
するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点は、本発明によればクロム系膜上に所定のｉ
４ターンを有する感光性レノスト膜を形成し、該レジス
ト膜をマスクとして少なくともハロケ゛ン系ガスとエタ
ノールとを含む混合ガスのプラズマを用いて前記クロム
系膜をドライエツチングし、前記・母ターンに応じたク
ロム系膜のパターンを形成することを特徴とするクロム
系膜のドライエツチング方法によって達成される。
作用 本発明によれば、従来のドライエツチングガス、例えば
ＣＣ２４＋０□ガスにエタノールを添加しているのでＣ
ｒとＣＣ２及び０２の反応によって生じる不安定な塩化
クロミル（Ｃｒ０Ｃ４２）を還元させて安定なＣｒ　Ｃ
４５に変化させ、クロムのデポジションを防止するもの
である。
実施態様 以下、本発明の実施態様を図面に基づいて説明する。　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　１第１図は本発明の方法全実施するための一実施装
置を示す概略断面図である。
第１図において工はドライエ、チング容器、２はアノー
ド、３はカンード、４は反応ガス導入管、５はエタノー
ル導入管、６は被処理材、７は絶縁材（テフロンまたは
セラミック）をそれぞれ示している。
比較のために従来のクロム系膜ドライエツチングガス、
ＣＣｌ４と０□の混合ガスのみを用いた従来方法の場合
と、該ＣＣｔ４と０２の混合ガスにエタノール（Ｃ２Ｈ
，ＯＨ）を添加した本発明に係る場合とでのクロム膜の
ドライエツチングテストを行なった。
クロム膜からなるプレート上にポジ型電子線レジストに
よって所望のパターンが形成された被処理材６にエツチ
ングガスとしてＣＣｌ４１９４ＳＣＣＭ、０□ヲ６８Ｓ
ＣＣＭニエタノールを１０８ＣＣＭ　（３，６重量％）
を添加した場合と添加しない場合で実施した。エツチン
グ装置は第１図に示したが上記エツチングガスとしての
ＣＣ４４及びｏ２は反応ガス導入管４をエタノールはエ
タノール導入管５からそれぞれ導入した。またエツチン
グ条件は５００Ｗ、１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を
印加し、エツチング圧力は０．４トールとした。
その結果第２図に示すようなエツチングレートを得た。
すなわちエツチングガスとしてエタノ−唾 ルを添加しない従来例と比較し、エタノールを添加した
本発明ではデポジションが減少してクロムのエツチング
レートが１１００から１４００（Ａ　／　ｍｉｎ　）に
上昇した。なおりロムのエツチングレートの上昇にとも
ないレジストのエツチングレートも上昇した。また選択
比（Ｃｒ／レジスト）は従来法と本発明ではほとんど変
化がみられなかった。
このように本実施例のドライエ、チング法ではエツチン
グガスとしてエタノールを添加することによってクロム
膜のエツチングレートを大きくすることができる。
本発明ではエタノールを従来の他のエツチングガスと同
一の導入管（例えば第１図の４）から導入してもよいが
該反応がス導入管の導入口付近が反応生成物で汚染され
る可能性が強いため第１図に示すように反応ガス導入管
４と別個に、該導入管から出来るだけ離してエタノール
導入管を設けることが好ましい。
本発明におけるエツチングガス流量としてけＣＣｔ４が
９０ないし１００　ＳＣＣＭ、　Ｏ２が７０ないし８０
　ＳＣＣＭ、　：ｒ−タ／　−ｋが５〜１０Ｓ１０５Ｃ
Ｃ〜６係）が好ましく、また他のエツチング条件として
は、高周波電力として３００ないし５００Ｗ工゛　７チ
ング圧力として０．３ないし０，５トールが好ましい。
またエツチングガスとしてのハロゲン系ガスは本実施例
のよりなＣＣ４４以外にＣＦ４、Ｃ２Ｃｔ４、Ｃ２Ｈ２
Ｃｔ２等も可能である。更に又、本実施例ではクロム膜
の工、チングについて述べたが低反射クロム膜等にも適
用し得るものである。
発明の詳細 な説明したように本発明によれば、特に尉エツチング性
の乏しい感光性レノストを用いたクロム系膜のドライエ
ツチングにおいて、クロムのデボノションが減少しエツ
チングレートを安定に且つ大きく向上せしめることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の方法を実施するための一実施装置を示
す概略断面図であシ、第２図は本発明と従来法によって
クロムのエツチングレートを測定した結果を示すグラフ
である。 １・・・ドライエツチング容器、２・・・アノード、３
・・・カソード、４・・・反応ガス導入管、５・・・エ
タノール導入管、６・・・被処理材、７・・・絶縁材。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、クロム系膜上に所定のパターンを有する感光性レジ
    スト膜を形成し、該レジスト膜をマスクとして少なくと
    もハロゲン系ガスとエタノールとを含む混合ガスのプラ
    ズマを用いて前記クロム系膜をドライエッチングし、前
    記パターンに応じたクロム系膜のパターンを形成するこ
    とを特徴とするクロム系膜のドライエッチング方法。 ２、前記ハロゲン系ガスが塩素系ガスであることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、前記ハロゲン系ガスがフッ素系ガスであることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４、前記エタノールを前記ハロゲン系ガス供給用導入管
    と別個の導入管から供給することを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の方法。 ５、前記エタノールの導入管の導入口を前記ハロゲン系
    ガス供給用導入管の導入口と出来る限り離して配設する
    ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の方法。
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