JPH07105378B2 - クロム系膜のドライエツチング方法 - Google Patents

クロム系膜のドライエツチング方法

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JPH07105378B2
JPH07105378B2 JP59175070A JP17507084A JPH07105378B2 JP H07105378 B2 JPH07105378 B2 JP H07105378B2 JP 59175070 A JP59175070 A JP 59175070A JP 17507084 A JP17507084 A JP 17507084A JP H07105378 B2 JPH07105378 B2 JP H07105378B2
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    • H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
    • H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas
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    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はクロム系膜のドライエッチング方法に係り、特
にクロム系膜のドライエッチングにおける反応ガスに関
するものである。
従来の技術 クロムマスクはIC製造における基本的なパターンを形成
するために必要不可欠の材料である。このクロムマスク
は写真製板によりレジストパターンを形成した後、通常
溶液中で化学エッチされることにより作られる。
しかしながら、パターンの微細化、工程の簡略化等の理
由によってクロムマスクをドライエッチングによって製
造する方法に切換えられつつある。
クロムのドライエッチングには反応性スパッタエッチン
グ法（以下RSEと記す）が用いられる。
しかしながらこのクロムマスクのドライエッチング方法
において、特に耐エッチング性に乏しい感光性レジスト
のパターンが形成されているクロム膜を従来のクロムの
ドライエッチングガス、例えば四塩化炭素＋酸素（CCl4
＋O2）あるいはCF4＋O2等の混合ガスを用いてエッチン
グすると反応により一度消失したクロムが逆反応によっ
て生ずるいわゆるデポジション（堆積）が被処理クロム
膜の表面に発生する。
該クロムのデポジションのためにエッチングレートが悪
化し混合ガスとクロム膜との反対に不具合を生じ良好な
クロム膜のパターンが形成されない。
発明が解決しようとする問題点 本発明では、耐エッチング性が乏しい感光性レジストの
所定のパターンが形成されているクロム膜のドライエッ
チングにおいて生じるクロムのデポジションによるクロ
ムのエッチングレートの低下、不安定性を解決しようと
するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点は、本発明によればクロム系膜上に所定のパ
ターンを有する感光性レジスト膜を形成し、該レジスト
膜をマスクとして少なくともハロゲン系ガスとエタノー
ルとを含む混合ガスのプラズマを用いて前記クロム系膜
をドライエッチングし、前記パターンに応じたクロム系
膜のパターンを形成することを特徴とするクロム系膜の
ドライエッチング方法によって達成される。
作用 本発明によれば、従来のドライエッチングガス、例えば
CCl4＋O2ガスにエタノールを添加しているのでCrとCCl4
及びO2の反応によって生じる不安定な塩化クロミル（Cr
OCl2）を還元させて安定なCrCl3に変化させ、クロムの
デポジションを防止するものである。
実施態様 以下、本発明の実施態様を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の方法を実施するための一実施装置を示
す概略断面図である。
第１図において１はドライエッチング容器、２はアノー
ド、３はカソード、４は反応ガス導入管、５はエタノー
ル導入管、６は被処理材、７は絶縁材（テフロンまたは
セラミック）をそれぞれ示している。
比較のために従来のクロム系膜ドライエッチングガス、
CCl4とO2の混合ガスのみを用いた従来方法の場合と、該
CCl4とO2の混合ガスにエタノール（C2H5OH）を添加した
本発明に係る場合とでのクロム膜のドライエッチングテ
ストを行なった。
クロム膜からなるプレート上にポジ型電子線レジストに
よって所望のパターンが形成された被処理材６にエッチ
ングガスとしてCCl4を94SCCM、O2を68SCCMにエタノール
を10SCCM（3.6重量％）を添加した場合と添加しない場
合で実施した。エッチング装置は第１図に示したが上記
エッチングガスとしてのCCl4及びO2は反応ガス導入管４
をエタノールはエタノール導入管５からそれぞれ導入し
た。またエッチング条件は500W、13.56MHzの高周波電力
を印加し、エッチング圧力は0.4トールとした。
その結果第２図に示すようなエッチングレートを得た。
すなわちエッチングガスとしてエタノールを添加しない
従来例と比較し、エタノールを添加した本発明ではデボ
ジションが減少してクロムのエッチングレートが1100〜
1400（A/min）に上昇した。なおクロムのエッチングレ
ートの上昇にともないレジストのエッチングレートも上
昇した。また選択比（Cr/レジスト）は従来法と本発明
ではほとんど変化がみられなかった。
このように本実施例のドライエッチング法ではエッチン
グガスとしてエタノールを添加することによってクロム
膜のエッチングレートを大きくすることができる。
本発明ではエタノールを従来の他のエッチングガスと同
一の導入管（例えば第１図の４）から導入してもよいが
該反応ガス導入管の導入口付近が反応生成物で汚染され
る可能性が強いため第１図に示すように反応ガス導入管
４と別個に、該導入管から出来るだけ離してエタノール
導入管を設けることが好ましい。
本発明におけるエッチングガス流量としてはCCl4が90な
いし100SCCM、O2が70ないし80SCCM、エタノールが５〜1
0SCCM（２〜６％）が好ましく、また他のエッチング条
件としては、高周波電力として300ないし500Wエッチン
グ圧力として0.3ないし0.5トールが好ましい。
またエッチングガスとしてのハロゲン系ガスは本実施例
のようなCCl4以外にCF4、C2Cl4、C2H2Cl2等も可能であ
る。更に又、本実施例ではクロム膜のエッチングについ
て述べた低反射クロム膜等にも適用し得るものである。
発明の効果 以上説明したように本発明によれば、特に耐エッチング
性の乏しい感光性レジストを用いたクロム系膜のドライ
エッチングにおいて、クロムのデポジションが減少しエ
ッチングレートを安定に且つ大きく向上せしめることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の方法を実施するための一実施装置を示
す概略断面図であり、第２図は本発明と従来法によって
クロムのエッチングレートを測定した結果を示すグラフ
である。 １……ドライエッチング容器、２……アノード、３……
カソード、４……反応ガス導入管、５……エタノール導
入管、６……被処理材、７……絶縁材。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】クロム系膜上に所定のパターンを有する感
    光性レジスト膜を形成し、該レジスト膜をマスクとして
    少なくともハロゲン系ガスとエタノールとを含む混合ガ
    スのプラズマを用いて前記クロム系膜をドライエッチン
    グし、前記パターンに応じたクロム系膜のパターンを形
    成することを特徴とするクロム系膜のドライエッチング
    方法。
  2. 【請求項２】前記ハロゲン系ガスが塩素系ガスであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
  3. 【請求項３】前記ハロゲン系ガスがフッ素系ガスである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
  4. 【請求項４】前記エタノールを前記ハロゲン系ガス供給
    用導入管と別個の導入管から供給することを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の方法。
  5. 【請求項５】前記エタノールの導入管の導入口を前記ハ
    ロゲン系ガス供給用導入管の導入口と出来る限り離して
    配設することを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の
    方法。
JP59175070A 1984-08-24 1984-08-24 クロム系膜のドライエツチング方法 Expired - Lifetime JPH07105378B2 (ja)

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