JPS6156471A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6156471A JPS6156471A JP59158223A JP15822384A JPS6156471A JP S6156471 A JPS6156471 A JP S6156471A JP 59158223 A JP59158223 A JP 59158223A JP 15822384 A JP15822384 A JP 15822384A JP S6156471 A JPS6156471 A JP S6156471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- semiconductor device
- bonding
- bonding pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に係り、特に、光半導体装置にお
ける半導体チップから導出端子に至る接続の構成に関す
。
ける半導体チップから導出端子に至る接続の構成に関す
。
光半導体装置は、光通信などが実用化されるに至り多用
されるようになって来ている。
されるようになって来ている。
中継区間長が１０Ｋｍ以下という中容量の光フアイバ通
信において、発光側の装置に使用される半導体チップは
、平面発光型発光ダイオードが主流であったが、近年、
端面発光型も使用されるようになって来た。
信において、発光側の装置に使用される半導体チップは
、平面発光型発光ダイオードが主流であったが、近年、
端面発光型も使用されるようになって来た。
平面発光型を端面発光型に切り替える場合、装置からの
光の出射方向を変えないことが望まれるため、該装置内
においてチップの取付は姿勢を変える必要があるが、こ
の際、該チップに対する接続作業が複雑にならないこと
が望ましい。
光の出射方向を変えないことが望まれるため、該装置内
においてチップの取付は姿勢を変える必要があるが、こ
の際、該チップに対する接続作業が複雑にならないこと
が望ましい。
第４図は平面発光型発光ダイオードを搭載した従来の代
表的半導体装置の内部を示した斜視図である。
表的半導体装置の内部を示した斜視図である。
図示において、１は例えば鉄合金からなるパッケージ基
体、２ａ、２ｂは基体１に絶縁されて固定されている導
出端子、３は上面にボンディングパッドを具えた絶縁体
からなり基体１上に固定された取付部材、４は取付部材
３上にボンディングにより取付けられた平面発光型発光
ダイオード、５ａは発光ダイオード４の表面電極と端子
２ａとをボンディングによって接続するワイヤ、５ｂは
発光グーＣオードの裏面電極を導出する取付部材３のボ
ンディングバンドと端子２ｂとをボンディングによって
接続するワイヤで、この半導体装置は、光を図示矢印の
ように上方に出射する。
体、２ａ、２ｂは基体１に絶縁されて固定されている導
出端子、３は上面にボンディングパッドを具えた絶縁体
からなり基体１上に固定された取付部材、４は取付部材
３上にボンディングにより取付けられた平面発光型発光
ダイオード、５ａは発光ダイオード４の表面電極と端子
２ａとをボンディングによって接続するワイヤ、５ｂは
発光グーＣオードの裏面電極を導出する取付部材３のボ
ンディングバンドと端子２ｂとをボンディングによって
接続するワイヤで、この半導体装置は、光を図示矢印の
ように上方に出射する。
この構成の場合、ワイヤ５ａ、５ｂの両端は、同一方向
を向いた面にボンディングされるため、ボンディング作
業は単純であり容易である。
を向いた面にボンディングされるため、ボンディング作
業は単純であり容易である。
上記構成を基にして、光の出射方向を変えずに搭載する
発光ダイオードを平面発光型の４から端面発光型に変更
する場合は、取付部材３の高さを高（してボンディング
パッドを側面に移し、該パッドに発光ダイオードをボン
ディングすれば良い。
発光ダイオードを平面発光型の４から端面発光型に変更
する場合は、取付部材３の高さを高（してボンディング
パッドを側面に移し、該パッドに発光ダイオードをボン
ディングすれば良い。
しかしながらその場合には、ワイヤ５ａ、 ５ｂそれぞ
れの両端は、異なった方向を向いた面にボンディングさ
れるため、ボンディング作業は複雑になり、該作業にに
よる製造上ないし品質上の問題を招来する問題がある。
れの両端は、異なった方向を向いた面にボンディングさ
れるため、ボンディング作業は複雑になり、該作業にに
よる製造上ないし品質上の問題を招来する問題がある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、パッケージ基体上に起立する部材の側面
に取付けられる半導体チップと該基体が具える導出端子
との接続は、該部材の該側面と上面とに互いに導通させ
て設けられたボンディングパッドを介するワイヤ配線を
含んでなされている本発明による半導体装置によって解
決される。
に取付けられる半導体チップと該基体が具える導出端子
との接続は、該部材の該側面と上面とに互いに導通させ
て設けられたボンディングパッドを介するワイヤ配線を
含んでなされている本発明による半導体装置によって解
決される。
本発明の構成によれば、前記半導体チップと前記導出端
子との接続の一部は前記ボンディングパッドによって分
断される。
子との接続の一部は前記ボンディングパッドによって分
断される。
然し、一端が該チップの表面電極にボンデ、イングされ
るワイヤの他端は、該チップが取付けられる前記部材側
面に設けられたボンディングパッドにボンディングすれ
ば良い。
るワイヤの他端は、該チップが取付けられる前記部材側
面に設けられたボンディングパッドにボンディングすれ
ば良い。
また、一端が該端子にボンディングされるワイヤの他端
は、該部材の上面に設けられたボンディングパッドにボ
ンディングすれば良い。
は、該部材の上面に設けられたボンディングパッドにボ
ンディングすれば良い。
このことから、全ワイヤについて両端のボンディングを
、同一方向に向いた面に行うようにすることが可能にな
り、ボンディング作業が単純化且つ容易化されて、該作
業による製造上なむル品質 ｆ上の問題発生を
抑えることが可能になる。
、同一方向に向いた面に行うようにすることが可能にな
り、ボンディング作業が単純化且つ容易化されて、該作
業による製造上なむル品質 ｆ上の問題発生を
抑えることが可能になる。
以下本発明による実施例を図により説明する。
企図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
第１図は本発明の構成により端面発光型発光ダイオード
を搭載した半導体装置の一実施例の内部を示した斜視図
、第２図、第３菌のそれぞれは同じく他の実施例の内部
を示した斜視図である。
を搭載した半導体装置の一実施例の内部を示した斜視図
、第２図、第３菌のそれぞれは同じく他の実施例の内部
を示した斜視図である。
第１図は第４図に対応する図で、第１図図示半導体装置
の第４図図示との相違点は、取付部材３が取付部材６に
、平面発光型発光ダイオード４が取付部材６の側面に取
付けられた端面発光型発光ダイオード４ａに変わり、ワ
イヤ５ａｓ ５ｂがワイヤ５Ｃ％５ｄ、５ｅにになった
点である。
の第４図図示との相違点は、取付部材３が取付部材６に
、平面発光型発光ダイオード４が取付部材６の側面に取
付けられた端面発光型発光ダイオード４ａに変わり、ワ
イヤ５ａｓ ５ｂがワイヤ５Ｃ％５ｄ、５ｅにになった
点である。
取付部材６は、絶縁体であり然も発光ダイオード４ａの
発熱を放散させるため熱伝導に優れた材料例えばベリリ
ヤ磁器などからなり、例えばクロム（Ｃｒ）金（Ａｕ）
の二層構造（Ａｕが上層）で発光ダイオード４ａを取付
ける側面から上面まで延在させたボンディングパッド６
ａ、 ６ｂを具えている。
発熱を放散させるため熱伝導に優れた材料例えばベリリ
ヤ磁器などからなり、例えばクロム（Ｃｒ）金（Ａｕ）
の二層構造（Ａｕが上層）で発光ダイオード４ａを取付
ける側面から上面まで延在させたボンディングパッド６
ａ、 ６ｂを具えている。
取付部材６の前記側面においては、ボンディングパッド
６ａに発光ダイオード４ａがボンディングにより取付け
られ、発光ダイオード４ａの表面電極とボンディングパ
ッド６ｂとがワイヤ５Ｃによってボンディング接続され
ている。
６ａに発光ダイオード４ａがボンディングにより取付け
られ、発光ダイオード４ａの表面電極とボンディングパ
ッド６ｂとがワイヤ５Ｃによってボンディング接続され
ている。
また、上面のボンディングパッド６ａ、 ６ｂは、ワイ
ヤ５ｄ、 ５ｅによってそれぞれ端子２ｂ、 ２ａにボ
ンディング接続されている。
ヤ５ｄ、 ５ｅによってそれぞれ端子２ｂ、 ２ａにボ
ンディング接続されている。
これらのボンディングの中で、発光ダイオード４ａおよ
びワイヤ５Ｃに対するものは、取付部材６が基体１に固
定される前に行われる。
びワイヤ５Ｃに対するものは、取付部材６が基体１に固
定される前に行われる。
従って、この半導体装置においては、ワイヤ５Ｃ％５ｄ
、 ５ｅの何れについても、その両端を共に上を向いた
面にボンディングすることが出来て、ボンディング作業
は通常の方法で容易に行うことが出来る。
、 ５ｅの何れについても、その両端を共に上を向いた
面にボンディングすることが出来て、ボンディング作業
は通常の方法で容易に行うことが出来る。
他の実施例を示す第２図、第３図は第１図に対応する図
で、第２図、第３図図示半導体装置の第１図図示との主
な相違点は、基体１が端子２ｂの機能を兼用した基体１
ａとなり、第２図図示においては、発光ダイオード４ａ
の裏面電極が基体１ａに接続され、第３図図示において
は、発光ダイオード４ａの表面電極が基体１ａに接続さ
れている点であり、これに伴い、取付部材６はそれぞれ
取付部材７．８に変わっている。
で、第２図、第３図図示半導体装置の第１図図示との主
な相違点は、基体１が端子２ｂの機能を兼用した基体１
ａとなり、第２図図示においては、発光ダイオード４ａ
の裏面電極が基体１ａに接続され、第３図図示において
は、発光ダイオード４ａの表面電極が基体１ａに接続さ
れている点であり、これに伴い、取付部材６はそれぞれ
取付部材７．８に変わっている。
取付部材７においては、ボンディングパッド６ｂに対応
するボンディングパッド７ｂのみが上面に延在し、ボン
ディングパッド６ａに対応するボンディングパッド７ａ
は直接基体１ａに接続されている。
するボンディングパッド７ｂのみが上面に延在し、ボン
ディングパッド６ａに対応するボンディングパッド７ａ
は直接基体１ａに接続されている。
また、取付部材８においては、ボンディングパッド６ａ
に対応するボンディングパッド８ａのみが上面に延在し
、ボンディングパッド６ｂに対応するボンディングパッ
ド８ｂは直接基体１ａに接続されている。
に対応するボンディングパッド８ａのみが上面に延在し
、ボンディングパッド６ｂに対応するボンディングパッ
ド８ｂは直接基体１ａに接続されている。
そして、ボンディング接続する全ワイヤ、即ち、発光ダ
イオード４ａの表面電極とボンディングパッド７ｂまた
は８ｂとを接続するワイヤ５Ｃ％端子２ａとボンディン
グパッド７ｂまたは８ａとを接続するワイヤＶ
５ｅまたは５ｄの両端は、第１図図示の場合と同
様に、同一方向を向いた面にボンディングされるため、
ボンディング作業は単純であり容易である。
イオード４ａの表面電極とボンディングパッド７ｂまた
は８ｂとを接続するワイヤ５Ｃ％端子２ａとボンディン
グパッド７ｂまたは８ａとを接続するワイヤＶ
５ｅまたは５ｄの両端は、第１図図示の場合と同
様に、同一方向を向いた面にボンディングされるため、
ボンディング作業は単純であり容易である。
なお、上述の実施例は、発光ダイオードを搭載した半導
体装置の場合であるが、搭載される半導体チップが発光
ダイオード以外の場合、例えば半導体レーザなどの場合
であっても、該チップが取付部材の側面に取付けられる
場合には、上述の説明から本発明の構成が共通して有効
であることを容易に類推出来る。
体装置の場合であるが、搭載される半導体チップが発光
ダイオード以外の場合、例えば半導体レーザなどの場合
であっても、該チップが取付部材の側面に取付けられる
場合には、上述の説明から本発明の構成が共通して有効
であることを容易に類推出来る。
以上説明したように、本発明の構成によれば、パッケー
ジ基体上に起立する部材の側面に半導体チップが取付け
られる半導体装置において、内部接続するワイヤのボン
ディング作業が単純化、容易化されて、該作業による製
造上ないし品質上の問題発生を抑えることを可能にさせ
る効果がある。
ジ基体上に起立する部材の側面に半導体チップが取付け
られる半導体装置において、内部接続するワイヤのボン
ディング作業が単純化、容易化されて、該作業による製
造上ないし品質上の問題発生を抑えることを可能にさせ
る効果がある。
図面において、
第１図は本発明の構成により端面発光型発光ダイオード
を搭載した半導体装置０一実施例（７） 、
。 内部を示した斜視図、 第２図、第３図のそれぞれは同じく他の実施例の内部を
示した斜視図、 第４図は平面発光型発光ダイオードを搭載した従来の代
表的半導体装置の内部を示した斜視図である。 図中において、 ■、１ａは基体、 ２ａ、２ｂは導出端子、 ３．６．７．８は取付部材、 ４は平面発光型発光ダイオード、 ４ａは端面発光型発光ダイオード、 ５ａ〜５ｅはワイヤ、 ６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ、 ８ａ、 ８ｂはボンディン
グパッド、をそれぞれ示す。 第１ｇ
を搭載した半導体装置０一実施例（７） 、
。 内部を示した斜視図、 第２図、第３図のそれぞれは同じく他の実施例の内部を
示した斜視図、 第４図は平面発光型発光ダイオードを搭載した従来の代
表的半導体装置の内部を示した斜視図である。 図中において、 ■、１ａは基体、 ２ａ、２ｂは導出端子、 ３．６．７．８は取付部材、 ４は平面発光型発光ダイオード、 ４ａは端面発光型発光ダイオード、 ５ａ〜５ｅはワイヤ、 ６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ、 ８ａ、 ８ｂはボンディン
グパッド、をそれぞれ示す。 第１ｇ
Claims (1)
- パッケージ基体上に起立する部材の側面に取付けられる
半導体チップと該基体が具える導出端子との接続は、該
部材の該側面と上面とに互いに導通させて設けられたボ
ンディングパッドを介するワイヤ配線を含んでなされて
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59158223A JPS6156471A (ja) | 1984-07-28 | 1984-07-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59158223A JPS6156471A (ja) | 1984-07-28 | 1984-07-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156471A true JPS6156471A (ja) | 1986-03-22 |
Family
ID=15666971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59158223A Pending JPS6156471A (ja) | 1984-07-28 | 1984-07-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6156471A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62212329A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-18 | Sankyo Co Ltd | α−ハイドロキシカルボン酸誘導体の製法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5660024A (en) * | 1979-10-22 | 1981-05-23 | Hitachi Ltd | Composite type semiconductor device |
-
1984
- 1984-07-28 JP JP59158223A patent/JPS6156471A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5660024A (en) * | 1979-10-22 | 1981-05-23 | Hitachi Ltd | Composite type semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62212329A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-18 | Sankyo Co Ltd | α−ハイドロキシカルボン酸誘導体の製法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5521429A (en) | Surface-mount flat package semiconductor device | |
| JP2535651B2 (ja) | 半導体装置 | |
| EP1169735B1 (en) | Semiconductor radiation emitter package | |
| US5049973A (en) | Heat sink and multi mount pad lead frame package and method for electrically isolating semiconductor die(s) | |
| KR970067781A (ko) | 반도체 장치와 그의 제조방법 및 집합형 반도체 장치 | |
| EP0399447A2 (en) | Plastic molded type semiconductor device | |
| KR900005587A (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제작방법 | |
| JP2004221598A (ja) | Ｌｅｄアセンブリの正確なアラインメント | |
| KR100902766B1 (ko) | 절연성 세라믹 히트 싱크를 갖는 디스크리트 패키지 | |
| JP2013153195A (ja) | 発光素子パッケージ | |
| JPWO2012050110A1 (ja) | Ｌｅｄモジュール | |
| JPH09293822A (ja) | 電源専用リードフレーム付半導体装置 | |
| JP2001015542A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2018190882A (ja) | 半導体装置 | |
| US6300674B1 (en) | Flat package for semiconductor diodes | |
| JP2512626Y2 (ja) | 樹脂封止形光半導体装置 | |
| JPH10275887A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2737151B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH098360A (ja) | 発光ダイオード | |
| KR100260996B1 (ko) | 리드프레임을 이용한 어레이형 반도체패키지 및 그 제조 방법 | |
| KR940006789B1 (ko) | 레이저 다이오드 | |
| US20020063257A1 (en) | Flat package for semiconductor diodes | |
| JP2002076161A (ja) | 表面実装型の半導体装置 | |
| JP3127948B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその実装方法 | |
| JP2527530B2 (ja) | 半導体装置 |