JPS6157601B2 - - Google Patents
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- JPS6157601B2 JPS6157601B2 JP56048411A JP4841181A JPS6157601B2 JP S6157601 B2 JPS6157601 B2 JP S6157601B2 JP 56048411 A JP56048411 A JP 56048411A JP 4841181 A JP4841181 A JP 4841181A JP S6157601 B2 JPS6157601 B2 JP S6157601B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高品質なガラス基板光導波路の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
光通信の実用化に向け光フアイバ、光源、光検
出器などの開発が着実に進み、その開発と共に周
辺デバイスの光分岐結合回路や光スイツチ等の光
回路素子も進展してきた。
出器などの開発が着実に進み、その開発と共に周
辺デバイスの光分岐結合回路や光スイツチ等の光
回路素子も進展してきた。
従来、これら光回路素子は、レンズ、反射鏡、
プリズム、干渉板等の古典的な光学素子を組合せ
て構成されていたために、大きさ、機械的安定
性、信頼性などにおいて難点があつた。
プリズム、干渉板等の古典的な光学素子を組合せ
て構成されていたために、大きさ、機械的安定
性、信頼性などにおいて難点があつた。
そこで、このような従来の問題点を解決すべ
く、光導波路型の複数の素子を一板の基板上に集
積して構成する光集積回路の研究開発が各方面で
行なわれている。
く、光導波路型の複数の素子を一板の基板上に集
積して構成する光集積回路の研究開発が各方面で
行なわれている。
この光集積回路の一構成要素である光導波路の
形成には、高分子フイルム中でのモノマの選択的
光重合を利用する方法や、組成の異なる半導体材
料を組合せて作る方法や、ガラス基板上にCVD
(Chemical Vapour Deposition)法でガラス膜を
一様に堆積させ、その後フオトリソグラフイー法
でガラス膜をエツチングして光導波路を作る方法
等が試みられている。
形成には、高分子フイルム中でのモノマの選択的
光重合を利用する方法や、組成の異なる半導体材
料を組合せて作る方法や、ガラス基板上にCVD
(Chemical Vapour Deposition)法でガラス膜を
一様に堆積させ、その後フオトリソグラフイー法
でガラス膜をエツチングして光導波路を作る方法
等が試みられている。
しかし、高分子材料を利用するものでは、経時
変化による信頼性の低下や光の伝送損失が大きい
などの欠点が有り、又半導体材料を用いるもので
は製作工数が多くまた光の伝送損失が大きい欠点
が有り、さらにガラス基板上にCVD法とフオト
リソグラフイー法とで光導波路を形成する方法は
製作工数が多い等の欠点が有る。
変化による信頼性の低下や光の伝送損失が大きい
などの欠点が有り、又半導体材料を用いるもので
は製作工数が多くまた光の伝送損失が大きい欠点
が有り、さらにガラス基板上にCVD法とフオト
リソグラフイー法とで光導波路を形成する方法は
製作工数が多い等の欠点が有る。
本発明の目的は、これらの欠点を除去し、光の
伝送損失が小さく、経時変化がほとんどなく信頼
性が高く、かつ製作工数が少ない光導波路の製造
方法を提供することにある。
伝送損失が小さく、経時変化がほとんどなく信頼
性が高く、かつ製作工数が少ない光導波路の製造
方法を提供することにある。
本発明によれば、気体状のガラス原料と酸素の
混合ガス中で、平板型ガラス基板上に細く絞られ
たレーザ光を照射して前記平板型ガラス基板を加
熱し、前記レーザ光によつて照射加熱された前記
平板型ガラス基板上の領域に選択的に透明なガラ
ス膜を堆積させることを特徴とするガラス基板光
導波路の製造方法が得られる。
混合ガス中で、平板型ガラス基板上に細く絞られ
たレーザ光を照射して前記平板型ガラス基板を加
熱し、前記レーザ光によつて照射加熱された前記
平板型ガラス基板上の領域に選択的に透明なガラ
ス膜を堆積させることを特徴とするガラス基板光
導波路の製造方法が得られる。
次に図面を用いて本発明を詳細に説明する。第
1図は本発明の一実施例を説明する図であり、図
中1は平板型ガラス基板であり、2は炭酸ガスレ
ーザ光であり、3は堆積したガラス膜であり、4
はレーザ光の移動方向を表わす。第1図において
は、気体状のガラス原料である。GeCl4を含んだ
SiCl4のガスと、酸素ガスを混合させた雰囲気中
に、石英から出来ている平板型ガラス基板1が置
かれている。この石英からなる平板型ガラス基板
1に、直径が数十μmに細く絞られかつ2次元的
に移動する破長10.6μの炭酸ガスレーザ光2を照
射して平板型ガラス基板1を約1400℃に加熱す
る。(この温度ではガラス基板1は溶融されな
い。)この加熱された平板型ガラス基板1上のガ
ラス面の領域に、熱酸化反応により生じたGeO2
を含んだSiO2の透明なガラスを堆積させて、光
導波路3を作る。矢印4は、炭酸ガスレーザ光2
の移動方向を示している。
1図は本発明の一実施例を説明する図であり、図
中1は平板型ガラス基板であり、2は炭酸ガスレ
ーザ光であり、3は堆積したガラス膜であり、4
はレーザ光の移動方向を表わす。第1図において
は、気体状のガラス原料である。GeCl4を含んだ
SiCl4のガスと、酸素ガスを混合させた雰囲気中
に、石英から出来ている平板型ガラス基板1が置
かれている。この石英からなる平板型ガラス基板
1に、直径が数十μmに細く絞られかつ2次元的
に移動する破長10.6μの炭酸ガスレーザ光2を照
射して平板型ガラス基板1を約1400℃に加熱す
る。(この温度ではガラス基板1は溶融されな
い。)この加熱された平板型ガラス基板1上のガ
ラス面の領域に、熱酸化反応により生じたGeO2
を含んだSiO2の透明なガラスを堆積させて、光
導波路3を作る。矢印4は、炭酸ガスレーザ光2
の移動方向を示している。
上記実施例では、光導波路になるガラスの屈折
率を高めるためにガラス原料としてGeCl4を含ん
だSiCl4を用いているが、ガラスの屈折率を高め
る物質であればGeCl4以外にPOCl3やGeCl4と
POCl3の混合ガス等を用いても良い。
率を高めるためにガラス原料としてGeCl4を含ん
だSiCl4を用いているが、ガラスの屈折率を高め
る物質であればGeCl4以外にPOCl3やGeCl4と
POCl3の混合ガス等を用いても良い。
また、レーザ光は、出力波長が短すぎると平板
型ガラス基板を透過してしまうので、平板型ガラ
ス基板に効果的に吸収される波長のものを選択す
る。
型ガラス基板を透過してしまうので、平板型ガラ
ス基板に効果的に吸収される波長のものを選択す
る。
また、上記実施例では、炭酸ガスレーザ光を1
本の光導波路について一回しか掃引しなかつた
が、光導波路のガラス膜の厚みが目的とする厚み
となるまで炭酸ガスレーザ光を複数回往復させガ
ラス膜を堆積させても良い。
本の光導波路について一回しか掃引しなかつた
が、光導波路のガラス膜の厚みが目的とする厚み
となるまで炭酸ガスレーザ光を複数回往復させガ
ラス膜を堆積させても良い。
また、上記実施例では、平板型ガラス基板とし
て石英ガラスを用いたが熱膨張係数が小さいガラ
スであれば良く、本発明が石英ガラスに限らない
ことも明らかである。
て石英ガラスを用いたが熱膨張係数が小さいガラ
スであれば良く、本発明が石英ガラスに限らない
ことも明らかである。
上述した本発明の方法で製造される光導波路
は、光導波路がガラス膜であることから高分子材
料に比べ経時変化がなく、又このガラス膜が光フ
アイバを作る時の方法であるMCVD(Modified
Chemical Vapour Deposition)とほぼ同じ熱酸
化反応を利用して作られているので高分子材料や
半導体材料で作られるものに比べて光の伝送損失
が非常に小さく、さらにガラス基板上にCVD法
とフオトリソグラフイー法とで半導波路を形成す
る方法に比べて少ない工程で得られる等の利点を
もつている。
は、光導波路がガラス膜であることから高分子材
料に比べ経時変化がなく、又このガラス膜が光フ
アイバを作る時の方法であるMCVD(Modified
Chemical Vapour Deposition)とほぼ同じ熱酸
化反応を利用して作られているので高分子材料や
半導体材料で作られるものに比べて光の伝送損失
が非常に小さく、さらにガラス基板上にCVD法
とフオトリソグラフイー法とで半導波路を形成す
る方法に比べて少ない工程で得られる等の利点を
もつている。
第1図は、本発明の一実施例を説明する斜視図
であり、1は平板型ガラス基板、2は細く絞られ
かつ2次元的に移動可能な炭酸ガスレーザ光、3
は光板型ガラス基板1上に光導波路として堆積し
たガラス膜、4は炭酸ガスレーザの移動方向を示
している。
であり、1は平板型ガラス基板、2は細く絞られ
かつ2次元的に移動可能な炭酸ガスレーザ光、3
は光板型ガラス基板1上に光導波路として堆積し
たガラス膜、4は炭酸ガスレーザの移動方向を示
している。
Claims (1)
- 1 気体状のガラス原料と酸素の混合ガス中で、
平板型ガラス基板上に細く絞られたレーザ光を照
射して前記平板型ガラス基板を加熱し、前記レー
ザ光によつて照射加熱された前記平板型ガラス基
板上の領域に選択的に透明なガラス膜を堆積させ
ることを特徴とするガラス基板光導波路の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56048411A JPS57163204A (en) | 1981-04-02 | 1981-04-02 | Production of optical waveguide on glass substrate |
| US06/364,048 US4411678A (en) | 1981-04-02 | 1982-03-31 | Method for fabricating an optical waveguide on a planar glass substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56048411A JPS57163204A (en) | 1981-04-02 | 1981-04-02 | Production of optical waveguide on glass substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57163204A JPS57163204A (en) | 1982-10-07 |
| JPS6157601B2 true JPS6157601B2 (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=12802556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56048411A Granted JPS57163204A (en) | 1981-04-02 | 1981-04-02 | Production of optical waveguide on glass substrate |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4411678A (ja) |
| JP (1) | JPS57163204A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0413773U (ja) * | 1990-05-23 | 1992-02-04 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115405A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Fujikura Ltd | 厚膜導波路の製造方法 |
| GB2150858B (en) * | 1983-12-06 | 1986-11-26 | Standard Telephones Cables Ltd | Optical fibres |
| US4521443A (en) * | 1984-05-07 | 1985-06-04 | Northrop Corporation | Integrated optical waveguide fabrication by ion implantation |
| JPS6183506A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Fujikura Ltd | 光回路の製法 |
| JPH0727089B2 (ja) * | 1985-02-18 | 1995-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 光導波路レンズの製造方法 |
| US5221352A (en) * | 1989-06-19 | 1993-06-22 | Glaverbel | Apparatus for pyrolytically forming an oxide coating on a hot glass substrate |
| GB8914047D0 (en) * | 1989-06-19 | 1989-08-09 | Glaverbel | Method of and apparatus for pyrolytically forming an oxide coating on a hot glass substrate |
| US5368900A (en) * | 1991-11-04 | 1994-11-29 | Motorola, Inc. | Multistep laser ablation method for making optical waveguide reflector |
| US6154593A (en) * | 1996-03-18 | 2000-11-28 | Japan Science & Technology Corp | Optical device and formation of optical waveguide using light-induced effect on refractive index |
| US6947651B2 (en) * | 2001-05-10 | 2005-09-20 | Georgia Tech Research Corporation | Optical waveguides formed from nano air-gap inter-layer dielectric materials and methods of fabrication thereof |
| CN102173599A (zh) * | 2010-12-17 | 2011-09-07 | 敬承斌 | 二氧化锗空芯光波导的酸诱导液相沉积制备方法 |
| EP2842156B1 (en) | 2012-04-23 | 2020-06-03 | Lawrence Livermore National Security, LLC | Localized atmospheric laser chemical vapor deposition |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2402270C2 (de) * | 1974-01-18 | 1983-05-26 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Innenbeschichtung eines Quarzrohres und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| NL165134B (nl) * | 1974-04-24 | 1980-10-15 | Nippon Telegraph & Telephone | Werkwijze voor de vervaardiging van een staaf als tussenprodukt voor de vervaardiging van een optische vezel en werkwijze voor de vervaardiging van een optische vezel uit zulk een tussenprodukt. |
| JPS5266443A (en) * | 1975-11-29 | 1977-06-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Production of glass fibers for light transmission |
| US4090776A (en) * | 1976-10-13 | 1978-05-23 | Honeywell Inc. | Fabrication of optical waveguides |
| JPS5367447A (en) * | 1976-11-28 | 1978-06-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Production of optical fiber base material |
| JPS5445147A (en) * | 1977-09-16 | 1979-04-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of glass rods for optical fibers |
-
1981
- 1981-04-02 JP JP56048411A patent/JPS57163204A/ja active Granted
-
1982
- 1982-03-31 US US06/364,048 patent/US4411678A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0413773U (ja) * | 1990-05-23 | 1992-02-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57163204A (en) | 1982-10-07 |
| US4411678A (en) | 1983-10-25 |
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