JPS61578A - マグネトロン・スパツタリング・タ−ゲツト - Google Patents
マグネトロン・スパツタリング・タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS61578A JPS61578A JP12281484A JP12281484A JPS61578A JP S61578 A JPS61578 A JP S61578A JP 12281484 A JP12281484 A JP 12281484A JP 12281484 A JP12281484 A JP 12281484A JP S61578 A JPS61578 A JP S61578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- thin film
- sputtering
- magnetron sputtering
- target body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、スパッタリング現象を利用して薄膜を作成す
る装置に使用されるマグネトロン・スパ、タリング拳タ
ーゲ、）Ｋ関するものである。
る装置に使用されるマグネトロン・スパ、タリング拳タ
ーゲ、）Ｋ関するものである。
（従来技術とその問題点）
作成した薄膜の付着力が強いことや、合金薄膜の作成が
容易にできるなどの理由により、最近はスパッタリング
現象を利用して薄膜を作成する方法が広く用いられるよ
うになってきた。スパッタリング現象を利用して薄膜を
作る方法は、母材が保持されているスパッタリング・タ
ーゲットに印加する電源や、そのターゲットの構造など
の相違により、ＲＦスパ、タリング法、ＲＦマグネ）Ｐ
ンスパッタリング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング
法などに区別されるが、これらの中で、マグネ）Ｒンス
パ、クリング法で総称される、ＲＦマグネトロンスパッ
タリング法やＤＣマグネ）Ｐンスパッタリング法は、殊
に薄膜の生成速度が太きいなどの長所があり工業的によ
りすぐれた方法といえる。
容易にできるなどの理由により、最近はスパッタリング
現象を利用して薄膜を作成する方法が広く用いられるよ
うになってきた。スパッタリング現象を利用して薄膜を
作る方法は、母材が保持されているスパッタリング・タ
ーゲットに印加する電源や、そのターゲットの構造など
の相違により、ＲＦスパ、タリング法、ＲＦマグネ）Ｐ
ンスパッタリング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング
法などに区別されるが、これらの中で、マグネ）Ｒンス
パ、クリング法で総称される、ＲＦマグネトロンスパッ
タリング法やＤＣマグネ）Ｐンスパッタリング法は、殊
に薄膜の生成速度が太きいなどの長所があり工業的によ
りすぐれた方法といえる。
従来、とのマグネトロンスパッタリング法の装置で使用
されるスパッタリングターゲットは、第２図に斜視図を
示すように、ターゲットボディ２に母材１が保持され、
母材１の裏側に磁石３があって、この磁石３より出る磁
力線４が母材１の表面にわき出す構造をとる。このター
ゲットに負電圧を印加すると母材１の表面より飛び出し
た電子は磁力線４によって閉じ込められ、高密度プラズ
マ領域６を形成する。そしてこの高密度プラズマ領域６
によって作られた正イオンが母材１に衝突し、母材１に
スパッタリング現象を起こし、これがターゲットの近傍
に置かれた基板上の薄膜作成に利用されている。ところ
が、従来はターゲットボディ２の材質について、磁力線
に対する考慮がなされていなかった。このため母材１の
材質が磁力線の通りやすい材質のものであると、図示の
ように、母材１の表面のみならずターゲットボディ２の
側面にも漏洩磁力線５がわき出し、この側面部にも高密
度プラズマ領域７が形成されてターゲ、トポディ２の側
面にてもスパッタ現象が発生する。
されるスパッタリングターゲットは、第２図に斜視図を
示すように、ターゲットボディ２に母材１が保持され、
母材１の裏側に磁石３があって、この磁石３より出る磁
力線４が母材１の表面にわき出す構造をとる。このター
ゲットに負電圧を印加すると母材１の表面より飛び出し
た電子は磁力線４によって閉じ込められ、高密度プラズ
マ領域６を形成する。そしてこの高密度プラズマ領域６
によって作られた正イオンが母材１に衝突し、母材１に
スパッタリング現象を起こし、これがターゲットの近傍
に置かれた基板上の薄膜作成に利用されている。ところ
が、従来はターゲットボディ２の材質について、磁力線
に対する考慮がなされていなかった。このため母材１の
材質が磁力線の通りやすい材質のものであると、図示の
ように、母材１の表面のみならずターゲットボディ２の
側面にも漏洩磁力線５がわき出し、この側面部にも高密
度プラズマ領域７が形成されてターゲ、トポディ２の側
面にてもスパッタ現象が発生する。
このターゲットボディ２の側面に起るスパッタリング現
象は、スパックリングターゲットに印加した電力の効率
の劣化や、ターゲットボディ２の消耗につながりまたタ
ーゲットボディ２の材質が母料１の材質と異なるときは
基板上に作成される薄膜にターゲットボディ２の原子が
混入し、不純イ１ 物の混入による薄膜の品質
の悲化をまねく、などの欠点があった。
象は、スパックリングターゲットに印加した電力の効率
の劣化や、ターゲットボディ２の消耗につながりまたタ
ーゲットボディ２の材質が母料１の材質と異なるときは
基板上に作成される薄膜にターゲットボディ２の原子が
混入し、不純イ１ 物の混入による薄膜の品質
の悲化をまねく、などの欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、ターゲットボディ２の側面に生ずるス
パッタリング現象を抑制又は皆無にし、良品質の薄膜を
効力率よく作成することを目的とする。
パッタリング現象を抑制又は皆無にし、良品質の薄膜を
効力率よく作成することを目的とする。
（発明の構成）
本発明はマグネトロン・スパッタリング・ターゲットの
母材を保持するターゲットボディの側面の表面を軟磁性
材料によって形成することによって、前記目的を達成し
たものである。
母材を保持するターゲットボディの側面の表面を軟磁性
材料によって形成することによって、前記目的を達成し
たものである。
（実施例）
第１図は本発明の実施例を示す斜視図であって、ターゲ
ットボディ２によって母材１が保持され、母材１の裏側
には磁石３が設けられてあり、磁石より出る磁力想４が
母材１の表面にわき出し高密度プラズマ領域６を作る。
ットボディ２によって母材１が保持され、母材１の裏側
には磁石３が設けられてあり、磁石より出る磁力想４が
母材１の表面にわき出し高密度プラズマ領域６を作る。
ここまでは従来のマグネトロンスパッタリングターゲッ
トと同じであるが、ターゲットボディ２の側面には軟磁
性拐料の薄板８がろう付されている。このようにマグネ
トロンスパッタリングターゲットを構成するときは、タ
ーゲットボディ２の側面に漏洩していた磁力線９が軟磁
性材料の薄板８の中を通ること〜なり、ターゲットボデ
ィ２の側面＼の表面には漏れなくなる。このためこのマ
グネトロンスパッタリングターゲットに負電圧を印加す
るときは、マグネトよ ロンターゲットエりとび出した電子が閉じ込められて作
られる高密度プラズマ領域は母材１上の６のみとなる。
トと同じであるが、ターゲットボディ２の側面には軟磁
性拐料の薄板８がろう付されている。このようにマグネ
トロンスパッタリングターゲットを構成するときは、タ
ーゲットボディ２の側面に漏洩していた磁力線９が軟磁
性材料の薄板８の中を通ること〜なり、ターゲットボデ
ィ２の側面＼の表面には漏れなくなる。このためこのマ
グネトロンスパッタリングターゲットに負電圧を印加す
るときは、マグネトよ ロンターゲットエりとび出した電子が閉じ込められて作
られる高密度プラズマ領域は母材１上の６のみとなる。
高密度プラズマ領域が母材１上にのみ形成されるため、
スパッタリング現象は母材１にのみ発生し、ターゲット
に印加した電力が、ターゲットボディ２の側面のスパッ
タリング現象に使われることがなくなり電力効率は上昇
する。そして、ターゲットボディ２の側面にスパッタリ
ング現象がおきなくなったためにターゲットボディ２の
消耗はなくなりこのマグネトロンスパッタリング法で作
成された基板上の薄膜に、ターゲットボディ２の原子す
なわち不純物の混入することもなくなるものである。
スパッタリング現象は母材１にのみ発生し、ターゲット
に印加した電力が、ターゲットボディ２の側面のスパッ
タリング現象に使われることがなくなり電力効率は上昇
する。そして、ターゲットボディ２の側面にスパッタリ
ング現象がおきなくなったためにターゲットボディ２の
消耗はなくなりこのマグネトロンスパッタリング法で作
成された基板上の薄膜に、ターゲットボディ２の原子す
なわち不純物の混入することもなくなるものである。
以上本発明の実施例について説明した４が本発明には種
々の応用変形が可能である。すなわち軟磁性材料８は、
ターゲットボディ２に対してろう付されるものに限らず
、溶接、半田付、ネジ止、などによって薄板を固定して
もよく、またメッキによってターグ、トポディ２０表面
に軟磁性材層を形成してもよい。薄膜８はかなり薄いも
の例えば０．４ｍ＋ａ程度で足りることが実験で確認さ
れている。
々の応用変形が可能である。すなわち軟磁性材料８は、
ターゲットボディ２に対してろう付されるものに限らず
、溶接、半田付、ネジ止、などによって薄板を固定して
もよく、またメッキによってターグ、トポディ２０表面
に軟磁性材層を形成してもよい。薄膜８はかなり薄いも
の例えば０．４ｍ＋ａ程度で足りることが実験で確認さ
れている。
（発明の効果）
本発明によれば、ターゲットボディ２の側面に生ずるス
パッタリング現象は極めて抑制されるか、皆無となり、
良品質の薄膜を高効率で作成するこツタリングΦターゲ
ットの部分断面斜視図。
パッタリング現象は極めて抑制されるか、皆無となり、
良品質の薄膜を高効率で作成するこツタリングΦターゲ
ットの部分断面斜視図。
第２図は従来のマグネトロンスパッタリング・ターゲッ
トの同様の図。
トの同様の図。
１・・・母 栃、２・・ターゲットボディ、３・・・磁
石、４・・・磁力線、５・・・漏洩磁力線、６．７・
・・高密度プラズマ領域、８・・・軟磁牲桐判の薄板、
９・・・磁力線。
石、４・・・磁力線、５・・・漏洩磁力線、６．７・
・・高密度プラズマ領域、８・・・軟磁牲桐判の薄板、
９・・・磁力線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マグネトロン・スパッタリング装置で使用されるマグネ
トロン・スパッタリング・ター ゲットにおいて母材を保持するターゲットボディの側面
の表面を軟磁性材料によって形成した事を特徴とするマ
グネトロン・スパッタリング・ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12281484A JPS61578A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | マグネトロン・スパツタリング・タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12281484A JPS61578A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | マグネトロン・スパツタリング・タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61578A true JPS61578A (ja) | 1986-01-06 |
Family
ID=14845293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12281484A Pending JPS61578A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | マグネトロン・スパツタリング・タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61578A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102653858A (zh) * | 2012-05-28 | 2012-09-05 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 磁控溅射与后续氧化制备MnCo尖晶石保护膜的方法 |
| CN105256281A (zh) * | 2015-11-24 | 2016-01-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 磁控溅射镀膜装置及其靶装置 |
| CN105316633A (zh) * | 2015-11-13 | 2016-02-10 | 西南交通大学 | 一种通过磁控溅射表面处理提高tc4钛合金的阻尼性能的技术 |
| CN106222621A (zh) * | 2016-08-23 | 2016-12-14 | 电子科技大学 | 一种磁控溅射装置及磁控溅射方法 |
| CN110656314A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-01-07 | 国合通用测试评价认证股份公司 | 一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106967A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-12 | Hitachi Ltd | マグネトロン式スパツタ装置 |
-
1984
- 1984-06-14 JP JP12281484A patent/JPS61578A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106967A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-12 | Hitachi Ltd | マグネトロン式スパツタ装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102653858A (zh) * | 2012-05-28 | 2012-09-05 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 磁控溅射与后续氧化制备MnCo尖晶石保护膜的方法 |
| CN105316633A (zh) * | 2015-11-13 | 2016-02-10 | 西南交通大学 | 一种通过磁控溅射表面处理提高tc4钛合金的阻尼性能的技术 |
| CN105256281A (zh) * | 2015-11-24 | 2016-01-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 磁控溅射镀膜装置及其靶装置 |
| CN106222621A (zh) * | 2016-08-23 | 2016-12-14 | 电子科技大学 | 一种磁控溅射装置及磁控溅射方法 |
| CN110656314A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-01-07 | 国合通用测试评价认证股份公司 | 一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法 |
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