JPS6159760A - 半導体装置の結線用Ａｌ合金極細線 - Google Patents
半導体装置の結線用Ａｌ合金極細線Info
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- JPS6159760A JPS6159760A JP59181555A JP18155584A JPS6159760A JP S6159760 A JPS6159760 A JP S6159760A JP 59181555 A JP59181555 A JP 59181555A JP 18155584 A JP18155584 A JP 18155584A JP S6159760 A JPS6159760 A JP S6159760A
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、通常のＩＣは勿論のこと、大規模メモリー
素子である２５６ＫＤＲＡＭや１メガピットＤＲＡＭ１
さらにこれ以上の容＆の超ＬＳＩなどの高集ｍａの半導
体装置の７ツセンブ？−に際して結線（ボンディングワ
イヤー）として用いるのに適したＡｌ合金極細線に関す
るものである。
素子である２５６ＫＤＲＡＭや１メガピットＤＲＡＭ１
さらにこれ以上の容＆の超ＬＳＩなどの高集ｍａの半導
体装置の７ツセンブ？−に際して結線（ボンディングワ
イヤー）として用いるのに適したＡｌ合金極細線に関す
るものである。
（従来の技術〕
一般に、半導体装置の一つとして、第１図に概略縦断面
図で示されるＩＣセラミックパッケージが矩られている
。このＩＣセラミックパッケージは、主として所定のキ
ャビティをもったセラミックのケース１と、このケース
のキャピテイ底部にろう付けられたＳｉなどのチップ２
と、一端がケース１に、他端がチップ２に接合きれた結
１ａ３と、セラミックの到着板４と、ケース１にろう付
けされたリード材、５からなり、前記結線３としてはＡ
ｕやＡｌ１およびその合金などの極ＩＩＩＩＱが用いら
れ、特に信頼性を必要とする場合には、チップ側のＡ！
電極との整合、性からＡｌ合金極細線が用いられ、中で
もＳｉ ： ０．５〜２％およびＭｇ：０．１〜２
％のうちの１種または２種（ただし５ｉ＋Ｍａ：２％以
下）を含有し、残りがＡｌと不可避不純物からなる組成
（以上重量％、以下％は重ｉ％を示す）を有するＡｌ合
金の極ｍ線が多用されている。
図で示されるＩＣセラミックパッケージが矩られている
。このＩＣセラミックパッケージは、主として所定のキ
ャビティをもったセラミックのケース１と、このケース
のキャピテイ底部にろう付けられたＳｉなどのチップ２
と、一端がケース１に、他端がチップ２に接合きれた結
１ａ３と、セラミックの到着板４と、ケース１にろう付
けされたリード材、５からなり、前記結線３としてはＡ
ｕやＡｌ１およびその合金などの極ＩＩＩＩＱが用いら
れ、特に信頼性を必要とする場合には、チップ側のＡ！
電極との整合、性からＡｌ合金極細線が用いられ、中で
もＳｉ ： ０．５〜２％およびＭｇ：０．１〜２
％のうちの１種または２種（ただし５ｉ＋Ｍａ：２％以
下）を含有し、残りがＡｌと不可避不純物からなる組成
（以上重量％、以下％は重ｉ％を示す）を有するＡｌ合
金の極ｍ線が多用されている。
しかし、近年、半導体装置においては、上記のようにａ
！１８１度化の傾向にあり、これに伴い、結線が原因で
メモリーにソフトエラーが発生する場合がしばしば生ず
るものであった。
！１８１度化の傾向にあり、これに伴い、結線が原因で
メモリーにソフトエラーが発生する場合がしばしば生ず
るものであった。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、メモリ
ーにソフトエラーを生じさせない結線を得べく、特に高
集積度の半導体装置においては、メモリーのセルに蓄え
られる信号キャリアが小さく、したがってこれに放射性
α粒子が侵入すると、このα粒子侵入時点に発生するキ
ャリアが信号を上廻りてしまい、この結果メモリーにソ
フトエラーが発生するようになるものであるとの認識の
もとに研究を行なった結果、上記の従来Ａｌ合金極細線
には不可避不純物としてＵおよびＴｈを含有し、その含
有量は通常それぞれ約２０〜３００ Ｅ）Ｄｂであるが
、これらの成分の含有量をそれぞれ１０１）Ｉ）ｂ未満
に低減した状態で・、結線として半導体装置に組込むと
、放射性α粒子数の発生が著しく低減するようになり、
この結果これが原因のソフトエラーの発生が皆無となる
という知見を得たのである。
ーにソフトエラーを生じさせない結線を得べく、特に高
集積度の半導体装置においては、メモリーのセルに蓄え
られる信号キャリアが小さく、したがってこれに放射性
α粒子が侵入すると、このα粒子侵入時点に発生するキ
ャリアが信号を上廻りてしまい、この結果メモリーにソ
フトエラーが発生するようになるものであるとの認識の
もとに研究を行なった結果、上記の従来Ａｌ合金極細線
には不可避不純物としてＵおよびＴｈを含有し、その含
有量は通常それぞれ約２０〜３００ Ｅ）Ｄｂであるが
、これらの成分の含有量をそれぞれ１０１）Ｉ）ｂ未満
に低減した状態で・、結線として半導体装置に組込むと
、放射性α粒子数の発生が著しく低減するようになり、
この結果これが原因のソフトエラーの発生が皆無となる
という知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、Ｓｉ ： ０．５〜２％およびＭＣＩ ：
０．１〜２％のうちの１種または２種（ただしＳｉ十Ｍ
ａ：２％以下）を含有し、残りがＡｌと不可避不純物か
らなる組成を有するＡｌ合金の極細線において、不可避
不純物としてのＵおよびＴｈの含有量を、それぞれ１０
ｐｐｂ未満とすることによって、半導体装置の結線とし
て用いた場合に、放射性α粒子の発生を抑制し、もって
メモリーに結線が原因のソフトエラーが発生するのを防
止した点に特徴を有するものである。
て、Ｓｉ ： ０．５〜２％およびＭＣＩ ：
０．１〜２％のうちの１種または２種（ただしＳｉ十Ｍ
ａ：２％以下）を含有し、残りがＡｌと不可避不純物か
らなる組成を有するＡｌ合金の極細線において、不可避
不純物としてのＵおよびＴｈの含有量を、それぞれ１０
ｐｐｂ未満とすることによって、半導体装置の結線とし
て用いた場合に、放射性α粒子の発生を抑制し、もって
メモリーに結線が原因のソフトエラーが発生するのを防
止した点に特徴を有するものである。
なお、この発明のＡｌ合金極ｍ線において、合金成分と
して含有するＳｌおよびＭｇ成分には、線引性およびボ
ンディング性を向上させる作用があるが、その含有ｑが
それぞれＳｉ ： ０．５％−未満およびＭｇ：
０．１％未満ぞは前記作用に所望の効果が得られず、
一方、その含有σがそれぞれ単独でも、また含量でも２
％を越えると、加工性が劣化するようになるばかりでな
く、硬化が著しくなり、結線時にチップ上の電極部を損
傷する場合がしばしば生ずるようになることから、その
含有量を、Ｓｉ ： ０．５〜２％、 Ｍｇ：
０．１〜２％、含量の場合でも２％以下と定めたのであ
る。
して含有するＳｌおよびＭｇ成分には、線引性およびボ
ンディング性を向上させる作用があるが、その含有ｑが
それぞれＳｉ ： ０．５％−未満およびＭｇ：
０．１％未満ぞは前記作用に所望の効果が得られず、
一方、その含有σがそれぞれ単独でも、また含量でも２
％を越えると、加工性が劣化するようになるばかりでな
く、硬化が著しくなり、結線時にチップ上の電極部を損
傷する場合がしばしば生ずるようになることから、その
含有量を、Ｓｉ ： ０．５〜２％、 Ｍｇ：
０．１〜２％、含量の場合でも２％以下と定めたのであ
る。
また、上記のように、この発明のＡｌ合金極細線におい
ては、不可避不純物としてのＵおよびＴｈの含有量をそ
れぞれ１０ｐｐｂ未満にする必要があるのであって、こ
れはＵおよびＴｈの含有量が１０１）Ｉ）ｂ以上になる
と、ＩＣは勿論のこと、高集積度の半導体装置の結線と
して用いた場合に、メモリーに結線が原因のソフトエラ
ーが発生するようになるからである。
ては、不可避不純物としてのＵおよびＴｈの含有量をそ
れぞれ１０ｐｐｂ未満にする必要があるのであって、こ
れはＵおよびＴｈの含有量が１０１）Ｉ）ｂ以上になる
と、ＩＣは勿論のこと、高集積度の半導体装置の結線と
して用いた場合に、メモリーに結線が原因のソフトエラ
ーが発生するようになるからである。
さらに、この発明のへ１合金極ｍａは、不可避不純物と
してのＵおよびＴｈをそれぞれ約２０〜３００ Ｄｐｂ
含有する純度：９９．９９％以上の高純度Ａｌを用い、
これに例えば帯溶融精製を１回もしくは２回以上繰り返
し施して、不可避不純物としてのＵおよびＴｈの含有量
をそれぞれ１０ｐｐｂ未満とし、ついでこの結果の高Ｉ
ＩＩ度Ａｌを溶融し、これに所定量のＳｉおよびＭｇを
合金成分として添加含有せしめた後、鋳造し、以後、通
常の条件での熱間および冷間線引加工によって極ｍ線と
することによって製造されるものである。
してのＵおよびＴｈをそれぞれ約２０〜３００ Ｄｐｂ
含有する純度：９９．９９％以上の高純度Ａｌを用い、
これに例えば帯溶融精製を１回もしくは２回以上繰り返
し施して、不可避不純物としてのＵおよびＴｈの含有量
をそれぞれ１０ｐｐｂ未満とし、ついでこの結果の高Ｉ
ＩＩ度Ａｌを溶融し、これに所定量のＳｉおよびＭｇを
合金成分として添加含有せしめた後、鋳造し、以後、通
常の条件での熱間および冷間線引加工によって極ｍ線と
することによって製造されるものである。
つぎに、この発明のＡｌ合金極細線を実施例により具体
的に説明する。
的に説明する。
ＵおよびＴｈの含有量が、それぞれｔＪ：２１０ｐｐｂ
およびＴｈ：９０ｐｐｂの純度： ９９．９９９％の高
純度Ａｌを用い、これに１回または２回収−ヒの帯溶融
精製を施して、ＵおよびＴｈの含有はが異った複数種の
高純度Ａｌをｌ！Ｉ製し、この結果の高純度Ａｌを真空
溶解法にて溶解し、これに所定量のＳｉおよびＭＣＩを
合金成分として添加含有せしめることによって、それぞ
れ第１表に示される成分組成をもったＡｌ合金溶湯を調
製し、鋳造した後、通常の熱間および冷間線引加工条件
にて直径： ・３０μ瓦φの本発明Ａｌ合金極Ｉ１１線
１〜９および比較Ａｌ合金極細線１〜３をそれぞれ製造
した。
およびＴｈ：９０ｐｐｂの純度： ９９．９９９％の高
純度Ａｌを用い、これに１回または２回収−ヒの帯溶融
精製を施して、ＵおよびＴｈの含有はが異った複数種の
高純度Ａｌをｌ！Ｉ製し、この結果の高純度Ａｌを真空
溶解法にて溶解し、これに所定量のＳｉおよびＭＣＩを
合金成分として添加含有せしめることによって、それぞ
れ第１表に示される成分組成をもったＡｌ合金溶湯を調
製し、鋳造した後、通常の熱間および冷間線引加工条件
にて直径： ・３０μ瓦φの本発明Ａｌ合金極Ｉ１１線
１〜９および比較Ａｌ合金極細線１〜３をそれぞれ製造
した。
ついで、この結果得られた本発明Ａｌ合金極細ＦＡｌ〜
９および比較へ１合金極細線１〜３の破断荷重および伸
びを測定すると共に、これらの極絹線を２５６ＫＤＲＡ
Ｍの結線として用い、実機に組込み、２０００時間の試
験を行ない、この間におけるソフトエラーの有無をＩＩ
Ｊ察した。なお、前記の２５６ＫＤＲＡＭにおいては、
結線以外の部材からのα粒子の発生を皆無とするために
、これらの部材の製造には、α≦０．９２０ＰＨ／ｌｉ
以下のきわめて低レベルのα放射能を有する材料を用い
た。
９および比較へ１合金極細線１〜３の破断荷重および伸
びを測定すると共に、これらの極絹線を２５６ＫＤＲＡ
Ｍの結線として用い、実機に組込み、２０００時間の試
験を行ない、この間におけるソフトエラーの有無をＩＩ
Ｊ察した。なお、前記の２５６ＫＤＲＡＭにおいては、
結線以外の部材からのα粒子の発生を皆無とするために
、これらの部材の製造には、α≦０．９２０ＰＨ／ｌｉ
以下のきわめて低レベルのα放射能を有する材料を用い
た。
（発明の効果）
第１表に示される結果から、いずれのＡｌ合金極細線も
半導体装置に直径：３０μ瓦φの結線として用いる場合
に要求される１０〜３０ａｒの破断荷重および０，５〜
４％の伸びを具備するものの、不可避不純物としてのＵ
およびＴｈの含有岱がそれぞれ２０ Ｄｏｂ以上の比較
Ａｌ合金極細線１〜３においては、いずれもソフトエラ
ーが発生しているのに対して、これらの不可避不純物の
含有量がそれぞれ１０ｐｐｂ未渦の本発明Ａｌ合金極Ｉ
Ｉ！ｉ１１〜９においては、いずれもソフトエラーの発
生がなく、したがってＩＣは勿論のこと、８集積度の半
導体装置の結線として用いるのに適した特性を有し、高
い信頼性が得られるものであることが明らかである。
半導体装置に直径：３０μ瓦φの結線として用いる場合
に要求される１０〜３０ａｒの破断荷重および０，５〜
４％の伸びを具備するものの、不可避不純物としてのＵ
およびＴｈの含有岱がそれぞれ２０ Ｄｏｂ以上の比較
Ａｌ合金極細線１〜３においては、いずれもソフトエラ
ーが発生しているのに対して、これらの不可避不純物の
含有量がそれぞれ１０ｐｐｂ未渦の本発明Ａｌ合金極Ｉ
Ｉ！ｉ１１〜９においては、いずれもソフトエラーの発
生がなく、したがってＩＣは勿論のこと、８集積度の半
導体装置の結線として用いるのに適した特性を有し、高
い信頼性が得られるものであることが明らかである。
第１図は半導体装置の１例としてのセラミックパッケー
ジを示す概略縦断面図である。 １・・・ケース、 ２・・・チップ、 ３・・・結線
。 ４・・・封着板、 ５・・・リード材。
ジを示す概略縦断面図である。 １・・・ケース、 ２・・・チップ、 ３・・・結線
。 ４・・・封着板、 ５・・・リード材。
Claims (1)
- Ｓｉ：０．５〜２％およびＭｇ：０．１〜２％のうち
の１種または２種（ただしＳｉ＋Ｍｇ：２％以下）を含
有し、残りがＡｌと不可避不純物からなる組成（以上重
量％）を有するＡｌ合金の極細線において、放射性α粒
子数の発生を低減してメモリーのソフトエラーの発生を
防止するために、不可避不純物としてのＵおよびＴｈの
含有量を、それぞれ１０ｐｐｂ未満としたことを特徴と
する半導体装置の結線用Ａｌ合金極細線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181555A JPS6159760A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体装置の結線用Ａｌ合金極細線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181555A JPS6159760A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体装置の結線用Ａｌ合金極細線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159760A true JPS6159760A (ja) | 1986-03-27 |
Family
ID=16102829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59181555A Pending JPS6159760A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体装置の結線用Ａｌ合金極細線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159760A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0432526A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-04 | Showa Alum Corp | 電子材料用アルミニウム材の製造方法 |
| US5555583A (en) * | 1995-02-10 | 1996-09-17 | General Electric Company | Dynamic temperature compensation method for a turbidity sensor used in an appliance for washing articles |
| US6536243B2 (en) * | 1999-12-07 | 2003-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Drum type washing machine with turbidity sensor |
| US6757946B2 (en) | 2000-03-17 | 2004-07-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wire bonding method |
| EP2530710A3 (en) * | 2011-06-03 | 2013-10-16 | Nippon Piston Ring Co., Ltd. | Bonding wire, connection structure, semiconductor device and manufacturing method of same |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP59181555A patent/JPS6159760A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0432526A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-04 | Showa Alum Corp | 電子材料用アルミニウム材の製造方法 |
| US5555583A (en) * | 1995-02-10 | 1996-09-17 | General Electric Company | Dynamic temperature compensation method for a turbidity sensor used in an appliance for washing articles |
| US6536243B2 (en) * | 1999-12-07 | 2003-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Drum type washing machine with turbidity sensor |
| US6757946B2 (en) | 2000-03-17 | 2004-07-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wire bonding method |
| EP2530710A3 (en) * | 2011-06-03 | 2013-10-16 | Nippon Piston Ring Co., Ltd. | Bonding wire, connection structure, semiconductor device and manufacturing method of same |
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