JPS6159821B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6159821B2 JPS6159821B2 JP1479281A JP1479281A JPS6159821B2 JP S6159821 B2 JPS6159821 B2 JP S6159821B2 JP 1479281 A JP1479281 A JP 1479281A JP 1479281 A JP1479281 A JP 1479281A JP S6159821 B2 JPS6159821 B2 JP S6159821B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ribbon
- iron
- heated
- silicon
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D11/00—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths
- B22D11/06—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths into moulds with travelling walls, e.g. with rolls, plates, belts, caterpillars
- B22D11/0622—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths into moulds with travelling walls, e.g. with rolls, plates, belts, caterpillars formed by two casting wheels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Continuous Casting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、珪素鉄急冷薄帯の製造方法の改良に
関するものである。
関するものである。
従来、珪素鉄鋼板の製造方法としては圧延によ
る方法が知られているが、近年、超急冷技術によ
り珪素鉄薄帯が製造されるようになつた。この超
急冷技術を使えば、従来、圧延による方法では製
造困難であつたSiを４〜７重量％含有する高珪素
鉄薄帯を製造することが可能である。しかし、現
行の超急冷方法で製造した薄帯は厚さ方向にのみ
〈100〉配向し、長手方向には無配向であつた。そ
のため薄帯の長手方向の磁気特性に優れた薄帯を
得ることが困難であるという欠点があつた。本発
明はかかる欠点を除去するものであり、長手方向
にも〈100〉配向させた薄帯を容易に製造する方
法を提供するものである。
る方法が知られているが、近年、超急冷技術によ
り珪素鉄薄帯が製造されるようになつた。この超
急冷技術を使えば、従来、圧延による方法では製
造困難であつたSiを４〜７重量％含有する高珪素
鉄薄帯を製造することが可能である。しかし、現
行の超急冷方法で製造した薄帯は厚さ方向にのみ
〈100〉配向し、長手方向には無配向であつた。そ
のため薄帯の長手方向の磁気特性に優れた薄帯を
得ることが困難であるという欠点があつた。本発
明はかかる欠点を除去するものであり、長手方向
にも〈100〉配向させた薄帯を容易に製造する方
法を提供するものである。
以下本発明の構成を詳説する。非酸化性雰囲気
中で600〜1100℃に加熱した高速で移動する一対
の移動体の表面上に溶融珪素鉄を噴出させ、溶融
珪素鉄を高温に加熱された一対の移動体の間隙中
を圧延しつつ通過させることにより熱流を厚さ方
向と薄帯の長手方向に規制できるので方向のみな
らず長手方向にも〈100〉配向させた珪素鉄薄帯
を製造することができる。移動体の温度が1100℃
を越えると、溶融物質が高温に加熱した移動体に
溶着して巻き付き薄帯を作成することが困難であ
つた。また、移動体の温度が600℃より低ければ
長手方向に配向させることができなかつた。
中で600〜1100℃に加熱した高速で移動する一対
の移動体の表面上に溶融珪素鉄を噴出させ、溶融
珪素鉄を高温に加熱された一対の移動体の間隙中
を圧延しつつ通過させることにより熱流を厚さ方
向と薄帯の長手方向に規制できるので方向のみな
らず長手方向にも〈100〉配向させた珪素鉄薄帯
を製造することができる。移動体の温度が1100℃
を越えると、溶融物質が高温に加熱した移動体に
溶着して巻き付き薄帯を作成することが困難であ
つた。また、移動体の温度が600℃より低ければ
長手方向に配向させることができなかつた。
次に、本発明の一実施例を第１図、第２図を用
いて説明する。第１図は本発明の実施に用いた製
造装置の概略断面図、第２図は同装置により製造
した高珪素鉄薄帯のヒステリシス曲線図である。
第１図からわかるように、高周波加熱コイル２で
1550℃に加熱したSi5.0重量％含有したSi―Fe合
金からなる溶湯４を、アルゴン雰囲気中で表面を
750℃に加熱され、かつ0.5Kg／cm2の圧力で圧接さ
れつつ互いに逆方向に周速0.131ｍ／ｓの速度で
回転させた直径20cmの一対の304型ステンレス製
ロール３のロール面上に0.5Kg／cm2のガス圧でノ
ズル１から噴出させ薄帯５を得た。ロール３は、
セラミツク粉末からなる絶縁物１１中に埋め込ま
れた、円筒形状の絶縁リング１２を介して互いに
絶縁されたスリツプリング９に両端部を接続した
円筒形のシーズヒータ７を備える。交流電源１０
からはブラシ８とスリツプリング９とを介して、
円筒形状のシーズヒータ７に交流電流が加えられ
るため、ロール３の表面がほぼ均一に加熱でき
る。また得られた薄帯の形状は、幅２cm厚さ50μ
ｍであつた。また、その磁気特性を第２図に示し
た。第２図において一点鎖線は従来例のヒステリ
シス曲線を示し、点線は本実施例のヒステリシス
曲線を示し、保磁力0.6Oe、角形比は0.85であつ
た。尚これらの曲線は、本実施例の金属薄帯と従
来の超急冷技術によつて出来た金属薄帯とをそれ
ぞれ1100℃、30分熱処理した後のヒステリシス曲
線である。また従来例のSi6.5重量％含有の高珪
素薄帯の電力損失はW1.5／60＝2.0W／Kgであ
り、実施例によるものは同一組成でW1.5／60＝
1.0W／Kgであつた。
いて説明する。第１図は本発明の実施に用いた製
造装置の概略断面図、第２図は同装置により製造
した高珪素鉄薄帯のヒステリシス曲線図である。
第１図からわかるように、高周波加熱コイル２で
1550℃に加熱したSi5.0重量％含有したSi―Fe合
金からなる溶湯４を、アルゴン雰囲気中で表面を
750℃に加熱され、かつ0.5Kg／cm2の圧力で圧接さ
れつつ互いに逆方向に周速0.131ｍ／ｓの速度で
回転させた直径20cmの一対の304型ステンレス製
ロール３のロール面上に0.5Kg／cm2のガス圧でノ
ズル１から噴出させ薄帯５を得た。ロール３は、
セラミツク粉末からなる絶縁物１１中に埋め込ま
れた、円筒形状の絶縁リング１２を介して互いに
絶縁されたスリツプリング９に両端部を接続した
円筒形のシーズヒータ７を備える。交流電源１０
からはブラシ８とスリツプリング９とを介して、
円筒形状のシーズヒータ７に交流電流が加えられ
るため、ロール３の表面がほぼ均一に加熱でき
る。また得られた薄帯の形状は、幅２cm厚さ50μ
ｍであつた。また、その磁気特性を第２図に示し
た。第２図において一点鎖線は従来例のヒステリ
シス曲線を示し、点線は本実施例のヒステリシス
曲線を示し、保磁力0.6Oe、角形比は0.85であつ
た。尚これらの曲線は、本実施例の金属薄帯と従
来の超急冷技術によつて出来た金属薄帯とをそれ
ぞれ1100℃、30分熱処理した後のヒステリシス曲
線である。また従来例のSi6.5重量％含有の高珪
素薄帯の電力損失はW1.5／60＝2.0W／Kgであ
り、実施例によるものは同一組成でW1.5／60＝
1.0W／Kgであつた。
次に、本発明の他の実施例を第２図と第３図を
用いて説明する。第３図は本発明の実施に用いた
他の製造装置の原理図である。図中１ａはSi6.5
重量％含有のSi―Fe合金を高周波コイル２ａに
より1550℃に加熱溶融した溶湯４ａを入れたノズ
ルである。シーズヒータ７ａを埋め込んだ加熱用
のローラ３ａにより800℃に加熱された一対の304
型ステンレス製のベルト６ａを直径がどちらも20
cmのローラ３ａとローラ３ｂとに装置し、かつ互
いに0.3Kg／cm2の圧力で圧接させつつ、25ｍ／ｓ
の速度でアルゴン雰囲気中で移動させる。溶湯４
ａをノズル１ａから0.5Kg／cm2のガス圧を加えて
一対のベルト６ａの間隙に噴出させて薄帯５ａを
得た。ローラ３ａは、セラミツク粉末からなる絶
縁物１１ａ中に埋め込まれた、円筒形状の絶縁リ
ング１２ａを介して互いに絶縁されたスリツプリ
ング９ａに両端部を接続した円筒形のシーズヒー
タ７ａを備える。交流電源１０ａからはブラシ８
ａとスリツプリング９ａとを介してシーズヒータ
７ａに交流電流が加えられるため、ロール３ａの
表面は、ほぼ均一に加熱できる。またロール３ａ
の加熱を電気で行なうため、均一に加熱すること
が容易でしかも温度制御も容易にできる。このよ
うにして得られた薄帯５ａの形状は、幅1.5cm厚
さ40μｍであつた。またその磁気特性を第２図に
示した。第２図において、実線は本実施例のヒス
テリシス曲線を示し、保磁力は0.2Oe、角形比は
0.9であつた。
用いて説明する。第３図は本発明の実施に用いた
他の製造装置の原理図である。図中１ａはSi6.5
重量％含有のSi―Fe合金を高周波コイル２ａに
より1550℃に加熱溶融した溶湯４ａを入れたノズ
ルである。シーズヒータ７ａを埋め込んだ加熱用
のローラ３ａにより800℃に加熱された一対の304
型ステンレス製のベルト６ａを直径がどちらも20
cmのローラ３ａとローラ３ｂとに装置し、かつ互
いに0.3Kg／cm2の圧力で圧接させつつ、25ｍ／ｓ
の速度でアルゴン雰囲気中で移動させる。溶湯４
ａをノズル１ａから0.5Kg／cm2のガス圧を加えて
一対のベルト６ａの間隙に噴出させて薄帯５ａを
得た。ローラ３ａは、セラミツク粉末からなる絶
縁物１１ａ中に埋め込まれた、円筒形状の絶縁リ
ング１２ａを介して互いに絶縁されたスリツプリ
ング９ａに両端部を接続した円筒形のシーズヒー
タ７ａを備える。交流電源１０ａからはブラシ８
ａとスリツプリング９ａとを介してシーズヒータ
７ａに交流電流が加えられるため、ロール３ａの
表面は、ほぼ均一に加熱できる。またロール３ａ
の加熱を電気で行なうため、均一に加熱すること
が容易でしかも温度制御も容易にできる。このよ
うにして得られた薄帯５ａの形状は、幅1.5cm厚
さ40μｍであつた。またその磁気特性を第２図に
示した。第２図において、実線は本実施例のヒス
テリシス曲線を示し、保磁力は0.2Oe、角形比は
0.9であつた。
以上のように本発明によれば、厚さ方向のみな
らず長手方向にも〈100〉配向させた珪素鉄薄帯
を容易に製造することができる。
らず長手方向にも〈100〉配向させた珪素鉄薄帯
を容易に製造することができる。
第１図は、本発明の実施に用いた薄帯の製造装
置の概略を示す部分断面図、第２図は、本発明の
製造方法を実施して得たsi―Fe合金薄帯のヒス
テリシス曲線図、第３図は、本発明の実施に用い
た他の薄帯の製造装置の概略を示す部分断面図で
ある。 １，１ａ……ノズル、２，２ａ……高周波コイ
ル、３，３ａ……ロール、４，４ａ……溶湯、
５，５ａ……薄帯、６ａ……304型ステンレス製
のベルト、７……加熱ヒータ、８……ブラシ、９
……スリツプリング、１０……電源、１１……絶
縁体、１２……絶縁リング。
置の概略を示す部分断面図、第２図は、本発明の
製造方法を実施して得たsi―Fe合金薄帯のヒス
テリシス曲線図、第３図は、本発明の実施に用い
た他の薄帯の製造装置の概略を示す部分断面図で
ある。 １，１ａ……ノズル、２，２ａ……高周波コイ
ル、３，３ａ……ロール、４，４ａ……溶湯、
５，５ａ……薄帯、６ａ……304型ステンレス製
のベルト、７……加熱ヒータ、８……ブラシ、９
……スリツプリング、１０……電源、１１……絶
縁体、１２……絶縁リング。
Claims (1)
- １ 600℃から1100℃に加熱され、かつ圧接した
一対の移動体を非酸化性雰囲気中で互いに、前記
一対の移動体もしくは回転体の間隙から薄帯を同
一方向に押出す方向に移動させ、溶融珪素鉄をノ
ズルから前記移動体の移動面上に噴出させ、薄帯
の長手方向に〈100〉配向させることを特徴とす
る珪素鉄薄帯の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56014792A JPS57130742A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | Production of thin strip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56014792A JPS57130742A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | Production of thin strip |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57130742A JPS57130742A (en) | 1982-08-13 |
| JPS6159821B2 true JPS6159821B2 (ja) | 1986-12-18 |
Family
ID=11870899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56014792A Granted JPS57130742A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | Production of thin strip |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57130742A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010137170A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Rayon Industrial Co Ltd | クリーンローラ装置 |
| EP2357051A1 (de) * | 2010-01-15 | 2011-08-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Betrieb einer Gießwalzverbundanlage, Gießwalzverbundanlage und Steuer- und/oder Regeleinrichtung für eine Gießwalzverbundanlage |
| MX2019001627A (es) | 2016-08-10 | 2019-09-04 | Nucor Corp | Metodo de fundicion de banda delgada. |
-
1981
- 1981-02-02 JP JP56014792A patent/JPS57130742A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57130742A (en) | 1982-08-13 |
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