JPS615989A - 光学情報記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザ光線を用いて情報信号を高密度かつ高速
に記録再生し、かつ情報の書き換えが可能は光学情報記
録部材に関するものである。

従来例の構成とその問題点 レーザ光線を利用して高密度な情報の記録再生を行なう
技術は既に公知であり、現在、文書ファイルシステム、
静止画ファイルシステム等への応用がさかんに行なわれ
ている。また書き換え可能なタイプの記録システムにつ
いても研究開発の事例が報告されつつある。

レーザー光線を用いて記録薄膜の光学的性質、例えば屈
折率、消衰係数等を可逆的に増減させることで情報を繰
り返し記録消去する記録媒体については、例えば特公昭
４７−２６８９７号に見られるＴｅ８１Ｇｅ１５Ｓｂ２
Ｓ２のように酸素以外のカルコゲン元素をベースとする
アモルファス薄膜が知られていたが、湿気に対して弱い
という問題があり実用化に（１至っていなかった。この
耐湿性を改良したものにＴｅ　と０をベースとする酸化
物系の薄膜がある。これらは比較的強くて短いパルス光
を照射して照射部を昇温状態から急冷してその光学定数
を減少させ（白化する）、比較的弱くて長いパルス光を
照射して光学定数を増大させる（黒化する）ことで記録
消去を行なうというもので、記録時にｅま一般に光学定
数を減少させる方向、消去時には増大する方向を利用し
ようというものである。

従来記録材料として用いられてきたＴｅとＴｅＯ２の混
合物であるＴｅｏｘ（０（ｘ（２）系薄膜は例えばアモ
ルファス状態のＴ　ｅ　Ｏ２マトリツクス中にＴｅの小
粒子（〜２ｏ入）が散在した状態で、混ざり合ったもの
と考えられ、Ｔｅ粒子が光の照射によってその構造を大
きく変化し情報信号の記録に寄与しているものと考えら
れる。従って、この１０粒子に適当な物質を化合させる
ことでＴｅの可逆的構造変化に必要な熱的条件を制御し
、例えばレーザー光線等での記録消去に要する照射パワ
ー。

照射時間をある程度操作することは可能Ｃある〇例えば
特開昭５５−２８５３０号では、Ｓｅ。

ＳによってＴａ　ＴｅＯ２系薄膜の構造変化の”Ｊ逆性
を高める方法が提案されだが、この方法は白化記録特性
が優れているという特徴がある反面、黒化変態に長い時
間を要し消去感度が十分に高くないという問題がある。

また、特願昭５８−５８１５８号には、金属、半金属の
中でも特にＳｎ、Ｇｅ、Ｉｎ。

Ｓｂ、Ｂｉ等の元素の添加によって、やはりＴｅＯｘ系
薄膜の構造可逆性を高め、同時に膜の左定性、製造時の
再現性をも高める方法についての提案があるＣその後の
詳しい研究ｉ／Ｃよって、この中で例えばＧｅを添加す
るとＴｅ粒子径の増大、秩序の回復に要するエネルギー
が急激に増加し、微量でもその記録信号ビットの熱的安
定性を制御することができること、（１９８３，第３Ｑ
回応用物理学関係連合講演会予稿集Ｐ８７〜）、またＳ
ｎはその半金属的性質によって記録時にはレーザー光線
の照射による溶融状態から固化する際、Ｔｅ　と結合し
てその粒径成長を抑制する効果とともに、逆に消去時に
は結晶性回復の核として働くという効果を合わせもちそ
の添加濃度を選ぶことで記録感度、消去感度を制御する
ことができること等が明らかになり、ＧａとＳｎとを同
時に用いた記録薄膜を用いて光ディヌクが試作された（
１９８３ＪＡＰＡＮ　ＤＩＳＰＬＡＹ予稿集Ｐ４６〜）
。このディスクは実時間で同時に記録、消去することが
可能でおり、かつ記録信号ビットも安定という優れた特
性を有していたが、感度面、特に消去感度が十分でなく
、例えば現在の半導体レーザーでは能力限界の上限でら
り、更なる感度向上が必要となっていた。

発明の目的 本発明は、従来のＴｅＯ２とＴｅの混合物であるＴｅＯ
ｘを主成分とする薄膜の光学濃度変化が大きく、記録に
要するエネルギーが小さいといった特徴を保持しつつ、
記録、消去が繰り返し行なえる光学情報記録部材を提供
することを目的とする。

発明の構成 本発明における光学情報記録部材は、少なくともＴｅ、
Ｏ、Ｓｅ、Ａｕからなり、各元素の原子数力；１ｏ≦Ａ
ｕ＋Ｓｅ≦４０ａｔ　＠、３５４．Ｔｅ≦８０ａｔ％、
Ｏ≧１０ａｔチ　を満たし、かつＡｕ　とＳｅの原子数
比力；０．６≦Ａｕ／Ｓｅ≦６である記録薄膜を備えた
ものである。前記記録薄膜はＴｅ　とＴ　ｅ　０２の混
合物であるＴａＯｘにＳｅとＡｕが添加されたものと考
えられ、光照射による前記記録薄膜の状態変化により信
号の記録、消去を行なう場合にυいて、Ａｕは光学濃度
の低い状態から高い状態への相転移（黒化）を高速化す
るものであり、Ｓｅけ光学濃度の高い状態から低い状態
への相転移（白化）を容易にするものである０ 実施例の説明 従来、低酸化物薄膜の黒化記録原理は、次のように考え
られる。例えばＴｅ０ｘ（０（ｘく２　）の場合には、
アモルファス状態のＴ　ｅ　Ｏ２のマトリクス中に、Ｔ
ｅが非常に小さい（約２０人）結晶状態で存在している
。この膜に元を照射すると、照射された部分の小さなＴ
ｅ結晶の粒径が増大し、屈折率および消衰係数が変化し
、その結果反射率および透過率の変化として記録状態が
検出できる。

ところで、従来のＴｅＯｘ薄膜においては、黒化記録時
に１８粒子が状態変化を起こす場合、Ｔ　ｅ　Ｏ２のバ
リアがあるため安定な結晶状態になるだめの構造緩和に
若干の時間を要するため、これを改善する目的で、Ｔｅ
Ｏｘ薄膜中にＡｕを添加することが提案されてい仮特願
昭５９−６１４６３号）。

Ｔｅ０Ｘ薄膜中におけるＡｕの働きは、黒化記録時にお
いてＴｅ結晶の粒径の増大を助ける結晶核のようなもの
であると考えられている。しかしこの場合、記録信号を
消去、書き換えすることはできない。

また、黒化記録部の粒径の大きなＴｅ結晶を再び元の小
さなＴｅ結晶に戻すことにより、黒化記録部を再び未記
録部と同等の反射率、透過率に戻しく白化する）、記録
信号を消去する方法が提案されている。

一般に大きな結晶を小さな結晶にするためには、その物
質を、高い温度に昇温したのち、急冷してやることが必
要であるが、ＴｅＯｘ　（０（ｘ　（２）の場合には、
Ｔｅの結晶のまわりにＴｅＯ２という熱伝達率の小さい
物質のマトリクスが存在するため、光吸収によって得た
熱エネルギーが拡散しにくいために急冷されにくく、黒
化記録部を完全に白化できないという欠点があった。前
記欠点を改善する手段として、ＴｅＯｘ中にＳｅ等を添
加する方法が提案されたｏＳｅとＴｅはいかなる比率で
混合しても、完全に固溶することができ、よ−ノてＴｅ
Ｏｘ中においてＴｅ結晶が粒成長するのをＳｅが防げて
いるものと考えられ、よってＳｅは黒化記録部の白化を
容易にする働きがあるＯしかし、逆に黒化記録する場合
にはＳｅがＴｅ結晶の粒成長の妨げになるため、短時間
では黒化記録できないという欠点があった０ 本発明による記録薄膜は、Ｔｅ０Ｘ中にＳｅ　とＡｕを
含み、かつＳｅとＡｕの含有量を制限することによって
前記Ｓｅ　とＡｕの添加効果を十分に活かすこと、すな
わち、十分な信号の２碌特性および消去特性を同時に有
することに特徴がある０ここで、本発明による記録薄膜
中の各元素の含有量を特許請求の範囲に限定した理由に
ついて述べる。（具体的な数値を決定した根拠は後述の
「実施例１〜３ｊにおいて詳しく説明する）はじめにＴ
ｅＯｘ中へのＡｕ　とＳｅの添加量であるが、ＴｅＯｘ
薄膜中へのＡｕとＳｅの添加量の和が１０’ａｔ％以上
でないと、その添加効果が現われないことが確認された
。また記録薄膜中におけるＡｕとＳｅの原子数の和が４
０ａｔ％以上になるとＴｅ量の相対的な減少に伴う白化
状態と黒化状態間の光学定数（屈折率と消衰係数）変化
が十分に得られず、反射率変化が小さくなる。また、黒
化・白化に必要なレーザー出力も大きくなり、実用に向
かないということがわかった。捷たＡｕ　と５ｅＯＴｅ
Ｏｘ中における働きは相反するものであるために、多量
のＡｕを添加した場合にはＳｅも多量に添加する必要が
ある、というように、　Ａｕ、／Ｓ　＠も重要な限定要
因となる０十分な黒化特性および白化特性を有する記録
薄膜におけるＡ　ｕ　／　Ｓ　ａの値は０．５〜５であ
ることがわかった。

また、ＴｅＯｘ系記録薄膜中におけるＯの働き、すなわ
ちＴ　ｅ　０２の働きは、常温でＴｅの小さい結晶が粒
成長するのを防ぎ、かつ、水蒸気の存在下でＴｅが酸化
されるのを防ぐものと考えられているが、本発明による
記録薄膜においては、０の量は１０ａｔ％以上が安定性
の点から実用的であるということがわかった。またＴｅ
の含有量はＴｅＯ２として含まれる量を除いて史に十分
なＴｅの結晶を形成する量が必要であり、本発明による
記録薄膜においてはＴｅは３５ａｔ％以上ないと十分な
記録感度、光学濃度変化が得られなかっｌ−９上記組成
限定範囲において作成した記録薄膜では、比較的低いレ
ーザーの照射パワーによ一ンても十分に白化状態と黒化
状態間の相転移を生じさせることが可能で、かつ、大き
な反射率変化が得られる。１．た、記録信号の安定性と
いう点からも、常温で使用する限り十分であると考えら
れるが、より高温の使用条件下でも耐えうるような記録
部材とするには、記録薄膜中にさらに少量のＧｅを添加
するのが効果的であることが認められた。記録信号が劣
化する１つの原因として、Ｔｅ結晶の小粒子が長期間放
置による温度劣化により粒成長し大きなＴｅ結晶となっ
てしまう、すなわち白化部が徐々に黒化してしまうとい
うことがあげられるが、Ｇｅは記録薄膜中においてＴｅ
結晶の小粒子が粒成長を開始する転移開始温度を上昇さ
せる働きがあるものと考えられる。Ｇｅの添加効果は１
ａｔ％程度添加しただけでも十分観察され、逆に１０ａ
ｔ％以上添加すると転移開始温度が上がりすぎて黒化時
、白化時ともに大きな出力のレーザーが必要となり実用
的でなく々る。

さらにＴ　ｅ　−０−Ｓ　ｅ−Ａｕ系記録薄膜にｓｈ　
、　ｓｂ　。

Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｚｎ等を少量添加することにより、
黒化記録感度がさらに向上することが認められ、特にＳ
ｎ　、Ｓｂ　、Ｂｉ　、　Ｉｎにおいて特にその添加効
果は大きかった。Ｔ　ｏ　−０−Ｓ　ｅ　−Ａｕ　　系
記録薄膜において黒化記録感度を向上させるために、Ａ
ｕの添加量を増加していくと、白化感度を低下させるこ
とがあったが、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ等を添加した場
合には少量（５〜２０ａｔ％）であれば、白化感度を低
下させることなく黒化感度を向上させることができるこ
とがわかった。なお、本発明における白化特性および黒
化特性の向上は、それぞれＳｅとＡｕの添加効果による
ものであシ、本実施例におけるＳｎの働きは、前記「従
来例の構成とその問題点」で述べたような白化特性、黒
化特性への影響はＳｅとＡｕにとってかわられ、実験結
果からはただ単に記録薄膜中において元の吸収効率を上
げているだけと考える方が妥当であると思われるＯ 次に図面を参照しながら実施例をもって、本発明をさら
に詳しく説明する。

第１図は、本発明ｌでよる光学情報記録部材の断面図で
ある。

１（づ基板で、金属、例えばアルミニウム、銅等あるい
（１ガラス、例えば、石英、バイレックス。

ソーダガラス等あるいは樹脂例えばＡＢＣ樹脂。

ポリスチレン、アクリル、塩ビ等、又透明フィルムとし
ては、アセテート、デフロン、ポリエステル等が使用で
きる。中でも、ポリエステルフィルノ・、アクリル板等
を使用する場合、透明性がすぐ！しており、形成せしめ
た信号像ケ光学的に再生する際に有効である。

２は記録薄膜であり、基本１上に蒸着、スパッタリング
等によって形成される。蒸着には抵抗加熱のように外部
から加熱する方法と電子ビームの上うに試料を直接加熱
する方法があり、どちらも使用可能である。しかし、蒸
着の制御性、量産性等から考えて電子ビーム法の方が優
れている。以下電子ビーム法を用いて、基板上に本発明
による記＠薄膜を製造する方法について述べる。

基板上にＴｅ、Ｏ，Ｓｅ、Ａｕの混合物を形成するわけ
であるが、実際にはＴｅ、ＴａＯ２，Ｓｅ、Ａｕ　　の
混合物を形成するものでちり、そのために４混然着が可
能な蒸着機を用いて、それぞれのソースからＴｅ、Ｔａ
Ｏ２，Ｓｅ、Ａｕ　を蒸着する。また３混然着による場
合は、２つのソースからＳｅ　とＡｕをそれぞれ蒸着し
、他のソースからは、Ｔ　ｅ　Ｏ２と、Ｔ　ｅ　Ｏ２を
一部還元する作用を有する金属粉末、例えばＡＪ、Ｃｕ
、Ｆｅ、Ｃｒなどを混在させ、所定の温度で熱処理した
ものを用い一部、Ｔ　ｅ　Ｏ２とＴｅを同時に蒸着し、
基板上にＴ　ｅ　０２　、　Ｔ　ｅ　、　Ｓ　ｅ　、　
Ａｕ　　（７）混合物を形成する。また２混然着による
場合ｄ、一方のソースからＡｕ　を蒸着、し、他方のノ
ースからは、前記３混然着による場合のＴ　ｅ　Ｏ２と
ＴｅｊＨ蒸着する側のソースにもＳＯも混在させだも○
を川・ハて、Ｔ　ｅ　Ｏ２、Ｔ　ｅ　、　Ｓ　ｅ　　を
同りに蒸着し、基板ｌ−にＴａＯ２，Ｔｅ　、　Ｓｅ　
、Ａｕ　の混合物を形成する−とも可能である。さらに
１源蒸着による場合は、１？１゜記２源蒸羞による場合
のＴａＯ２，Ｔｅ　、　Ｓｅを蒸着する側のソースにＡ
ｕ　も混在させて、Ｔ　ｅ　Ｏ２、Ｔ　ｅ　。

Ｓｅ、Ａｕを１源より蒸着することも可能である。

以下、より具体的な例１′本発明を詳述する。

実施例１ ４混然着が可能な電子ビーム蒸着機を用いて、ＴａＯ２
，Ｔｅ、Ｓｅ、Ａｕ　をそれぞれのソースから基材（ア
クリル樹脂基板、１０Ｘ　２０Ｘ　１．２期）上に蒸着
し、試験片とした。蒸着は真空度がＩ　Ｘ１Ｏ−５Ｔｅ
ｒｒ以下で行ない、薄膜の厚さは１２００人とした。各
ノースからの蒸着速度は記録薄膜中のＴｅ。

０、Ｓｅ、Ａｕの原子数の割合を調整するためにいろい
ろ変化させた。

上記方法により作製した記録薄膜の元素分析をオージェ
電子分光法（以下ＡＥＳと略す）により行なった。また
前記記録薄膜の黒化特性、白化特性の試験は第２図のよ
うな系で行なった。同図において半導体レーザー３を出
た波長８３０■の元は第１のレンズ４によって疑似平行
光５となり第２のレンズ６で丸く整形した後、第３のレ
ンズ７で再び平行光になり、ハーフミラ−８を介して第
４のレンズ９で試験片１ｏ上に波長限界約０．８μｍの
大きさのスポット１１に集光され記録が行なわ粍る。

信号の検出は、試験片１０からの反射光をハーフミラ−
８を介して受け、レンズ１２を通して光感応ダイオード
１３で行なった。

このようにして半導体レーザーを変調して、試験片上に
照射パワーと照射時間のちがう種々のパルスレーザ−元
を照射することにより黒化特性、白化特性を知ることが
できる。

まず黒化特性の評価方法について述べる。試験片上にパ
ワーの小さなパルスレーザ−元（本試験では試験片上で
約１ｍＷ／μＲとした）を、照射時間を変えながら照射
すると、反射率は第３図に示したように変化していく。

すなわちレーザーのパルス幅がＴＯを越えるあたりから
照射部は黒化が始まり反射率Ｒが増大しだす。そしてパ
ルス幅がＴ１　を越えるあたりで反射率は飽和を示し、
完全に黒化していると考えられる。つ１すＴ１　は黒化
に要する時間、すなわち黒化速度を、またΔＲ０は黒化
の度合を示すものである。

次に白化特性の評価方法てついて述へる。試験片上にパ
ワーが小さくパルス幅の長いレーザー光（本試験では’
　”Ｗ／μｍ’　、　１５μｓｅｃ　）を照射して、照
射部を完全に黒化変態させ（すべての試験片において反
射率の増大は飽和を示す）、次に同一スポット上に短い
パルス幅（本試験では約５０ｎｓｅｃ）でパワーのちが
うレーザー光を照射すると、反射率は第４図に示したよ
うに変化していく。すなわちレーザーのパワーがＰ。を
越えるあたりから照射部は白化が始まり反射率Ｒが減少
しだす。そしてパワーがＰｌ　を越えるあたりで反射率
の減少傾向は止１す、反射率の大きさは白化の良好なも
のは未記録状態の反射率Ｒ０に近づき、黒化部分はほぼ
完全に白化する。つ１すＰｌ　は白化に要するＬ７−ザ
ーバワーを、またΔＲ１は白化の度合を示すものである
。

以上のＡＥ３元素分析結果、黒化特性、白化特性を第１
表に示す。まだ第１表中には、耐湿性試験の結果も記し
た。作製した試験片４０℃９０％ＲＨ中に１か月間放置
した後の波長８３００人　における透過率の相対的変化
が６％以下のものをｏ、ｓ％を越えるもの（主にＴｅが
酸化されるためと考えられる）をＸとした。

なお、本試験結果を後述の実施例４におけるディスク評
価試験と対応して検討した結果、Ｔｌｊｌ、５μｓｅｃ
、　ｐ１≦７　ｍＷ／ｐｍ′、ΔＲｏ＝ΔＲ４〉１０％
であれば、ディスク評価試験においても十分実用的な特
性が得られることがわかった。

以下余白 本実施例より、黒化特性、白化特性ともに良好と考えら
れるもの、すなわち、黒化性評価試験において１ｍＷ／
μｍ２のレーザー元を６μ東照射すれば黒化転移が終了
してかつ反射率変化ΔＲｃｙ！＞：１０チ以上得られ、
かつ白化性評価試験において５０℃式のパルス幅で１０
　ｍＷ／μＭ以下のパワーで白化転移が終了してかつ反
射率変化ΔＲ１が１０％以上得られ、かつ、４０’Ｃ９
０％ＲＨ中にしか間装置しても湿度劣化しない組成条件
は、１０≦Ａｕ＋Ｓｅ≦４０ａｔ％、　Ｏ、ｅｓ９ｕ　
／Ｓ　ｅ≦５．３６≦Ｔｓ≦８０ａｔ％　であることが
わかる。また４０℃９ｏ％ＲＨ中に１か月間放置しても
湿度劣化しない条件はＯ≧１０ａｔ％にも対応している
。特に１５≦Ａｕ＋Ｓｅ≦３０ａｔ％、１≦Ａｕ／Ｓｅ
≦２の場合Ｔ１≦１．５μ５ｅｃＰ１≦７ｍＶ／１ｍ２
となり、非常に良好な黒化特性。

白化特性を示した。

実施例２ ４渾然着が可能な電子ビーム蒸着機を用いて、Ｔｅ　と
ＴｅＯ２、Ｓｅ、Ａｕ、Ｇｅ　をそれぞれのソースから
基材（アクリル樹脂基板、１０Ｘ２０Ｘ１．２■）上に
蒸着し試験片とした。

ここで一つのソースからＴｅとＴ　ｅ　Ｏ２を同時に蒸
着した方法について説明する。まず出発原料としてＴ　
ｅｏ２８５　ｗｔ％、　Ａｌ１１５　ｗｔ％を少量のア
ルコールを用いて混合し、粉末２６２を石英ボートに乗
せ、電気炉を用いて７００℃でＮ２ガスを流しながら２
時間焼成してＴ　ｅ　Ｏ２の一部を還元し、その後この
焼成物を粉砕しプレスして成型体（ベレット）を得、こ
れをソースとした。

上記の方法により実施例１と、同様の条件下で蒸着した
。各ソースからの蒸着速度は記録薄膜中のＴｅ、Ｏ、Ｓ
ｅ、Ａｕ、Ｇｅ　の原子数の割合を調整するためにいろ
いろと変化させた。

上記方法により作製した記録薄膜のＡＥＳ元素分析結果
、黒化特性、白化特性、耐湿性試験結果。

耐熱性試験結果を第２表に示す。試験方法は耐熱性試験
を除いて実施例１と同じである。耐熱性試験は６０℃、
７０℃、９０℃の各温度で２４時間放置し、８３０Ｑ人
　の波長における透過率変化が全く観察されなかったも
のを○、少しでも透過率変化が観察されたものを×とし
た。

本実施例より、本発明による記録薄膜に少量のＧｅを添
加することにより耐熱性を向上させることができること
がわかる。特に１≦Ｇｅ≦１０ａｔ−の範囲においては
黒化特性、白化特性を余り劣化させることなく耐熱性が
向上しているのがわかる。

以下余白 実施例３ ４混然着が可能な電子ビーム蒸着機を用いてＴ。

とＴａＯ２，Ｓｅ、　Ａｕ、　Ｓｎ　（またはＳｂ、　
Ｂｉ、　Ｉｎ）をそれぞれのソースから基材（アクリル
樹脂基板、１０Ｘ２０Ｘ１．２１Ｒ＋Ｉ＋）上に蒸着し
試験片とした。

蒸着条件は実施例２と同様であり、各ソースからの蒸着
速度は記録薄膜中のＴｅ、　Ｏ，Ｓｅ、　Ａｕ、　Ｓｎ
（またはＳｂ、　Ｂｉ、　Ｉｎ）の原子数の割合を調整
するためにいろいろと変化させた。

上記の方法により作製した記録薄膜のＡＥＳ元素分析結
果、黒化特性、白化特性、耐熱性試験結果第３表に示す
。試験方法は実施例１と同じであるＯ 本実施例より、本発明による記録薄膜に少量のＳｎ、　
　はたはＳｂ、　Ｂｉ、　Ｉｎ）を添加することにより
、前記記録薄膜の白化特性を余９劣化させることなく黒
化特性を向上させることができることがわかる。特に６
≦Ｓｎ（またはＰｂ、　Ｂｉ、　Ｚｎ）≦２０ａｔ％の
範囲においては白化特性の劣化はなく、黒化特セが著し
く改善されているのがわ２かる。

実施例４ ４混然着が可能な電子ビーム蒸着機を用いて、実施例１
と同様な蒸着条件で、ＴａＯ２，Ｔｅ、　Ａｕ。

Ｓｅをそれぞれのソースから１５Ｏｒｐｍで回転する１
　、　１ｍ　２００ｍｍψのアクリル樹脂基板上に蒸着
し、光ディスクを試作した。この光ディスクの記録薄膜
をＡＥＳによって元素分析した結果Ｔ　ｅ　ａ。０２０
　Ｓ　ｅ　ａ　Ａ　ｕ　１２であった。この光ディスク
に、スポットの長さが異なる２本の半導体レーザーを使
って記録・消去を行なう評価系について、第５図を参照
して説明する。

第５図において左側の光学系は、白化および再生用の光
学系である。白化用レーザー１４を出た光は、第１のレ
ンズ１５で疑似平行光１５となり、第２のレンズ１７で
円く整形した後、第３のレンズ１８で再び平行光１９に
し、ハーフミラ−２０を介して、第４のレンズ２１で波
長限界約０．８μ壕でしぼりこまれた円スポット２２に
集光される。

この円スポットによる照射は、１８００　ｒ　ｐｍ　テ
回転しているディスク面２３上では、パワー密度が比較
的高く、かつ照射時間が比較的短いパルス光が与えられ
たのと同じ効果を得る。従って、記録膜があらかじめ黒
化されている時には、レーザー変調によって黒化トラッ
ク２４上に白化信号２５を記録することができる。

信号の検出は、ディスク面２３からの反射光２６をハー
フミラ−２７を介して受け、レンズ２８を通じて光感応
ダイオード２９でおこなう。

右側の光学系は、黒化用の光学系である。黒化用レーザ
ー３ｏからの射出ビームは第１のレンズ３１で疑似平行
光３２となり、第２のレンズ３３で一方向のみがしぼり
込まれ、第３のレンズ３４で再び疑似平行光３６となっ
た後、ノ・−フミラー３６を介して、第４のレンズ３７
でディスク面上にやや細長いスポット光３８となって照
射される。

この細長いスポットの長手方向をディスクの回転方向に
合わせておけば、ディスク面上では、やや照射パワー密
度が低く、かつ、やや照射時間の長、いパルス光を照射
したのと同じ効果を得る。従って、白化スポットと同じ
回転数で記録膜を黒化することかできる。

本実施例の場合には、黒化用レーザーを半値幅にて２０
８ｍＸ１μｍに整形し、パワー密度約１ｍＷ／μＲで用
い、又白化用レーザーは半値幅０．８μｍψ、パワー密
度約７ｍＷ／μ扉で用いて１５０咽ψにて白化記録黒化
消去を行ったところ、単一周波数５　ＭＨｚで、Ｃ／Ｎ
比ｔｓ　ｓ　ｄＢ以上を得、１０万回記録。

消去を繰り返した後にもＣ／Ｎの劣化は、見られなかっ
た。

発明の効果 以上のように本発明によれば、ＴｅＯｘにＳｅを添加し
た場合の優れた白化特性とＴｅＯｘ［Ａｕを添加した場
合の優れた黒化特性とを合わせ持つ、記録、消去が可能
な光学情報記録部材を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光学情報記録部材の一実施例の断
面図、第２図は本発明による光学情報記録部材の特性を
評価する装置の光学系の概略図、第３図は本発明の一実
施例における光学情報記録部材の黒化特性評価時におけ
る反射率変化を示すグラフ、第４図は同白化特性評価時
における反射率変化を示すグラフ、第５図は本発明によ
る光ディスクの評価装置の光学系の概略図である。 １　　基板、２　・記録薄膜。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第３図 第４図 ″５図 ？１

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくともＴｅ、Ｏ、Ｓｅ、Ａｕからなり、各元
   素の原子数が１０≦Ａｕ＋Ｓｅ≦４０ａｔ％、３５≦Ｔ
   ｅ≦８０ａｔ％、Ｏ≧１０ａｔ％を満たし、かつ、Ａｕ
   とＳｅの原子数比が０．５≦Ａｕ／Ｓｅ≦５である記録
   薄膜を有することを特徴とする光学情報記録部材。
2. （２）添加物質としてＧｅを含むことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の光学情報記録部材。
3. （３）添加物質としてＳｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎから選択
   される元素を少なくとも一種類以上含むことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録部材。
4. （４）Ｏの一部は少なくともＴｅの酸化物ＴｅＯ＿２と
   して含まれることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光学情報記録部材。
5. （５）ＡｕとＳｅの原子数の和が１５≦Ａｕ＋Ｓｅ≦３
   ０ａｔ％で、かつＡｕとＳｅの原子数比が１≦Ａｕ／Ｓ
   ｅ≦２であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光学情報記録部材。
6. （６）Ｇｅの添加量が１〜１０ａｔ％であることを特徴
   とする特許請求の範囲第２項記載の光学情報記録部材。
7. （７）添加物質Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎの添加量の総和
   が５〜２０ａｔ％であることを特徴とする特許請求の範
   囲第３項記載の光学情報記録部材。