JPS6273438A - 光学情報記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光、熱などを用いて高速かつ、高密度に情報
を記録、消去、再生可能な光学情報記録部材に関するも
のである。

従来の技術 近年、情報量の増大化、記録、再生の高速化。

高密度化に伴ない、レーザ光線を利用した光ディスクが
注目されている。元ディスクには、一度のみ記録可能な
追記型と、記録した信号を消去し何度も使用可能な書き
換え可能なものがある。追記型光ディスクには、記録信
号を穴あき状態として、再生するものや、凹凸を生成さ
せて再生するものがある。書き換え可能なものとしては
カルコゲン化物を用いる試みがあり、Ｔｅ−Ｇｅｆ初め
として、これにムｇ、Ｓ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｂｉ　な
ど全添加した例が知られている。

これに対し、本発明者らは先に、Ｔｏ−ＴｅＯ□のよう
な酸化物を含んだ系の相転移による反射率変化を信号と
する方式を提案した。さらに、相転移を利用した書き換
え可能な光ディスクとして、Ｔｏ−Ｔｅａ□　に対し各
種添加物を添加（Ｓ　ｎ　、　Ｇ　’　ｒＢｉ、Ｉｎ、
Ｐｂ、Ｔ、ｊ、Ｓｅなど）した例があル。コレらの記録
部材の特徴は、Ｃ／Ｎが高く、耐湿性に対しても優れる
という特徴を有している。

発明が解決しようとする問題点 カルコゲン化物よりなる書き換え可能な情報記録部材は
、一般的に、記録、消去の繰り返しに対する安定性が悪
いといった特徴を有する。この理由は、Ｔｅ、Ｇｅとそ
の他の添加成分が、数度のくり返しによって、膜が相分
離を生じてしまい、初期とくり返し後では膜の構成成分
が異なることに帰因すると思われる。消去可能な光ディ
スクで相転移を利用する場合、通常は、未記録、消去状
態を結晶質とし、記録状態を非晶質とする方法がとられ
る。この場合、記録はレーザ光で、一旦、膜を溶融させ
急冷によって非晶質にする訳であるが、現在の半導体レ
ーザにはパワーの限界があり、できるだけ融点の低い膜
が、記録感度が高いことになる１゜このために、上述し
たカルコゲン化物よりなる膜は、記録感度を向上させる
ために、できるだけ融点の低い組成、すなわち、Ｔｅが
多い膜組成となっている。Ｔｏが、他の添加成分より多
いということは、くり返し特性においてそれだけ相分離
が起こし易いことを意味する。したがって融点を下げる
ために添加した過剰のＴｏをいかに固定して動きにくい
組成にするかが、くり返し特性や、ＯＮＲ，消去率の経
時変動に大きな影響を及ぼすことになる。

酸化物を含んだ記録部材にも、以下に記述する欠点があ
る。すなわち、消去率が録再消去のくり返しによって低
下することである。

書き換え可能な光ディスクは、通常、初期状態を結晶状
態と己、記録状態を非晶質として記録を行なう。消去は
初期状態と同様に結晶質とする。

この記録部材の結晶質−非晶質間の相転移は、レーザの
徐冷−急冷の条件変化によって達成される。

すなわち、レーザ光による加熱後、徐冷によって結晶質
となり急冷によって非晶質となる。したがって記録、消
去のくり返Ｌ７によって、膜は何度も結晶質、非晶質状
態を経ることになる。この場合、膜に酸化物が存在する
と、膜の粘性が高いので、カルコゲン化物の泳動性が少
なくなり、膜組成の偏析が生じやすくなる。さらに、酸
化物の存在は膜自身の熱伝導を悪くするので、レーザ光
の入射側と反対側の膜厚間で温度分布差を生じ、膜組成
の偏析はやはり生ずる。こうした理由により、酸化物を
含んだ膜は、記録、消去のくり返しによって次第に特性
が変化するなどの欠点を有していた。

本発明は、上述した酸化物を含む膜のくり返し特性を向
上させることを目的とし、さらに、カルコゲン化物より
なる従来組成の欠点（Ｃ／Ｎが低い、消去率が充分では
ない１．耐湿性、耐熱性が悪い、くり返し特性が充分で
はない）を克服したものである。

問題点を解決するための手段 本発明における記録層は、Ｔｅ−Ｇｏ−８θ−ｓｂ系の
組成物であって、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅの原子数比が第１図
の人＋’　ＢＴ”＋’　ＤＩ’　Ｅｌ　の点を結んだ領
域内にあるとともに、Ｓｂの濃度が１５〜４０ａｔ％で
ある材料により構成される。

作用 本発明の特徴は、結晶化転移温度が高い、Ｔｅ−Ｇｅ−
８ｅ系に５ｂ−ｑ添加して過剰のＴｅを固定することに
ある。ＳｂはＴｅと化合物（Ｓｂ　２Ｔｅ　３）を形成
し、Ｔｅ濃度が６０％以上の５ｂ−Ｔｅ系では、融点が
最も高い場合、（Ｓｂ２Ｔｅ、）でも６２２°Ｃである
。この温度は他のＴｏ−Ｇｅ、Ｔｅ−３ｎなどと比較し
ても１５０°Ｃ近くも低い。したがって、　ｓｂの添加
は、Ｔｅと母材とする膜の融点を上昇させることなしに
、過剰なＴｅを固定することが可能となる。

実施例 本発明は、Ｔｅ−Ｇｏ−３ｅ−３ｂより構成される。

本発明においてＴｏはｓｂあるいはＧｏ　と結合した状
態で、記録前後によって光学的濃度変化を呈する母材で
あるｏＳｅは単独でも、またＴｅ　との化合物状態でも
非晶質膜を作成することが容易であるという特徴を有す
るものの逆に結晶化速度が遅いこと、結晶転移温度が低
い（＝１００’Ｃ）ことなどの欠点を持つ。Ｔｏ−３６
ＫＧ６ｆ添加することにより、結晶転移温度は上昇する
が、結晶化速度は改善されず、元ディスクの実用上必要
な結晶化速度（数百ｎｓ　　）は得られないＱ本発明は
、Ｔｏ−Ｇｏ−５ｓ系における上述した特長、すなわち
、結晶転移温度が高いという長所を活かしながら、しか
もこの系の結晶化速度が遅いという欠点を、ｓｂ　２添
加することにより、大巾に改善し実用可能な書き換え可
能な記録膜全提供しようとするものである。

本発明において、Ｔｅ、Ｇｏ、Ｓｅ、ｓｂは結晶状態に
おいて、ＧｅＴｅ　、Ｇａｇｅ２．Ｓｂ　２Ｔｏ　、な
どの結晶状態をとるものと思われる。この中で、Ｇａ５
５２　　は非晶質状態が安定で、結晶化温度は４７０℃
程度で、しかも結晶化速度は遅い。このため、膜中にあ
っては主に結晶化転移温度を高め、非晶質化を容易にす
る役割を担っているものと思われる。Ｇｅ−Ｔ。

はＧｏ　とＴｅＯ比によって、結晶化が容易な領域と、
困難な領域に別れる。すなわちＧｅ−Ｔｅ系で非晶質状
態が最も安定な領域は、Ｔａ濃度が７０％程度のｅｅ’
ｒｅ２　　が生成される領域である。この点を境にして
Ｇｅが増えると（量論に近いＧｏ　Ｔａ濃度が増すと）
、結晶化速度は速くなる。本発明においてＧｅはＧａｇ
ｅ、、　　としての他ＧａＴｅ　ｆ形成しており、Ｔｅ
−Ｇｅ−３ａ系においてＧｅＴａは結晶化速度を向上さ
せることに寄与しているものと思われる。しかしながら
、Ｔｅ−Ｇｏ−８ｓで構成される系では、実用可能な結
晶化速度の速い組成はＳｏ量が少な（ＧｅＴｅの量論に
近い領域となる。

この領域の特徴は結晶化速度は速いものの、ＧｅＴｌ！
ｙの融点が７２５°Ｃと高いため、非晶質化が困難なこ
とである。したがって、実用可能な領域で結晶化、非晶
質化を可能にするのはＧｅ濃度が低く、ＳＯ濃度が高い
領域である。

この領域の特徴は、結晶化温度が高いが、結晶化速度が
遅いことである。ｓｂの添加は膜中で過剰なＴｏと３１
）　２Ｔ６３を形成し、結晶化を促進させることにある
ｏＴθとの化合物で結晶化を促進する元素は上述したｓ
ｂに限らず、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐａ。

Ｎｉ　、　Ｇｏ　、Ｃｒなど種々の材料がある。こうし
た材料は確かに結晶化速度が速いという特徴を有し、添
加量を限定することにより、追記型材料（Ｗ１０材料）
となり得るが、書き換え可能な元ディスク材料としては
適さない。その理由は、上述した元素とＴｅ　とで構成
される合金の融点が高いことによる。

しかし、こうした材料でもレーザパワーが強く、膜を充
分に溶融させることが可能であれば、消去可能なディス
クとして使用することは可能である。

現在、我々が実用上入手できる半導体レーザは、波長が
８３０ｎｍでパワーは３０　ｍＷ程程度あり、τｅ、Ｇ
ｏ、Ｓｅの量論に近い組成（ＴｅＧｅ、ＧａＳｅ□）を
溶融させることは困難である。（融点が８００℃程度）
Ｔｏ−Ｇｏ−８ｅで記録、消去可能な領域は、Ｔｏが非
常に多い領域（ｇｏａｔ％以上）にあるが、この領域の
組成は転移温度が低く、熱的に不安定であること、Ｔａ
が過剰なため、くり返しによって、Ｔｅ　とＴｅＧｅあ
るいはＧｅｍ５２　　に膜が相分離を起こしやすいこと
などの欠点を有している。

本発明のｓｂは、この過剰のＴｏをＳｂ　２Ｔ　ｅ　３
として安定化させる働きを有する。ｓｂはＴｏ　との合
金系ではＴｏが５０＆ｔ％以上では、融点が６２２°Ｃ
以下で、ｓｂを添加してもＴｏの融点が４５１°Ｃなの
で、融点をそれ程上昇させることはない。そのため、Ｓ
ｂを添加した膜は現行の半導体レーザパワーでも充分に
溶融させることが可能である。しかも熱的に不安定な過
剰ＴｏをＳｂ　２Ｔｅ　３として結合させているため、
熱的に安定で、かつ、記録、消去のくり返しによっても
相分離を生ずることなぐ、長期に亘って安定な膜となる
。

ｓｂの添加量は、Ｇｅ、Ｓｅと結合した残りの過剰Ｔｏ
　ｆ固定化するので、必要なＳｔ）濃度はＴｏ／（Ｇａ
＋Ｓｅ）　　の量に支配される。

すなわち、５ｂ（７）添加量はＧｏ−Ｔｏ−３ｅ系の組
成比により異なる。例えば、比較的Ｓｅ成分の多い領域
（Ｓｅ　＞２　ｔｓ　ａｔ％）においては、非晶質とし
て安定なので結晶化を促進させるＳｂの添加量は多くな
る。（２５〜４０２Ｌｔ％）逆にＳｅ酸成分少ない領域
（Ｓｅ≦１ｓａｔ％）では、比較的結晶化速度が速いの
で、少ないＳｂ量度（１５〜３ｏＩＬｔ％）で充分であ
る。同様にＧｏ濃度の多い領域（Ｇｅ≧２５１Ｌｔ％）
は結晶化速度は速いので、Ｓｂ濃度は低く（１６〜３０
ａｔ％）　Ｇｅ成分の少ない領域（ＧＯく１ｏ＆ｔ％）
では結晶化が困難なので、比較的多いｓｂ量を必要とす
る。

第１図に、本発明のＴ　ｅ　−Ｇ　ｅ　−３ｎ−８ｂよ
り構成される記録部材の適正範囲を示した。図はＴｅ−
Ｇｅ−８ｅより構成されているが、Ｓｂ濃度は第１図に
示されたＴｅ−Ｇｅ−３ｅ組成に対し、１５〜４０ａｔ
％である。

（Ｓｂ濃度は（ＴｅｘＧｅｙＳｎｚ）、。。−！１１Ｓ
ｂｍ　　で示した場合のｍに相当、ただし、ｘ十ｙ＋ｚ
＝１０ｏ）第１図において各点は以下の組成である。

ム４点：　Ｔｅ、。Ｇｏ５Ｓｅ５ ８４点：　Ｔｅ６ｏＧｅ５Ｓｅ。

Ｃ４点：　Ｔｅ６ｏＧｅ５Ｓｅ、５ Ｄ４点：Ｔｅ４ｏＧｅ４ｏＳｅ２゜ Ｂ１点”　”５５”４０Ｓ’５ 本発明は上記、Ｔｅ−Ｇｅ−３ｅの三元系の人、。

Ｂ、、Ｃ，、Ｄ、、に、点で囲まれた範囲内にあって、
かつ、Ｓｂ濃度が式（ＴｏｘＧｅｙＳｅｚ）、。。−ｍ
Ｓｂｍ　　で表わした場合、ｍの値として１６〜４０＆
ｔ％の範囲内にある。線ム＋”＋　　よりＧｅが少ない
場合、膜はＴｏ−３ｅが過剰となり、結晶化転移温度は
低く（＜１２０’Ｃ）％実用上安定な記録膜を得ること
が困難である。線Ｂ、Ｃ１よりＳＯが多い場合はＴｅａ
ｓ　、Ｇｅｎｅ　２の形成量が多くなり、安定な非晶質
膜となり、結晶化が困難となる。線Ｃ，Ｄ、　よりＴｅ
が少ない場合、結晶化に必要な５ｂ２Ｔ０３の量も少な
くなるので、記録部と未記録部の信号のコントラスト比
が低く、充分な記録特性が得られない。

線り、ＩＣ，よりＧＯが多い場合、この領域は量論的な
ＧｅＴｅが生成する領域で、結晶化速度は上昇するが、
融点の高いＧｏ　Ｔｏが多量に存在するので、非晶質化
が困難となる。線ムｌＩＣ１よりＳｅ量が少ない場合は
Ｇｅｎｅ２　量が少なくなるため、非晶化が困難となる
。しかし同じム１”ｉ線上でもＧｅが少ない場合はＧｅ
Ｔｅ量が少ないため、非晶質化は比較的容易であるが結
晶化転移温度が低くなる。

上述した傾向は当然ながら添加するｓｂ量によって異な
ってくる。Ｔｅ−Ｇｅ−８ｅからなる組成全限定しｓｂ
量を変化させると、ｓｂ量が少ない場合は非晶質化が容
易でＳｂ量が増えるに従って結晶化が容易となる。この
適正なｓｂ量はＴｅ、Ｇｅ。

ＳＯによって構成される膜の特性によって異なるが、本
発明の範囲内では１６〜４０＆ｔ％で実用的な書き換え
可能な記録膜が得られる。

以上述べた理由により、本発明は、第１図において、点
ムｊ　　”ｌ−Ｃ１−”ｊ　　”１　　で囲まれた範囲
内に限定される。すなわち、この領域内のＴｅ−Ｇｏ−
８ｅにＳｂ　ｆ　１５〜４０　ａｔ％添加した場合、実
用上、結晶質と非晶質の可逆性全利用して、情報の記録
、消去が可能、となる。

次に第１図のム２　　”２−Ｃ２−Ｂ２−Ｂ２　　ある
いはム５−Ｂ、−Ｃ５−Ｄ３−ｘ５　によって囲まれた
領域について述べる。この領域は、第１図のム１−Ｂ＋
−〇、−Ｄ、−ＩＣ，で囲まれた範囲より、より実用的
な組成範囲を示しである。

第１図においてＡ　２−Ｂ　２−Ｃ、、−Ｄ　２−Ｅ　
２　　各点の組成を以下に示す。

ム２：Ｔｏ８３Ｇｅ７Ｓｅ１゜ Ｂ２：Ｔｅ６３Ｇｅ７Ｓｅ３゜ Ｃ２：　Ｔｅ４５Ｇｅ３ｏＳｅ２５ Ｄ２：　Ｔｅ４５Ｇｏ、５Ｓｅ２゜ ＩＣ２：　Ｔｅ５５Ｇｏ、、、Ｓｅ、。

この各点で囲まれた領域におけるＳｂ濃度は１６〜３０
１Ｌｔ％である。（ただし、（Ｔｅ６Ｇｅ５Ｓｅ２）、
。。−１ｎＳｂｍ　　におけるｎｏ値で、Ｘ＋７＋Ｚ＝
１００とする。　） この領域の非晶質から結晶質への転移温度は１５０〜２
２０°Ｃ以内である０転移温度はム２が最も低く、線Ｃ
２Ｄ２の方向にｓｏ、Ｇｅ濃度が増えるに従って温度は
上昇する。結晶化を促進する上で必要なりｉ濃度はム２
点に近い領域では少なく、線Ｃ２Ｄ２に近い領域では多
くなる０すなわち、ム。

に近い領域では、過剰のＴｅが多く、結晶化速度は速い
ので多くのｓｂ量を必要とせず、Ｃ２Ｄ２に近い領域は
結晶化が困難なため、多くのＢｉ量を必要とする。

その結果、点ム１ではＧａＴａ　、Ｇ５５ａ２の量が少
なく過剰Ｔθも残存しているので安定な非晶質状態が形
成されず結晶転移温度は低くなる。ム２点よりＳｏ量が
多くなると（８２点）転移温度は上昇するが、結晶化速
度は遅くなる。ム２点よりＧＯが多くなると、転移温度
は上昇し、結晶化温度も高くなるが、非晶質化が困難と
なる０すなわち、点ム２−Ｂ２−０２−Ｄ２　　”２　
　で囲まれた点で、ｓｂ量が２０〜３５＆ｔ％である場
合は、用途、目的に応じて、結晶化転移温度、結晶化速
度の適正値を選択することが可能であるｏしかし、この
人２−Ｂ２−Ｃ２−Ｄ２−に２点で囲まれた領域内であ
っても、現在、市販されている半導体レーザ出力（２５
ｍＷ程度）で、全ての点で録再が可能とは限らない。

点ム５　　Ｂ　５−０３−Ｄ　５　　ＩＣｓ　　で囲ま
れた領域は、現行の半導体レーザパワーの範囲で録再が
可能で、結晶化速度が速く、かつ熱的安定性を示す結晶
化転移温度も高く（１６０〜２１６°Ｃ）よシ実用的な
領域である。この領域における必要なｓｂ量は２５〜３
５＆ｔ％である。Ｓｂの添加はＴｅ−Ｇａ−８θだけよ
りなる系に比べ、結晶への転移温度を１０〜３０　’Ｃ
高める働きを有する。しかもｓｂの添加によって膜の融
点は下がるため、非晶質化に対しては都合がよい。この
理由は、ＳｂはＴｅ濃度に対して４０％以下である場合
、最大でも、融点が６２２°Ｃ以下であることに起因す
る。一方、Ｇｏ、Ｓｎなどの場合は、Ｔｅ濃度に対し、
ｓ　ｏ　ａｔ％以下の場合、各々、最大で７２５°Ｃ２
７９ｏ０となる。それ故、ｓｂの添加は、熱的安定性を
示す転移温度を上昇させる効果と、膜の融点を下げ、以
上述べた理由により、本発明のＴｅ−Ｇｏ−８ｅ−ｓｂ
　　の最適組成は限定される。

次に本発明による光学情報記録部材の製法について述べ
る。

第２図は、本発明の記録層を用いて構成した元ディスク
の断面の模式図である。図において、１゜６は基板を表
わしており、材質は、ポリカーボネート、アクリル樹脂
、ガラス、ポリエステル等の透明な基材音用いることが
可能である０２，４は保護層で、種々の酸化物、硫化物
、炭化物を用いることができる。この保護層２．４は記
録膜３の記録、消去の繰り返しによる基材の熱劣化を防
ぐものであり、さらに、記録膜３を湿度より保護するも
のである。したがって、保護層の材質、膜厚は、上述し
た観点より決定される。記録膜３は、蒸着、スパッタリ
ング等によって形成される。蒸着で行なう場合は各組成
を単独に蒸着可能な４ソ一ス蒸着機を用いるのが、均一
膜を作成できるので望ましい。

本発明の記録膜３の膜厚は、保護層２，４の光学特性と
のマツチング、すなわち、記録部と未記録との反射率の
差が大きくとれる値とする。

以下、具体的な例で１本発明を詳述する。

実施例１ ４源蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を用いてＴｅ、Ｇ６
，８＋５．Ｓｂ’ｉｚそれぞれのソースから基材上に同
時に蒸着した。用いた基材はφ８１ｒｍｌのガラスで、
蒸着は真空度がｌＸ１０　　Ｔｏｒｒ基材の回転速度、
１５０ｒｐＨ１で行ない、膜厚は１０００人とした。各
ソースからの蒸着速度は記録膜中のＴｅ。

Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｂの原子数の割合を調整するため、変化
させた。第１表の組成の割合は、この蒸着の速度より換
算した値であるが、代表的な組成６Ｘ線マイクロアナラ
イザー（ＸＭ人）で行なったところ、仕込値とほぼ同様
の定量結果が得られた。したがって、表中の仕込み組成
は、膜中でも同じと思われる。

上記製法によって作成された試験片の評価方法を以下に
記す。

〔転移温度〕

転移温度とは、蒸着直後の非晶質状態の膜が熱によって
結晶状態になる開始温度を意味する。測定は、膜の透過
率の測定が可能な装置を用い、ヒーターにより試験片の
温度を昇温速度１°Ｃ／ｓｅａで上昇させた場合の透過
率が減少を開始する温度とした。

転移温度が高いことは、膜が熱的に安定であることを意
味する０ 〔黒化、白化特性〕 黒化特性とは、非晶質から結晶質への変態に対しての転
移速度を示したもので、白化特性は結晶質から非晶質の
転移速度を示したものである。

測定は、φ８ｆｆのガラス片上の記録膜に、レンズを用
いて、レーザｔｈ、全集元させ、サンプル片を上下、左
右移動可能とした装置を用いて行なった。

レーザ光のスポットは４５Ｘ０．４μＩＩＩ　　、ハ／
ｌ／ス巾２００ｎ！Ｉ　　、パワー密度１０．８ｍＷ／
ｐｄ波長は９００ｎ１１とした。黒化特性は、試験片を
比較的、緩かに移動させた場合の変態（非晶質から結晶
質）の速度を観察し、速度が充分早く、かつ未記録部分
と記録部分のコントラスト比が充分大きいものを◎とし
た。×は緩やかに移動させても、黒化しないもの、ある
いは、コントラスト比が小さいものを示す。○、△は◎
と×の中間に位置する。この定性的な表現において、実
用可能な黒化特性は０以上である。

次に白化特性について述べる。白化特性全観る場合は、
まず、一旦、黒化し、その上を試験片を速やかに移動さ
せ、急冷状態を作り、白化（結晶質から非晶質）させる
。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的緩やかでも
、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分のコントラス
ト比が太きいものを示し、×は全く白化しないものを示
している。Ｏと△は、◎と×の中間に位置する。

上述した表現によれば、黒化、白化特性とも非常にすぐ
れている場合は、◎、◎となるが、実際問題としては同
じ移動速度で、どちらも◎となることはあり得す、望ま
しい材料としては、◎、○あるいは◎、Δと、多少黒化
特性が優れているものである。

第１表に、本発明の範囲でｓｂ濃度を３０ａｔ％として
作成した膜の転移温度と、黒化、白イヒ特性の結果を示
す０ （以下余白） 第　　　１　　　表 第１表の結果より明らかなように、本発明の範囲にある
Ｔａ−Ｇａ−３ｓ−３ｂ系記録薄膜は、黒化及び白化が
それぞれ可能である。ｉ（］ちこの範囲内にある記録部
材は、加熱条件、例えば照射するレーザー光線の照射強
度、照射時間を適当に選ぶことで非晶質状態と結晶状態
のいずれの状態もとることが可能であり、光学的に慣報
金記録し、かつ消去することが可能である。

本実施例においてはｓｂの濃度を３０ａｔ％としたが、
上述の黒化白化特性はＳｂの濃度に強く依存する。一方
、転移温度も又それほど強くはないがＳｂ濃度に依存す
る。

実施例２ 実施例１と同様の作成法、評価法を用い、Ｔｅ−Ｇｅ−
８ｅ系にｓｂｌ添加した場合の濃度依存性について調べ
た結果を第２表に示す。−例としてＴｅ　６ｏＧθ２０
Ｓθ２ｏ　　組成を選びＳｂ濃度ｉ１０〜４５＆ｔ％の
範囲で変化させる。

第２表の結果から明らかなように、　Ｔｅ６ｏＧｅ２ｏ
Ｓθ２゜に、Ｓｂ　ｆ添加した場合Ｓｂ濃度が１６〜４
Ｑａｔ％にある場合、レーザー光線によって、結晶化、
非晶質化のいずれも可能であり、光学記録部材として有
効である。

結晶−非晶質の相変態を記録原理として用いる場合、記
録（非晶質化）速度は、照射部が溶倣するまでの時間、
消去（結晶化）速度は原子配列の秩序が回復する時間に
依存し、一般に前者は後者に比べて充分速い。従って本
発明の組成領域を例えば元ディスクに適用する場合、主
としてその消去速度がデバイスとしてのスペックを決定
する。

即ち、デバイスとしての使用条件、例えば元ディスクの
場合には、その回転速度記録半径（線速度）に応じて組
成を選べば良い。即ち、Ｓｂ濃度の低い組成の場合には
記録感度（白化感度）は高いが、消去感度（黒化速度）
が低い、従って、回転速度が比較的遅い場合に有効であ
る。逆にＳｂ濃度の高い組成の場合には消去感度（黒化
速度）は十分であるので高速回転に適用可能である。た
　　゛だし、この場合は、やや大きい記録パワーを必要
とする。

ｓｂの添加効果はＧｅ−Ｔｅ−３ｓ系の組成比によりや
や異なっている。例えば、比較的Ｓｅ成分の多い領域（
Ｓｅ〉２５ａｔ％）においては比較的Ｓｂ濃度の高い領
域（２６〜４０ａｔ％）が良好な特性を示し、比較的Ｓ
ｅ成分の少ない領域（Ｓｅ　く１ｓａｔ％）においては
比較的Ｓｂ濃度の低い領域１５〜３０ａｔ％が良好な特
性と示した。同様に、比較的Ｇｏ酸成分多い領域（Ｇｅ
、２２５２Ｌｔ％）においては比較的Ｓｂ濃度の低い領
域１６〜３０ａｔ％、　Ｃｔｅ成分の少ない領域（Ｇａ
／１ｏａｔ％）においては比較的Ｓｂ濃度の高い領域２
５〜４０ａｔ％が良好な特性を示した０ 実施例３ 基材として光ガイド用のトラックを備えた１、２ｔ×φ
２００Ｈのポリカーボネイト樹脂基材を用δ、記録膜ト
シテ、（Ｔｅ　　ＧｅＳｅ　　）　　Ｓｂ　　（７）導
膜を用いて元ディスクを試作シタ。

まず、基材上に耐熱層としてＺｎＳｎＳ薄膜１９入０ に蒸着し、更にその上に同じく耐熱層としてＺｎＳ薄膜
を１８００八蒸着した。

この元ディスクの基板側から、光学系を用いて絞り込ん
だレーザー光線を照射して信号を記録し、直ちに消去を
行なった。記録に先立って、スポット形状が１メ１ｍ×
１ｏＩｌ！１１の長楕円形のレーザー光線ｉ１４ｍＷの
強さでトラックにそって照射し、トラック内の記録膜を
結晶化し、次に０．９μｍφに絞り込んだレーザー光線
ｉ８ｍＷの強さで照射した。記録周波数は２ＭＨ２，デ
ィスクの回転速度はｔｓ　ｍ　／　ｓである。このとき
照射部は非晶質化され、トラックに沿って信号が記録さ
れた。スペクトラムアナライザーで、ｃ／Ｎｗ測定した
ところ５５ｄＢが得られた０，このトラック上に、前述
の長楕円スポットを照射したところ、信号は完全にご肖
去された。

実施例４ 実施例３における元ディスクを用いて、寿命試験を８０
°Ｃ，６０％ＲＨの条件下で行なった。

試験方法は、予じめ情報を記録しておき、上記条件で保
持後のＣ／Ｎの劣化をみた。１ケ月経過後のＣ／Ｈの低
下は−０．５ｄＢと無視できる程度であった。

実施例６ 実施例３における元ディスクの記録，消去の繰り返し特
性を評価した。

１０万回記録，消去を繰り返した後のｃ７Ｎ−の低下は
、約１　ｄＢ程度であった。

発明の効果 本発明ＫｊるＴａ−Ｇｏ−８ｓ−３ｂ　　記録薄膜は、
耐熱性及び耐湿性に極めて優れ、記録，消去を繰り返し
ても膜が破壊されることが無い。即ち、本発明によって
実用上、極めて優れた光学情報記録部材が提供された。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光学情報記録部材の組成の範囲を
示す組成図、第２図は本発明の一実施例である。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ｅ丘か」名第
１図 Ｏこ　（ｆ００Ｌｔ％ジ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｂを主成分とし、Ｔｅ、Ｇ
   ｅ、Ｓの原子数比が第１図における、Ａ＿１（Ｔｅ＿９
   ＿０、Ｇｅ＿５、Ｓｅ＿５）、Ｂ＿１（Ｔｅ＿６＿０、
   Ｇｅ＿５、Ｓｅ＿３＿５）、Ｃ＿１（Ｔｅ＿４＿０、Ｇ
   ｅ＿２＿５、Ｓｅ＿３＿５）、Ｄ＿１（Ｔｅ＿４＿０、
   Ｇｅ＿４＿０、Ｓｅ＿２＿０）、Ｅ＿１（Ｔｅ＿５＿５
   、Ｇｅ＿４＿０、Ｓｅ＿５）の各点で囲まれる領域内に
   有って、Ｓｂの濃度（ａｔ％）が全体の組成を（Ｔｅ＿
   ｘ、Ｇｅ＿ｙ、Ｓｅ＿ｚ）＿１＿０＿０＿−＿ｍＳｂ＿
   ｍと表したとき、１５≦ｍ≦４０ａｔ％である薄膜を備
   えた光学情報記録部材。
2. （２）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅの原子数比が、第１図における
   、Ａ＿２（Ｔｅ＿８＿３、Ｇｅ＿７、Ｓｅ＿１＿０）、
   Ｂ＿２（Ｔｅ＿６＿３、Ｇｅ＿７、Ｓｅ＿３＿０）、Ｃ
   ＿２（Ｔｅ＿４＿５、Ｇｅ＿３＿０、Ｓｅ＿２＿５）、
   Ｄ＿２（Ｔｅ＿４＿５、Ｇｅ＿３＿５、Ｓｅ＿２＿０）
   Ｅ＿２（Ｔｅ＿５＿５、Ｇｅ＿３＿５、Ｓｅ＿１＿０）
   の各点で囲まれる領域内に有って、Ｓｂの濃度（ａｔ％
   ）が、２０≦ｍ≦３５ａｔ％であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の光学情報記録部材。
3. （３）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅの原子数比が、第１図における
   、Ａ＿３（Ｔｅ＿７＿５、Ｇｅ＿１＿０、Ｓｅ＿１＿５
   ）、Ｂ＿３（Ｔｅ＿６＿５、Ｇｅ＿１＿０、Ｓｅ＿２＿
   ５）、Ｃ＿３（Ｔｅ＿５＿０、Ｇｅ＿２＿５、Ｓｅ＿２
   ＿５）、Ｄ＿５（Ｔｅ＿５＿０、Ｇｅ＿３＿０、Ｓｅ＿
   ２＿０）、Ｅ＿３（Ｔｅ＿５＿５、Ｇｅ＿３＿０、Ｓｅ
   ＿１＿５）の各点で囲まれる領域内に有って、Ｓｂの濃
   度（ａｔ％）が２５≦ｍ≦３５ａｔ％であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録部材。
4. （４）組成を（Ｔｅ＿１＿０＿０＿−＿ｐ、Ｇｅ＿ｐ、
   Ｓｅ＿２＿０）＿１＿０＿０＿−＿ｍＳｂ＿ｍと表した
   とき、１０≦ｐ≦２５、２５≦ｍ≦３５ａｔ％であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学情報記
   録部材。