JPS6160524U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6160524U JPS6160524U JP14526884U JP14526884U JPS6160524U JP S6160524 U JPS6160524 U JP S6160524U JP 14526884 U JP14526884 U JP 14526884U JP 14526884 U JP14526884 U JP 14526884U JP S6160524 U JPS6160524 U JP S6160524U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pin diode
- high frequency
- thermistor
- pair
- frequency signal
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Attenuators (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の回路図、第２図は
従来のバイアス回路を用いた高周波可変減衰器の
一例の回路図である。図において、 １，２，３，４……端子、１１……ＰＩＮダイ
オード、１２……サーミスタ、１３，１４……コ
イル、１５……電源、２１〜２３……抵抗器、Ａ
……高周波信号入力端子、Ｂ……高周波信号出力
端子、である。
従来のバイアス回路を用いた高周波可変減衰器の
一例の回路図である。図において、 １，２，３，４……端子、１１……ＰＩＮダイ
オード、１２……サーミスタ、１３，１４……コ
イル、１５……電源、２１〜２３……抵抗器、Ａ
……高周波信号入力端子、Ｂ……高周波信号出力
端子、である。
Claims (1)
- 高周波信号が入力され一端を接地したＰＩＮダ
イオードと、このＰＩＮダイオードの両端に一対
の両端端子が接続され一対の中間端子から電源供
給され３個の抵抗器と１個のサーミスタとからな
るブリツジ回路とを含み、前記サーミスタの温度
特性によつて前記ＰＩＮダイオードのバイアス電
流を変化させたことを特徴とする高周波可変減衰
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14526884U JPS6160524U (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14526884U JPS6160524U (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6160524U true JPS6160524U (ja) | 1986-04-23 |
Family
ID=30703523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14526884U Pending JPS6160524U (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6160524U (ja) |
-
1984
- 1984-09-26 JP JP14526884U patent/JPS6160524U/ja active Pending