JPS6160593B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6160593B2
JPS6160593B2 JP55039725A JP3972580A JPS6160593B2 JP S6160593 B2 JPS6160593 B2 JP S6160593B2 JP 55039725 A JP55039725 A JP 55039725A JP 3972580 A JP3972580 A JP 3972580A JP S6160593 B2 JPS6160593 B2 JP S6160593B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
wiring pattern
diode element
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55039725A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56135984A (en
Inventor
Kaoru Konishigawa
Akyoshi Nakaoka
Fuminori Hirose
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP3972580A priority Critical patent/JPS56135984A/ja
Publication of JPS56135984A publication Critical patent/JPS56135984A/ja
Publication of JPS6160593B2 publication Critical patent/JPS6160593B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はリード線を有しないいわゆるリードレ
スタイプの発光ダイオードチツプの製造方法に係
り簡単な構成で容易に製造できるすぐれた発光ダ
イオードチツプの製造方法を提供することを目的
とするものである。
以下、本発明のリードレス発光ダイオードチツ
プの製造方法について一実施例の図面とともに説
明する。
先ず第１図に示すように表面に導体層２を有す
る絶縁基板１を用意し、これに互に対向するよう
に透孔３，３′を形成する。そして導体層２をエ
ツチングするなどして第２図に示すようにそれぞ
れ透孔３，３′を根本部分とするダイボンデング
用配線パターン４、ワイヤボンデイング用配線パ
ターン５を形成する。このとき、同時に配線パタ
ーン４，５にメツキ処理を施こすために必要なメ
ツキ電極となる銅箔部６を形成しておき、これを
用いて配線パターン４，５にメツキ処理を施こ
す。そして、その後第３図に示すように配線パタ
ーン４，５の所要部分を除いて絶縁基板１上に反
射率の高いインク７を塗布し、配線パターン４の
インク７の塗布されていない部分に第４図に示す
ように発光ダイオード素子８をダイボンデイング
する。そしてダイボンデイングされた発光ダイオ
ード素子８とワイヤボンデング用配線パターン５
との間をワイヤーボンデイングし、第５図に示す
ように基板１上に筒状のガイド体１０を取付け、
ここに透光性の樹脂材料１２を封入し発光ダイオ
ード素子８を封止する。この場合筒状のガイド体
１０として内面を鏡面メツキ１１したものを用い
ると光の錯乱を防止でき、有効的である。
このようにして発光ダイオード素子８を透光性
の樹脂材料１２で封止した後、第６図に示すよう
に基板１を透孔３，３′を通る線で切断し、小片
とすることにより上記透孔３，３′の周りに形成
されたパターンを電極とするリードレスの発光ダ
イオードチツプが完成される。
尚、この場合透孔３，３′として内面に導体層
を有するいわゆるスルーホールタイプの透孔を形
成した場合にはこの内面の導体層１３も電極とし
て作用することになりきわめて有利である。そし
て、このようにして形成された発光ダイオードチ
ツプ１４は第７図に示すように印刷配線板１５に
形成されたパターン１６にクリーム半田や通常の
半田１９を用いて通常のチツプ部品１７と同じよ
うに容易に半田付けして取付けることができ、ま
た第８図に示すように通常のチツプ部品１７と同
じように筒状のマガジン１８に積層した状態で容
易に収納することができる。
以上実施例より明らかなように本発明の製造方
法によれば基板として予め大きなものを使用し、
これに多数の発光ダイオード素子を取付けその後
所定の発光ダイオード素子毎に分割して製造する
ようにしているため全体としてその製造がきわめ
て容易であり、均一な特性の発光ダイオードチツ
プを容易に得ることができ実用上きわめて有利な
ものである。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第６図は本発明の製造法を説明するた
めの各工程の説明図、第７図、第８図は同製造法
によつて製造された発光ダイオードチツプの使用
例を示す斜視図及び断側面図である。 １……絶縁基板、２……導体層、３，３′……
透孔、４，５……配線パターン、６……銅箔部、
７……インク、８……発光ダイオード素子、９…
…ワイヤー、１０……ガイド体、１１……鏡面メ
ツキ、１２……透光性樹脂、１３……導体層、１
４……発光ダイオードチツプ、１６……印刷配線
板、１６……パターン、１７……チツプ部品、１
８……筒形マガジン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 次の各工程を経て製造されることを特徴とす
    るリードレス発光ダイオードチツプの製造方法。 ａ 絶縁基板に互いに対向するように複数の透孔
    を形成する工程 ｂ 上記互に対向する透孔部分にそれぞれ発光ダ
    イオード素子のダイボンデング用配線パターン
    とワイヤボンデング用配線パターンを形成する
    工程 ｃ 上記それぞれの配線パターンにメツキ処理を
    する工程 ｄ 上記ダイボンデイング用配線パターンに発光
    ダイオード素子をダイボンデングする工程 ｅ 上記ダイボンデングされた発光ダイオード素
    子と上記ワイヤボンデング用配線パターンとを
    それぞれワイヤボンデイングする工程 ｆ 上記ボンデングされた発光ダイオード素子を
    透光性樹脂によつて封止する工程 ｇ 上記絶縁基板を透孔を通る線で切断し切断さ
    れた小片上に発光ダイオード素子が少なくとも
    １つ存在するようにする工程
JP3972580A 1980-03-27 1980-03-27 Manufacture of leadless light emitting diode chip Granted JPS56135984A (en)

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JPS56135984A JPS56135984A (en) 1981-10-23
JPS6160593B2 true JPS6160593B2 (ja) 1986-12-22

Family

ID=12560952

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JP3972580A Granted JPS56135984A (en) 1980-03-27 1980-03-27 Manufacture of leadless light emitting diode chip

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Families Citing this family (11)

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Also Published As

Publication number Publication date
JPS56135984A (en) 1981-10-23

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