JPS6160880A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPS6160880A JPS6160880A JP59179833A JP17983384A JPS6160880A JP S6160880 A JPS6160880 A JP S6160880A JP 59179833 A JP59179833 A JP 59179833A JP 17983384 A JP17983384 A JP 17983384A JP S6160880 A JPS6160880 A JP S6160880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- magnet
- plasma
- sputtering apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はターゲット利用率の高いマグネトロン方式のス
パッタリング装置に関するものである。
パッタリング装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、スパッタリング装置は、マグネトロン方式により
、連続的に高速で、しかも基板温度上昇を少なく薄膜の
形成が行なえるという特徴をいかして、高分子フィルム
または紙等の連続した基板上に金属膜等を連続形成す、
ることに用いられてきた０ 以下図面を参照しながら、従来のマグネトロンスパッタ
リング装置について説明する。
、連続的に高速で、しかも基板温度上昇を少なく薄膜の
形成が行なえるという特徴をいかして、高分子フィルム
または紙等の連続した基板上に金属膜等を連続形成す、
ることに用いられてきた０ 以下図面を参照しながら、従来のマグネトロンスパッタ
リング装置について説明する。
第１図は従来のスパッタリング装置のスパッタガンの構
造を示す断面図である。図において、１はターゲット、
２はターゲット１が密着して置かれた冷却板、３は冷却
板２の裏面に配置されたプラズマ収束用マグネットであ
る。
造を示す断面図である。図において、１はターゲット、
２はターゲット１が密着して置かれた冷却板、３は冷却
板２の裏面に配置されたプラズマ収束用マグネットであ
る。
以上のようなスパッタリング装置は、プラズマ収束用マ
グネット３から発生した磁束がターゲット１表面で、電
離した電子およびスパッタリングによって生じた二次電
子をとらえるため、ターゲット１表面での電子密度が高
くなり、これらの電子と中性ガス分子との衝突確率が高
くなってプラズマ密度を高くすることができ、スパッタ
リングレートを高周波２極スパツタリング装置に比べ１
桁以上速くすることができ、しかも、高エネルギーをも
っている二次電子を磁界でとじこめる之め、膜形成を行
なおうとする基板への熱損傷もないという特徴をもって
いる。
グネット３から発生した磁束がターゲット１表面で、電
離した電子およびスパッタリングによって生じた二次電
子をとらえるため、ターゲット１表面での電子密度が高
くなり、これらの電子と中性ガス分子との衝突確率が高
くなってプラズマ密度を高くすることができ、スパッタ
リングレートを高周波２極スパツタリング装置に比べ１
桁以上速くすることができ、しかも、高エネルギーをも
っている二次電子を磁界でとじこめる之め、膜形成を行
なおうとする基板への熱損傷もないという特徴をもって
いる。
しかしながら、上記のようなスパッタリング装置は、図
に示したようにターゲット１表面上に生じている磁界の
分布が均一ではなく、プラズマ収束上マグネット３のポ
ールとポールの中間部分のターゲット１表面上の磁界が
最も強くなり、したがってこの部分が最も早く浸食され
る。第２図にターゲット１の浸食された状態での斜視図
、第３図に第２図のＡ−Ａ’における断面図を示す。こ
れらの図かられかるように、実際にスパッタリングして
膜形成に寄与するターゲット１の体積比率をターゲット
利用率とすれば、非磁性体のターゲットの場合、利用率
は約２０〜２５チと低く、強磁性体の場合は、浸食され
た部分に磁束が集中し浸食の形状かさらＫするどくなり
、利用率は１０〜１５％とさらに低くなるという欠点を
有していた。
に示したようにターゲット１表面上に生じている磁界の
分布が均一ではなく、プラズマ収束上マグネット３のポ
ールとポールの中間部分のターゲット１表面上の磁界が
最も強くなり、したがってこの部分が最も早く浸食され
る。第２図にターゲット１の浸食された状態での斜視図
、第３図に第２図のＡ−Ａ’における断面図を示す。こ
れらの図かられかるように、実際にスパッタリングして
膜形成に寄与するターゲット１の体積比率をターゲット
利用率とすれば、非磁性体のターゲットの場合、利用率
は約２０〜２５チと低く、強磁性体の場合は、浸食され
た部分に磁束が集中し浸食の形状かさらＫするどくなり
、利用率は１０〜１５％とさらに低くなるという欠点を
有していた。
発明の目的
本発明は以上のような欠点を解消するもので、ターゲッ
ト利用率が３０チ以上と高い効率でターゲットを使用で
きるスパッタリング装置を提供するものである。
ト利用率が３０チ以上と高い効率でターゲットを使用で
きるスパッタリング装置を提供するものである。
発明の構成
本発明による基本溝成はスパッタリング用ターゲットの
裏面にプラズマ収束用のマグネットを備え、さらにター
ゲットとマグネットの間に７ラノクスガイドを置き、プ
ラズマ収束用マグネットから生ずる磁束をフラックスガ
イドを移動させることによって移動するようにしたもの
である。
裏面にプラズマ収束用のマグネットを備え、さらにター
ゲットとマグネットの間に７ラノクスガイドを置き、プ
ラズマ収束用マグネットから生ずる磁束をフラックスガ
イドを移動させることによって移動するようにしたもの
である。
実施例の説明
以下に本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。第４図は本発明の一実施例におけるスパッタリ
ング装置のスパッタガンの構造を示す断面図である。第
４図において１１はターゲット、１２はターゲット１１
が密着して置かれた冷却板、１３は冷却板１２の裏面に
配置されたプラズマ収束用マグネット、１４は冷却板１
２とプラズマ収束用マグネット１３の間に置かれたフラ
ックスガイドである。
明する。第４図は本発明の一実施例におけるスパッタリ
ング装置のスパッタガンの構造を示す断面図である。第
４図において１１はターゲット、１２はターゲット１１
が密着して置かれた冷却板、１３は冷却板１２の裏面に
配置されたプラズマ収束用マグネット、１４は冷却板１
２とプラズマ収束用マグネット１３の間に置かれたフラ
ックスガイドである。
以上のように構成されたスノ（ツタリング装置について
、以下その動作を説明する。プラズマ収束用マグネット
１３の１つの磁極から出た磁束は、フラックスガイド１
４を通り、一部はターゲット１１表面まで達し、また一
部はフラックスガイド１４を通シ、別の磁極に入る。こ
のとき、ターゲット１１表面での磁界は各フラックスガ
イド１４の中間部で最も強くなり、その結果この部分で
プラズマが収束され、ターゲット１１の浸食が生じる。
、以下その動作を説明する。プラズマ収束用マグネット
１３の１つの磁極から出た磁束は、フラックスガイド１
４を通り、一部はターゲット１１表面まで達し、また一
部はフラックスガイド１４を通シ、別の磁極に入る。こ
のとき、ターゲット１１表面での磁界は各フラックスガ
イド１４の中間部で最も強くなり、その結果この部分で
プラズマが収束され、ターゲット１１の浸食が生じる。
このとき、フラックスガイド１４を移動することＫよシ
、磁界の最も強い部分が移動し、そのため、ターゲット
１１の浸食部分が広くなる。
、磁界の最も強い部分が移動し、そのため、ターゲット
１１の浸食部分が広くなる。
本実施例によれば、ターゲット１１とプラズマ収束用マ
グネット１３の間に設置されたフラックスガイド１４を
移動させることにより、ターゲット１１の浸食される面
積が広がり、ターゲット利用率が、非磁性体で３６％以
上１強磁性体でも３０チ程度と非常に高い利用率を得る
ことができる。
グネット１３の間に設置されたフラックスガイド１４を
移動させることにより、ターゲット１１の浸食される面
積が広がり、ターゲット利用率が、非磁性体で３６％以
上１強磁性体でも３０チ程度と非常に高い利用率を得る
ことができる。
発明の効果
以上のように本発明は、ターゲットとプラズマ収束用マ
グネットの間に移動可能なフラックスガイドを配置した
ものであるため、ターゲットの浸食面積をひろげること
ができ、ターゲット利用率３０％以上と非常に利用効率
の高いという優れた効果が得られる。
グネットの間に移動可能なフラックスガイドを配置した
ものであるため、ターゲットの浸食面積をひろげること
ができ、ターゲット利用率３０％以上と非常に利用効率
の高いという優れた効果が得られる。
第１図は従来のスパッタリング装置のスパッタガンの構
造を示す断面図、第２図は従来のスパッタリング装置で
使用したターゲットの浸食状態を示す斜視図、第３図は
従来のスパッタリング装置で使用したターゲットの浸食
状態を示す断面図、第４図は本発明の一実施例における
スパッタリング装置のスパッタガンの構造を示す断面図
である。 １１１１・・・・・・ターゲット、２．１２・・・・・
冷却板、３．１３・・・・・・プラズマ収束用マグネッ
ト、１４・・・・７ラツクスガイド。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図
造を示す断面図、第２図は従来のスパッタリング装置で
使用したターゲットの浸食状態を示す斜視図、第３図は
従来のスパッタリング装置で使用したターゲットの浸食
状態を示す断面図、第４図は本発明の一実施例における
スパッタリング装置のスパッタガンの構造を示す断面図
である。 １１１１・・・・・・ターゲット、２．１２・・・・・
冷却板、３．１３・・・・・・プラズマ収束用マグネッ
ト、１４・・・・７ラツクスガイド。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図
Claims (1)
- スパッタリング用ターゲットと、前記ターゲットに対向
して設けられたプラズマ収束用マグネットと、前記ター
ゲットとマグネットの間に移動可能に設けられたフラッ
クスガイドとを具備することを特徴とするスパッタリン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179833A JPS6160880A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179833A JPS6160880A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6160880A true JPS6160880A (ja) | 1986-03-28 |
| JPH0351788B2 JPH0351788B2 (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=16072691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59179833A Granted JPS6160880A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6160880A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165771A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロンスパッタカソード |
| JPH04128372A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-28 | Shinku Kikai Kogyo Kk | スパッタリング方法および装置 |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP59179833A patent/JPS6160880A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165771A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロンスパッタカソード |
| JPH04128372A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-28 | Shinku Kikai Kogyo Kk | スパッタリング方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0351788B2 (ja) | 1991-08-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |