JPS6160883A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPS6160883A JPS6160883A JP59181748A JP18174884A JPS6160883A JP S6160883 A JPS6160883 A JP S6160883A JP 59181748 A JP59181748 A JP 59181748A JP 18174884 A JP18174884 A JP 18174884A JP S6160883 A JPS6160883 A JP S6160883A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、オーディオ・テープ、ビデオ・テープに保護
コーティング用薄膜を形成する場合等に用いることがで
きる薄膜形成装置に関するものである。
コーティング用薄膜を形成する場合等に用いることがで
きる薄膜形成装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、薄膜を用いた表面保護技術が磁気記録媒体、磁気
ヘッド、光学レンズ、切削工具等に応用されつつある。
ヘッド、光学レンズ、切削工具等に応用されつつある。
薄膜の形成方法の一つであるプラズマＣＶＤ法は、多種
多様な物質の薄膜が形成可能なこと、はとんど、薄膜を
形成せんとする基板（以下、基板と略記する）に熱によ
る材質変化を生じさせない程度の低温環境下で薄膜が形
成できること、および、反応気体材料の組合せと形成制
御（でより全く新しい構造・組成の薄膜が製造できるこ
となどの特徴をもっており、今後、応用範囲は更に広が
るものと考えられる。
多様な物質の薄膜が形成可能なこと、はとんど、薄膜を
形成せんとする基板（以下、基板と略記する）に熱によ
る材質変化を生じさせない程度の低温環境下で薄膜が形
成できること、および、反応気体材料の組合せと形成制
御（でより全く新しい構造・組成の薄膜が製造できるこ
となどの特徴をもっており、今後、応用範囲は更に広が
るものと考えられる。
第１図は従来使用されていた、圧力の異なる２つの真空
容器で構成され、一方の真空容器で発生させられたプラ
ズマガスがもう一方の真空容器内へ、前記両容器の圧力
差によって流するプラズマ重合処理による薄膜形成装置
（以下、吹出し型プラズマＣＶＤ装置、と略記する。）
の−例示である。
容器で構成され、一方の真空容器で発生させられたプラ
ズマガスがもう一方の真空容器内へ、前記両容器の圧力
差によって流するプラズマ重合処理による薄膜形成装置
（以下、吹出し型プラズマＣＶＤ装置、と略記する。）
の−例示である。
１はプラズマ発生管２内の圧力検出器、２はプラズマ発
生管、３は高周波加熱用コイルで４の高周波電源と組合
わされて反応ガス１４の流量調整用ニードルパルプであ
り、６は反応ガスパイプである。７はプラズマ発生管２
に対するもう一方の真空容器、８は７内の圧力検出器で
ある。９はプラズマ吹出し口であり、１ｏはプラズマガ
ス流である。１１は薄膜を形成せんとする基板、１２は
基板１１の支持台である。１３は真空容器７の排気口で
ある。１４は反応ガスで、１６は排気ガスである。
生管、３は高周波加熱用コイルで４の高周波電源と組合
わされて反応ガス１４の流量調整用ニードルパルプであ
り、６は反応ガスパイプである。７はプラズマ発生管２
に対するもう一方の真空容器、８は７内の圧力検出器で
ある。９はプラズマ吹出し口であり、１ｏはプラズマガ
ス流である。１１は薄膜を形成せんとする基板、１２は
基板１１の支持台である。１３は真空容器７の排気口で
ある。１４は反応ガスで、１６は排気ガスである。
一方の真空容器であるプラズマ発生管２、もう一方の真
空容器７は、反応ガス１４がプラズマ発生管２内へ流入
する以前に１０ Ｔｏｒｒのオーダーに排気口１３から
真空引きされている。しかる後に反応ガス１４は所定の
流量が流れる様にニードルパルプ５で調整された後にプ
ラズマ発生管２内へ流入する。プラズマ発生管２はプラ
ズマガス吹出し口９、管本体２、管内圧力検出器１、高
周波加熱用コイル３で構成されており、反応ガス１４は
インピーダンスマツチングのとられた高周波電源４と高
周波加熱用コイル３により加熱されプラズマ状態となる
。プラズマガスは吹出し口９より噴出し、プラズマガス
流１０となり同図中に示す如く基板に吹付けられ、基板
１１上に薄膜が形成されていくが、この工程中、真空容
器７は排気口１３から常に排気されている。
空容器７は、反応ガス１４がプラズマ発生管２内へ流入
する以前に１０ Ｔｏｒｒのオーダーに排気口１３から
真空引きされている。しかる後に反応ガス１４は所定の
流量が流れる様にニードルパルプ５で調整された後にプ
ラズマ発生管２内へ流入する。プラズマ発生管２はプラ
ズマガス吹出し口９、管本体２、管内圧力検出器１、高
周波加熱用コイル３で構成されており、反応ガス１４は
インピーダンスマツチングのとられた高周波電源４と高
周波加熱用コイル３により加熱されプラズマ状態となる
。プラズマガスは吹出し口９より噴出し、プラズマガス
流１０となり同図中に示す如く基板に吹付けられ、基板
１１上に薄膜が形成されていくが、この工程中、真空容
器７は排気口１３から常に排気されている。
しかしながら上記のような、従来の吹出し型プラズマＣ
ＶＤ装置においてはプラズマガスはただ単に機械的に基
板に吹付けられるためプラズマ重合反応種でちるイオン
種、ラジカル種の多くは基板上へ到達しないまま排気さ
れてし１い、反応ガスの体積的有効利用が行なわれず、
薄膜の成膜速度は工業的に前記吹出し型プラズマＣＶＤ
装置を活用するためには小さいという欠点があった。
ＶＤ装置においてはプラズマガスはただ単に機械的に基
板に吹付けられるためプラズマ重合反応種でちるイオン
種、ラジカル種の多くは基板上へ到達しないまま排気さ
れてし１い、反応ガスの体積的有効利用が行なわれず、
薄膜の成膜速度は工業的に前記吹出し型プラズマＣＶＤ
装置を活用するためには小さいという欠点があった。
発明の目的
本発明は、前記の如き従来の吹出し型プラズマＣＶＤ装
置を改良したもので基板へ直接、または、間接的に負バ
イアスを印加することによって、基板近傍のプラズマガ
スにイオン種が負に印加されている基板方向へ加速され
る様な電界を故意につくり、プラズマガス流中のイオン
種、およびイオン種との衝突によってラジカル種の基板
上への到達速度を増加させ、その結果、薄膜の成膜速度
を増加させ、吹出し型プラズマＣＶＤ方法を工業的に利
用できるほどに成膜速度を大きくすることを目的として
いる。
置を改良したもので基板へ直接、または、間接的に負バ
イアスを印加することによって、基板近傍のプラズマガ
スにイオン種が負に印加されている基板方向へ加速され
る様な電界を故意につくり、プラズマガス流中のイオン
種、およびイオン種との衝突によってラジカル種の基板
上への到達速度を増加させ、その結果、薄膜の成膜速度
を増加させ、吹出し型プラズマＣＶＤ方法を工業的に利
用できるほどに成膜速度を大きくすることを目的として
いる。
発明の構成
本発明は、圧力の異なる２つの真空容器で構成され、一
方の真空容器内で発生させられたプラズマガスが他方の
真空容器内へ、前記両容器の圧力差によって流入するプ
ラズマ重合処理による薄膜形成装置において、プラズマ
ガスが吹付けられる上への到達速度を増加させることが
できるため薄膜の成膜速度が従来に比べ増加し薄膜製造
工程時間の短縮化、および、薄膜形成に対する反応ガス
の体積利用効率が増大しコスト低減も行なえる。
方の真空容器内で発生させられたプラズマガスが他方の
真空容器内へ、前記両容器の圧力差によって流入するプ
ラズマ重合処理による薄膜形成装置において、プラズマ
ガスが吹付けられる上への到達速度を増加させることが
できるため薄膜の成膜速度が従来に比べ増加し薄膜製造
工程時間の短縮化、および、薄膜形成に対する反応ガス
の体積利用効率が増大しコスト低減も行なえる。
実施例の説明
第２図は本発明における薄膜形成装置を示している。一
方の真空容器であるプラズマ発生管１７、もう一方の真
空容器２２は、反応ガス３１がプラズマ発生管１７内へ
流入する以前に１０ Ｔｏｒｒのオーダーに排気口３
２から真空引きされている。
方の真空容器であるプラズマ発生管１７、もう一方の真
空容器２２は、反応ガス３１がプラズマ発生管１７内へ
流入する以前に１０ Ｔｏｒｒのオーダーに排気口３
２から真空引きされている。
しかる後に反応ガス３１が所定の流量流れる様にニード
ルパルプ２ｏで調整された後にプラズマ発生管１７へ流
入する。プラズマ発生管１了はプラズマ吹出口２４、管
内圧力検出器１６、高周波加熱用コイル１８で構成され
ており、反応ガス３１はインピーダンスマツチングのと
られた高周波電源１９と高周波加熱用コイル１８により
加熱されプラズマ状態となる。第２図に示す如き我々の
薄膜形成装置では、反応ガス３１がプラズマ発生管Ｔ内
へ流入している際にはプラズマ発生管１７内圧力が０．
Ｉ Ｔｏｒｒ １真空容器２２内圧力が１Ｏ−４Ｔｏｒ
ｒの場合、反応ガス３１の流ｆｉ：は７０ ａｄ／ｍｉ
ｎである。プラズマガスは吹出口２４より出、プラズ
マ流２５が例えば第２図に示す如く基板２６に吹付けら
れる。基板２６は間接的にバイアスを印加する場合は、
基板が一対の導電性物体２７．２８中に設置され導電性
物体２７．２８にバイアス印加電源２９が接続され基板
２６に間接的にバイアスが印加される。あるいは、導電
性物体２了にのみバイアス電圧が印加されてもかまわな
い。バイアス印加電源２９は直流、脈流のどちらでもよ
く、また、導電性物体２７．２８の極性はプラズマガス
吹出口２４側に設置されている導電性物体２８が正、他
方の導電性物体２７が負とした方が望ましい。基板２６
に直接的にバイアスを印加する場合には、基板２６の材
質が導電性のときに可能であり、基板２６にバイアスを
直接印加し対向する導電性物体２８をもう一方の電極と
して用いてもよく、また、基板２６にのみバイアス電圧
を印加してもかまわない。
ルパルプ２ｏで調整された後にプラズマ発生管１７へ流
入する。プラズマ発生管１了はプラズマ吹出口２４、管
内圧力検出器１６、高周波加熱用コイル１８で構成され
ており、反応ガス３１はインピーダンスマツチングのと
られた高周波電源１９と高周波加熱用コイル１８により
加熱されプラズマ状態となる。第２図に示す如き我々の
薄膜形成装置では、反応ガス３１がプラズマ発生管Ｔ内
へ流入している際にはプラズマ発生管１７内圧力が０．
Ｉ Ｔｏｒｒ １真空容器２２内圧力が１Ｏ−４Ｔｏｒ
ｒの場合、反応ガス３１の流ｆｉ：は７０ ａｄ／ｍｉ
ｎである。プラズマガスは吹出口２４より出、プラズ
マ流２５が例えば第２図に示す如く基板２６に吹付けら
れる。基板２６は間接的にバイアスを印加する場合は、
基板が一対の導電性物体２７．２８中に設置され導電性
物体２７．２８にバイアス印加電源２９が接続され基板
２６に間接的にバイアスが印加される。あるいは、導電
性物体２了にのみバイアス電圧が印加されてもかまわな
い。バイアス印加電源２９は直流、脈流のどちらでもよ
く、また、導電性物体２７．２８の極性はプラズマガス
吹出口２４側に設置されている導電性物体２８が正、他
方の導電性物体２７が負とした方が望ましい。基板２６
に直接的にバイアスを印加する場合には、基板２６の材
質が導電性のときに可能であり、基板２６にバイアスを
直接印加し対向する導電性物体２８をもう一方の電極と
して用いてもよく、また、基板２６にのみバイアス電圧
を印加してもかまわない。
第２図に示した例の場合、一方の電極２８はプラズマ発
生管の吹出口２４に取付けられているが、例えば第３図
に示す如くプラズマガス流３５が基板３７に対し横方向
から吹出す例においては、電極３６はプラズマ発生管の
吹出口３３に取付けられる必要はなく同図に示す様に電
極３６．３８は平行に対向していてもよく、あるいは、
任意の角度をもって対向していてもかまわない。基板３
了と吹出口３４、および、電極３６との間隔、また、電
極３８と吹出口３４、および、電極３６との間隔は任意
でよく、更にこれら４者の相対角度も任意であってよい
。
生管の吹出口２４に取付けられているが、例えば第３図
に示す如くプラズマガス流３５が基板３７に対し横方向
から吹出す例においては、電極３６はプラズマ発生管の
吹出口３３に取付けられる必要はなく同図に示す様に電
極３６．３８は平行に対向していてもよく、あるいは、
任意の角度をもって対向していてもかまわない。基板３
了と吹出口３４、および、電極３６との間隔、また、電
極３８と吹出口３４、および、電極３６との間隔は任意
でよく、更にこれら４者の相対角度も任意であってよい
。
前記の如き電極、基板とプラズマ吹出口との間隔、およ
び、相対角度、および電源の種類、などの選択において
、例えば第２図に示す如く設置し、電極２８を正極、電
極２７を負極として基板２６に間接的に直流負バイアス
を印加した場合、プラズマ流２５中に存在するイオン種
は基板が設置されている負電極２了方向へ電場により加
速されると同時に同じくプラズマ流２６中に存在するラ
ジカル種と衝突することばよってラジカル種も基板方向
に加速される。プラズマＣＶＤにおいては膜成長機構は
イオン反応、あるいはラジカル反応であや、本発明によ
ればその両反応を促進するため薄膜の成膜速度が従来の
負バイアスを印加しない吹出し型ＣＶＤ装置による成膜
速度よりも増加する。
び、相対角度、および電源の種類、などの選択において
、例えば第２図に示す如く設置し、電極２８を正極、電
極２７を負極として基板２６に間接的に直流負バイアス
を印加した場合、プラズマ流２５中に存在するイオン種
は基板が設置されている負電極２了方向へ電場により加
速されると同時に同じくプラズマ流２６中に存在するラ
ジカル種と衝突することばよってラジカル種も基板方向
に加速される。プラズマＣＶＤにおいては膜成長機構は
イオン反応、あるいはラジカル反応であや、本発明によ
ればその両反応を促進するため薄膜の成膜速度が従来の
負バイアスを印加しない吹出し型ＣＶＤ装置による成膜
速度よりも増加する。
第４図は第２図に示した本発明の実施例による成膜速度
の一実験例である。横軸は第２図に示す電極２７．２８
間の電圧であり、基板側の電極２７に負バイアスを印加
しているため負符号を付けている。縦軸は成膜速度であ
る。電極２７．２８は１ｏｃｒｎ×１ｏｃｒｎのステン
レス製正方形板で、電極２ア、２８の間隔は１５閣であ
った。基板はガラ ・ス板を用いた。
１同図は第２図に示したプラズマ
発生管１７内の圧力が０．１ Ｔｏｒｒ 、高周波電
源１９の電力が５００Ｗ、プラズマ吹出し口２４と基板
２６との間隔が１０ｍｍの場合の実験結果である。バイ
アス電圧がｏＫＶでの成膜速度は、従来の吹出し型プラ
ズマＣＶＤ装置による値で３６５人／ｍｉｎであった。
の一実験例である。横軸は第２図に示す電極２７．２８
間の電圧であり、基板側の電極２７に負バイアスを印加
しているため負符号を付けている。縦軸は成膜速度であ
る。電極２７．２８は１ｏｃｒｎ×１ｏｃｒｎのステン
レス製正方形板で、電極２ア、２８の間隔は１５閣であ
った。基板はガラ ・ス板を用いた。
１同図は第２図に示したプラズマ
発生管１７内の圧力が０．１ Ｔｏｒｒ 、高周波電
源１９の電力が５００Ｗ、プラズマ吹出し口２４と基板
２６との間隔が１０ｍｍの場合の実験結果である。バイ
アス電圧がｏＫＶでの成膜速度は、従来の吹出し型プラ
ズマＣＶＤ装置による値で３６５人／ｍｉｎであった。
・くイアスミ圧の増加に従い成膜速度の増加は明らかで
あり本発明の効果が著るーしいことを示している。
あり本発明の効果が著るーしいことを示している。
成膜速度はバイアス電圧が−１，５ＫＶにて最大値１２
５５Ａ／ｍｉｎ となり、以降バイアス電圧を増加さ
せるに従い成膜速度が減少していくが、一般にプラズマ
ＣＶＤでは成膜と、イオン・ラジカルによる薄膜のエツ
チングが同時に進行しており、本実施例においてバイア
ス電圧が−１，ｓＫＶより大きい場合ではエツチング作
用による膜成分の原子・分子のたたき出し速度が、膜の
堆積速度より大きくなったためであると推定されるが、
確証をつかむため実験を行なう。かくして基板上に薄膜
が）：成されていくが、この工程中、真空容器２２はα
０３ｏより常に排気されている。
５５Ａ／ｍｉｎ となり、以降バイアス電圧を増加さ
せるに従い成膜速度が減少していくが、一般にプラズマ
ＣＶＤでは成膜と、イオン・ラジカルによる薄膜のエツ
チングが同時に進行しており、本実施例においてバイア
ス電圧が−１，ｓＫＶより大きい場合ではエツチング作
用による膜成分の原子・分子のたたき出し速度が、膜の
堆積速度より大きくなったためであると推定されるが、
確証をつかむため実験を行なう。かくして基板上に薄膜
が）：成されていくが、この工程中、真空容器２２はα
０３ｏより常に排気されている。
次に、コイル状導電性物体を用いたプラズマ重合処理に
よる薄膜形成装置の実施例を第５図に示す。第６図は基
板、および、本発明に基づく正負電極の近傍概略図であ
り、プラズマ重合処理による薄膜形成装置の構成として
は、例えば第２図に示す如く前記薄膜形成装置において
、番号２４゜２５．２６，２７，２８．２９の構成要素
が設置されていた如く番号４０，４１．４２，４３゜４
４．４５が設置構成されてもかまわない。第５図におい
て、４０はプラズマガス吹出し口、４１はコイル状導電
性物体であり例えば４６の導電性物体と４３のバイアス
印加電源とによって、基板４４へ吹付けられるプラズマ
ガス流４２中のイオン種、およびラジカル種を基板４４
方向へ電気力的に加速するだめの要素である。
よる薄膜形成装置の実施例を第５図に示す。第６図は基
板、および、本発明に基づく正負電極の近傍概略図であ
り、プラズマ重合処理による薄膜形成装置の構成として
は、例えば第２図に示す如く前記薄膜形成装置において
、番号２４゜２５．２６，２７，２８．２９の構成要素
が設置されていた如く番号４０，４１．４２，４３゜４
４．４５が設置構成されてもかまわない。第５図におい
て、４０はプラズマガス吹出し口、４１はコイル状導電
性物体であり例えば４６の導電性物体と４３のバイアス
印加電源とによって、基板４４へ吹付けられるプラズマ
ガス流４２中のイオン種、およびラジカル種を基板４４
方向へ電気力的に加速するだめの要素である。
第６図に示す実施例によるプラズマ重合処理による薄膜
形成装置の動作は、例えば前記の第２図、および、第３
図に例示したプラズマ重合処理による薄膜形成装置の動
作と同じでもかまわない。例えば、第５図のコイル状導
電性物体にはもう一方の導電性物体４６に比べ高い電圧
が印加されるが、電源４３は直流でも、あるいは、脈流
でもかまわないことはいうまでもない。また、プラズマ
ガス流４２と基板との角度、および、プラズマガス吹出
し口４０、コイル状導電性物体４１．基板４４、導電性
物体４５間の間隔は任意である。
形成装置の動作は、例えば前記の第２図、および、第３
図に例示したプラズマ重合処理による薄膜形成装置の動
作と同じでもかまわない。例えば、第５図のコイル状導
電性物体にはもう一方の導電性物体４６に比べ高い電圧
が印加されるが、電源４３は直流でも、あるいは、脈流
でもかまわないことはいうまでもない。また、プラズマ
ガス流４２と基板との角度、および、プラズマガス吹出
し口４０、コイル状導電性物体４１．基板４４、導電性
物体４５間の間隔は任意である。
また、バイアス電圧は、コイル状導電性物体４１、基板
４４、導電性物体４６の少なくとも一つに印加されても
かまわないが、一般に基板４４は絶縁性物質が多く、第
５図に示す如くバイアスを印加する方法が成膜速度増加
の効果は大きい。
４４、導電性物体４６の少なくとも一つに印加されても
かまわないが、一般に基板４４は絶縁性物質が多く、第
５図に示す如くバイアスを印加する方法が成膜速度増加
の効果は大きい。
発明の効果
以上のように本発明によればバイアス電圧を最適に選択
設定すれば、従来の吹出し型プラズマＣＶＤ装置に比べ
成膜速度が大いに増加することによって、薄膜形成工程
時間の短縮が行なえるばかりでなく、反応ガスの体積利
用率が増大し、薄膜形成のコストの低減が可能である。
設定すれば、従来の吹出し型プラズマＣＶＤ装置に比べ
成膜速度が大いに増加することによって、薄膜形成工程
時間の短縮が行なえるばかりでなく、反応ガスの体積利
用率が増大し、薄膜形成のコストの低減が可能である。
第１図は従来例における薄膜形成装置の原理図、第２図
は本発明の一実施例における薄膜形成装置の原理図、第
３図は同装置の基板の設置される電極付近の他の実施例
の原理図、第４図は同装置説明のだめの特性図、第５図
は同地の実施例における薄膜形成装置の原理図である。 ２８．３６・・・・・・バイアス印加用導電性物体、２
７゜３８．４５・・・・・・バイアス印加用導電性物体
、２６゜３７．４４・・・・・・基板、２９．３９．４
３・・・・・・バイアス印加電源、４１・・・・・・バ
イアス印加用コイル状導電性物体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
は本発明の一実施例における薄膜形成装置の原理図、第
３図は同装置の基板の設置される電極付近の他の実施例
の原理図、第４図は同装置説明のだめの特性図、第５図
は同地の実施例における薄膜形成装置の原理図である。 ２８．３６・・・・・・バイアス印加用導電性物体、２
７゜３８．４５・・・・・・バイアス印加用導電性物体
、２６゜３７．４４・・・・・・基板、２９．３９．４
３・・・・・・バイアス印加電源、４１・・・・・・バ
イアス印加用コイル状導電性物体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (5)
- （１）圧力の異なる２つの真空容器を備え、一方の真空
器内で発生したプラズマガスを他方の真空容器内へ前記
両真空容器内の圧力差によって流入するよう構成すると
ともに、この流入したプラズマガスによる重合処理によ
って基板上に薄膜を形成するよう構成し、上記プラズマ
ガスを電界によって加速して前記基板に当てる電界発生
手段を設けた薄膜形成装置。 - （２）一方の真空容器を出たプラズマガスを加速するよ
うにした特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。 - （３）基板またはこの基板を載置する導電物体の一方に
バイアス電圧を加えた特許請求の範囲第１項記載の薄膜
形成装置。 - （４）基板を間にして一対の導電体を設け、この導電体
間にバイアスを印加するようにした特許請求の範囲第１
項記載の薄膜形成装置。 - （５）導電体の一方をコイル状導電物質によって構成し
プラズマガスをこのコイル状導電物質の中心部を軸方向
に流れるようにした特許請求の範囲第４項記載の薄膜形
成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181748A JPS6160883A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 薄膜形成装置 |
| US06/803,001 US4645977A (en) | 1984-08-31 | 1985-11-29 | Plasma CVD apparatus and method for forming a diamond like carbon film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181748A JPS6160883A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6160883A true JPS6160883A (ja) | 1986-03-28 |
Family
ID=16106189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59181748A Pending JPS6160883A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6160883A (ja) |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59181748A patent/JPS6160883A/ja active Pending
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