JPS6161159A - スプレ−現像法 - Google Patents
スプレ−現像法Info
- Publication number
- JPS6161159A JPS6161159A JP59183580A JP18358084A JPS6161159A JP S6161159 A JPS6161159 A JP S6161159A JP 59183580 A JP59183580 A JP 59183580A JP 18358084 A JP18358084 A JP 18358084A JP S6161159 A JPS6161159 A JP S6161159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- development
- good solvent
- resist
- predetermined value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B63—SHIPS OR OTHER WATERBORNE VESSELS; RELATED EQUIPMENT
- B63H—MARINE PROPULSION OR STEERING
- B63H23/00—Transmitting power from propulsion power plant to propulsive elements
- B63H23/30—Transmitting power from propulsion power plant to propulsive elements characterised by use of clutches
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Ocean & Marine Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、フォトマスク基板及び半導体基板等の基板の
パターン形成におけるレジスト塗布、露光■程後の現像
Ｊ稈において使用されるスプレー現像法に関する。
パターン形成におけるレジスト塗布、露光■程後の現像
Ｊ稈において使用されるスプレー現像法に関する。
レジストとしては、フォトレジスト、電子ヒームレジス
ト及びＸ線レジスト等が知られており、各レジストにつ
いて露光部分のレジストを溶解するポジ型ど、未露光部
分を溶解Ｊるネガ型がある。
ト及びＸ線レジスト等が知られており、各レジストにつ
いて露光部分のレジストを溶解するポジ型ど、未露光部
分を溶解Ｊるネガ型がある。
これ等のレジストを基板に塗布し、所定のパターンで露
光した後、スプレー現像法により現像されるが、このス
プレー現像法では基板を同転した状態で、その表面上に
現像液をそれぞれスプレーノズルより霧状に吹きつける
方法で行なわれている。
光した後、スプレー現像法により現像されるが、このス
プレー現像法では基板を同転した状態で、その表面上に
現像液をそれぞれスプレーノズルより霧状に吹きつける
方法で行なわれている。
現像液としては、その成分として、レジストを溶解Ｊる
溶媒即ち良溶媒と、溶解度を調節する溶媒即ち６溶媒ど
の混合液が使用される。そして現像後、レジストが現像
］二稈中に現像液を吸収して膨１ｌｖＩするために、そ
のレジスト中に吸収された現像液を溶かして取り除くた
めのリンス液をスプレーしている。
溶媒即ち良溶媒と、溶解度を調節する溶媒即ち６溶媒ど
の混合液が使用される。そして現像後、レジストが現像
］二稈中に現像液を吸収して膨１ｌｖＩするために、そ
のレジスト中に吸収された現像液を溶かして取り除くた
めのリンス液をスプレーしている。
そして、従来のスプレー現＊ｉでは、良溶媒と貧溶媒の
混合比を所定値に定めた（実際には、後述する通り、こ
の混合比は変化してしまう。）現像液を最初から終了ま
でスプレーしていることから、レジストの残りや色むら
が発ｇ］シがちであり、その発生を防１１−ツるために
、現像■稈とリンス■稈の間で中間リンス液（や）弱い
現像液）をスプレーしているが、これどＣルジス１〜の
残りや色むらを充分に除去することは困難であった。ま
た、現像液は良溶媒と６溶媒の各蒸気用が元々相違し、
しかも人気中に晒して使用されることから、イの混合比
が変化する欠点があった。
混合比を所定値に定めた（実際には、後述する通り、こ
の混合比は変化してしまう。）現像液を最初から終了ま
でスプレーしていることから、レジストの残りや色むら
が発ｇ］シがちであり、その発生を防１１−ツるために
、現像■稈とリンス■稈の間で中間リンス液（や）弱い
現像液）をスプレーしているが、これどＣルジス１〜の
残りや色むらを充分に除去することは困難であった。ま
た、現像液は良溶媒と６溶媒の各蒸気用が元々相違し、
しかも人気中に晒して使用されることから、イの混合比
が変化する欠点があった。
〔発明が解決しＪ、うどづ−る問題点〕本発明は、上記
］ノだ欠点を除去するためになされたものであり、中間
リンス液を使用づ−ることなく、１ノジス１〜の残りや
色むらの発４を防１］二したスプレー現像法を提供づる
ことを目的どする。
］ノだ欠点を除去するためになされたものであり、中間
リンス液を使用づ−ることなく、１ノジス１〜の残りや
色むらの発４を防１］二したスプレー現像法を提供づる
ことを目的どする。
本発明のスプレー現像法は、貧溶媒に対する良溶媒の混
合比が、現像型備Ｌ［稈において最小値から所定値まで
漸増し、埠像本工程において前記所定値を実質的に一定
に持続し、現像終了Ｔ稈において前記所定値から最小値
まで漸減することを特徴としている。
合比が、現像型備Ｌ［稈において最小値から所定値まで
漸増し、埠像本工程において前記所定値を実質的に一定
に持続し、現像終了Ｔ稈において前記所定値から最小値
まで漸減することを特徴としている。
ここで、現像液中の良溶媒と貧溶媒は、個々のレジメ１
−に対応して選定され、例λば、レジストがネガ型）第
１〜レジストＣｒＰ−２００（東洋曹達工業製）の場合
、良溶媒：キシ１ノンと貧溶媒：ヘプタンが、ポジ型電
子ピームレジス１〜ＰＢＳ （チッソ！ｌ！Ｊ）の場
合、良溶媒：メチルイソアルミルケン（１八Ｋ）と昔溶
媒：メチルブロピルケトン（ＨＰに）が、ポジ型電子ビ
ーノ、レジス１〜ＥＢＲ−９（東し製）の場合、良溶媒
；ノルマルプロピルアセテ−１へと貧溶媒：イソプロピ
ルアルコール（ＴＰ八）が、ネガ型電子ピームレジス］
−ＣＯＰ （ＨＥＡＤ製）の場合、良溶媒：メチル■
チルケ１−ン（ＨＥに）と７５溶媒：エタノールが、ネ
ガ型電子ピームレジス１−〇Ｈ３−ＥＸ （東洋費達Ｔ
業製）の場合、良溶媒：イソアミルアセテ−１へと６溶
媒；Ｔデルセロソルブがそれぞれ使用される。
−に対応して選定され、例λば、レジストがネガ型）第
１〜レジストＣｒＰ−２００（東洋曹達工業製）の場合
、良溶媒：キシ１ノンと貧溶媒：ヘプタンが、ポジ型電
子ピームレジス１〜ＰＢＳ （チッソ！ｌ！Ｊ）の場
合、良溶媒：メチルイソアルミルケン（１八Ｋ）と昔溶
媒：メチルブロピルケトン（ＨＰに）が、ポジ型電子ビ
ーノ、レジス１〜ＥＢＲ−９（東し製）の場合、良溶媒
；ノルマルプロピルアセテ−１へと貧溶媒：イソプロピ
ルアルコール（ＴＰ八）が、ネガ型電子ピームレジス］
−ＣＯＰ （ＨＥＡＤ製）の場合、良溶媒：メチル■
チルケ１−ン（ＨＥに）と７５溶媒：エタノールが、ネ
ガ型電子ピームレジス１−〇Ｈ３−ＥＸ （東洋費達Ｔ
業製）の場合、良溶媒：イソアミルアセテ−１へと６溶
媒；Ｔデルセロソルブがそれぞれ使用される。
第１図は本発明のスプレー現＠法を使用１−る装百例を
示す。
示す。
本例のフォトマスク基板１ ｌｅｔ、水現像工程前に、
石英ガラス板にクロム躾（膜厚：８００人）を被着し、
レジス１〜としてネガ型電子ビームレジストＰＧＨＡ（
東京応化製、膜厚： ４０００人）の塗布と、このレジ
ストに対しｌ所定のパターンの電子ビーム露光が行なわ
れている。この基板１は、スプレー装冒２内の支持台３
に設置され、この支持台３と連結されているｔ−ター４
に駆動信号Ｓ＋ を制御回路６から供給して回転される
。ノズル２２は、基板１の表面に対して一定の角度で向
（−Ｊられ、スプレーされる現像液が３１根１の表面（
正方形）十にそのλ１角線方向にΩ甲した艮円弧内に分
布さ１６る構造になっている。現像液の廃液はチャンバ
ー２の底部から矢印５の方向に流出される。
石英ガラス板にクロム躾（膜厚：８００人）を被着し、
レジス１〜としてネガ型電子ビームレジストＰＧＨＡ（
東京応化製、膜厚： ４０００人）の塗布と、このレジ
ストに対しｌ所定のパターンの電子ビーム露光が行なわ
れている。この基板１は、スプレー装冒２内の支持台３
に設置され、この支持台３と連結されているｔ−ター４
に駆動信号Ｓ＋ を制御回路６から供給して回転される
。ノズル２２は、基板１の表面に対して一定の角度で向
（−Ｊられ、スプレーされる現像液が３１根１の表面（
正方形）十にそのλ１角線方向にΩ甲した艮円弧内に分
布さ１６る構造になっている。現像液の廃液はチャンバ
ー２の底部から矢印５の方向に流出される。
現＠液を構成Ｊる良溶媒７（本例：メチルエブルケ１〜
ン）と貧溶媒８（本例：イソプ［１ピルアル］−ル）は
、それぞれの容器に収容され、パイプ９と１０を通して
、流量調整器１１と１２に供給される。
ン）と貧溶媒８（本例：イソプ［１ピルアル］−ル）は
、それぞれの容器に収容され、パイプ９と１０を通して
、流量調整器１１と１２に供給される。
この流量調整器１１と１２は、制御回路６の制御信号Ｓ
２と８３に応じて、弁の開き度合を調整し、良溶媒７と
６溶媒８の各流量を調整する。本例では、第２図（ａ）
及び（１））に示づように、時刻ｔｏ （０秒）から
時刻ｊ＋（３０秒）までは、良溶媒７の流量を最小値Ｑ
（ｃｃ／分）から所定＃Ｎ４０（ｃｃ／分）まで徐々に
漸増し、１与溶ｔＢ８の流量を最大値１００（ＣＣ７分
）から所定値６０ （ｃｃ／分）まで徐々に漸減し、時
刻ｔ、（３０秒）から時刻ｔ、２（９０秒）までは、良
溶媒７と１Ｎ溶Ｗ、８の各流量をほぼ一定の所定値４０
（ｃｃ／分）と６０（ｃｃ／分）に持続し、時刻１：２
（９０秒）から時刻ｔ３（１３０秒）までは、良溶媒７
の流量を所定値４０ （ｃｃ／分）から最小値０（ＣＣ
７分）まで徐々に漸減し、貧溶媒８の流量を所定値６０
（ｃｃ／分）から最大値１００ （ｃｃ／分）まで徐々
に漸増し、ぞして時刻ｔ、 （１３０秒）から時刻ｔ
、４（１７０秒）までは、良溶媒７と貧溶媒８の各流量
を最小１ｉｎｅ（ｃｃ／分）と最大値１００（ＣＣ７分
）に持続して終了する。換言すれば、貧溶媒８に対する
良溶媒７の混合比率は、第２図（Ｃ）に示すように時刻
ｉｏ （０秒）から時刻ｔ１（３０秒）までの現像準
備工程において、最小値Ｏ％から所定値４０％まで徐々
に漸増し、時刻ｔ１（３０秒）から時刻ｔ２（９０秒）
までの現像本工程においで、所定値４０％をほぼ一定に
持続し、時刻ｔ：２（９０秒）から時刻ｉ３（１３０秒
）までの現像終了■稈において、所定値４０％から最小
値Ｏ％まで徐々に漸減し、次に時刻ｔ３（１３０秒）か
ら時刻ｊ４（１７０秒）までのリンス■稈において、最
小値Ｏ％となり即ち同図（ａ）及び（１１）に示すよう
に貧溶媒８のみの流ｔＮ １００（ｃｃ／分）を流す
ことになる。
２と８３に応じて、弁の開き度合を調整し、良溶媒７と
６溶媒８の各流量を調整する。本例では、第２図（ａ）
及び（１））に示づように、時刻ｔｏ （０秒）から
時刻ｊ＋（３０秒）までは、良溶媒７の流量を最小値Ｑ
（ｃｃ／分）から所定＃Ｎ４０（ｃｃ／分）まで徐々に
漸増し、１与溶ｔＢ８の流量を最大値１００（ＣＣ７分
）から所定値６０ （ｃｃ／分）まで徐々に漸減し、時
刻ｔ、（３０秒）から時刻ｔ、２（９０秒）までは、良
溶媒７と１Ｎ溶Ｗ、８の各流量をほぼ一定の所定値４０
（ｃｃ／分）と６０（ｃｃ／分）に持続し、時刻１：２
（９０秒）から時刻ｔ３（１３０秒）までは、良溶媒７
の流量を所定値４０ （ｃｃ／分）から最小値０（ＣＣ
７分）まで徐々に漸減し、貧溶媒８の流量を所定値６０
（ｃｃ／分）から最大値１００ （ｃｃ／分）まで徐々
に漸増し、ぞして時刻ｔ、 （１３０秒）から時刻ｔ
、４（１７０秒）までは、良溶媒７と貧溶媒８の各流量
を最小１ｉｎｅ（ｃｃ／分）と最大値１００（ＣＣ７分
）に持続して終了する。換言すれば、貧溶媒８に対する
良溶媒７の混合比率は、第２図（Ｃ）に示すように時刻
ｉｏ （０秒）から時刻ｔ１（３０秒）までの現像準
備工程において、最小値Ｏ％から所定値４０％まで徐々
に漸増し、時刻ｔ１（３０秒）から時刻ｔ２（９０秒）
までの現像本工程においで、所定値４０％をほぼ一定に
持続し、時刻ｔ：２（９０秒）から時刻ｉ３（１３０秒
）までの現像終了■稈において、所定値４０％から最小
値Ｏ％まで徐々に漸減し、次に時刻ｔ３（１３０秒）か
ら時刻ｊ４（１７０秒）までのリンス■稈において、最
小値Ｏ％となり即ち同図（ａ）及び（１１）に示すよう
に貧溶媒８のみの流ｔＮ １００（ｃｃ／分）を流す
ことになる。
このように流量調整された良溶媒７と貧溶媒８は、パイ
プ１３と１４及び連結パイプ１５を通して液混合器１６
４こ供給される。この液混合器１６は、ジグザグ状の流
体通路を構成して、乱流を起こし、良溶媒７と貧溶１１
１Ｂを混合する。混合された良溶媒７と６溶媒８はパイ
プ１７を通して検出器１８に供給される。この検出器１
８は、例えば、赤外線を照射して屈折率又は赤外線吸収
量等の検出因子を検出し、この検出因子が電圧変換され
た制御信号Ｓ４を制御回路６に供給し、制御回路６から
前述した流ｈ１調整器１１と１２への制御信号Ｓ２と８
３を制御する。
プ１３と１４及び連結パイプ１５を通して液混合器１６
４こ供給される。この液混合器１６は、ジグザグ状の流
体通路を構成して、乱流を起こし、良溶媒７と貧溶１１
１Ｂを混合する。混合された良溶媒７と６溶媒８はパイ
プ１７を通して検出器１８に供給される。この検出器１
８は、例えば、赤外線を照射して屈折率又は赤外線吸収
量等の検出因子を検出し、この検出因子が電圧変換され
た制御信号Ｓ４を制御回路６に供給し、制御回路６から
前述した流ｈ１調整器１１と１２への制御信号Ｓ２と８
３を制御する。
本例では、屈折率を検出して、前述した貧溶媒８に対す
る良溶媒７の混合比率が０％のとき、屈折率が０．８で
あり、４０％のとぎ、屈折率が０．７であることから、
第２図（Ｃ）に示した混合比率に対応して、屈折率が同
図（（１）に示すように制御される。
る良溶媒７の混合比率が０％のとき、屈折率が０．８で
あり、４０％のとぎ、屈折率が０．７であることから、
第２図（Ｃ）に示した混合比率に対応して、屈折率が同
図（（１）に示すように制御される。
このＪ：うに制御された良溶媒７と貧溶媒８を混合して
なる現像液は、パイプ１９を通して送液ポンプ２０で吸
い上げられ、パイプ２１を通して前述したノズル２２か
ら霧状にスプレーされる。なお、この送液ポンプ２０は
、制御回路６の駆動信号Ｓ５により駆動し、最初の良溶
媒７と６溶媒８をパイプ９ど１０からパイプ１９まで通
して吸い上げる。
なる現像液は、パイプ１９を通して送液ポンプ２０で吸
い上げられ、パイプ２１を通して前述したノズル２２か
ら霧状にスプレーされる。なお、この送液ポンプ２０は
、制御回路６の駆動信号Ｓ５により駆動し、最初の良溶
媒７と６溶媒８をパイプ９ど１０からパイプ１９まで通
して吸い上げる。
以上の実施例において、スプレ一対象物はフォ１−マス
クであったが、Ｓｉ等半導体基板番こＳｉ ０２等半導
体酸化物を被着した基板に各種レジス１〜を塗布して、
所定のパターンでそのレジメ１〜を露光したものでもよ
い。ｊ：た、レジストについては、フＡ１〜レジス１−
１電子ピームレジス１〜又はＸ線レジストのポジ型若し
くはネジ型の何れでもよく、現像液の良溶媒と６溶媒は
個々のレジストに対応しＩこものを使用すればよい。現
像準備工程及び現像終了］二枚にお【ノる良溶媒流量と
６溶媒に対する良溶媒混合比率の各最小値は０（ｃｃ／
分）であったが、これらの各所定値より小さくノればよ
い。勿論、各最小値が各所定値より小さくなければなる
稈、現像能力を徐々に増大し及び低減することから、本
発明の効果を奏する。
クであったが、Ｓｉ等半導体基板番こＳｉ ０２等半導
体酸化物を被着した基板に各種レジス１〜を塗布して、
所定のパターンでそのレジメ１〜を露光したものでもよ
い。ｊ：た、レジストについては、フＡ１〜レジス１−
１電子ピームレジス１〜又はＸ線レジストのポジ型若し
くはネジ型の何れでもよく、現像液の良溶媒と６溶媒は
個々のレジストに対応しＩこものを使用すればよい。現
像準備工程及び現像終了］二枚にお【ノる良溶媒流量と
６溶媒に対する良溶媒混合比率の各最小値は０（ｃｃ／
分）であったが、これらの各所定値より小さくノればよ
い。勿論、各最小値が各所定値より小さくなければなる
稈、現像能力を徐々に増大し及び低減することから、本
発明の効果を奏する。
以上の通り、本発明のスプレー現像法によれば、現像準
備Ｔ稈において、６溶媒に対する良溶媒の混合比率を徐
々に漸増し、現像終了■稈において、同混合比率を徐々
に漸減していることから、レジストの残りや色むらの各
発生を防１卜することができる。また、検出器とその制
御信号を通して、良溶媒と貧溶媒の各流量を調整すれば
、前述した混合比率を制御しながら、現像することがで
き、従来のような蒸気圧の差による混合比率の変化を考
慮して管理する必要が＜＞ ＜なり、現像作業を容易に
することができる。
備Ｔ稈において、６溶媒に対する良溶媒の混合比率を徐
々に漸増し、現像終了■稈において、同混合比率を徐々
に漸減していることから、レジストの残りや色むらの各
発生を防１卜することができる。また、検出器とその制
御信号を通して、良溶媒と貧溶媒の各流量を調整すれば
、前述した混合比率を制御しながら、現像することがで
き、従来のような蒸気圧の差による混合比率の変化を考
慮して管理する必要が＜＞ ＜なり、現像作業を容易に
することができる。
第１図は本発明のズブ１ノー現像法を使用する装置例を
示す図である。第２図は本発明のスプレー現像法の実施
例を示し、同図（ａ）は良溶媒流量、同図（ｂ）は貧溶
媒流量、同図（Ｃ）は貧溶媒に対する良溶媒混合比率及
び同図（ｄ）は屈折率のそれぞれ現像タイミング図であ
る。 １・・・露光されたレジスト付ぎ基板、７・・・良溶媒
、８・・・貧溶媒
示す図である。第２図は本発明のスプレー現像法の実施
例を示し、同図（ａ）は良溶媒流量、同図（ｂ）は貧溶
媒流量、同図（Ｃ）は貧溶媒に対する良溶媒混合比率及
び同図（ｄ）は屈折率のそれぞれ現像タイミング図であ
る。 １・・・露光されたレジスト付ぎ基板、７・・・良溶媒
、８・・・貧溶媒
Claims (1)
- （１）露光されたレジスト付き基板上に良溶媒と貧溶媒
を混合した現像液をスプレーするスプレー現像法におい
て、前記貧溶媒に対する前記良溶媒の混合比が、現像準
備工程において最小値から所定値まで漸増し、現像本工
程において前記所定値を実質的に一定に持続し、現像終
了工程において前記所定値から最小値まで漸減すること
を特徴とするスプレー現像法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183580A JPS6161159A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | スプレ−現像法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183580A JPS6161159A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | スプレ−現像法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161159A true JPS6161159A (ja) | 1986-03-28 |
Family
ID=16138298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59183580A Pending JPS6161159A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | スプレ−現像法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161159A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144444A (en) * | 1980-04-12 | 1981-11-10 | Victor Co Of Japan Ltd | Developing method |
| JPS56145332A (en) * | 1980-04-12 | 1981-11-12 | Victor Co Of Japan Ltd | Detecting device for state of proper development |
| JPS575046A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-11 | Nec Kyushu Ltd | Developing apparatus for photoresist |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59183580A patent/JPS6161159A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144444A (en) * | 1980-04-12 | 1981-11-10 | Victor Co Of Japan Ltd | Developing method |
| JPS56145332A (en) * | 1980-04-12 | 1981-11-12 | Victor Co Of Japan Ltd | Detecting device for state of proper development |
| JPS575046A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-11 | Nec Kyushu Ltd | Developing apparatus for photoresist |
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