JPS6161425A - 半導体ウエ−ハ洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハ洗浄装置Info
- Publication number
- JPS6161425A JPS6161425A JP18250284A JP18250284A JPS6161425A JP S6161425 A JPS6161425 A JP S6161425A JP 18250284 A JP18250284 A JP 18250284A JP 18250284 A JP18250284 A JP 18250284A JP S6161425 A JPS6161425 A JP S6161425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- semiconductor wafer
- overflow
- washing tank
- drained
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エツチング処理後の半導体ウェー／・を洗浄
する半導体クエーハ洗浄装置に関するものである。
する半導体クエーハ洗浄装置に関するものである。
半導体装置の製造工程において、アルミ電極上にボンデ
ィングするためにカバー膜に穴をあける工程がある。従
来、この工程でのエツチング処理後の半導体ウェーハを
洗浄するには、水洗槽内の洗浄液の一部を１〜２秒間引
き抜き、次いで純水を給水してオーバーフローさせるか
、或いはＮ２ガスによるバブリング、または超音波によ
る洗浄を行なっていた。
ィングするためにカバー膜に穴をあける工程がある。従
来、この工程でのエツチング処理後の半導体ウェーハを
洗浄するには、水洗槽内の洗浄液の一部を１〜２秒間引
き抜き、次いで純水を給水してオーバーフローさせるか
、或いはＮ２ガスによるバブリング、または超音波によ
る洗浄を行なっていた。
しかしながら、上記方法では、弗酸等のエツチング液と
洗浄用純水との置換を十分に行なうことが困難であるた
め、カバー膜下のアルミ電極が、十分に純水との置換が
行なわれていない希弗酸にてエツチングされてしまい、
その膜厚が薄くなり、後工程でポンディングする際に支
障が生じてしまうという欠点があった・ 本発明は前記問題点を解消するもので、エツチング液と
純水との置換を十分に行ない、アルミ電極の膜厚をボン
ディングに耐えるに十分な量を残すことができるように
した装置を提供するものである。
洗浄用純水との置換を十分に行なうことが困難であるた
め、カバー膜下のアルミ電極が、十分に純水との置換が
行なわれていない希弗酸にてエツチングされてしまい、
その膜厚が薄くなり、後工程でポンディングする際に支
障が生じてしまうという欠点があった・ 本発明は前記問題点を解消するもので、エツチング液と
純水との置換を十分に行ない、アルミ電極の膜厚をボン
ディングに耐えるに十分な量を残すことができるように
した装置を提供するものである。
本発明はエツチング済の半導体ウェーハを水洗槽１０内
に入れたときに槽１０の合液を排水する排水管６と、排
水された水洗槽１０内に純水を給水するオーバーフロー
給水管５と、水洗槽１０からオーバーフローした純水を
排水するオーバーフロー排水管７とを水洗槽１０の底部
に設置し、かつ前記排水管６による排水と同時に純水を
半導体ウェー７１に噴射するシャワーノズル１，２，３
．４を水洗槽１０の上部及び側部に設置したことを特徴
とする半導体ウェーハ洗浄装置である。
に入れたときに槽１０の合液を排水する排水管６と、排
水された水洗槽１０内に純水を給水するオーバーフロー
給水管５と、水洗槽１０からオーバーフローした純水を
排水するオーバーフロー排水管７とを水洗槽１０の底部
に設置し、かつ前記排水管６による排水と同時に純水を
半導体ウェー７１に噴射するシャワーノズル１，２，３
．４を水洗槽１０の上部及び側部に設置したことを特徴
とする半導体ウェーハ洗浄装置である。
シャワーノズル１，２，３．４にて半導体ウエーノ’Ｉ
ｔ２．３．４に純水を噴射しつつ、排水管６よｆ）槽１
０内の合液を排水し、しかる後、槽１０内に給水管５に
て純水を給水してこれをオーバーフローさせつつ半導体
ウェーハを洗浄する。
ｔ２．３．４に純水を噴射しつつ、排水管６よｆ）槽１
０内の合液を排水し、しかる後、槽１０内に給水管５に
て純水を給水してこれをオーバーフローさせつつ半導体
ウェーハを洗浄する。
以下に、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、エツチング済の半導体ウェーハを水洗
槽１０内に入れたときに槽１０の合液を排水する排水管
６と、排水された水洗槽１０内に純水を給水するオーバ
ーフロー給水管５と、水洗槽１０からオーバーフローし
た純水を排水スるオーバーフロー排水管７とを水洗槽の
底部に設置し、かつ前記排水管６による排水と同時に純
水を半導体ウェーハに噴射するシャワーノズル１，２．
３．４ を水洗槽１０の上部及び側部に設置する。８，
９はシャワーノズルに純水を給水する配管である。
槽１０内に入れたときに槽１０の合液を排水する排水管
６と、排水された水洗槽１０内に純水を給水するオーバ
ーフロー給水管５と、水洗槽１０からオーバーフローし
た純水を排水スるオーバーフロー排水管７とを水洗槽の
底部に設置し、かつ前記排水管６による排水と同時に純
水を半導体ウェーハに噴射するシャワーノズル１，２．
３．４ を水洗槽１０の上部及び側部に設置する。８，
９はシャワーノズルに純水を給水する配管である。
尚、シャワーノズル１．３の取付角度、位置、ノズル２
，４．の数個位置、各給排水管５，６．７の内径及び流
量は洗浄容量に合せて最適値に設定する。
，４．の数個位置、各給排水管５，６．７の内径及び流
量は洗浄容量に合せて最適値に設定する。
次に本発明装置の操作方法について説明する。
エツチング済の半導体ウェーハを水洗槽１０に入れ、排
水管６の開閉弁を開いて短時間で水洗槽１０の合液を排
液する。そして、排液すると同時にシャワーノズル１．
２，３．４より純水を半導体ウェーハに向けて吐出させ
、半導体ウェーハの表面を乾燥させないようにする。次
に排水管６の開閉弁を閉じ、オーバーフロー給水管５よ
シ純水を入れて純水をオーバーフローさせてオーバーフ
ロー排水管７を通して排水しながら半導体ウェーハを洗
浄する。このサイクルを数回くり返し行なう。
水管６の開閉弁を開いて短時間で水洗槽１０の合液を排
液する。そして、排液すると同時にシャワーノズル１．
２，３．４より純水を半導体ウェーハに向けて吐出させ
、半導体ウェーハの表面を乾燥させないようにする。次
に排水管６の開閉弁を閉じ、オーバーフロー給水管５よ
シ純水を入れて純水をオーバーフローさせてオーバーフ
ロー排水管７を通して排水しながら半導体ウェーハを洗
浄する。このサイクルを数回くり返し行なう。
第２図は引き抜き時間及びシャワー給水とアルミ電極の
膜厚との関係を示すもので、本発明のように水洗槽１０
内を全て排水し、シャワーノズルで純水を半導体ウェー
ハに噴射しつつ、赳、水を給水した後、オーバーフロー
させて洗浄°することにより、アルミ膜厚をボンディン
グに耐えるのに十分な量だけ残すことができる結果を得
た。
膜厚との関係を示すもので、本発明のように水洗槽１０
内を全て排水し、シャワーノズルで純水を半導体ウェー
ハに噴射しつつ、赳、水を給水した後、オーバーフロー
させて洗浄°することにより、アルミ膜厚をボンディン
グに耐えるのに十分な量だけ残すことができる結果を得
た。
以上説明したように、本発明は排水管により引き抜きを
完全に行ない、シャワーノズルにて純水を噴射するとと
もに下部からのオーバーフロー純水を給水するようにし
たので、エツチング液と純水との置換を短時間に完了さ
せ、アルミ電極の膜厚をポンディングに耐えるに十分な
量を残すことができる効果ヲ肩するものである。
完全に行ない、シャワーノズルにて純水を噴射するとと
もに下部からのオーバーフロー純水を給水するようにし
たので、エツチング液と純水との置換を短時間に完了さ
せ、アルミ電極の膜厚をポンディングに耐えるに十分な
量を残すことができる効果ヲ肩するものである。
第１図は本発明の半導体ウェーハ洗浄装置を示す断面図
、第２図は引き抜き時間及びシャワーノズルによる給水
とエツチング後のアルミ電極膜厚との関係を示す図であ
る。 １．２，３．４・・・シャワーノズル、５・・・オーバ
ーフロー給水管、６・・・排水管、７・・・オーバーフ
ロー排水管、８．９・・・配管 特許出願人 山形日本電気株式会社 引き抜きＦｆｆ問
、第２図は引き抜き時間及びシャワーノズルによる給水
とエツチング後のアルミ電極膜厚との関係を示す図であ
る。 １．２，３．４・・・シャワーノズル、５・・・オーバ
ーフロー給水管、６・・・排水管、７・・・オーバーフ
ロー排水管、８．９・・・配管 特許出願人 山形日本電気株式会社 引き抜きＦｆｆ問
Claims (1)
- （１）エッチング済の半導体ウェーハを水洗槽内に入れ
たときに槽の全液を排水する排水管と、排水された水洗
槽内に純水を給水するオーバーフロー給水管と、水洗槽
からオーバーフローした純水を排水するオーバーフロー
排水管とを水洗槽の底部に設置し、かつ前記排水管によ
る排水と同時に純水を半導体ウェーハに噴射するシャワ
ーノズルを水洗槽の上部及び側部に設置したことを特徴
とする半導体ウェーハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18250284A JPS6161425A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体ウエ−ハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18250284A JPS6161425A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体ウエ−ハ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161425A true JPS6161425A (ja) | 1986-03-29 |
Family
ID=16119411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18250284A Pending JPS6161425A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体ウエ−ハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161425A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160026724A (ko) | 2014-09-01 | 2016-03-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 린스조 및 해당 린스조를 사용한 기판 세정 방법 |
| US9972510B2 (en) | 2012-02-27 | 2018-05-15 | Ebara Corporation | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855661A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-02 | 松下電器産業株式会社 | 空気調和機のフアンモ−タの取付け構造 |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP18250284A patent/JPS6161425A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855661A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-02 | 松下電器産業株式会社 | 空気調和機のフアンモ−タの取付け構造 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9972510B2 (en) | 2012-02-27 | 2018-05-15 | Ebara Corporation | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method |
| KR20160026724A (ko) | 2014-09-01 | 2016-03-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 린스조 및 해당 린스조를 사용한 기판 세정 방법 |
| US10160013B2 (en) | 2014-09-01 | 2018-12-25 | Ebara Corporation | Rinsing bath and substrate cleaning method using such rinsing bath |
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