JPH0724264B2 - 半導体基板水洗装置 - Google Patents
半導体基板水洗装置Info
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- JPH0724264B2 JPH0724264B2 JP63070551A JP7055188A JPH0724264B2 JP H0724264 B2 JPH0724264 B2 JP H0724264B2 JP 63070551 A JP63070551 A JP 63070551A JP 7055188 A JP7055188 A JP 7055188A JP H0724264 B2 JPH0724264 B2 JP H0724264B2
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- inner tank
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造工程において半導体基板の水洗を行
う装置に関する。
う装置に関する。
従来、この種の半導体基板（以後、ウエハと称する）の
水洗は、超純水製造装置から供給される超純水（以後純
水と称する）を直接用いて行っている。
水洗は、超純水製造装置から供給される超純水（以後純
水と称する）を直接用いて行っている。
第２図は、従来一般的に使われている装置の一配管図で
ある。第２図に於いて、純水供給用バルブ10を開けるこ
とにより、純水供給用バルブ10と流量計11で設定された
流量の純水が、内槽12の槽底部から給水され、その結果
内槽12は純水により満たされ、内槽12の上縁部より外槽
13内にあふれ出し、オーバーフロー配管14から排水され
る。従来、この状態に於いて、ウエハ15を内槽12に投入
し、その直後純水供給用バルブ10を閉じると同時に急速
排水弁16を開け、数秒で排水完了させる。その後、純水
供給用バルブ10を開けると同時に急速排水弁16を閉じ、
内槽12が満水となる。その給排水のサイクルを繰り返す
ことにより水洗を行うものであった。
ある。第２図に於いて、純水供給用バルブ10を開けるこ
とにより、純水供給用バルブ10と流量計11で設定された
流量の純水が、内槽12の槽底部から給水され、その結果
内槽12は純水により満たされ、内槽12の上縁部より外槽
13内にあふれ出し、オーバーフロー配管14から排水され
る。従来、この状態に於いて、ウエハ15を内槽12に投入
し、その直後純水供給用バルブ10を閉じると同時に急速
排水弁16を開け、数秒で排水完了させる。その後、純水
供給用バルブ10を開けると同時に急速排水弁16を閉じ、
内槽12が満水となる。その給排水のサイクルを繰り返す
ことにより水洗を行うものであった。
水洗効果は、主にウエハの面上を通過する純水の流速と
量、その比抵抗値等に依存するものであるが、前述した
従来の半導体基板水洗装置は、給水時間が半導体製造工
場から供給される純水の圧力及び流量に依存するため、
半導体製造工場の純水精製能力により限定される。従っ
て、純水精製能力不足のとき、排水完了後から満水に至
るまでの時間が長くなるため、ウエハ上の残液によるウ
エハのエッチングやゴミの付着等が生じる欠点がある。
量、その比抵抗値等に依存するものであるが、前述した
従来の半導体基板水洗装置は、給水時間が半導体製造工
場から供給される純水の圧力及び流量に依存するため、
半導体製造工場の純水精製能力により限定される。従っ
て、純水精製能力不足のとき、排水完了後から満水に至
るまでの時間が長くなるため、ウエハ上の残液によるウ
エハのエッチングやゴミの付着等が生じる欠点がある。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、半導体製造工場
の純水精製能力に限定されずに貯水槽から落差により、
瞬時に処理槽への給水を完了させることが出来、更に通
常の処理槽への給水も貯水槽を経由して行うようにした
半導体基板水洗装置を提供することにある。
の純水精製能力に限定されずに貯水槽から落差により、
瞬時に処理槽への給水を完了させることが出来、更に通
常の処理槽への給水も貯水槽を経由して行うようにした
半導体基板水洗装置を提供することにある。
本発明の構成は、半導体ウェハが純水で洗浄される洗浄
層と、前記洗浄層内に供給する前記純水を貯えた貯水槽
とを備えた半導体基板水洗装置において、前記洗浄層は
処理される前記半導体ウェハが入る内槽とこの内槽であ
ふれた前記純水が流れ込む外槽とを有し、前記貯水槽
は、前記内槽に給水するのに必要な落差がある位置にあ
り、かつ前記内槽の容量と少なくとも同等量の純水を貯
える層を有し、前記貯水槽から前記落差により前記内槽
内に給水する配管と、この配管に設けた給水弁と、前記
貯水槽に前記内槽量以上の純水を蓄えた時の波面に入水
口が位置し、かつ前記内槽に給水するオーバーフロー配
管と、前記内槽内の純水を排水する排水弁とを備えたこ
とを特徴とする。
層と、前記洗浄層内に供給する前記純水を貯えた貯水槽
とを備えた半導体基板水洗装置において、前記洗浄層は
処理される前記半導体ウェハが入る内槽とこの内槽であ
ふれた前記純水が流れ込む外槽とを有し、前記貯水槽
は、前記内槽に給水するのに必要な落差がある位置にあ
り、かつ前記内槽の容量と少なくとも同等量の純水を貯
える層を有し、前記貯水槽から前記落差により前記内槽
内に給水する配管と、この配管に設けた給水弁と、前記
貯水槽に前記内槽量以上の純水を蓄えた時の波面に入水
口が位置し、かつ前記内槽に給水するオーバーフロー配
管と、前記内槽内の純水を排水する排水弁とを備えたこ
とを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体基板水洗装置の配管
図である。同図において、本実施例は、給水供給用バル
ブ１が工場内の超純水製造装置から純水を貯水槽２に給
水する上で、流量計３がその流量をモニターするため必
要である。貯水槽２と急速給水弁４と給水配管５とは、
貯水槽２内の純水を数秒で内槽６に給水できるものであ
り、オーバーフロー配管７は、貯水槽２からあふれ出し
た純水を内槽６に給水するためのものである。急速排水
弁８は、内槽６の純水を数秒で排水するためのものであ
る。外槽９は、内槽６内からあふれ出した純水を回収
し、排水するためのものである。
図である。同図において、本実施例は、給水供給用バル
ブ１が工場内の超純水製造装置から純水を貯水槽２に給
水する上で、流量計３がその流量をモニターするため必
要である。貯水槽２と急速給水弁４と給水配管５とは、
貯水槽２内の純水を数秒で内槽６に給水できるものであ
り、オーバーフロー配管７は、貯水槽２からあふれ出し
た純水を内槽６に給水するためのものである。急速排水
弁８は、内槽６の純水を数秒で排水するためのものであ
る。外槽９は、内槽６内からあふれ出した純水を回収
し、排水するためのものである。
この半導体基板水洗装置に於いて、貯水槽２に常時給水
することにより、貯水槽２からオーバーフローした純水
がオーバーフロー配管７を通り内槽６に給水され、内槽
６が満水となり、あふれ出した純水が外槽９に流れ込
み、排水されている状態で、急速排水弁８を開にし、数
秒で内槽６の純水が排水完了されると同時に、急速排水
弁８を閉、急速給水弁４を開にすることにより、数秒で
内槽６に給水完了させ、この状態を水洗が終了するまで
保持する。水洗終了後、急速給水弁４を閉じ、初期状態
になるようにコントロールする。
することにより、貯水槽２からオーバーフローした純水
がオーバーフロー配管７を通り内槽６に給水され、内槽
６が満水となり、あふれ出した純水が外槽９に流れ込
み、排水されている状態で、急速排水弁８を開にし、数
秒で内槽６の純水が排水完了されると同時に、急速排水
弁８を閉、急速給水弁４を開にすることにより、数秒で
内槽６に給水完了させ、この状態を水洗が終了するまで
保持する。水洗終了後、急速給水弁４を閉じ、初期状態
になるようにコントロールする。
以上説明したように、本発明は、槽にウエハ投入後、瞬
時に排水，給水を行うことにより、ウエハを大気にさら
す時間を最小限にとどめ、純水製造装置の純水供給能力
不足による悪影響を最小限に抑えることができる効果が
あり、ある程度汚れた純水をすべて排水した後に清浄な
純水を入れることができるから、内槽内の純水を高純度
に保つことができる効果もある。
時に排水，給水を行うことにより、ウエハを大気にさら
す時間を最小限にとどめ、純水製造装置の純水供給能力
不足による悪影響を最小限に抑えることができる効果が
あり、ある程度汚れた純水をすべて排水した後に清浄な
純水を入れることができるから、内槽内の純水を高純度
に保つことができる効果もある。
第１図は本発明の一実施例の半導体基板水洗装置の配管
図、第２図は従来の半導体基板水洗装置の配管図であ
る。 1,10……純水供給用バルブ、２……貯水槽、3,11……流
量計、４……急速給水弁、５……給水配管、6,12……内
槽、7,14……オーバーフロー配管、8,16……急速排水
弁、9,13……外槽、15……半導体ウエハ。
図、第２図は従来の半導体基板水洗装置の配管図であ
る。 1,10……純水供給用バルブ、２……貯水槽、3,11……流
量計、４……急速給水弁、５……給水配管、6,12……内
槽、7,14……オーバーフロー配管、8,16……急速排水
弁、9,13……外槽、15……半導体ウエハ。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハが純水で洗浄される洗浄槽
と、前記洗浄槽内に供給する前記純水を貯えた貯水槽と
を備えた半導体基板水洗装置において、前記洗浄槽は、
処理される前記半導体ウェハが入る内槽とこの内槽であ
ふれた前記純水が流れ込む外槽とを有し、前記貯水槽
は、前記内槽に給水するのに必要な落差がある位置にあ
り、かつ前記内槽の容量と少なくとも同等量の純水を貯
える槽を有し、前記貯水槽から前記落差により前記内槽
内に給水する配管と、この配管に設けた給水弁と、前記
貯水槽に前記内槽量以上の純水を蓄えた時の液面に入水
口が位置し、かつ前記内槽に給水するオーバーフロー配
管と、前記内槽内の純水を排水する排水弁とを備えたこ
とを特徴とする半導体基板水洗装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070551A JPH0724264B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 半導体基板水洗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070551A JPH0724264B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 半導体基板水洗装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241824A JPH01241824A (ja) | 1989-09-26 |
| JPH0724264B2 true JPH0724264B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=13434769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63070551A Expired - Fee Related JPH0724264B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 半導体基板水洗装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724264B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2600476B2 (ja) * | 1990-10-26 | 1997-04-16 | 富士通株式会社 | 純水製造装置および半導体基板の純水処理方法 |
| JP3146841B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2001-03-19 | 信越半導体株式会社 | ウエーハのリンス装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60253428A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-14 | 住友電気工業株式会社 | 屈曲機構付フアイバスコ−プ |
| JPS61196702U (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-08 | ||
| JPH0340241Y2 (ja) * | 1987-04-27 | 1991-08-23 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63070551A patent/JPH0724264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01241824A (ja) | 1989-09-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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