JPS6161576B2 - - Google Patents
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- JPS6161576B2 JPS6161576B2 JP1265080A JP1265080A JPS6161576B2 JP S6161576 B2 JPS6161576 B2 JP S6161576B2 JP 1265080 A JP1265080 A JP 1265080A JP 1265080 A JP1265080 A JP 1265080A JP S6161576 B2 JPS6161576 B2 JP S6161576B2
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- JP
- Japan
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- voltage
- resistor
- tuning
- channel
- diode
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- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
- H03J5/244—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J3/00—Continuous tuning
- H03J3/02—Details
- H03J3/16—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
- H03J3/18—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance
- H03J3/185—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance with varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
Landscapes
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は同調素子として可変容量ダイオードを
用いたチユーナに同調電圧を供給する選局回路に
関するものである。
用いたチユーナに同調電圧を供給する選局回路に
関するものである。
近年における通信手段としての電波の増加は著
しく、それに伴つて電波問題が社会問題として提
起されている。テレビ受像機においてもその影響
は例外でないが、それはテレビ信号を受信すると
きの妨害電波による画面や音声への悪影響という
ような受動的な妨害が大半であつた。しかし、今
後の電波利用を考えると公的、私的にその利用は
更に増加の一途をたどり、私的利用者の通信にお
ける秘密の権利問題がクローズアツプされ、本来
の目的以外の信号を受信不能とするような対策が
要求される。
しく、それに伴つて電波問題が社会問題として提
起されている。テレビ受像機においてもその影響
は例外でないが、それはテレビ信号を受信すると
きの妨害電波による画面や音声への悪影響という
ような受動的な妨害が大半であつた。しかし、今
後の電波利用を考えると公的、私的にその利用は
更に増加の一途をたどり、私的利用者の通信にお
ける秘密の権利問題がクローズアツプされ、本来
の目的以外の信号を受信不能とするような対策が
要求される。
しかるに従来の選局回路は何らこのような対策
がなされていなかつたから以下述べるように受信
機に割当てられた放送以外の他の信号を受信して
しまうおそれがあつた。
がなされていなかつたから以下述べるように受信
機に割当てられた放送以外の他の信号を受信して
しまうおそれがあつた。
例えば、第１図に示すように従来の選局回路は
ICで構成されたチヤンネル設定部１の入力端子
a1，a2…anのいずれかに選局信号が与えられる
と、チヤンネル設定部における出力トランジスタ
Q1，Q2…Qnのうち、選局信号が与えられたチヤ
ンネルに対応する出力トランジスタのみがオンし
て、出力端子b1，b2…bnを介して出力トランジス
タQ1，Q2…Qnに接続された可変抵抗器VR1，
VR2…VRnのうち当該選局設定されたチヤンネル
の可変抵抗器にのみ電源路２から電流が流れ、可
変抵抗器VR1，VR2…VRnの摺動端に個々に接続
されたダイオードD1，D2…Dnのうち選局設定さ
れたチヤンネルのダイオードが導通しトランジス
タTrのベースにその可変抵抗器で設定された電
圧を印加する。前記トランジスタTrはそのベー
スが前記のようにダイオードに接続されると共に
抵抗R1を介して電源路２に接続され、コレクタ
が電源路２に接続され、且つエミツタが出力抵抗
R2とリツプル除去用コンデンサＣに接続されて
いる。尚、ベースとエミツタの間には前記トラン
ジスタTrのベース・エミツタ間のPN接合とは逆
向きの極性でダイオード４が挿入されているが、
このダイオード４は出力端子５の電圧が高いとこ
ろから低いところに変化する場合に導通して、そ
の低い電圧にすばやく達するように作用する。
尚、前記トランジスタTrはダイオードD1，D2…
Dnによる降下電圧が温度により変化し、同調電
圧が変動するのを前記ダイオードD1，D2…Dnと
逆極性のベース・エミツタ間のPN接合により補
償する。電源路２は抵抗R3を介して直流電圧供
給端子６に接続されていると共にツエナーダイオ
ードZDによつて一定電位に保持されている。
７，８，９はバンド切換え用電圧供給線路で、そ
のうち７はVHFローバンド用、８はVHFハイバ
ンド用、９はUHFバンド用であつて、これらの
線路７，８，９は、それぞれ選択スイツチS1，S2
…Snによつて選択的にチヤンネル設定部１の出
力端子b1，b2…bnに接続されるようになつてい
る。尚、d1，d2…dnは作動チヤンネルについての
みバンド切換え線路７，８，９と出力端子b1，
b2，…bnとを結合し、不作動チヤンネルについ
ては遮断するためのダイオードである。斯る従来
の選局回路によつて出力端子５から得られる同調
用直流電圧は選局されるチヤンネルの可変抵抗器
で設定された電圧により各チヤンネルごとに異な
る値となるが、可変抵抗器VR1，VR2…VRnでは
最小値を略零Ｖにまで設定でき、その最小電圧が
制限されることなく出力されるようになつてい
る。
ICで構成されたチヤンネル設定部１の入力端子
a1，a2…anのいずれかに選局信号が与えられる
と、チヤンネル設定部における出力トランジスタ
Q1，Q2…Qnのうち、選局信号が与えられたチヤ
ンネルに対応する出力トランジスタのみがオンし
て、出力端子b1，b2…bnを介して出力トランジス
タQ1，Q2…Qnに接続された可変抵抗器VR1，
VR2…VRnのうち当該選局設定されたチヤンネル
の可変抵抗器にのみ電源路２から電流が流れ、可
変抵抗器VR1，VR2…VRnの摺動端に個々に接続
されたダイオードD1，D2…Dnのうち選局設定さ
れたチヤンネルのダイオードが導通しトランジス
タTrのベースにその可変抵抗器で設定された電
圧を印加する。前記トランジスタTrはそのベー
スが前記のようにダイオードに接続されると共に
抵抗R1を介して電源路２に接続され、コレクタ
が電源路２に接続され、且つエミツタが出力抵抗
R2とリツプル除去用コンデンサＣに接続されて
いる。尚、ベースとエミツタの間には前記トラン
ジスタTrのベース・エミツタ間のPN接合とは逆
向きの極性でダイオード４が挿入されているが、
このダイオード４は出力端子５の電圧が高いとこ
ろから低いところに変化する場合に導通して、そ
の低い電圧にすばやく達するように作用する。
尚、前記トランジスタTrはダイオードD1，D2…
Dnによる降下電圧が温度により変化し、同調電
圧が変動するのを前記ダイオードD1，D2…Dnと
逆極性のベース・エミツタ間のPN接合により補
償する。電源路２は抵抗R3を介して直流電圧供
給端子６に接続されていると共にツエナーダイオ
ードZDによつて一定電位に保持されている。
７，８，９はバンド切換え用電圧供給線路で、そ
のうち７はVHFローバンド用、８はVHFハイバ
ンド用、９はUHFバンド用であつて、これらの
線路７，８，９は、それぞれ選択スイツチS1，S2
…Snによつて選択的にチヤンネル設定部１の出
力端子b1，b2…bnに接続されるようになつてい
る。尚、d1，d2…dnは作動チヤンネルについての
みバンド切換え線路７，８，９と出力端子b1，
b2，…bnとを結合し、不作動チヤンネルについ
ては遮断するためのダイオードである。斯る従来
の選局回路によつて出力端子５から得られる同調
用直流電圧は選局されるチヤンネルの可変抵抗器
で設定された電圧により各チヤンネルごとに異な
る値となるが、可変抵抗器VR1，VR2…VRnでは
最小値を略零Ｖにまで設定でき、その最小電圧が
制限されることなく出力されるようになつてい
る。
このように従来の選局回路では同調電圧の可変
範囲としてはできるだけ広く可変できることを設
計目標にすると共にチユーナの受信可能周波数範
囲についても全ての受信バンドのチヤンネルを間
違いなく受信できるようにすることを設計目標と
して設計されていた。
範囲としてはできるだけ広く可変できることを設
計目標にすると共にチユーナの受信可能周波数範
囲についても全ての受信バンドのチヤンネルを間
違いなく受信できるようにすることを設計目標と
して設計されていた。
そのため、かなり低いところまで同調電圧がチ
ユーナに与えられるためチユーナの受信可能範囲
が第２図の各点線に示す如く本来の受信帯域（実
線）の下限を越えて更に下側にVHFローバンド
ＶLでは約１チヤンネル分相当以上の周波数、
VHFハイバンドＶHでは約３チヤンネル分相当以
上の周波数、UHFバンドＵでは約10チヤンネル
分相当の周波数だけ余分に受信できることにな
る。電波の有効利用および序述した通信の秘密の
問題に対処するためテレビジヨン受像機における
受信可能範囲を法律的に規制する動きが各国で起
つている。例えば西ドイツにおけるFTZ
（Fernmelde Technisches Zentralamt）規格、
カナダにおけるDOC（Department of
Communications）規格がそれで、いずれもテレ
ビジヨン受像機における受信可能周波数帯の上限
及び下限を厳しく規制している。西ドイツの
FTZ規格の例をとると、UHFバンドの上端およ
びVHFローバンドの下端にそれぞれ１チヤンネ
ル分、即ち７〜8MHz程度の余裕しか許していな
い。
ユーナに与えられるためチユーナの受信可能範囲
が第２図の各点線に示す如く本来の受信帯域（実
線）の下限を越えて更に下側にVHFローバンド
ＶLでは約１チヤンネル分相当以上の周波数、
VHFハイバンドＶHでは約３チヤンネル分相当以
上の周波数、UHFバンドＵでは約10チヤンネル
分相当の周波数だけ余分に受信できることにな
る。電波の有効利用および序述した通信の秘密の
問題に対処するためテレビジヨン受像機における
受信可能範囲を法律的に規制する動きが各国で起
つている。例えば西ドイツにおけるFTZ
（Fernmelde Technisches Zentralamt）規格、
カナダにおけるDOC（Department of
Communications）規格がそれで、いずれもテレ
ビジヨン受像機における受信可能周波数帯の上限
及び下限を厳しく規制している。西ドイツの
FTZ規格の例をとると、UHFバンドの上端およ
びVHFローバンドの下端にそれぞれ１チヤンネ
ル分、即ち７〜8MHz程度の余裕しか許していな
い。
しかるに第１図の選局回路では上端の制限はツ
エナ、ダイオードZDによつて行なわれており、
問題はないが、下端に制限を施す必要がある。
エナ、ダイオードZDによつて行なわれており、
問題はないが、下端に制限を施す必要がある。
従つて、本願発明の目的は斯る第１図の如き選
局回路においてチユーナに与える同調電圧として
の出力電圧の下端の制限を簡単な構成により行な
うことにある。
局回路においてチユーナに与える同調電圧として
の出力電圧の下端の制限を簡単な構成により行な
うことにある。
以下図面に示した実施例に従つて説明する。第
１図と同一部分に同一の記号を付して示す第３図
が第１図と相違する点は電源路２とトランジスタ
Trのエミツタとの間に抵抗R4を挿入し、この抵
抗R4と出力抵抗R2とで電源路２の一定電圧を分
割して出力端子５に現われる同調電圧の最低値を
定めている点である。尚、抵抗R4をR2に比し十
分大きくすることにより抵抗R2の両端に低い電
圧を得ることができる。例えば電源路２の電圧が
32Vで、抵抗R2が100KΩに対し、抵抗R4を2.2M
Ω程度に選ぶと前記最低電圧値として1.25Vを得
ることができる。
１図と同一部分に同一の記号を付して示す第３図
が第１図と相違する点は電源路２とトランジスタ
Trのエミツタとの間に抵抗R4を挿入し、この抵
抗R4と出力抵抗R2とで電源路２の一定電圧を分
割して出力端子５に現われる同調電圧の最低値を
定めている点である。尚、抵抗R4をR2に比し十
分大きくすることにより抵抗R2の両端に低い電
圧を得ることができる。例えば電源路２の電圧が
32Vで、抵抗R2が100KΩに対し、抵抗R4を2.2M
Ω程度に選ぶと前記最低電圧値として1.25Vを得
ることができる。
斯る回路において、選局信号に応じて選局設定
されたチヤンネルの可変抵抗器VR1，VR2…VRn
による電圧がトランジスタTrのベースに与えら
れると、その電圧の大きさに従つてトランジスタ
Trの導通度が決まり、それに応じてコンデンサ
Ｃが充電され出力端子５の電圧は上昇して所望の
電圧値になる。高いチヤンネルから低いチヤンネ
ルに切換えた場合には、コンデンサＣの電荷は放
電され、出力端子５の電圧は下がることはいうま
でもないが、最低電圧値の1.25V以下の電圧がト
ランジスタTrのベースに加えられた場合には、
トランジスタTrのベース・エミツタ間に順バイ
アスがかからないので、トランジスタTrはオフ
となり、可変抵抗器VR1，VR2…VRnによる前記
1.25V以下の電圧値が出力端子５に現われること
はない。
されたチヤンネルの可変抵抗器VR1，VR2…VRn
による電圧がトランジスタTrのベースに与えら
れると、その電圧の大きさに従つてトランジスタ
Trの導通度が決まり、それに応じてコンデンサ
Ｃが充電され出力端子５の電圧は上昇して所望の
電圧値になる。高いチヤンネルから低いチヤンネ
ルに切換えた場合には、コンデンサＣの電荷は放
電され、出力端子５の電圧は下がることはいうま
でもないが、最低電圧値の1.25V以下の電圧がト
ランジスタTrのベースに加えられた場合には、
トランジスタTrのベース・エミツタ間に順バイ
アスがかからないので、トランジスタTrはオフ
となり、可変抵抗器VR1，VR2…VRnによる前記
1.25V以下の電圧値が出力端子５に現われること
はない。
一方、最大出力電圧は電源路２の電圧よりもト
ランジスタTrのコレクタ・エミツタ間降下電圧
分だけ低い値の電圧となる。第４図は第３図の選
局回路において、可変抵抗器VR1，VR2…VRnの
摺動子を微調ツマミ（図示せず）によつて駆動し
た場合における徴調ツマミの回転数（横軸）に対
する出力端子５に得られる同調電圧（縦軸）を示
しており、同調電圧の下端は微調ツマミを回転数
の極めて低い方においた場合にも、点線（第１図
の従来回路の場合）のようにはならず実線の如く
1.25Vを下らない。
ランジスタTrのコレクタ・エミツタ間降下電圧
分だけ低い値の電圧となる。第４図は第３図の選
局回路において、可変抵抗器VR1，VR2…VRnの
摺動子を微調ツマミ（図示せず）によつて駆動し
た場合における徴調ツマミの回転数（横軸）に対
する出力端子５に得られる同調電圧（縦軸）を示
しており、同調電圧の下端は微調ツマミを回転数
の極めて低い方においた場合にも、点線（第１図
の従来回路の場合）のようにはならず実線の如く
1.25Vを下らない。
このように本発明によれば極めて簡単な構成に
よつて同調電圧の最低値を定めることができるの
で第５図のようにFTZ規格によるVHFローバン
ドＶLの下限イを受信周波数帯の下限7MHz以内
に納めることができ、FTZ規格を容易に充足で
きる。また、先に述べた第１図の従来例の場合に
は選局回路として出力する同調電圧が0.3V以下
に及ぶためVHFローバンドＶLの下側の受信可能
周波数をできるだけ制限するためには、チユーナ
側を0.5V程度の同調電圧の印加で最低チヤンネ
ルの第２チヤンネル（西ドイツの場合）が受かる
ように設計せざるを得ないが、これでは最低チヤ
ンネルの第２チヤンネル受信の際のチユーナの性
能が低下する（可変容量ダイオードのＱは印加す
る同調電圧の低いところで悪くなるから）ので好
ましくないが、本発明ではチユーナに与えられる
同調電圧の最低値が1.25Vと高いためチユーナ側
を比較的高い同調電圧で最低チヤンネル（第２チ
ヤンネル）が受かるように設計できるのでチユー
ナの性能が向上するという効果もある。
よつて同調電圧の最低値を定めることができるの
で第５図のようにFTZ規格によるVHFローバン
ドＶLの下限イを受信周波数帯の下限7MHz以内
に納めることができ、FTZ規格を容易に充足で
きる。また、先に述べた第１図の従来例の場合に
は選局回路として出力する同調電圧が0.3V以下
に及ぶためVHFローバンドＶLの下側の受信可能
周波数をできるだけ制限するためには、チユーナ
側を0.5V程度の同調電圧の印加で最低チヤンネ
ルの第２チヤンネル（西ドイツの場合）が受かる
ように設計せざるを得ないが、これでは最低チヤ
ンネルの第２チヤンネル受信の際のチユーナの性
能が低下する（可変容量ダイオードのＱは印加す
る同調電圧の低いところで悪くなるから）ので好
ましくないが、本発明ではチユーナに与えられる
同調電圧の最低値が1.25Vと高いためチユーナ側
を比較的高い同調電圧で最低チヤンネル（第２チ
ヤンネル）が受かるように設計できるのでチユー
ナの性能が向上するという効果もある。
また、本発明によれば煩雑な受信可能範囲の調
整で全てチユーナの設計および生産時にできるの
でテレビセツトの生産時にはその調整が不要とな
り、その効果は大である。
整で全てチユーナの設計および生産時にできるの
でテレビセツトの生産時にはその調整が不要とな
り、その効果は大である。
以上の説明においては、主としてFTZの規格
に関して対策した内容を説明したが、カナダの
DOC規格に沿うようになすことも、もとより可
能である。
に関して対策した内容を説明したが、カナダの
DOC規格に沿うようになすことも、もとより可
能である。
第１図は従来の選局回路を示す回路図であり、
第２図はそれを説明するための特性図である。第
３図は本発明を実施した選局回路を示す回路図で
あり、第４図及び第５図はその説明図である。 VR1，VR2，VRn…可変抵抗器、D1，D2，Dn
…ダイオード、Tr…トランジスタ、ZD…ツエナ
ダイオード（定電圧ダイオード）、R2…出力抵
抗、Ｃ…リツプル除去用コンデンサ、R4…抵
抗、２…電源路、４…ダイオード。
第２図はそれを説明するための特性図である。第
３図は本発明を実施した選局回路を示す回路図で
あり、第４図及び第５図はその説明図である。 VR1，VR2，VRn…可変抵抗器、D1，D2，Dn
…ダイオード、Tr…トランジスタ、ZD…ツエナ
ダイオード（定電圧ダイオード）、R2…出力抵
抗、Ｃ…リツプル除去用コンデンサ、R4…抵
抗、２…電源路、４…ダイオード。
Claims (1)
- １ 選局信号によつて個別に作動される複数の可
変抵抗器の摺動端をダイオードを介してトランジ
スタの入力電極として機能する第１電極に接続
し、該トランジスタの第２電極を定電圧ダイオー
ドによつて一定電位とされた電源路に接続し、チ
ユーナへ同調電圧を与える出力電極として機能す
る第３電極と基準電位点間に出力抵抗を接続して
なる選局回路において、前記電源路と第３電極間
を抵抗で接続し、この抵抗と前記出力抵抗とによ
つて第３電極に現われる同調電圧の下限値を設定
したことを特徴とする選局回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265080A JPS56110330A (en) | 1980-02-04 | 1980-02-04 | Channel selection circuit |
| CA000359597A CA1180139A (en) | 1979-09-14 | 1980-09-05 | Tuner apparatus |
| DE19803034530 DE3034530A1 (de) | 1979-09-14 | 1980-09-12 | Abstimmvorrichtung |
| GB8029512A GB2060294B (en) | 1979-09-14 | 1980-09-12 | Voltage variable capacitance tuner apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265080A JPS56110330A (en) | 1980-02-04 | 1980-02-04 | Channel selection circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56110330A JPS56110330A (en) | 1981-09-01 |
| JPS6161576B2 true JPS6161576B2 (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=11811234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1265080A Granted JPS56110330A (en) | 1979-09-14 | 1980-02-04 | Channel selection circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56110330A (ja) |
-
1980
- 1980-02-04 JP JP1265080A patent/JPS56110330A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56110330A (en) | 1981-09-01 |
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