JPS6161665B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6161665B2 JPS6161665B2 JP18690880A JP18690880A JPS6161665B2 JP S6161665 B2 JPS6161665 B2 JP S6161665B2 JP 18690880 A JP18690880 A JP 18690880A JP 18690880 A JP18690880 A JP 18690880A JP S6161665 B2 JPS6161665 B2 JP S6161665B2
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- Japan
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- substrate
- ultraviolet light
- laser
- deposited
- metal layer
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は有機金属ガスを紫外レーザ（以下UV
レーザと略記）で分解することによつてフオトマ
スクを作成する方法に関するものである。
レーザと略記）で分解することによつてフオトマ
スクを作成する方法に関するものである。
半導体装置の製造に主として用いられるフオト
マスクのうち、ガラス板上に選択的にクロム等の
金属層を被着して形成されたものはハードマスク
と呼ばれ、従来ガラス板表面に蒸着或はスパツタ
リング等の手段によつてクロム等の金属層を被着
し、フオトプロセスにより不要部を選択的にエツ
チング除去して形成することが行なわれている。
マスクのうち、ガラス板上に選択的にクロム等の
金属層を被着して形成されたものはハードマスク
と呼ばれ、従来ガラス板表面に蒸着或はスパツタ
リング等の手段によつてクロム等の金属層を被着
し、フオトプロセスにより不要部を選択的にエツ
チング除去して形成することが行なわれている。
この金属層の蒸着或はスパツタリング工程は比
較的長時間を要する上、厚さにむらを生ずること
が多かつた。
較的長時間を要する上、厚さにむらを生ずること
が多かつた。
一方、T.F.Deutch等はトリメチルアルミニウ
ムやジメチルカドミウムのような有機金属ガスを
UVレーザによつて分解し、アルミニウムやカド
ミウムのような金属層を石英板上に堆積させる方
法について報告している（Applied Physics
Letters Vol.35，P.175（1979））。
ムやジメチルカドミウムのような有機金属ガスを
UVレーザによつて分解し、アルミニウムやカド
ミウムのような金属層を石英板上に堆積させる方
法について報告している（Applied Physics
Letters Vol.35，P.175（1979））。
本発明は上述の如き、従来のフオトマスク製造
における問題点を解決したフオトマスクの製造法
を、前記Deutch等の方法を応用した方法によつ
て実現したものであつて、紫外光に対し比較的透
明な基板の表面に紫外光遮断膜のパターンを形成
し、該基板を壁面構成材料の一部とするガスチエ
ンバー内に有機金属ガスを含む原料ガスを供給
し、前記基板に外部面側から紫外レーザ光を照射
して、該レーザ光に照射された前記基板の内部面
に前記有機金属ガスの分解によつて生じた金属層
を被着せしめた後、前記紫外光遮断膜を除去する
ことによつて前記基板上に必要な形状の金属層を
被着形成することを特徴としている。
における問題点を解決したフオトマスクの製造法
を、前記Deutch等の方法を応用した方法によつ
て実現したものであつて、紫外光に対し比較的透
明な基板の表面に紫外光遮断膜のパターンを形成
し、該基板を壁面構成材料の一部とするガスチエ
ンバー内に有機金属ガスを含む原料ガスを供給
し、前記基板に外部面側から紫外レーザ光を照射
して、該レーザ光に照射された前記基板の内部面
に前記有機金属ガスの分解によつて生じた金属層
を被着せしめた後、前記紫外光遮断膜を除去する
ことによつて前記基板上に必要な形状の金属層を
被着形成することを特徴としている。
本発明に於ては、まず透明基板上に光の遮断膜
としてフオトレジスト層のパターンを形成するこ
とが行なわれる。この透明基板は後述するよう
に、これを通して紫外光の照射が行なわれるもの
であるから紫外光に対して透明であることが必要
で、例えば石英ガラスのような材料が適してい
る。
としてフオトレジスト層のパターンを形成するこ
とが行なわれる。この透明基板は後述するよう
に、これを通して紫外光の照射が行なわれるもの
であるから紫外光に対して透明であることが必要
で、例えば石英ガラスのような材料が適してい
る。
第１図ａに示すように石英ガラス基板１に紫外
光遮断膜としてフオトレジスト層２を塗布しパタ
ーニングして、同図ｂに示すようにフオトレジス
ト層２によるパターンを形成する。このフオトレ
ジストの無い部分の基板上に金属層を被着させ、
必要なパターンを形成するので、フオトレジスト
のパターンは目的とする金属パターンに対しては
ネガテイブなものであることが必要である。
光遮断膜としてフオトレジスト層２を塗布しパタ
ーニングして、同図ｂに示すようにフオトレジス
ト層２によるパターンを形成する。このフオトレ
ジストの無い部分の基板上に金属層を被着させ、
必要なパターンを形成するので、フオトレジスト
のパターンは目的とする金属パターンに対しては
ネガテイブなものであることが必要である。
次に、この基板のフオトレジスト被着側の表面
に金属層を堆積させるのであるが、この工程は第
２図に模式的に示した装置によつて行なう。
に金属層を堆積させるのであるが、この工程は第
２図に模式的に示した装置によつて行なう。
原料ガスを保持し、反応を進める為のチエンバ
ー４はステンレス鋼のような材料で形成され、該
チエンバーを構成する面の一つには前記石英基板
のパターン形成領域にほぼ対応する大きさの窓が
あけられており、この窓は図示のように石英基板
２によつて塞がれる。この際石英基板上のフオト
レジスト層はチエンバー内にくるようにすること
が必要である。石英板とステンレス鋼板との間は
シール材８によつてシールされ、気密に保たれ
る。
ー４はステンレス鋼のような材料で形成され、該
チエンバーを構成する面の一つには前記石英基板
のパターン形成領域にほぼ対応する大きさの窓が
あけられており、この窓は図示のように石英基板
２によつて塞がれる。この際石英基板上のフオト
レジスト層はチエンバー内にくるようにすること
が必要である。石英板とステンレス鋼板との間は
シール材８によつてシールされ、気密に保たれ
る。
このように準備されたチエンバー内にガス導入
口５から原料ガスが導入される。原料ガスは例え
ばジメチルカドミウム4Torrをヘリウムで稀釈し
てほぼ大気圧としたものが用いられる。この原料
ガスの導入は連続的に行なつてもよく、間欠的に
行なつて消費分を補給するようにしてもよい。
口５から原料ガスが導入される。原料ガスは例え
ばジメチルカドミウム4Torrをヘリウムで稀釈し
てほぼ大気圧としたものが用いられる。この原料
ガスの導入は連続的に行なつてもよく、間欠的に
行なつて消費分を補給するようにしてもよい。
ジメチルカドミウムを稀釈するのは反応をゆる
やかにするためであるが上記稀釈率は一例を示し
たものであつて、作業に支障のない限り濃度が高
いほどカドミウム層を堆積するための所要時間が
短縮される。
やかにするためであるが上記稀釈率は一例を示し
たものであつて、作業に支障のない限り濃度が高
いほどカドミウム層を堆積するための所要時間が
短縮される。
更に、原料ガスとしてはジメチルカドミウムの
他に、アルミニウムや錫、亜鉛などの有機化合物
が使用可能である。
他に、アルミニウムや錫、亜鉛などの有機化合物
が使用可能である。
次の工程は石英板の背面から紫外光を照射する
工程である。第２図に示すようにUVレーザ発振
装置７から放射されるUVレーザ光を石英板１の
背面全面に照射する。石英板を透過してチエンバ
ー内に入射したUVレーザ光のエネルギーによつ
て原料ガスが分解されカドミウムが石英板内面に
析出被着する。その際フオトレジスト層の存在す
る部分では吸収の為にレーザ光は殆んどチエンバ
ーに入射せず、カドミウム層の析出はわずかであ
る。
工程である。第２図に示すようにUVレーザ発振
装置７から放射されるUVレーザ光を石英板１の
背面全面に照射する。石英板を透過してチエンバ
ー内に入射したUVレーザ光のエネルギーによつ
て原料ガスが分解されカドミウムが石英板内面に
析出被着する。その際フオトレジスト層の存在す
る部分では吸収の為にレーザ光は殆んどチエンバ
ーに入射せず、カドミウム層の析出はわずかであ
る。
このような処理の結果第１図ｃのように石英基
板１の表面にフオトレジスト層２とカドミウム層
３が相補的に被着した状態のものが得られる。な
お、上述のようにフオトレジスト層上にも若干の
カドミウム層が被着する場合があるが、煩雑さを
避ける為、図には示されていない。
板１の表面にフオトレジスト層２とカドミウム層
３が相補的に被着した状態のものが得られる。な
お、上述のようにフオトレジスト層上にも若干の
カドミウム層が被着する場合があるが、煩雑さを
避ける為、図には示されていない。
最後にフオトレジスト層を除去すれば第１図ｄ
に示すようにカドミウム層３により所望のパター
ンが形成されたフオトマスクプレートが得られ
る。
に示すようにカドミウム層３により所望のパター
ンが形成されたフオトマスクプレートが得られ
る。
上記処理に用いるUVレーザは、パルス発振の
ものではArFレーザが、連続発振のものではアル
ゴンレーザを逓倍したもの等が利用可能である。
ものではArFレーザが、連続発振のものではアル
ゴンレーザを逓倍したもの等が利用可能である。
本発明の方法によれば堆積金属層の厚さを均一
にすることができる。これは、析出の進行した部
分ではレーザ光の透過量が減少して堆積速度が低
下し、析出量が小である部分に優先的に析出が進
行するからである。同じ理由から金属パターンに
はピンホールが発生することが無い。
にすることができる。これは、析出の進行した部
分ではレーザ光の透過量が減少して堆積速度が低
下し、析出量が小である部分に優先的に析出が進
行するからである。同じ理由から金属パターンに
はピンホールが発生することが無い。
第１図及び第２図は本発明を説明する図であつ
て、図に於て１は石英基板、２は紫外光遮断膜
（フオトレジスト層）、３はカドミウム層、４はス
テンレス鋼のチエンバー、５は原料ガス導入口、
６は排気口、７はUVレーザ装置である。
て、図に於て１は石英基板、２は紫外光遮断膜
（フオトレジスト層）、３はカドミウム層、４はス
テンレス鋼のチエンバー、５は原料ガス導入口、
６は排気口、７はUVレーザ装置である。
Claims (1)
- １ 紫外光に対し比較的透明な基板の表面に紫外
光遮断膜のパターンを形成し、該基板を壁面構成
部材の一部とするガスチエンバー内に有機金属ガ
スを含む原料ガスを供給し、前記基板に外部面側
から紫外レーザ光を照射して、該レーザ光に照射
された前記基板の内部面に前記有機金属ガスの分
解によつて生じた金属層を被着せしめた後、前記
紫外光遮断膜を除去することによつて前記基板上
に必要な形状の金属層を被着形成することを特徴
とするフオトマスクプレートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18690880A JPS57109952A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Production of photomask plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18690880A JPS57109952A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Production of photomask plate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57109952A JPS57109952A (en) | 1982-07-08 |
| JPS6161665B2 true JPS6161665B2 (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=16196781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18690880A Granted JPS57109952A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Production of photomask plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57109952A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60196942A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-05 | Hitachi Ltd | フオトマスク欠陥修正方法 |
| JPS60245135A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ホトマスク修正方法 |
| JPS6283749A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクの欠陥修正方法 |
-
1980
- 1980-12-26 JP JP18690880A patent/JPS57109952A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57109952A (en) | 1982-07-08 |
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