JPS6162020A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPS6162020A JPS6162020A JP18414784A JP18414784A JPS6162020A JP S6162020 A JPS6162020 A JP S6162020A JP 18414784 A JP18414784 A JP 18414784A JP 18414784 A JP18414784 A JP 18414784A JP S6162020 A JPS6162020 A JP S6162020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- phase
- crystal element
- substrates
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示素子や液晶−光シャッタ等で用いる
液晶素子、特にプラスチック基板を用いた液晶素子に関
し、更に詳しくは液晶分子の初期配向状態を改善するこ
とにより、表示並びに駆動特性を改善した液晶素子に関
するものである。
液晶素子、特にプラスチック基板を用いた液晶素子に関
し、更に詳しくは液晶分子の初期配向状態を改善するこ
とにより、表示並びに駆動特性を改善した液晶素子に関
するものである。
これまでの液晶素子は、主にＭ 、 Ｓ ｃ ｈ ａ
ｄ ｔとＷ、Ｈｅ１ｔｒｉｃｈ 著 ”Ａｐｐｌｉｅｄ
ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ” Ｖｏｌ、１８．
Ｎｏ、４ （１９７１，２，１５） 。
ｄ ｔとＷ、Ｈｅ１ｔｒｉｃｈ 著 ”Ａｐｐｌｉｅｄ
ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ” Ｖｏｌ、１８．
Ｎｏ、４ （１９７１，２，１５） 。
Ｐ、１２７〜１２８ ｃ７） ”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅ
ｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ
ｏｆ ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｅ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”に記載されている様なＴＮ（
Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式が採用されてお
り、このＴＮ方式の配向制御を効率的に保障する方法と
してネマチック液晶の接する基板界面を斜方蒸着によっ
て形成したＳｉＯ又はＳ ｉ０２や一方にラビング処理
した有機樹脂、例えばポリイミド、ポリアミドで形成す
る方法が知られている。
ｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ
ｏｆ ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｅ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”に記載されている様なＴＮ（
Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式が採用されてお
り、このＴＮ方式の配向制御を効率的に保障する方法と
してネマチック液晶の接する基板界面を斜方蒸着によっ
て形成したＳｉＯ又はＳ ｉ０２や一方にラビング処理
した有機樹脂、例えばポリイミド、ポリアミドで形成す
る方法が知られている。
このＴＮ方式を用いた表示パネルは、ＴＮ方式自体に高
速応答性とメモリー効果を持っていないため、高密度画
素の表示パネルを設計する−１４で、例えば薄膜ｌ・ラ
ンジスタ（ＴＰＴ）をアレイ状に配置したアクティブマ
トリクヌ基板を心間としている。しかし、この様なＴＮ
液晶を用いたアクティブマトリクス駆動方式の表示パネ
ルでは、使用するＴＰＴが複雑な構造を有しているため
、製造工程数が多く、高い製造コストがネックとなって
いる」−に、ＴＰＴを構成しているン１ル膜半導体（例
えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン）を広い面
積に汀って被膜形成することが難しいなどの問題点があ
る。
速応答性とメモリー効果を持っていないため、高密度画
素の表示パネルを設計する−１４で、例えば薄膜ｌ・ラ
ンジスタ（ＴＰＴ）をアレイ状に配置したアクティブマ
トリクヌ基板を心間としている。しかし、この様なＴＮ
液晶を用いたアクティブマトリクス駆動方式の表示パネ
ルでは、使用するＴＰＴが複雑な構造を有しているため
、製造工程数が多く、高い製造コストがネックとなって
いる」−に、ＴＰＴを構成しているン１ル膜半導体（例
えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン）を広い面
積に汀って被膜形成することが難しいなどの問題点があ
る。
これらの問題点を解決するものとして、Ｎ、Ａ、Ｃ１ａ
ｒｋ と Ｓ、Ｔ、Ｌａｇｅｒｗａｌｌの米
国特許第４３６７９２４す明細書で提案されている強誘
電性液晶素子が知られている。
ｒｋ と Ｓ、Ｔ、Ｌａｇｅｒｗａｌｌの米
国特許第４３６７９２４す明細書で提案されている強誘
電性液晶素子が知られている。
しかし、強誘電性液晶はカイラルスメクテイツク相でそ
の挙動を現わすが、一般にスメクテイツク相の液晶はネ
マチック相の液晶に較べ配向制御性や配向安定性が悪い
欠点がある。本発明者らの実験では、従来のＴＮ方式て
知られている様な配向制御法をスメクテイック相の形成
に単に転用するだけでは、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイック相を形成できないが、下達する特
定の配向制御膜を用いることによって、均一なモノドメ
インのスメクテイック相を形成できることが判明した。
の挙動を現わすが、一般にスメクテイツク相の液晶はネ
マチック相の液晶に較べ配向制御性や配向安定性が悪い
欠点がある。本発明者らの実験では、従来のＴＮ方式て
知られている様な配向制御法をスメクテイック相の形成
に単に転用するだけでは、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイック相を形成できないが、下達する特
定の配向制御膜を用いることによって、均一なモノドメ
インのスメクテイック相を形成できることが判明した。
従って、本発明の目的は、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相、特に強誘電性を示すカイラル
スメクティックＣ相（ＳｍＣ＊） 。
インのスメクテイツク相、特に強誘電性を示すカイラル
スメクティックＣ相（ＳｍＣ＊） 。
Ｈ相（ＳｍＨ本）、Ｉ相（ＳｍＩ＊）、Ｆ相（ＳｍＦ＊
） や Ｇ相（ＳｍＧ＊）を示す液晶を形成する配向
制御膜を提供することにある。
） や Ｇ相（ＳｍＧ＊）を示す液晶を形成する配向
制御膜を提供することにある。
又、本発明の別の目的は、プラスチック基板を用いたス
メクテイツク液晶素子に適した配向制御膜を提供するこ
とにある。
メクテイツク液晶素子に適した配向制御膜を提供するこ
とにある。
本発明のかかる目的は、電極を設けた一対の基板の間に
スメクテイツク液晶を封入したセル構造を有する液晶素
子において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板が有機チタン化合物から形成した配向制御膜を有する
液晶素子によって達成される。
スメクテイツク液晶を封入したセル構造を有する液晶素
子において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板が有機チタン化合物から形成した配向制御膜を有する
液晶素子によって達成される。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による液晶素子彷一実施態様を示すもの
で、図中、１はプラスチック基板、２は該基板上に設け
られた透明導電膜より成る電極、３は配向制御膜、４は
シール部材、５はスペーサ部材、６はスメクテイツク液
晶物質を示す。プラスチック基板１としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポ
リエーテルスルフォン、ポリカーボネート、三酢酸セル
ローズ、ポリオールやポリエーテルサルホンなどのプラ
スチックが使用され、これらに蒸着、低温スパッタ、Ｃ
ＶＤ、などの公知の手段により酸化スズ、酸化インジウ
ムやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｊｎ ０ｘｉｄｅ）
等の透明導電膜２が設けられる。
で、図中、１はプラスチック基板、２は該基板上に設け
られた透明導電膜より成る電極、３は配向制御膜、４は
シール部材、５はスペーサ部材、６はスメクテイツク液
晶物質を示す。プラスチック基板１としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポ
リエーテルスルフォン、ポリカーボネート、三酢酸セル
ローズ、ポリオールやポリエーテルサルホンなどのプラ
スチックが使用され、これらに蒸着、低温スパッタ、Ｃ
ＶＤ、などの公知の手段により酸化スズ、酸化インジウ
ムやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｊｎ ０ｘｉｄｅ）
等の透明導電膜２が設けられる。
本発明では一上記透明電極３を形成したプラス千タフ
チック基板１上に有機゛ 化合物を主成分とす
る組成物より成る配向制御膜３が形成される。
る組成物より成る配向制御膜３が形成される。
有機チタン化合物としては、一般式Ｔｉ（ＯＲ）４ （
但し、ＯＲはヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ
基を表わす）が好ましく、具体的には、テトラ−イソプ
ロポキシチタン、テトラ−ノルマルブトキシチタン、テ
トうどス（２−エチルヘキソキシ）チタン、テ）・ラス
テアロキシチタン、ジイソプロポキシ−ビス（アセチル
アセトナート）チタン、ジ−ノルマルブトキシ−ビス（
トシリエタノールアミナ−１＝ ）チタンなどが挙げら
れる。
但し、ＯＲはヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ
基を表わす）が好ましく、具体的には、テトラ−イソプ
ロポキシチタン、テトラ−ノルマルブトキシチタン、テ
トうどス（２−エチルヘキソキシ）チタン、テ）・ラス
テアロキシチタン、ジイソプロポキシ−ビス（アセチル
アセトナート）チタン、ジ−ノルマルブトキシ−ビス（
トシリエタノールアミナ−１＝ ）チタンなどが挙げら
れる。
有機チタンを含有する塗布液を用いて配向制御膜３を形
成する際、その塗布液中の有機チタンの濃度が低すぎて
は配向性能が充分得られず、又高すぎた場合では成膜の
うねり、屈折率から来る反射光の干渉色及び透明導電膜
上の抵抗値の増大が生ずるため１〜５ｗｔ％が好ましい
。
成する際、その塗布液中の有機チタンの濃度が低すぎて
は配向性能が充分得られず、又高すぎた場合では成膜の
うねり、屈折率から来る反射光の干渉色及び透明導電膜
上の抵抗値の増大が生ずるため１〜５ｗｔ％が好ましい
。
有機チタン化合物を溶かす溶媒としてはその溶解性の他
に溶液状態での安定貯蔵性や配向膜形成時の押ｎｋ性、
ＨＩｉ！中への残留性、ノ、（板への影響、などを考慮
しなければならない。これらの例については後の実施例
で詳細に示すが、一般的にメタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、ブタノールなどのアルコール系
溶剤、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶
剤を用いることができる。
に溶液状態での安定貯蔵性や配向膜形成時の押ｎｋ性、
ＨＩｉ！中への残留性、ノ、（板への影響、などを考慮
しなければならない。これらの例については後の実施例
で詳細に示すが、一般的にメタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、ブタノールなどのアルコール系
溶剤、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶
剤を用いることができる。
」−記条件を満たした配向Ｈ々形成成分含有溶液を）、
（板に塗１ｔｉＬ、６０°〜１５０°Ｃ−’Ｃ乾煙シ膜
とする。
（板に塗１ｔｉＬ、６０°〜１５０°Ｃ−’Ｃ乾煙シ膜
とする。
膜形成後、綿布等で２０〜２００ ｇ ／ ｃ ｔｎ’
、好ましくは１００ ｇ ／ ｃ ｒｒｆ付近の静圧下
でラビングすることで配向制御膜とし、基板間に液晶物
質を充填することにより液晶表示パネルが得られる。
、好ましくは１００ ｇ ／ ｃ ｒｒｆ付近の静圧下
でラビングすることで配向制御膜とし、基板間に液晶物
質を充填することにより液晶表示パネルが得られる。
この配向制御膜３の一般的な膜厚は、１００人〜１ｐＬ
、好ましくは５００人〜２０００人とすることがてきる
。
、好ましくは５００人〜２０００人とすることがてきる
。
本発明の液晶表示パネルの配向制御膜成形は浸漬法や吹
き付は法などで行なうことが容易で、真空工程やパター
ニング（現象エツチング、ハクリ）工程や印刷工程を要
しないため連続量産に適しており、また膜形成に高温を
要せず安定な配向制御膜が得られることから、基板にプ
ラスチックフィルムを用いた液晶表示パネルも容易に作
ることができる様になった。
き付は法などで行なうことが容易で、真空工程やパター
ニング（現象エツチング、ハクリ）工程や印刷工程を要
しないため連続量産に適しており、また膜形成に高温を
要せず安定な配向制御膜が得られることから、基板にプ
ラスチックフィルムを用いた液晶表示パネルも容易に作
ることができる様になった。
又、スペーサ部材５は、感光性樹脂、例えば感光性ポリ
イミドの被膜を形成した後、所定のホトエツチングによ
り得られる。
イミドの被膜を形成した後、所定のホトエツチングによ
り得られる。
本発明で用いるスメクテイツク液晶としては、強誘電性
を示すものが好ましく、例えばＳｍＣ＊ 、 ＳｍＨ＊
、 ＳｍＦ＊ 、 ＳｍＦ＊やＳｍＧ＊などのカイラ
ルスメクテイツク相を有する液晶組成物を用いることが
できる。
を示すものが好ましく、例えばＳｍＣ＊ 、 ＳｍＨ＊
、 ＳｍＦ＊ 、 ＳｍＦ＊やＳｍＧ＊などのカイラ
ルスメクテイツク相を有する液晶組成物を用いることが
できる。
本発明の液晶素子に用いるカイラルスメクテイツク相を
示す液晶を下記に示す。
示す液晶を下記に示す。
（１）
ＣＨ３−メチルエチルケンナメ−１−（ＤＯＢＡＭＢＣ
）（２）
Ｃす■ 一クロルプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）へ
〆 ４７℃ 木 ７０’Ｏ ｍＣ ｔ 「 −ＣＯＯＣＨ２ＣＨＣ２Ｈ５ ＊ これらの液晶は、単独又は２種以上を混合してもよく、
あるいは他のスメクテイック液晶やコレステリック（カ
イラルネマチック）液晶と混合してもよい。
ＣＨ３−メチルエチルケンナメ−１−（ＤＯＢＡＭＢＣ
）（２）
Ｃす■ 一クロルプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）へ
〆 ４７℃ 木 ７０’Ｏ ｍＣ ｔ 「 −ＣＯＯＣＨ２ＣＨＣ２Ｈ５ ＊ これらの液晶は、単独又は２種以上を混合してもよく、
あるいは他のスメクテイック液晶やコレステリック（カ
イラルネマチック）液晶と混合してもよい。
第２図は、強誘電性液晶の動作説明の為に、セルの例を
模式的に描いたものである。１１と、１１’は、Ｉ ｎ
２０３．５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ Ｏｘ ｉ ｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で
被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層１２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊、
木 木 本ＳｍＨ、ＳｍＦ
、ＳｍＩ ＳｍＧ木などのカイラルスメクティッ
ク相の液晶が封入されている。太線で示した線１３が液
晶分子を表わしており、この液晶分子１３はその分子に
直交した方向に双極子モーメン）（Ｐ上）１４を有して
いる。基板１１と１１’上の電極間に一定の闇値以上の
電圧を印加すると、液晶分子１３のらせん構造がほどけ
、双極子モーメン） （Ｐ上）１４がすべて電界方向に
向くよう、液晶分子１３は配向方向を変えることができ
る。液晶分子１３は、細長い形状を有しており、その長
袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えば
ガラス面の４−下に互いにクロスニコルの偏光子を置け
ば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変
調素子となることは、容易に理解される。
模式的に描いたものである。１１と、１１’は、Ｉ ｎ
２０３．５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ Ｏｘ ｉ ｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で
被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層１２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊、
木 木 本ＳｍＨ、ＳｍＦ
、ＳｍＩ ＳｍＧ木などのカイラルスメクティッ
ク相の液晶が封入されている。太線で示した線１３が液
晶分子を表わしており、この液晶分子１３はその分子に
直交した方向に双極子モーメン）（Ｐ上）１４を有して
いる。基板１１と１１’上の電極間に一定の闇値以上の
電圧を印加すると、液晶分子１３のらせん構造がほどけ
、双極子モーメン） （Ｐ上）１４がすべて電界方向に
向くよう、液晶分子１３は配向方向を変えることができ
る。液晶分子１３は、細長い形状を有しており、その長
袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えば
ガラス面の４−下に互いにクロスニコルの偏光子を置け
ば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変
調素子となることは、容易に理解される。
本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えば１０＃Ｌ以下）することが
できる。このように液晶層が薄くなることにしたがい、
第３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶
分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その
双極子モーメン）ＰまたはＰ′は上向き（２４）又は下
向き（２４′）のどちらかの状態をとる。このようなセ
ルに、第３図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電
界Ｅ又はＥ′を電圧印加手段２１と２１′により付与す
ると、双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′の電界ベク
トルに対応して１；向き２４又は下向き２４′と向きを
変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態２３か
あるいは第２の安定状態２３′の何れか一方に配向する
。
の厚さを充分に薄く（例えば１０＃Ｌ以下）することが
できる。このように液晶層が薄くなることにしたがい、
第３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶
分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その
双極子モーメン）ＰまたはＰ′は上向き（２４）又は下
向き（２４′）のどちらかの状態をとる。このようなセ
ルに、第３図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電
界Ｅ又はＥ′を電圧印加手段２１と２１′により付与す
ると、双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′の電界ベク
トルに対応して１；向き２４又は下向き２４′と向きを
変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態２３か
あるいは第２の安定状態２３′の何れか一方に配向する
。
このような強誘電性を液晶素子として用いることの利点
は、先にも述べたが２つある。
は、先にも述べたが２つある。
その第１は、応答速度が極めて速いことであり、＄２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅを
印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向するが
、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの
電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態２３
′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を
切ってもこの状態に留っている。
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅを
印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向するが
、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの
電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態２３
′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を
切ってもこの状態に留っている。
又、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態にやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセルと
しては出来るだけ薄い方が好ましい。
れの配向状態にやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセルと
しては出来るだけ薄い方が好ましい。
この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成するに）ｊ
またって最も問題となるのは、先にも述木木 べたように、ＳｍＣ、ＳｍＨ、ＳｍＦｊ。
またって最も問題となるのは、先にも述木木 べたように、ＳｍＣ、ＳｍＨ、ＳｍＦｊ。
＊＊
ＳｍＩ 、ＳｍＧ などのカイラルスメクティッ
ク相を有する層が基板面に対して垂直に配列し且つ液晶
分子が基板面に略平行に配向した、モノドメイン性の高
いセルを形成することが困難なことであり、この点に解
決を与えることが本発明の主要な目的である。
ク相を有する層が基板面に対して垂直に配列し且つ液晶
分子が基板面に略平行に配向した、モノドメイン性の高
いセルを形成することが困難なことであり、この点に解
決を与えることが本発明の主要な目的である。
第４図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の液晶素子の一実施例を
示している。第４図（Ａ）は１本発明の液晶素子の平面
図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ｎ断面図である。
示している。第４図（Ａ）は１本発明の液晶素子の平面
図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ｎ断面図である。
第４図で示すセル構造体１００は、一対のガラス板やプ
ラスチック板基板１０１と１０１’（片側のみをプラス
チック基板としてもよい）をスペーサ１０４で所定の間
隔に保持され、この一対の基板をシーリングするために
接着剤１０６で接着したセル構造を有しており、さらに
基板１０１の上には複数の透明電極１０２からなる電極
群（例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電圧印加
用電極群）が例えば帯状パターンなどの所定パターンで
形成されている。
ラスチック板基板１０１と１０１’（片側のみをプラス
チック基板としてもよい）をスペーサ１０４で所定の間
隔に保持され、この一対の基板をシーリングするために
接着剤１０６で接着したセル構造を有しており、さらに
基板１０１の上には複数の透明電極１０２からなる電極
群（例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電圧印加
用電極群）が例えば帯状パターンなどの所定パターンで
形成されている。
基板１０１′の上には前述の透明電極１０２と交差させ
た複数の透明電極１０２′からなる電極群（例えば、マ
トリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群）が形
成されている。
た複数の透明電極１０２′からなる電極群（例えば、マ
トリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群）が形
成されている。
この基板１０１と１０１′の上には、それぞれ前述の有
機チタン化合物から形成した配向制御膜１０５が設けら
れている。
機チタン化合物から形成した配向制御膜１０５が設けら
れている。
第４図に示すセル構造体１００の中の液晶層１０３は、
ＳｍＣ、Ｓｍ）（＊、ＳｍＦ本。
ＳｍＣ、Ｓｍ）（＊、ＳｍＦ本。
＊
ＳｍＩ 、ＳｍＧ’などのカイラルスメクティ本
ツク相とすることができる。
第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わしてい
る。第５図で示す液晶素子は、一対のプラスチック基板
１０１と１０１’の間に複数のスペーサ部材２０１が配
置されている。
る。第５図で示す液晶素子は、一対のプラスチック基板
１０１と１０１’の間に複数のスペーサ部材２０１が配
置されている。
このスペーサ部材２０１は、例えば配向制御膜１０５が
設けられていない基板１０１’の上にＳｉＯ，５ｉ０２
．Ａ文２０３．ＴｉＯ２などの無機化合物あるいはポリ
ビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエステル
、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、
セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル
樹脂やフォトレジスト樹脂などの樹脂類を適当な方法で
被膜形成した後に、所定の位置にスペーサ部材２０３が
配置される様にエツチングすることによって得ることが
できる。
設けられていない基板１０１’の上にＳｉＯ，５ｉ０２
．Ａ文２０３．ＴｉＯ２などの無機化合物あるいはポリ
ビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエステル
、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、
セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル
樹脂やフォトレジスト樹脂などの樹脂類を適当な方法で
被膜形成した後に、所定の位置にスペーサ部材２０３が
配置される様にエツチングすることによって得ることが
できる。
この様なセル構造体ｌＯＯは、基板ｌｏｔと１０１′の
両側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とし
た偏光子１０７と１０８がそれぞれ配置されて、電極１
０２と１０２′の間に電圧を印加した時に光学変調を生
じることになる。
両側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とし
た偏光子１０７と１０８がそれぞれ配置されて、電極１
０２と１０２′の間に電圧を印加した時に光学変調を生
じることになる。
以下に本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発
明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定され
るものではない。
明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定され
るものではない。
実施例１
ｌ１００ｐのポリエチレンテレフタレートフィルムに酸
化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパッタ
装置でフィルム表面温度を１２０℃以下に抑えて形成し
たプラスチック基板に、以下の組成の溶液を塗布し、１
２０°Ｃ３０分乾燥して薄膜を形成した。
化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパッタ
装置でフィルム表面温度を１２０℃以下に抑えて形成し
たプラスチック基板に、以下の組成の溶液を塗布し、１
２０°Ｃ３０分乾燥して薄膜を形成した。
テトラ−イソプロポキシチタン １ｇエタノール
Ｌｏｏｍ文次に、１００ｇ／ｃｍ２
の抑圧下で一方向にラビングし、このラビングした一対
のプラスチック基板を上下のラビング方向が平行となる
様に重ね合せ、注入口となる個所を除いたその周辺をシ
ーリングした。この時の一対のプラスチック基板の間隔
は、ｌｔｔであった。
Ｌｏｏｍ文次に、１００ｇ／ｃｍ２
の抑圧下で一方向にラビングし、このラビングした一対
のプラスチック基板を上下のラビング方向が平行となる
様に重ね合せ、注入口となる個所を除いたその周辺をシ
ーリングした。この時の一対のプラスチック基板の間隔
は、ｌｔｔであった。
次にＰ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢＣ）１００
重量部に対して、コレステリルノナネートを５重量部加
えて液晶組成物を調整した。
メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢＣ）１００
重量部に対して、コレステリルノナネートを５重量部加
えて液晶組成物を調整した。
この液晶組成物を加熱して等吉相とし、」−記で作製し
てセル内に減圧下で注入口から注入し、その注入口を封
目した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を約７
０℃で維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコル状
態で設けてから顕微鏡観察したところ、モノドメインの
非らせん構造のＳ ｍ Ｃ＊が形成させている事が確認
できた。
てセル内に減圧下で注入口から注入し、その注入口を封
目した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を約７
０℃で維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコル状
態で設けてから顕微鏡観察したところ、モノドメインの
非らせん構造のＳ ｍ Ｃ＊が形成させている事が確認
できた。
実施例２〜６
実施例１で用いた有機チタン化合物に代えて、テトラ−
ノルマルブトキシチタン（実施例２）、テトラビス（２
−エチルヘキソキシチタン（実施例３）、テトラステア
ロキシチタン（実施例４）、ジイソプロポキシ−ビス（
アセチルアセトナート）チタン（実施例５）、ジ−ノル
マルブトキシ−ビス（トリエタノールアミナート）チタ
ン（実施例６）を用いたほかは、実施例１と同様の方法
で液晶素子を作成したところ、非らせん構造のＳｍＣ＊
が形成されていた。
ノルマルブトキシチタン（実施例２）、テトラビス（２
−エチルヘキソキシチタン（実施例３）、テトラステア
ロキシチタン（実施例４）、ジイソプロポキシ−ビス（
アセチルアセトナート）チタン（実施例５）、ジ−ノル
マルブトキシ−ビス（トリエタノールアミナート）チタ
ン（実施例６）を用いたほかは、実施例１と同様の方法
で液晶素子を作成したところ、非らせん構造のＳｍＣ＊
が形成されていた。
第１図は、本発明の液晶素子の一実施例を表わす断面図
である。 第２図および第３図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第４図（Ａ）は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−＜断面図である
。第５図は１本発明の液晶素子の別の具体例を表わす断
面図である。 １ ； プラスチック基板 ２ ； 透明導電膜の電極 ３ ； 配向制御膜 ４ ； シール部材 ５ ； スペーサ部材 ６ ； スメクテイツク液晶 １００ 、 セル構造体 １０１、ｌｏｔ’ 、 基板 １０２．１０２’ ； 電極 １０３ ； 液晶層 １０４．２０１ ； スペーサ部材１０５ ；
配向制御膜 １０６ ； 接着剤（シール部材）１０７．１０８
； 偏光子 １０９ ； 発熱体
である。 第２図および第３図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第４図（Ａ）は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−＜断面図である
。第５図は１本発明の液晶素子の別の具体例を表わす断
面図である。 １ ； プラスチック基板 ２ ； 透明導電膜の電極 ３ ； 配向制御膜 ４ ； シール部材 ５ ； スペーサ部材 ６ ； スメクテイツク液晶 １００ 、 セル構造体 １０１、ｌｏｔ’ 、 基板 １０２．１０２’ ； 電極 １０３ ； 液晶層 １０４．２０１ ； スペーサ部材１０５ ；
配向制御膜 １０６ ； 接着剤（シール部材）１０７．１０８
； 偏光子 １０９ ； 発熱体
Claims (6)
- （１）電極を設けた一対の基板の間にスメクテイツク液
晶を封入したセル構造を有する液晶素子において、前記
一対の基板のうち少なくとも一方の基板が有機チタン化
合物から形成した配向制御膜を有することを特徴とする
液晶素子。 - （２）前記スメクテイツク液晶が強誘電性液晶である特
許請求の範囲第１項記載の液晶素子。 - （３）前記強誘電性液晶がカイラルスメクテイツク液晶
である特許請求の範囲第２項記載の液晶素子。 - （４）前記カイラルスメクテイツク液晶が非らせん構造
の相を形成している特許請求の範囲第３項記載の液晶素
子。 - （５）前記カイラルスメクテイツク液晶がＣ相、Ｈ相、
Ｉ相、Ｆ相又はＧ相である特許請求の範囲第３項又は第
４項記載の液晶素子。 - （６）前記一対の基板のうち、少なくとも一方の基板が
プラスチック基板である特許請求の範囲第１項記載の液
晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18414784A JPS6162020A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18414784A JPS6162020A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6162020A true JPS6162020A (ja) | 1986-03-29 |
Family
ID=16148186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18414784A Pending JPS6162020A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6162020A (ja) |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP18414784A patent/JPS6162020A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4775225A (en) | Liquid crystal device having pillar spacers with small base periphery width in direction perpendicular to orientation treatment | |
| US4712875A (en) | Dimensions of spacer particles for a ferroelectric liquid crystal display | |
| JP2647828B2 (ja) | 液晶素子の製造法 | |
| JPS6162020A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH0547086B2 (ja) | ||
| JPS61107221A (ja) | 液晶素子 | |
| JP2927662B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0690375B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JPS6162019A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS6162021A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS6163823A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS6162022A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61241727A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61205920A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH05341288A (ja) | 強誘電性液晶デバイス | |
| JPH06100752B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61208030A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61186932A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61208034A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61205921A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61204615A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61205918A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH067235B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPS62220924A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS62169883A (ja) | 液晶素子 |