JPS6162021A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPS6162021A JPS6162021A JP18414884A JP18414884A JPS6162021A JP S6162021 A JPS6162021 A JP S6162021A JP 18414884 A JP18414884 A JP 18414884A JP 18414884 A JP18414884 A JP 18414884A JP S6162021 A JPS6162021 A JP S6162021A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示素子や液晶−光シャッタ等で用いる
液晶素−ｒ、特にプラスチック基板を用いた液晶素子に
関し、更に詳１〜くは液晶分子の初期配向状／２！；を
改善することにより、表示並ひに駆動特性を改善した液
晶素子に関するものである。
液晶素−ｒ、特にプラスチック基板を用いた液晶素子に
関し、更に詳１〜くは液晶分子の初期配向状／２！；を
改善することにより、表示並ひに駆動特性を改善した液
晶素子に関するものである。
これまでの液晶素子は、主にＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈ
ｅ１ｔｒｉｃｈ著”Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬ
ｅｔｔｅｒｓ” Ｖｏｌ、１８．Ｎｏ、４（１９７１
，２，１５）。
ｅ１ｔｒｉｃｈ著”Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬ
ｅｔｔｅｒｓ” Ｖｏｌ、１８．Ｎｏ、４（１９７１
，２，１５）。
Ｐ、１２７〜１２８の’Ｖｏ ｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎ
ｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ
ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｅ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ”に記載されている様なＴＮ （Ｔｗ
ｉ ｓ ｔ ｅ ｄ Ｎｅｍａｔ ｉｃ）方式が採用さ
れており、このＴＮ方式の配向制御を効率的に保障する
方法としてネマチック液晶の接する基板界面を斜方蒸着
によって形成］７たＳｉＯヌは５ｉ０２や一方にラビン
グ処理した有機樹脂、・ 例えばポリイミド、ポリアミ
ドで形成する方Ｕ；か知られている。
ｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ
ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｅ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ”に記載されている様なＴＮ （Ｔｗ
ｉ ｓ ｔ ｅ ｄ Ｎｅｍａｔ ｉｃ）方式が採用さ
れており、このＴＮ方式の配向制御を効率的に保障する
方法としてネマチック液晶の接する基板界面を斜方蒸着
によって形成］７たＳｉＯヌは５ｉ０２や一方にラビン
グ処理した有機樹脂、・ 例えばポリイミド、ポリアミ
ドで形成する方Ｕ；か知られている。
このＴＮブ」式を用いた表示パネルは、ＴＮ方式自体に
高速応答性とメモリー効果を持っていないため、高富度
画素の表示パネルを設計する１、で、例えば薄膜トラン
ジスタ（ＴＰＴ） をアレイ状に配置したアクティブマ
トリクス基板を心霊としている。しかし、この様なＴＮ
液晶を用いたアクティブマトリクス駆動方式の表示パネ
ルでは、使用するＴＰＴが複雑な構造を有しているため
、製造工程数が多く、高い製造コンＩ・がネックとなっ
ている］−に、ＴＰＴを構成している薄膜半導体（例え
ば、ポリシリコン、アモルファスシリコン）を広い面積
に汀って被膜形成することが難しいなどの問題点がある
。
高速応答性とメモリー効果を持っていないため、高富度
画素の表示パネルを設計する１、で、例えば薄膜トラン
ジスタ（ＴＰＴ） をアレイ状に配置したアクティブマ
トリクス基板を心霊としている。しかし、この様なＴＮ
液晶を用いたアクティブマトリクス駆動方式の表示パネ
ルでは、使用するＴＰＴが複雑な構造を有しているため
、製造工程数が多く、高い製造コンＩ・がネックとなっ
ている］−に、ＴＰＴを構成している薄膜半導体（例え
ば、ポリシリコン、アモルファスシリコン）を広い面積
に汀って被膜形成することが難しいなどの問題点がある
。
これらの問題点を解決するものとして、Ｎ、Ａ、Ｃ１ａ
ｒｋ と Ｓ 、Ｔ、 Ｌａｇｅ ｒ
ｗａ １ １の米国４￥１着第４３６７９２４号明細
書で提案されている強誘電性液晶素子が知られている。
ｒｋ と Ｓ 、Ｔ、 Ｌａｇｅ ｒ
ｗａ １ １の米国４￥１着第４３６７９２４号明細
書で提案されている強誘電性液晶素子が知られている。
しかし、強誘電性液晶はカイラルスメクテイツク相でそ
の挙動を現わすが、一般にスメクテイツク相の液晶はネ
マチック相の液晶に較べ配向制御性や配向安定性が悪い
欠点がある。本分明治らの実験では、従来のＴＮ方式て
知られている様な配向制御法をスメクテイツク相の形成
に単に転用するだけでは、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できないが、下達する特
定の配向制御膜を用いることによって、均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できることが判明した。
の挙動を現わすが、一般にスメクテイツク相の液晶はネ
マチック相の液晶に較べ配向制御性や配向安定性が悪い
欠点がある。本分明治らの実験では、従来のＴＮ方式て
知られている様な配向制御法をスメクテイツク相の形成
に単に転用するだけでは、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できないが、下達する特
定の配向制御膜を用いることによって、均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できることが判明した。
従って、本発明の目的は、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相、特に強誘電′性を示すカイラ
ルスメクテイツクＣ相（ＳｍＣ＊） 。
インのスメクテイツク相、特に強誘電′性を示すカイラ
ルスメクテイツクＣ相（ＳｍＣ＊） 。
Ｈ相（ＳｍＨ本）、Ｉ相（ＳｍＩ＊）、Ｆ相（ＳｍＦ＊
） や Ｇ相（３ｍ６本）を示す液晶を形成する配向
制御膜を提供することにある。
） や Ｇ相（３ｍ６本）を示す液晶を形成する配向
制御膜を提供することにある。
又１本発明の別の目的は、プラスチック基板を用いたス
メクテイツク液晶素子に適した配向制御膜を提供するこ
とにある。
メクテイツク液晶素子に適した配向制御膜を提供するこ
とにある。
本発明のかかる目的は、電極を設けた一対の基板の間に
スメクテイック液晶を封入したセル構造を有する液晶素
子において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板が有機インジウム化合物から形成した配向制御膜を有
する液晶素子によって達成される。
スメクテイック液晶を封入したセル構造を有する液晶素
子において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板が有機インジウム化合物から形成した配向制御膜を有
する液晶素子によって達成される。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による液晶素子の一実施態様を示すもの
で、図中、１はプラスチック基板、２は該基板１−に設
けられた透明導電膜より成る電極、３は配向制御膜、４
はシール部材、５はスペーサ部材、６はスメクティック
液晶物質を示す。プラスチック基板■としては、ポリエ
チレンテレフタシー１−．ホリブチレンテレフタレート
、ポリエーテルスルフォン、ポリカーボネート、三酢酸
セルローズ、ポリオールやポリエーテルサルホンなどの
プラスチックが使用され、これらに蒸着、低温スパッタ
、ＣＶＤ、などの公知の手段により酸化スズ、酸化イン
ジウムやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄ
ｅ）等の透明導電膜２が設けられる。
で、図中、１はプラスチック基板、２は該基板１−に設
けられた透明導電膜より成る電極、３は配向制御膜、４
はシール部材、５はスペーサ部材、６はスメクティック
液晶物質を示す。プラスチック基板■としては、ポリエ
チレンテレフタシー１−．ホリブチレンテレフタレート
、ポリエーテルスルフォン、ポリカーボネート、三酢酸
セルローズ、ポリオールやポリエーテルサルホンなどの
プラスチックが使用され、これらに蒸着、低温スパッタ
、ＣＶＤ、などの公知の手段により酸化スズ、酸化イン
ジウムやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄ
ｅ）等の透明導電膜２が設けられる。
本発明では）ｕ記透明電極３を形成したプラス成分とす
る組成物より成る配向制御膜３が形成右機弁亨−２、イ
Ｌ合物としては、一般式Ｉｎ％（ＯＲ） ａ（但し、Ｏ
Ｒはヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシノ、（を
表わす）のものが好ましく、具体的には、Ｉ ｎ％ （
ＯＣ２Ｈ５）ａ 、Ｉ ｎ文（ＯＣ３Ｈ７）３ 、Ｉｎ
％（ＯＣ５Ｈ１１）３ 、Ｉｎｚ（ＯＣ８Ｈ１７）やＩ
ｎ （ＯＣ９Ｈ１９）ムの濃度が低すぎては配向性能
が充分得られず、又高すぎた場合では成膜のうねり、屈
折率から来る反則光の干渉色及び透明導電膜上の抵抗値
の増大が生ずるため１〜５ｗｔ％が好ましい。
る組成物より成る配向制御膜３が形成右機弁亨−２、イ
Ｌ合物としては、一般式Ｉｎ％（ＯＲ） ａ（但し、Ｏ
Ｒはヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシノ、（を
表わす）のものが好ましく、具体的には、Ｉ ｎ％ （
ＯＣ２Ｈ５）ａ 、Ｉ ｎ文（ＯＣ３Ｈ７）３ 、Ｉｎ
％（ＯＣ５Ｈ１１）３ 、Ｉｎｚ（ＯＣ８Ｈ１７）やＩ
ｎ （ＯＣ９Ｈ１９）ムの濃度が低すぎては配向性能
が充分得られず、又高すぎた場合では成膜のうねり、屈
折率から来る反則光の干渉色及び透明導電膜上の抵抗値
の増大が生ずるため１〜５ｗｔ％が好ましい。
溶解性の他に溶液状態での安″ｉ１で貯蔵性や配向膜形
成時の揮散性、膜中への残留性、基板への影響、などを
考慮しなければならない。これらの例については後の実
施例で詳細に示すが、一般的にメタノール、エタノール
、イソプロピルアルコール、ブタノールなどのアルコー
ル系溶剤、アセトン、メチルブチルケＩ・ンなとのケト
ン系溶剤を用いることができる。
成時の揮散性、膜中への残留性、基板への影響、などを
考慮しなければならない。これらの例については後の実
施例で詳細に示すが、一般的にメタノール、エタノール
、イソプロピルアルコール、ブタノールなどのアルコー
ル系溶剤、アセトン、メチルブチルケＩ・ンなとのケト
ン系溶剤を用いることができる。
１−配架ｆ１を満たした配向膜形成成分含有溶液をス（
板に塗布し、６０°〜１５０°Ｃで乾燥し膜とする。
板に塗布し、６０°〜１５０°Ｃで乾燥し膜とする。
膜形成後、綿布等で２０〜２００ ｇ ／ ｃ ｍ’、
好ましくは１００ｇ／ｃｒｎ’伺近の静圧下でラビング
することで配向制御膜とし、基板間に液晶物質を充填す
ることにより液晶表示パネルが得られる。
好ましくは１００ｇ／ｃｒｎ’伺近の静圧下でラビング
することで配向制御膜とし、基板間に液晶物質を充填す
ることにより液晶表示パネルが得られる。
この配向制御膜３の一般的な膜厚は、１００人〜Ｉｇ、
クイましくは５００人〜２０００人とすることがてきる
。
クイましくは５００人〜２０００人とすることがてきる
。
本発明の液晶表示パネルの配向制御膜成形は浸漬法や吹
き伺は法なとで行なうことが容易で、真空工程やパター
ニング（現象エツチング、ハクリ）工程や印刷工程を要
しないため連続量産に適しており、また膜形成に高温を
要せず安定な配向制御膜が得られることから、基板にプ
ラスチックフィルムを用いた液晶表示パネルも容易に作
ることができる様になった。
き伺は法なとで行なうことが容易で、真空工程やパター
ニング（現象エツチング、ハクリ）工程や印刷工程を要
しないため連続量産に適しており、また膜形成に高温を
要せず安定な配向制御膜が得られることから、基板にプ
ラスチックフィルムを用いた液晶表示パネルも容易に作
ることができる様になった。
ヌ、スペーサ部材５は、感光性樹脂、例えば感光性ポリ
イミドの被膜を形成した後、所定のホトエツチングによ
り得られる。
イミドの被膜を形成した後、所定のホトエツチングによ
り得られる。
本発明で用いるスメクテイツク液晶としては、強誘電性
を示すものが好ましく、例えばＳｍＣ木、ＳｍＨ＊、Ｓ
ｍＦ木、ＳｍＦ’ やＳｍＧ＊などのカイラルスメクテ
イツク相を有する液晶組成物を用いることができる。
を示すものが好ましく、例えばＳｍＣ木、ＳｍＨ＊、Ｓ
ｍＦ木、ＳｍＦ’ やＳｍＧ＊などのカイラルスメクテ
イツク相を有する液晶組成物を用いることができる。
本発明の液晶素子に用いるカイラルスメクテイツク相を
示す液晶を下記に示す。
示す液晶を下記に示す。
（１）
ＣＨ３−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭ
ＢＣ）−クロルプロビルシンナメ−１，（ＨＯＢＡＣＰ
Ｃ）−メチルブチル−α−シアノシンナメー１＝ （Ｄ
ＯＢＡＭＢＣＣ）４７°Ｃ＊ ７０°Ｃ ｍＣ ２７℃ ＊ ３８°Ｃ ｍＣ −ＣＯＯＣＨ２ＣＨＣ２Ｈ５ ＊ これらの液晶は、単独又は２種以」二を混合してもよく
、あるいは他のスメクテイツク液晶やコレステ１ノツク
（カイラルネマチック）液晶と程合してもよい。
ＣＨ３−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭ
ＢＣ）−クロルプロビルシンナメ−１，（ＨＯＢＡＣＰ
Ｃ）−メチルブチル−α−シアノシンナメー１＝ （Ｄ
ＯＢＡＭＢＣＣ）４７°Ｃ＊ ７０°Ｃ ｍＣ ２７℃ ＊ ３８°Ｃ ｍＣ −ＣＯＯＣＨ２ＣＨＣ２Ｈ５ ＊ これらの液晶は、単独又は２種以」二を混合してもよく
、あるいは他のスメクテイツク液晶やコレステ１ノツク
（カイラルネマチック）液晶と程合してもよい。
第２図は、強誘電性液晶の動作説明の為に、セルの例を
模式的に描いたものである。ｌｌと、１１′は、Ｉ ｎ
２０３．５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で被覆
された基板（カラス板）であり、その間に液晶分子層１
２がカラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ木。
模式的に描いたものである。ｌｌと、１１′は、Ｉ ｎ
２０３．５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で被覆
された基板（カラス板）であり、その間に液晶分子層１
２がカラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ木。
ＳｍＨ、ＳｍＦ 、ＳｍＩ ＳｍＧ＊などの木木木
カイラルスメクティック相の液晶が封入されている。太
線で示した線１３が液晶分子を表わしており、この液晶
分子１３はその分子に直交した方向に双極子モーメント
（Ｐｌ）１４を有している。基板１１と１１’上の電極
間に一定の閾仙以１．の電圧を印加すると、液晶分子１
３のらせん構造かはとけ、ｙ、極子モーメント（Ｐｌ）
１４かすべて電界力向に向くよう、液晶分子１３は配向
方向を変えることができる。液晶分子１３は、細長い形
状を有しており、その長袖方向と炉軸方向で屈折率異方
性を示し、従って例えばガラス面の」−下に互いにクロ
スニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学
特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理
解される。
線で示した線１３が液晶分子を表わしており、この液晶
分子１３はその分子に直交した方向に双極子モーメント
（Ｐｌ）１４を有している。基板１１と１１’上の電極
間に一定の閾仙以１．の電圧を印加すると、液晶分子１
３のらせん構造かはとけ、ｙ、極子モーメント（Ｐｌ）
１４かすべて電界力向に向くよう、液晶分子１３は配向
方向を変えることができる。液晶分子１３は、細長い形
状を有しており、その長袖方向と炉軸方向で屈折率異方
性を示し、従って例えばガラス面の」−下に互いにクロ
スニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学
特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理
解される。
本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えば１０−以下）することがで
きる。このように液晶層が薄くなることにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双
極子モーメントＰまたはＰ′は１；向、ｆｆ（２４）又
は下向き（２４’）のどちらかの状態をとる。このよう
なセルに、第３図に示す如く一定の閾値以１．の極性の
異る電界Ｅ又はＥ′を電圧印加手段２１と２１’により
付与すると、双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′の電
界ベクトルに対応してＬ向き２４又は下向き２４′と向
きを変え、それに応して液晶分子は、第１の安定状態２
３があるいは第２の安定状態２３′の何れか一方に配向
する。
の厚さを充分に薄く（例えば１０−以下）することがで
きる。このように液晶層が薄くなることにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双
極子モーメントＰまたはＰ′は１；向、ｆｆ（２４）又
は下向き（２４’）のどちらかの状態をとる。このよう
なセルに、第３図に示す如く一定の閾値以１．の極性の
異る電界Ｅ又はＥ′を電圧印加手段２１と２１’により
付与すると、双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′の電
界ベクトルに対応してＬ向き２４又は下向き２４′と向
きを変え、それに応して液晶分子は、第１の安定状態２
３があるいは第２の安定状態２３′の何れか一方に配向
する。
このような強誘電性を液晶素子として用いることの利点
は、先にも述べたが２つある。
は、先にも述べたが２つある。
その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
、−Ｘを、例えば第２図によって更に説明すると、電界
Ｅを印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状四
？ ２３ｒに配向してその分子の向きを変えるが、やは
り電界を切ってもこの状態に留っている。
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
、−Ｘを、例えば第２図によって更に説明すると、電界
Ｅを印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状四
？ ２３ｒに配向してその分子の向きを変えるが、やは
り電界を切ってもこの状態に留っている。
又、ケえる電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状ＩＥにやはり維持きれている。このような応
答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセル
としては出来るだけ薄いプＪが好ましい。
れの配向状ＩＥにやはり維持きれている。このような応
答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセル
としては出来るだけ薄いプＪが好ましい。
この様な強６誘電性を有する液晶で素子を形成するに当
たって最も問題となるのは、先にも述＊ネ べたように、ＳｍＣ、ＳｍＨ、ＳｍＦ＊。
たって最も問題となるのは、先にも述＊ネ べたように、ＳｍＣ、ＳｍＨ、ＳｍＦ＊。
＊＊
ＳｍＩ 、ＳｍＧ などのカイラルスメクティッ
ク相を有する層が基板面に対して垂直に配列し１１つ液
晶分子が基板面に略平行に配向した、モノドメイン性の
高いセルを形成することが困難なことであり、この点に
解決を与えることが本発明の主要な１」的である。
ク相を有する層が基板面に対して垂直に配列し１１つ液
晶分子が基板面に略平行に配向した、モノドメイン性の
高いセルを形成することが困難なことであり、この点に
解決を与えることが本発明の主要な１」的である。
第４図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の液晶素子の一実施例を
示している。第４１ｄ（Ａ）は、本発明の液晶素子の平
面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−ｘ断面図である。
示している。第４１ｄ（Ａ）は、本発明の液晶素子の平
面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−ｘ断面図である。
第４図で示すセル構造体１００は、−・対のガラス板や
プラスチック板基板ｌｏｔと１０１′（片側のみをプラ
スチック基板としてもよい）をスペーサ１０４で所定の
間隔に保持され、この−・対の基板をシーリングするた
めに接着剤１０６で接着したセル構造を有しており、Ｓ
らにノ、（板ｌｏｔの上には複数の透明電極１０２から
なる電極群（例えば、７トリクス電極構造のうちの走査
電圧印加用電極群）が例えば帯状パターンなどの所定パ
ターンで形成されている。
プラスチック板基板ｌｏｔと１０１′（片側のみをプラ
スチック基板としてもよい）をスペーサ１０４で所定の
間隔に保持され、この−・対の基板をシーリングするた
めに接着剤１０６で接着したセル構造を有しており、Ｓ
らにノ、（板ｌｏｔの上には複数の透明電極１０２から
なる電極群（例えば、７トリクス電極構造のうちの走査
電圧印加用電極群）が例えば帯状パターンなどの所定パ
ターンで形成されている。
基板１０１′の−１−には前述の透明電極１０２と交差
させた複数の透明電極１０２′からなる電極群（例えば
、マトリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群）
が形成されている。
させた複数の透明電極１０２′からなる電極群（例えば
、マトリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群）
が形成されている。
この基板１０１と１０１’の上には、それぞれ前述の有
機インジウム化合物から形成した配向制御膜１０５が設
けられている。
機インジウム化合物から形成した配向制御膜１０５が設
けられている。
第４図に示すセル構造体１００の中の液晶層＊
＊ １０３は、ＳｍＣ、ＳｍＨ、ＳｍＦ木。
＊ １０３は、ＳｍＣ、ＳｍＨ、ＳｍＦ木。
ＳｍＩ 、ＳｍＣ木などのカイラルスメクティ＊
ツク相とすることができる。
第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わしてい
る。第５図で示す液晶素子は、一対のプラスチック基板
１０１と１０１′の間に複数のスペーサ部材２０１が配
置されている。
る。第５図で示す液晶素子は、一対のプラスチック基板
１０１と１０１′の間に複数のスペーサ部材２０１が配
置されている。
このスペーサ部材２０１は、例えば配向制御膜１０５が
設けられていない基板１０１’の−１−に３ｉ０，５ｉ
０２．Ａ文２０３．ＴｉＯ２などの無機化合物あるいは
ポリビニルアルコール。
設けられていない基板１０１’の−１−に３ｉ０，５ｉ
０２．Ａ文２０３．ＴｉＯ２などの無機化合物あるいは
ポリビニルアルコール。
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、
ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネ−１
・、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸
ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、
メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジ
スト樹脂などの樹脂類を適当な方法で被膜形成した後に
、所定の位置にスペーサ部材２０３が配置される様にエ
ンチングすることによって１［Ｉることができる。
ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネ−１
・、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸
ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、
メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジ
スト樹脂などの樹脂類を適当な方法で被膜形成した後に
、所定の位置にスペーサ部材２０３が配置される様にエ
ンチングすることによって１［Ｉることができる。
この様なセル構造体１００は、基板ｌｏｔと１０１′の
両側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とし
た偏光子１０７と１０８がそ、れぞれ配置されて、電極
１０２と１０２′の間に重圧を印加した時に光学変調を
生じることになる。
両側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とし
た偏光子１０７と１０８がそ、れぞれ配置されて、電極
１０２と１０２′の間に重圧を印加した時に光学変調を
生じることになる。
一一一−−−−−
７−′
以下に本発明を実施例に基づき詳細に説明するか、本発
明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定され
るものではない。
明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定され
るものではない。
実施例１
１００μｍのポリエチレンテレフタレー！・フィルムに
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパッ
タ装置でフィルム表面温度を１２０°Ｃ以下に抑えて形
成したプラスチック基板に、以下の組成の溶液を塗布し
、１２０°Ｃ３０分乾燥して薄膜を形成した。
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパッ
タ装置でフィルム表面温度を１２０°Ｃ以下に抑えて形
成したプラスチック基板に、以下の組成の溶液を塗布し
、１２０°Ｃ３０分乾燥して薄膜を形成した。
Ｉ ｎ’ａ （ＯＣ３Ｈ７）３ １ ｇエタノール
ｌ ＯＯｍ文 次に、１００ ｇ ／ ｃ ｍ’の抑圧下で一方向にラ
ビングし、このラビングした一対のプラスチック基板を
１−下のラビング方向が平行となる様に重ね合せ、注入
「１となる個所を除いたその周辺をシーリングした。こ
の時の一対のプラスチックノ、（板の間隔は、１μであ
った。
ｌ ＯＯｍ文 次に、１００ ｇ ／ ｃ ｍ’の抑圧下で一方向にラ
ビングし、このラビングした一対のプラスチック基板を
１−下のラビング方向が平行となる様に重ね合せ、注入
「１となる個所を除いたその周辺をシーリングした。こ
の時の一対のプラスチックノ、（板の間隔は、１μであ
った。
次にＰ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチルシンナメ−１−（ＤＯＢＡＭＢＣ）１００
重量部に対して、コレステリルノナネ−１・を５重量部
加えて液晶組成物を調整した。
メチルブチルシンナメ−１−（ＤＯＢＡＭＢＣ）１００
重量部に対して、コレステリルノナネ−１・を５重量部
加えて液晶組成物を調整した。
この液晶組成物を加熱して等実相とし、」−記で作製し
てセル内に減圧下で注入口から注入し、その注入［１を
封目した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を約
７０°Ｃで維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコ
ル状態で設けてから顕微鏡観察したところ、モノドメイ
ンの非らせん構造のＳｍＣ＊が形成させている事が確認
できた。
てセル内に減圧下で注入口から注入し、その注入［１を
封目した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を約
７０°Ｃで維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコ
ル状態で設けてから顕微鏡観察したところ、モノドメイ
ンの非らせん構造のＳｍＣ＊が形成させている事が確認
できた。
実施例２〜３
実施例１で用いた有機インジウム化合物に代えて、Ｉ
ｎＢ （ＯＣ５Ｈ１１） ３ （実施例２）、ｒ ｎＢ
（ＯＣｅＨｔ７） ３ （実施例３）を用いたほかは
、実施例１と同様の方法で液晶素子を作成したところ、
−１ｔらせん構造のＳｍＣ＊が形成されていた。
ｎＢ （ＯＣ５Ｈ１１） ３ （実施例２）、ｒ ｎＢ
（ＯＣｅＨｔ７） ３ （実施例３）を用いたほかは
、実施例１と同様の方法で液晶素子を作成したところ、
−１ｔらせん構造のＳｍＣ＊が形成されていた。
第１図は、本発明の液晶素子の一実施例を表わす断面図
である。 第２図および第３図は５本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第４図（Ａ）は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図であ
る。第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わす
断面図である。 ｌ ； プラスチック基板 ２ ； 透明導電膜の電極 ３ ： 配向制御膜 ４ ； シール部材 ５ ； スペーサ部材 ６ ； スメクテイツク液晶 １００ ； セル構造体 １０１、ｉｏ１′ ； 基板 １０２．１０２’ 、 電極 １０３ ； 液晶層 １０４．２０１ 、 スペーサ部材１０５ ； 配
向制御膜 １０６ ； 接着剤（シール部材） １０７．１０８ ； 偏光子 １０９ 、 発熱体
である。 第２図および第３図は５本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第４図（Ａ）は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図であ
る。第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わす
断面図である。 ｌ ； プラスチック基板 ２ ； 透明導電膜の電極 ３ ： 配向制御膜 ４ ； シール部材 ５ ； スペーサ部材 ６ ； スメクテイツク液晶 １００ ； セル構造体 １０１、ｉｏ１′ ； 基板 １０２．１０２’ 、 電極 １０３ ； 液晶層 １０４．２０１ 、 スペーサ部材１０５ ； 配
向制御膜 １０６ ； 接着剤（シール部材） １０７．１０８ ； 偏光子 １０９ 、 発熱体
Claims (6)
- （１）電極を設けた一対の基板の間にスメクテイツク液
晶を封入したセル構造を有する液晶素子において、前記
一対の基板のうち少なくとも一方の基板が有機インジウ
ム化合物と から形成した配向制御膜を有する ことを特徴とする液晶素子。 - （２）前記スメクテイツク液晶が強誘電性液晶である特
許請求の範囲第１項記載の液晶素子。 - （３）前記強誘電性液晶がカイラルスメクテイツク液晶
である特許請求の範囲第２項記載の液晶素子。 - （４）前記カイラルスメクテイツク液晶が非らせん構造
の相を形成している特許請求の範囲第３項記載の液晶素
子。 - （５）前期カイラルスメクテイツク液晶がＣ相、Ｈ相、
Ｉ相、Ｆ相又はＧ相である特許請求の範囲第３項又は第
４項記載の液晶素子。 - （６）前記一対の基板のうち、少なくとも一方の基板が
プラスチツク基板である特許請求の範囲第１項記載の液
晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18414884A JPS6162021A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18414884A JPS6162021A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6162021A true JPS6162021A (ja) | 1986-03-29 |
Family
ID=16148204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18414884A Pending JPS6162021A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6162021A (ja) |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP18414884A patent/JPS6162021A/ja active Pending
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