JPS6163152A - 放射線画像情報読取装置 - Google Patents
放射線画像情報読取装置Info
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- JPS6163152A JPS6163152A JP59185178A JP18517884A JPS6163152A JP S6163152 A JPS6163152 A JP S6163152A JP 59185178 A JP59185178 A JP 59185178A JP 18517884 A JP18517884 A JP 18517884A JP S6163152 A JPS6163152 A JP S6163152A
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- sheet
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
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Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の分野)
本発明は放射線画像情報を担持した蓄積性螢光体に励起
光を照射し、該励起光照射により発生す。
光を照射し、該励起光照射により発生す。
る輝尽発光光を読み取って画一信号を得る放射線画像情
報読取装置に関するものであり、特に詳細にはマイクロ
チャンネルプレートを用いて高感度の読取りを可能にし
た放射線画像情報読取装置に関するものである。
報読取装置に関するものであり、特に詳細にはマイクロ
チャンネルプレートを用いて高感度の読取りを可能にし
た放射線画像情報読取装置に関するものである。
(発明の技術的背景および先行技術)
ある種の螢光体に放射線(X線、α線、β線、γ線、電
子線、紫外線等)を照射すると、この放射線のエネルギ
ーの一部が螢光体中に蓄積され、その後この螢光体に可
視光等の励起光を照射すると、蓄積されているエネルギ
ーに応じて螢光体が輝尽発光を示すことが知られており
、このような性質を示す螢光体は蓄積性螢光体と呼ばれ
る。
子線、紫外線等)を照射すると、この放射線のエネルギ
ーの一部が螢光体中に蓄積され、その後この螢光体に可
視光等の励起光を照射すると、蓄積されているエネルギ
ーに応じて螢光体が輝尽発光を示すことが知られており
、このような性質を示す螢光体は蓄積性螢光体と呼ばれ
る。
この蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写体の放射線
画像情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有するシート
(以下、[蓄積性螢光体シート]あるいは単に「シート
」と言う。)に記録し、この蓄積性螢光体シートをレー
ザ光等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜしめ、得ら
れた輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、こ
の画像信号を処理して診断適性の良い被写体の放射線画
像を得る放射線画像情報記録再生方法が提案されている
。(例えば特開昭55−12429号、同55−116
340号、同55−163472号、同56−1139
5号、同56−104645号など) 従来上記のような放射線画像情報記録再生方法において
、輝尽発光光の読取りは大別して2つの方法により行な
うことができることが知られている。
画像情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有するシート
(以下、[蓄積性螢光体シート]あるいは単に「シート
」と言う。)に記録し、この蓄積性螢光体シートをレー
ザ光等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜしめ、得ら
れた輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、こ
の画像信号を処理して診断適性の良い被写体の放射線画
像を得る放射線画像情報記録再生方法が提案されている
。(例えば特開昭55−12429号、同55−116
340号、同55−163472号、同56−1139
5号、同56−104645号など) 従来上記のような放射線画像情報記録再生方法において
、輝尽発光光の読取りは大別して2つの方法により行な
うことができることが知られている。
すなわちその一方は、画素分割を励起光走査によって行
ない、輝尽発光光の検出は広い受光面を有する受光素子
(例えば光電子増倍管や光導電素子等)により行なうも
のであり、他方は、画素分割を受光素子(例えば2次元
固体撮像素子や半導体ラインセンサ等)において行ない
、電気回路によって時系列画像信号を形成するものであ
る。
ない、輝尽発光光の検出は広い受光面を有する受光素子
(例えば光電子増倍管や光導電素子等)により行なうも
のであり、他方は、画素分割を受光素子(例えば2次元
固体撮像素子や半導体ラインセンサ等)において行ない
、電気回路によって時系列画像信号を形成するものであ
る。
しかし前者の方法においては、励起光走査を行なうため
に光偏向器が必要となって装置が複雑、大型化し、また
励起光走査により1画素ずつ順に処理するので、全体の
処理時間が長くなり高速読取りが困難であるという不具
合がある。そして光電子増倍管を用いる場合には増倍管
本体およびその集光光学系のために特に装置が大型化し
やすく、また光導電素子は例えば特開昭58−1218
74号公報に示されるように、感度、応答が劣るという
難点がある。
に光偏向器が必要となって装置が複雑、大型化し、また
励起光走査により1画素ずつ順に処理するので、全体の
処理時間が長くなり高速読取りが困難であるという不具
合がある。そして光電子増倍管を用いる場合には増倍管
本体およびその集光光学系のために特に装置が大型化し
やすく、また光導電素子は例えば特開昭58−1218
74号公報に示されるように、感度、応答が劣るという
難点がある。
また後者の方法においては、2次元固体比像素子や半導
体ラインセンサの感度、S/Nが良くない、という欠点
がある。
体ラインセンサの感度、S/Nが良くない、という欠点
がある。
(発明の目的)
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、小型に形成可能で読取処理速度も速く、さらに感度、
S/Nの点でも優れた放射線画像情報読取装置を提供す
ることを目的゛とするものである。
、小型に形成可能で読取処理速度も速く、さらに感度、
S/Nの点でも優れた放射線画像情報読取装置を提供す
ることを目的゛とするものである。
(発明の構成)
本発明の放射線画像情報読取装置は、放射線画像情報が
蓄積記録された蓄積性螢光体シート上に、励起光源から
励起光を照射し、この励起光が照射される蓄積性螢光体
シートの部分に対向して配した光電変換体により、上記
輝尽発光光の強度に応じた数の電子を発生させ、この光
電変換体には上記電子を増倍するマイクロチャンネルプ
レートを接続しておき、増倍されて該マイクロチャンネ
ルプレートから出射した電子を画素分割された検出器に
よって検出して、上記放射線画像情報に対応した電気、
信号を得るようにしたことを特徴とするものである。
蓄積記録された蓄積性螢光体シート上に、励起光源から
励起光を照射し、この励起光が照射される蓄積性螢光体
シートの部分に対向して配した光電変換体により、上記
輝尽発光光の強度に応じた数の電子を発生させ、この光
電変換体には上記電子を増倍するマイクロチャンネルプ
レートを接続しておき、増倍されて該マイクロチャンネ
ルプレートから出射した電子を画素分割された検出器に
よって検出して、上記放射線画像情報に対応した電気、
信号を得るようにしたことを特徴とするものである。
上記画素分割された検出器としては、上記電子を直接検
出する電子コレクタや、電子照射により光を発する螢光
体と該螢光体が発した光を光電的に検出する光検出器と
が組み合わされたもの等が用いられる。
出する電子コレクタや、電子照射により光を発する螢光
体と該螢光体が発した光を光電的に検出する光検出器と
が組み合わされたもの等が用いられる。
(実施態様)
以下、図面に示ず実施態様に基づいて本発明を詳細に説
明する。
明する。
第1.2および3図は本発明の第1実施態様による放射
線画像情報読取装置を示すものである。
線画像情報読取装置を示すものである。
本実施態様装置は読取部がいわゆるラインセンサとして
構成されたものであり、第1図は励起光源と蓄積性螢光
体シートとラインセンサとの配置関係を示し、第2図及
び第3図はそれぞれ該読取装置の正面形状、側面形状を
示している。第2図及び第3図に示されるように、蓄積
性螢光体シート1の下方には、該シート1の幅方向に延
びた細いスリット4Aを有するスリット板4が配され、
さらにその下方には同じくシート1の幅方向に延びた励
起光源2が配され、一方、シート1の上方には、上記ス
リット4Aに対向する位置に、シート1から発せられる
輝尽発光光は透過し、励起光源2より発せられシート1
を透過した励起光は吸収するフィルタ 5を介してライ
ンセンサ3が配されている。ラインセンサ3はシート1
の幅方向に延ばされて直接上記シート1に対向する光電
変換体3Aと、マイクロチャンネルプレート3Bと、螢
光体3Cと、画素分割された受光素子アレイ3Dと一体
的に固着されてなる。マイクロチャンネルプレート3B
IIi:@I成する各ガラス繊維管のサイズは、受光素
子アレイ3Dの各画素のサイズよりも小さく、受光素子
アレイ3Dの1画素は複数のガラス繊維管に対応してい
る。
構成されたものであり、第1図は励起光源と蓄積性螢光
体シートとラインセンサとの配置関係を示し、第2図及
び第3図はそれぞれ該読取装置の正面形状、側面形状を
示している。第2図及び第3図に示されるように、蓄積
性螢光体シート1の下方には、該シート1の幅方向に延
びた細いスリット4Aを有するスリット板4が配され、
さらにその下方には同じくシート1の幅方向に延びた励
起光源2が配され、一方、シート1の上方には、上記ス
リット4Aに対向する位置に、シート1から発せられる
輝尽発光光は透過し、励起光源2より発せられシート1
を透過した励起光は吸収するフィルタ 5を介してライ
ンセンサ3が配されている。ラインセンサ3はシート1
の幅方向に延ばされて直接上記シート1に対向する光電
変換体3Aと、マイクロチャンネルプレート3Bと、螢
光体3Cと、画素分割された受光素子アレイ3Dと一体
的に固着されてなる。マイクロチャンネルプレート3B
IIi:@I成する各ガラス繊維管のサイズは、受光素
子アレイ3Dの各画素のサイズよりも小さく、受光素子
アレイ3Dの1画素は複数のガラス繊維管に対応してい
る。
なお、上記スリット板4は必ずしも必要なものではなく
、励起光として線状に整形されたレーザ光が用いられる
場合等には不及である。また、受光素子アレイ3Dは必
ずしも螢光体3Cに密着している必要はなく、各画素に
対応した光ファイバーアレイ等を介して螢光体3Cと光
学的に接続されていてもよい。
、励起光として線状に整形されたレーザ光が用いられる
場合等には不及である。また、受光素子アレイ3Dは必
ずしも螢光体3Cに密着している必要はなく、各画素に
対応した光ファイバーアレイ等を介して螢光体3Cと光
学的に接続されていてもよい。
上記蓄積性螢光体シート1は、励起光源2側に配される
透明基板1Aの上に、8aFBr:Eu等からなる蓄積
性螢光体層1Bが積層されたものである。このシート1
には図示しない放射線撮影装置により被写体を通して放
射線が照射され、蓄積性螢光体層1Bに被写体の放射線
画像情報が蓄積記録されている。
透明基板1Aの上に、8aFBr:Eu等からなる蓄積
性螢光体層1Bが積層されたものである。このシート1
には図示しない放射線撮影装置により被写体を通して放
射線が照射され、蓄積性螢光体層1Bに被写体の放射線
画像情報が蓄積記録されている。
、励起光源2は、スリット4Aを介してシート1に同時
に線状の励起光照射を行なう。励起光7が照射されたシ
ート1は、W積記録されている放射線画像情報を、線状
に励起光照射された部分から輝尽発光光8として出力す
る。この輝尽発光光8は、シート1に蓄積されている放
射線エネルギーに対応した光強度を有するものであり、
つまり前記放射線画像情報を担持したものとなる。
に線状の励起光照射を行なう。励起光7が照射されたシ
ート1は、W積記録されている放射線画像情報を、線状
に励起光照射された部分から輝尽発光光8として出力す
る。この輝尽発光光8は、シート1に蓄積されている放
射線エネルギーに対応した光強度を有するものであり、
つまり前記放射線画像情報を担持したものとなる。
上記輝尽発光光8はこの輝尽発光光8を選択的に透過す
るフィルタ5を介してラインセンサ3の光電変換体3A
に受光される。励起光源2より発せられた励起光7のう
ちシート1を透過したものはフィルタ5により吸収され
るので、充電変換体3Aに受光されない。光電変換体3
Aは例えばSb −3e 、 [3i −0−AQ −
Cs 、パイアルカリ(K−Cs−8b等)、マルチア
ルカリ(Na −に−Cs−8b等)、OS −T e
等からなるものであり、上記輝尽発光光8の強度に応じ
た数の電子を発生ずる。マイクロチャンネルプレート3
Bは直径が10μm程度の中空のガラス繊維が多数束ね
られてなるものであり、各繊維管の内壁面が2次電子面
とされるとともにその内部は真空とされ、繊維管の入口
(光電変換体3Aに接続する側)と出口(螢光体3Cに
接続する側)との間に例えば1kV程度の電圧が印加さ
れる。したがって、光電変換体3Aから発せられて該マ
イクロチャンネルプレート3B内に入射した上記電子は
、上記繊維管の内壁面への衝突を繰り返して2次電子増
倍され、上記出口から出射して螢光体3Cを照射する。
るフィルタ5を介してラインセンサ3の光電変換体3A
に受光される。励起光源2より発せられた励起光7のう
ちシート1を透過したものはフィルタ5により吸収され
るので、充電変換体3Aに受光されない。光電変換体3
Aは例えばSb −3e 、 [3i −0−AQ −
Cs 、パイアルカリ(K−Cs−8b等)、マルチア
ルカリ(Na −に−Cs−8b等)、OS −T e
等からなるものであり、上記輝尽発光光8の強度に応じ
た数の電子を発生ずる。マイクロチャンネルプレート3
Bは直径が10μm程度の中空のガラス繊維が多数束ね
られてなるものであり、各繊維管の内壁面が2次電子面
とされるとともにその内部は真空とされ、繊維管の入口
(光電変換体3Aに接続する側)と出口(螢光体3Cに
接続する側)との間に例えば1kV程度の電圧が印加さ
れる。したがって、光電変換体3Aから発せられて該マ
イクロチャンネルプレート3B内に入射した上記電子は
、上記繊維管の内壁面への衝突を繰り返して2次電子増
倍され、上記出口から出射して螢光体3Cを照射する。
周知の通りこのマイクロチャンネルプレート3Bによれ
ば、低ノイズで103〜104程度の電子増倍率が得ら
れる。
ば、低ノイズで103〜104程度の電子増倍率が得ら
れる。
螢光体3Cは例えばP−20螢光体等からなり、上記マ
イクロチャンネルプレート3Bから出射しだ増倍電子が
照射されると、その電子数に応じた強度の螢光を発する
。すなわちこの螢光はシート1に蓄積記録されている放
射線画像情報を担持したものとなる。この螢光は受光素
子アレイ3Dに受光される。該受光素子アレイ3Dはシ
ート1の幅方向に多数整列配置され各々が1画素となる
固体光電変換素子3dを有し、上記螢光はこれらの固体
光電変換素子3dに同時に受光される。受光した各素子
3dはフォトキャリアを発生し、これ′によって4Qら
れる信号を一時的に蓄積する。蓄積された信号は順次、
走査回路6で読み出され、1本の線状の照射部(走査線
に相当)の情報の読取りが終了する。
イクロチャンネルプレート3Bから出射しだ増倍電子が
照射されると、その電子数に応じた強度の螢光を発する
。すなわちこの螢光はシート1に蓄積記録されている放
射線画像情報を担持したものとなる。この螢光は受光素
子アレイ3Dに受光される。該受光素子アレイ3Dはシ
ート1の幅方向に多数整列配置され各々が1画素となる
固体光電変換素子3dを有し、上記螢光はこれらの固体
光電変換素子3dに同時に受光される。受光した各素子
3dはフォトキャリアを発生し、これ′によって4Qら
れる信号を一時的に蓄積する。蓄積された信号は順次、
走査回路6で読み出され、1本の線状の照射部(走査線
に相当)の情報の読取りが終了する。
次いでシート1は、励起光源2とラインセンサ3に対し
て相対的に第1図の矢印六方向に一走査線分だけ移動さ
れ、上記読取りのステップが繰り返される。このステッ
プをシート1全面に対して繰り返すことにより、シート
1全面に記録された放射線画像情報が読み出される。
て相対的に第1図の矢印六方向に一走査線分だけ移動さ
れ、上記読取りのステップが繰り返される。このステッ
プをシート1全面に対して繰り返すことにより、シート
1全面に記録された放射線画像情報が読み出される。
次にラインセンサ3に続く走査回路6について説明する
。第4図は光導電体を用いたラインセンサおよび走査回
路の等価回路である。光導電体を用いた固体光電変換素
子3dに前記螢光が当たって発生するフォトキャリアに
よる信号は光導電体3d内のキャパシタC1(i−1,
2、・・・・・・n)に蓄積される。蓄積されたフォト
キャリアの信号は、シフトレジスタ11によって制御さ
れるスイッチ部10の順次開閉により順次読み出され、
これにより時系列化された画像信号を得ることができる
。
。第4図は光導電体を用いたラインセンサおよび走査回
路の等価回路である。光導電体を用いた固体光電変換素
子3dに前記螢光が当たって発生するフォトキャリアに
よる信号は光導電体3d内のキャパシタC1(i−1,
2、・・・・・・n)に蓄積される。蓄積されたフォト
キャリアの信号は、シフトレジスタ11によって制御さ
れるスイッチ部10の順次開閉により順次読み出され、
これにより時系列化された画像信号を得ることができる
。
画像信号は、その後増幅器12で増幅されてその出力端
子13から出力される。この画像信号を用いれば、例え
ばCRTに前記放射線画像を表示させたり、あるいは走
査記録装置等により上記M射線画像のハードコピーを得
ることができる。
子13から出力される。この画像信号を用いれば、例え
ばCRTに前記放射線画像を表示させたり、あるいは走
査記録装置等により上記M射線画像のハードコピーを得
ることができる。
なお、スイッチ部10およびシフトレジスタ11からな
るM2S部はCODに置き替えてもよい。
るM2S部はCODに置き替えてもよい。
第5図および6図は本発明の第2実施態様装置を示すも
のである。なおこの第5.6図において、前記第1〜3
図中の要素と同等の要素には同番号を付し、それらにつ
いての説明は省略する。本実施態様装置において、ライ
ンセンサ20のマイクロチャンネルプレート3Bの電子
出口側には例えば1”e−Cr等からなる電子コレクタ
3Fが固着されている。該電子コレクタ3Fの多数の電
極3fは、各々が1画素となるように、シート1の幅方
向に整列配置され、各電極3fから延ばされたコード3
qは走査回路21に接続されている。各電極3fはそれ
ぞれが検出した電子数に応じた電流信号を出力し、該信
号が上記走査回路21において処理され、時系列化され
た画像信号が得られる。
のである。なおこの第5.6図において、前記第1〜3
図中の要素と同等の要素には同番号を付し、それらにつ
いての説明は省略する。本実施態様装置において、ライ
ンセンサ20のマイクロチャンネルプレート3Bの電子
出口側には例えば1”e−Cr等からなる電子コレクタ
3Fが固着されている。該電子コレクタ3Fの多数の電
極3fは、各々が1画素となるように、シート1の幅方
向に整列配置され、各電極3fから延ばされたコード3
qは走査回路21に接続されている。各電極3fはそれ
ぞれが検出した電子数に応じた電流信号を出力し、該信
号が上記走査回路21において処理され、時系列化され
た画像信号が得られる。
なお以上説明した実施態様においては、励起光源2とラ
インセンサ3が蓄積性螢光体シート1を間において配置
されているが、励起光源2の励起光出射軸とラインセン
サ3の受光軸とが互いに角度をなすようにして、これら
励起光源2とラインセンサ3とを共に蓄積性螢光体シー
ト1の蓄積性螢光体層1B側に配置するようにしてもよ
い。
インセンサ3が蓄積性螢光体シート1を間において配置
されているが、励起光源2の励起光出射軸とラインセン
サ3の受光軸とが互いに角度をなすようにして、これら
励起光源2とラインセンサ3とを共に蓄積性螢光体シー
ト1の蓄積性螢光体層1B側に配置するようにしてもよ
い。
また以上説明の実施態様においては、画像読取部がいわ
ゆるラインセンサとして形成されているが、充電変換体
、マイクロチャンネルプレート、検出器としてそれぞれ
2次元的広がりを有するものを使用し、画像読取部をい
わゆるエリアセンサとして形成することも勿論可能であ
る。
ゆるラインセンサとして形成されているが、充電変換体
、マイクロチャンネルプレート、検出器としてそれぞれ
2次元的広がりを有するものを使用し、画像読取部をい
わゆるエリアセンサとして形成することも勿論可能であ
る。
(発明の効果)
以上詳細に説明した通り本発明の放射線画像情報読取装
置によれば、励起光走査を行なわずに、1走査線毎さら
には1記録面毎の画像読取りが可能であるから、読取速
度が高速化され、また光偏向器を使用しないから装置の
小型化が可能である。
置によれば、励起光走査を行なわずに、1走査線毎さら
には1記録面毎の画像読取りが可能であるから、読取速
度が高速化され、また光偏向器を使用しないから装置の
小型化が可能である。
そして本発明装置によれば前述の通りマイクロチャンネ
ルプレートを用いて電子増倍することにより、極めて高
感度で放射線画像情報を読み取ることができ、しかもS
/Nの良い読取画像信号を得ることができる。
ルプレートを用いて電子増倍することにより、極めて高
感度で放射線画像情報を読み取ることができ、しかもS
/Nの良い読取画像信号を得ることができる。
第1図、第2図および第3図はそれぞれ本発明の第1実
m態様装置を示す概略斜視図、概略正面図、概略側面図
、 第4図は上記実施態様装置に用いられる走査回路を示す
回路図、 第5図および第6図はそれぞれ本発明の第2−実/il
!i態様装置を示す概略正面図、概略側面図である。 1・・・蓄積性螢光体シート 20.・励起光源 3.20・・・ラインセンサ
3A・・・光電変換体 3B・・・マイクロチャンネルプレート3C・・・螢光
体 3D・・・受光素子アレイ3F・・・電子コ
レクタ 7・・・・・・励 起 光8・・・・・・
輝尽発光光 第2図 第3図
m態様装置を示す概略斜視図、概略正面図、概略側面図
、 第4図は上記実施態様装置に用いられる走査回路を示す
回路図、 第5図および第6図はそれぞれ本発明の第2−実/il
!i態様装置を示す概略正面図、概略側面図である。 1・・・蓄積性螢光体シート 20.・励起光源 3.20・・・ラインセンサ
3A・・・光電変換体 3B・・・マイクロチャンネルプレート3C・・・螢光
体 3D・・・受光素子アレイ3F・・・電子コ
レクタ 7・・・・・・励 起 光8・・・・・・
輝尽発光光 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性螢光体シー
トに励起光を照射する励起光源、 この励起光源により励起光が照射される蓄積性螢光体シ
ートの部分に対向して配され、前記励起光の照射により
前記シートから発せられた輝尽発光光の強度に応じた数
の電子を発生する光電変換体、 この光電変換体に接続されて前記電子を増倍するマイク
ロチャンネルプレート、および 増倍されてこのマイクロチャンネルプレートから出射し
た電子を検出し、その電子数に応じた電気信号を出力す
る画素分割された検出器からなる放射線画像情報読取装
置。 2)前記検出器が、電子照射を受けて光を発する螢光体
と、この螢光体が発した光を光電的に検出する光検出器
とからなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の放射線画像情報読取装置。 3)前記検出器が電子コレクタからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の放射線画像情報読取装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59185178A JPS6163152A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 放射線画像情報読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59185178A JPS6163152A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 放射線画像情報読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163152A true JPS6163152A (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=16166200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59185178A Pending JPS6163152A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 放射線画像情報読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163152A (ja) |
-
1984
- 1984-09-04 JP JP59185178A patent/JPS6163152A/ja active Pending
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