JPS6163488A - 光記録素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は有機材料を利用した光記録素子に関し、特に高
度に分子配向された有機薄膜を利用した高信頼・高密度
記録の可能な光記録素子に関するものである。

［従来の技術］ 最近、オフィス・オートメーション（ＯＡ）ノ中心的存
在として光ディスクが脚光を集めている。

その理由は光ディスク一枚で、大量の文書、文献などを
記録（又は記憶）できるからであり、したがって該光デ
ィスクを用いる情報記憶装置を導入するとオフィスにお
ける文書１文献の整理、管理に一大変革をもたらすもの
である。又、該光デイスク用記録素子としては安価性、
製作容易性、高密度記録性等の特徴を有する有機材料か
らなる素子が注目されている。

この様な有機記録材を用いる従来技術の中で。

特に発色剤と期化剤の接触による発色反応を利用する二
成分系の光記録素子が報告されている（日経産業新聞　
昭和５８年１０月１８日）。

該光記録素子の１例を図面に基づいて説明すると、第２
図（ａ）に示す様に発色剤層７と期化剤層５とが光吸収
層ｅによって隔てられて基板１上に積層された構成から
なるものである。

発色剤（ロイコ体）及び期化剤は各々単独で存在すると
きは無色又は淡色である６ 該記録素子に記録を行うときは、第２図（ｂ）に小す様
に光吸収層６の所望の位置にレーザ光８を１！（（射す
ると、光吸収層のレーザ光を照射された部分はレーザ光
を吸収して溶融し破れて小さな穴かあく。

その結果、第２図（ｃ）に示す様に光吸収層６によって
隔てられていた発色剤と期化剤がこの小さな穴を通して
混ざり合い発色する。情報はこの発色点９の形で記録な
いし記憶され、読み出しは別の光源で該記録素子」二を
走査し発色点による反射率、透過率等の変化を検出する
ことにより行われる。

［発明が解決しようとする問題点］ ヒ記の光記録素子に於いて、記録の高密度化を図るため
には光吸収層６が極力薄く、平坦で、かつ膜厚のむらの
ないものが望ましい。しかしながら、従来の光記録素子
において、光吸収層は例えば真空蒸着法又は回転塗布法
などによって基板上に被膜されているため、厚さを２０
０〜５００八以下に？導くしようとすればピンホールが
多発しやすく、このピンホールの箇所で発色剤と期化剤
の２成分が接触して発色するため、信頼性に欠ける欠点
があった。その上、前記の従来の被膜方法で形成される
各層の１１Ｑ内の分子分１ｊｉ配向がランタムであるた
め、光照射に伴って膜内で光散乱が生じ。

微視的にみた場合、各光照射の度に生ずる化学反応の度
合が異なってくる。さらに、上述の被膜方法では光ディ
スクの基板を大面積化すると、膜厚のむらが生じ、記録
品質のむらが発生する等の欠点があった。

したがって、光記録素子としては、１ｌｆｉ内の分子分
布・配向が一様で、ピンホールも膜厚のむらもないこと
が望ましく、またできる限り膜厚が薄いことが、記録の
高密度化、高信頼化のために要望される。本発明はかか
る要望に鑑みてなされたもので、本発明の目的は高信頼
・高密度記録が可能な光記録素子を提供することにある
０本発明の別の目的は製作容易で安価な光記録素子を提
供することにある。本発明のさらに別の目的は大面積の
光記録素子を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］及び［作用］即ち、本
発明は通常無色ないし淡色の発色性化合物からなるＡ層
と、前記発色性化合物と接触して発色せしめる助色性化
合物からなるＢ層と、光吸収性物質からなる光吸収層と
、反射層とからなり、かつＡ層、Ｂ層及び光吸収層のう
ち少なくとも一層が構成物質の単分子膜又はその累積Ｓ
から構成されることを特徴とする光記録素子である。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明に係わる光記録素子は通常熱・色ないし淡色の発
色性化合物からなるＡ層と、前記発色性化合物と接触し
て発色せしめる助色性化合物からなるＢ層と、光吸収性
物質からなる光吸収層と１反射層とから構成され、該Ａ
層及びＢ層には互に接触、混合することにより発色する
物質を組合せて用いることが基本的に要請される。この
様な関係にあるＡ層の通常無色ないし淡色の発色性化合
物及びＢ層のｉｉｉ＋記発色性化合物と接触して発色せ
しめる肋色性化合物の具体例を示すと （イ）　酸性物′ｔ１（Ｂ層）と該酸性物質に接触する
ことによって発色する染料のロイコ体（色素前駆体）（
Ａ層） ０口）酸化剤（Ｂ層）と該酸化剤に接触することによっ
て発色する染料のロイコ体（Ａ層）（ハ）還元剤（Ｂ層
）と該還元剤に接触することによって発色する染料のロ
イコ体（Ａ層）（ニ）還元剤（Ｂ層）とステアリン酸第
２鉄のように還元されると発色する酸化剤（Ａ層）（ホ
）酸化剤（Ｂ層）】没食子酸のように酸化されると発色
する還元剤（Ａ層） 等が挙げられる。

前記（イ）の場合をさらに詳しく例示すれば、染料のロ
イコ体と接触して反応し発色せしめるＢ層の酸性物質と
しては、ベンゼンスルホン酸等の芳香族スルホン酸化合
物、安息香酸等の芳香族カルボン酸類、バルミチン酸（
（＋５　Ｈ３１Ｃ００（１）、ステアリン酸（Ｃ：＋７
８ａデＣ００（１）、アラキシン酸（Ｃ＋ｑ　Ｈｕ　Ｃ
０Ｏ（１）等の高級脂肪酸カルボン酸類、ｐ−ｔ−ブチ
ルフェノール、α−ナフトール、β−ナフトール、フェ
ノールフタレイン、ビスフェノールＡ、４−ヒドロキシ
シフエノキシト、４−ヒドロキシアセトフェノン等のフ
ェノール性化合物等が挙げられる。

次に、前記酸性物質と接触して反応するＡ層の！ｔ！：
料のロイコ体としては例えば、トリフェニルメタン系、
フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピ
ロピラン系等があり、それ等に含まれる具体的な化合物
の詳細を提示すると第１表の通りである。

次に、未発明における光吸収層の形成に用いられる光吸
収性物質としては赤外線を吸収する光吸収色素であれば
如何なるものでもよく、例えば赤外線を吸収して溶融す
る溶融性光吸収色素、又は赤外線を吸収して昇華する昇
華性光吸収色素、及び非溶融性色素、非昇華性色素等を
用いることができる。

該かかる光吸収色素の１例をあげれば１例えば銅フタロ
？アニン、バナジウムフタロシアニン等の金属フタロシ
アニン、フルオレスセイン等のキサンチン系色素等があ
る。

本発明に係わる光記録素子はＡ層、Ｂ層及び光吸収層の
うち少なくとも一層は各構成物質の単分子膜又はその累
積膜から構成されることを１つの特徴とするものである
。したがって、Ａ層、Ｂ層又は光吸収層が単分子膜又は
その累積膜を形成する場合には、前記の発色性化合物、
助色性化合物又は光吸収性物質はいずれも分子内の適当
な部位に親木基、疎水基又はその両方の基を導入した誘
導体を用いる必要がある。

疎水基及び親木基には一般に使用されるものであれば如
何なるものでも用いることができるが、特に好ましくは
疎水基としては炭素原子数５〜３０の長鎖アルキル基、
親木基としてはカルボキシル基及びその金属塩（例えば
カドミウム塩）が望ましい。

他方、Ａ層、Ｂ層又は光吸収層が単分子膜又はその累積
膜を形成しない場合には、各層はいずれも従来の被膜方
法により形成される膜であれば如何なる膜でも用いるこ
とができ、それ等の中で例えば蒸着膜、塗布膜、浸漬膜
、ラミネート等の堆積膜からなる層が好ましい。

なお、Ａ層及びＢ層の膜厚は、単分子膜又はその累積膜
、或いは堆積膜を用いるいずれの場合においても、　２
００人から１０１Ｌの範囲が望ましく、好適には１．０
００人からＩｇの範囲である。

他方、光吸収層の膜厚は、単分子膜又はその累積膜を用
いる場合には、３０Ａから１，０００人の範囲が望まし
く、好適には５０Ａから２００人の範囲であり、又、堆
積膜を用いる場合には、９０人から１．０００　Ａの範
囲が望ましく、好適には１４０人から４００Ａの範囲で
ある。

本発明において、反射層は光を反射する物質であれば如
何なるものでもよく、例えばアルミ等の金属反射層、誘
電体ミラー等が挙げられる。

なお、反射層の中で、特に金属反射層の膜厚は１．００
０　Ａ〜２，０００人が好適である。

また１本発明において基板に使用される材料としては、
シリコン等の半導体材料、アルミ等の金属材料、好適に
は強化ガラス、更に好適にはアクリル（ＰＭＭＡ）、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニール（ｐｖｃ）　、ポリスチレン等のプラスチック材
料、セラミックス材料が好ましい。

前述の通り本発明に係わる光記録素子は、発色°性化合
物からなるＡ層、助色性化合物からなるＢ層及び光吸収
性物質からなる光吸収層のうち少なくとも一層が構成物
質の単分子膜又はその累ｍ膜から構成されることを１つ
の特徴とするものである。

かかる分子の高秩序性及び高配向性を有する単分子膜又
はその累積膜を作成する方法としては、例えば１．Ｌａ
ｎｇｍｕｉｒらの開発したラングミュア・ブロジェット
法（ＬＨ法）を用いる。ラングミュア・プロジェット法
は、例えば分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子
において、両者のバランス（両親媒性のバランス）が適
度に保たれているとき、分子は水面上で親木基を下に向
けて単分子の層になることを利用して単分子膜または単
分子の累積膜を作成する方法である。水面上の単分子層
は二次元系の特徴をもつ０分子がまばらに散開している
ときは、一分子当り面積Ａと表面圧■との間に二次元理
想気体の式、 ｎＡ＝　ｋＴ が成り立ち、″気体膜°゛となる。ここに、ｋはポルツ
マン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の゛凝縮膜（または
固体膜）″になる。凝縮膜はプラスチック基板、カラス
基板などの種々の材質や形状を有する担体の表面へ一層
ずつ移すことができる。

次に本発明に使用する発色性化合物、助色性化合物又は
光吸収性物質である親木基、疎水基を併有する有機分子
の単分子膜又はその累積膜を形成する方法についてさら
に１洋述する。

まず該有機分子をベンゼン、クロロホルム等の揮発性溶
剤に溶解し、シリンダ等でこれを第３図に概略した単分
子累積膜形成装置の水槽ｌＯ内の水相１１上に展開させ
る。

該有機分子は、溶剤の揮発に伴って、親木基１２を水相
に向け、疎水基１３を気相に向けた状態で水相１１上に
展開する。

次にこの析出物（有機分子）が水相１１上奢自由に拡散
して広がりすぎないように仕切板（または浮子）１４を
設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、
その集合状態に比例した表面圧ｎを得る。この仕切板１
４を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制
御し１表面圧を徐々に上昇させ、累ａ膜の製造に適する
表面圧■を設定することができる。この表面圧を維持し
ながら静かに清浄な基板１４を垂直に上下させることに
より単分子ＩＩ５！１８が基板上に移しとられる。単分
子膜１６は以上で製造されるが、単分子層累積膜１７は
前記の操作を繰り返すことにより所望の累積数の単分子
層累積膜が形成される。

例えば表面が親木性である基板１５を水面を横切る方向
に水中から引き上げると該有機分子の親木基が基板１５
側に向いた単分子層１Ｂが基板１５上に形成される。前
述のように基板１５を上下させると、各工程ごとに１枚
ずつ単分子層１６が積み重なっていく、成膜分子の向き
が引上げ工程と浸せき工程で逆になるので、この方法に
よると各層間は有機分子の親木基と親木基、有機分子の
疎水基と疎水基が向かい合ういわゆるＹ型膜が形成され
る（第４図（ａ）　）　。

Ｙ型膜は有機分子の親水基同志、疎水基同志が向い合っ
ているので強固である。

それに対し、基板１５を水中に引き下げるときにのみ、
基板面に該有機分子を移し取る方法もある。

この方法では、累積しても、成膜分子の向きの交代はな
く全ての層において、疎水基が基板１５側に向いたＸ型
膜が形成される（第４図（ｂ））。反　　　　□対に全
ての層において親木基が基板１５側に向いた累積膜はＺ
型膜と呼ばれる（第４図（Ｃ）　）　。

Ｚ型膜は基板１５を水中から引上げるときにのみ、基板
面に有機分子を移し取ることによって得られる。

以上の方法によって基板上に形成される単分子膜及び単
分子層累積膜は高密度でしかも高度の秩序性・配向性を
有しており、これらの膜で記録層を構成することによっ
て、光熱的記録の可能な高密度で高Ｐｑ像度の記録機能
を有する記録素子を得ることができる。また、これら成
膜方法はその原理からも分る通り、非常に簡単な方法で
あり、上記のような優れた記録機能を有する記録素子を
低コストで提供することができる。

以上述べた。本発明における単分子膜または単分子累積
膜を形成する基板は特に限定されないが、基板表面に界
面活性物質が付着していると、単分子層を水面から移し
とる時に、単分子膜が乱れ良好な単分子膜または単分子
層累積膜ができないので基板表面が清浄なものを使用す
る必要がある。

基板上の単分子膜または単分子層累積膜は、十分に強く
固定されており基板からの剥離、剥落を生じることはほ
とんどないが、付着力を強化する目的で基板と単分子膜
または単分子層膜ａｍの間に接着層を設けることもでき
る。さらに単分子層形成条件例えば水相の水素イオン濃
度、イオン種、水温、担体上げ下げ速度あるいは表面圧
の選択等によって付着力を強化することもできる。

次に、Ａ層、８層又は光吸収層の堆積膜の形成方法は前
記発色性化合物、助色性化合物又は光吸収性物質にバイ
ンダーと水を添加した水混和物を、ボールミル等を用い
て粉砕混合した後、基板等の上に従来の通常の方法で塗
着して行う。

本発明に用いられる前記バインダーとしてはゼラチン、
でんぷんのごとき天然高分子物、硝＃繊維素、カルボキ
シメチルセルローズのごときＲ維素誘導体、塩化ゴム、
環化ゴムのごとき天然ゴム可塑物などの半合成高分子物
、ポリイソブチレン、ポリスチロール、テルペン樹脂、
ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリメタア
クリル酸エステル、ポリアクリルニトリル、ポリアクリ
ルアミド、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルピロリドン、ポリアセタール樹脂、ポリ塩化ビ
ニル、ポリビニルピリジン、ポリビニルカルバゾール、
ポリブタジェン、ポリスチレン−ブタジェン、ブチルゴ
ム、ポリオキシメチレン、ポリエチレンイミン、ポリエ
チレンイミンハイドロクロライド、ポリ（２−アクリル
オキシエチルジメチルスルホニウムクロライド）などの
ごとき重合型合成高分子、フェノール樹脂、アミノ樹脂
、トルエン樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル
樹脂、アリル樹脂、ポリカーボネート、ポリアマイド樹
脂、ポリエーテル樹脂、珪素樹脂５　フラン樹脂、チオ
コールゴムなどのごとき縮合重合型合成高分子、ポリウ
レタン、ポリ尿素、エポキシ樹脂などのごとき付加重合
型樹脂が挙げられる。

本発明における反射層の形成方法は従来実施されている
通常の方法を用いることができ、それ等の中で例えば真
空蒸着法、スパッタリング法等が好ましい。

以上に説明した各層の形成方法を所期の目的とする構成
に応じて順次組合せることにより１本発明に係わる光記
録素子を容易に製造することができる。

次に、本発明に係わる光記録素子の構成の実施態様を以
下に示す。

（ｆ）第１図（ａ）は実施態様の１例を示し、発色性化
合物からなるＡ層２、助色性化合物からなる８層４及び
Ａ層３とＢＷの間に介在する光吸収性物質からなる光吸
収層３からなる積層体を、基板１上に設けた反射層３０
上に前記Ｂ層４を介して支持して、基板／反射層／Ｂ層
／先後収層／Ａ層の順に積層してなるものである。

さらに、他の例として前記積層体のＡ層を基板上に設け
た反射層上に支持し、基板／反射層／Ａ層／先後収層／
Ｂ層の順に積層してもよく、又前記積層体を２段以上積
重ねて最下層のＡ層又はＢ層を基板上に設けた反射層上
に支持してもよ　　７い。

上記の構成において、前記ａ屠体のＡ層、Ｂ層及び光吸
収層のうち少なくとも一層が各構成物質の単分子膜又は
その累積膜からなり、それ以外の層は堆積膜等により形
成される。

その具体例を示すと、下記のとおりである。

（１）　Ａ層、Ｂ層、光吸収層の全てが単分子膜又はそ
の累積ｌ！（以下、ｒＬＢＭＪと記す）（２）Ａ層、光
吸収層はＬＢ膜、Ｂ層は堆積膜（３）光吸収層、Ｂ層は
ＬＢ膜、Ａ層は堆積膜（４）Ａ層、Ｂ層はＬＢ咬、光吸
収層は塩ｍ膜（５）Ａ層はＬＢ膜、Ｂ層、光吸収層は堆
積膜（６）光吸収層はＬＢ膜、Ａ層、Ｂ層は堆積膜（７
）Ｂ層はＬＢ膜、Ａ層、光吸収層は堆積膜上記（［）の
構成よりなる本発明に係わる光記録素子はＡ層とＢ層と
を光吸収層によって隔離して構成されているので、赤外
！Ｉ！照射によって光吸収層を溶融ないし昇華せしめて
所望の位置に孔をあけることにより、Ａ層の発色性化合
物とＢ層の助色性化合物が接触して発色反応が進行し、
該位置に発色点を形成し情報を記録することができる。

（ｎ）第１図（ｂ）は発色性化合物からなるＡｆｉ２と
助色性化合物からなる８層４とを積層し、ざらに該Ｂ層
４の上に光吸収層３を設けてなる積層体を、基板ｌ上に
設けた反射層３０上に前記光吸収層３を介して支持し、
基板／反射層／先後収層／Ｂ層／Ａ層の順に積層してな
るものである。この場合Ａ層２と８層４とを逆にして、
基板／反射層／先後収層／Ａ層／Ｂ層の順に８１層して
もよい。

さらに、他の例を示すと、８１図（ｃ）に示す通り、Ａ
層２と８層４とをＡ層し、さらに該Ａ層２の上に光吸収
層３を設けて積層体を形成し、８層４を基板１上に設け
た反射層３０上に支持し、基板／反射層／Ｂ層／Ａ層／
光吸収層の順に積層してなるものである。この場合、前
記と同様にＡ層２と８層４とを逆にして、基板／反射層
／Ａ層／Ｂ層／光吸収層の順に積層してもよい。

また、上記の第１図（ｂ）、　（ｃ）に示すいずれの構
成においても前記の積層体を２段以上積重ねて基板上に
設けた反射層上に支持してもよい。

上記（ＴＩ’）の構成において、前記積層体のＡ層、Ｂ
層及び光吸収層のうち少なくとも一層が各構成物質の単
分子膜又はその累ａ膜からなり、それ以外の層は堆積膜
により形成される。

その具体例を示すと、前記実施態様（Ｉ）の（＋）〜（
７）に記したとおりである。

上記（ＩＩ）の構成よりなる光記録素子は発色性化合物
からなるＡ層と助色性化合物からなるＢ層とを密着せし
めて構成されているが、従来の技術ではこの様に構成す
ることは不可詣であるとされていた。しかしながら本発
明においてはＡ層及び／又はＢ層が分子の高度の秩序性
・配向性を有する単分子膜及びその累！膜によって形成
されているため、分子内の非反応性部位を介して１反応
性部位同志を隔てることができるために上記の構成をと
ることが可能となったのである。

また、上記（ＩＩ）の構成よりなる本発明に係わる光記
録素子はＡ層とＢ層とを密着させて積層し、さらに光吸
収層を外側に設けて構成されているので、赤外線照射に
よって光吸収層が加熱され、その熱伝導によってＡ層の
発色性化合物とＢ層の助色性化合物とが加熱接触して発
色反応が進行し、所定の位置に発色点を形成し情報を記
録することができる。この場合、光吸収性物質としては
非溶融性色素、非昇華性色素が好適である。

以上の実施態様（１）、（ＩＩ）においては反射層は基
板上に設けられているが、特に透明又は半透明の基板を
用いる場合には、反射層を基板上に設けることなく、基
板上に前記積層体を積層し、該積層体の上に反射層を設
け、例えば基板（透明又は半透明）／Ｂ膜／光先後層／
Ａ層／反射層／基板の様に形成し、該透明又は半透明の
基板を透過して光を照射する様に構成することもできる
。

したがって本発明に係る光記録素子は主として光ディス
クとして使用することができる。該光ディスクから、情
報を書き込んだり或いは読取ったりするための光ピツク
アップの光学系を有する情報記憶装置の１例を第５図に
示す。

該情報記憶装置は、制御回路２７と光ピツクアップ光学
系からなる書き込み手段と、本発明に係わる光記録素子
と、出力回路２８と光ピツクアップ光学系からなる読取
り手段とによって構成される。

どき込みは次のようにして行う。制御回路２７は半導体
レーザ２６の発振を制御する。従って、入力情報は制御
回路２７及び半導体レーザ２６によって光信号に変換さ
れる。光信号２９は第５図に示す光ピツクアップ光学系
を通って同期回転している光ディスク１８の記録層上に
結像され、上述の発色メカニズムにより発色記録される
。

読取りは次のようにして行う、半導体レーザ２６から発
する低出力の連続発振光を読取り光として使う、低出力
であるから、読取り中に発色記録が行われることはない
からである。または他の可視光用光源を読取り用光源と
して用いてもよい。

該読取り用光線は光ディスク！８の基板表面に結像し反
射されるが１反射率は発色点とそうでない箇所とで異な
るから、この反射光を光ピツクアップ光学系を通してフ
ォトダイオード２５の受光面にあてることにより電気信
号に変換し、再生読み出しを行う。

又、Ａ層、Ｂ層、光吸収層等を保護するために最外層の
表面に保護層を設けてもよい、そのような保護層用材料
としてはＳｉＯ□等の誘電体、プラスチック樹脂、他の
重合性ＬＢ膜等が好適である。

［実施例］ 以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する
。尚、下記において特に記述のない限り「部」は「重量
部」を、「％」は「重量％」を表わすものとする。

合成例１（光吸収性物質の合成例） バナジウムフタロシアニン看゛　の 尿素１０部と１０−１５％りん酸水溶液１部を混合溶解
した後、ざらに無水フタル酸２部、ｖＯＣ文。

（バナジル塩）　１０部及び 式（＋） Ｏ で表わされる無水フタル酸の誘導体８部を加え。

１００″Ｃにて５時間加熱した。冷却した後、２％希Ｎ
ａ０）１水溶ｆｉ　１００部を加え、加水分解した後、
クロマトグラフィにより分離し、 式（ＩＴ） ｃ式Ｈ中、Ｒは Ｃ−０−Ｃ２Ｈ。

ＣＨ（ＣＨ２）、　ＣＨ。

を表わす］で示される目的物質（バナジウムフタロシア
ニン誘導体）　０．１部を得た。

合成例２（発色性化合物の合成例） クリスタルへイオレートラクトン當−の　′式（１） で示されるｒａ−７ミ／安息香酸誘導体１部と、式Ｃｗ
） ０）Ｉ で示されるミしラーズヒドロール１部を０２　Ｎ　Ｋ酒
）にトロベンゼン）溶媒中に混合し、触媒としてＣＨｅ
　Ｓ　０３　Ｈ（パラトルエンスルホン酸）１部を加え
て、８時間還流し、 式（Ｖ＞ （ＯＨ２）、７０Ｈ３ で示されるトリフェニルメタン誘導体を生成した。

次に該生成物のトリフェニルメタン誘導体を２＃化鉛（
１部）存在下硫酸中で３時間加熱した後、 式（Ｗ） ■ （ＣＩ（２）、７ＣＨ。

で示されるクリスタルバイオレフトラクトン誘導体を得
た。

次いで、これに苛性ソーダ水溶液を加え、環化すること
により、 式（■） （Ｃ；）１２）、７ＣＨ３ で示されるクリスタルバイオレフトラクトン誘導体０．
２部を得た。

実施例１ （１）反射層の形成方法 真空蒸着法によりアルミ反射層を形成した。

厚さ１０ｍｍ、直径１８０ｍｍの円板上のガラス（ディ
スク）基板を充分に清浄にした０次に該ガラスノ１（板
を真空蒸着装置の真空槽の中に入れ、真空度が２　Ｘ　
１Ｏ−６Ｔｏｒｒになるまで排気した後、基板加熱なし
、蒸着速度２０Ａ　／ｓｅｅ、その時の真空度２　Ｘ　
１０−　Ｔｏｒｒの諸条件で真空蒸着を行い、ガラス基
板上に厚さ２，０００人のアルミ反射層を形成した各試
料を得た。

（２）Ｂ層の形成方法 次に、前記（りで各試料のガラス基板上に形成した反射
層の上に、助色性化合物であるアラキシン酸の堆積膜を
形成した。

形成方法はアラキシン酸７部、バインダー中シてポリビ
ニールアルコ−）Ｑ　１部、水４０部を混合し、さらに
ボールミルを用いて数時間、粉砕混合し、基板の反射層
上に回転塗布して、バインダー中に分散したアラキシン
酸の堆積膜（ＩＩ！厚１体）を得た。

（３）光吸収層の形成方法 次に、前記（２）で得た各試料のガラス基板上に形成し
たＢ層の上に、前述の単分子累積装置を用いて光吸収性
物質であるバナジウムフタロシアニン誘導体の単分子累
積装置を形成した。

バナジウムフタロシアニン誘導体の単分子累積膜の形成
方法は、下記のように行った。

Ｂ層を形成した基板が水面と垂直になるようにして、基
板を水中に沈めた後、バナジウムフタロシアニン誘導体
を濃度２Ｘ１０”］■ｏｆ／ＪＬのクロロホルム溶液に
して水面上に滴下し単分子ｎりを水面上に展開する０表
面圧を３０ｄｙｎｅ／ａｍに設定し、速度２　ｃ＋ｓ／
ｌｌ１ｎで基板を上下して第２表に示す各層に累積した
単分子累積１１５１（Ｙ型膜）を各試料に作成した。

（４）Ａ層の形成方法 次に、前記（３）で各試料のガラス基板上に形成した光
吸収層の上に発色性化合物であるクリスタルバイオレッ
トラクトンの堆積膜を形成した。

形成方法はクリスタルバイオレットラクトン７部、バイ
ンダーとしてポリビニルアルコール１部、水１００部を
混合し、さらにボールミルを用いて数時間、粉砕混合し
、基板の光吸収層上に回転塗布してバインダー中に分散
したクリスタルバイオレットラクトンの堆積膜（Ｍ厚ｉ
ｐ）を得た。

（５）性能試験 上述の方法により製作された本発明に係る光記録素子と
比較例として従来の同様の構成（全てが反射層及び単分
子膜又はその累積膜を使用しないで構成）に係る光ディ
スクを第５図に示す情報記憶装置を用いて以下の記録条
件下で記録した後、読取り再生を行うことにより両者の
性能比較を行った。

〈記録条件〉 半導体レーザ波長　８３０ｎ■ レーザ出力　　６〜９ｍＷ 記録周波数　　５　ＭＨｚ 光ディスクの回転数　１．８０Ｏｒｐｍ以上の条件下で
読み出しをレーザ出力ｌｌ１ｌｌＩで行い、信号／雑音
比を求めた結果を第２表に示す。

第２表 註・・・京は比較例を示し、各層の形成は四転塗布法に
より行った。

第２表の結果より、試料Ｎｏ、　ｌと試料Ｎ０１６とを
比較すると、　Ｎｏ、Ｉの方が信号／雑音比がｍ著に高
いことが認められる。膜厚条件がほぼ同じであるのに、
このような性能差異が生ずるのは。

１）　Ｎｏ、１の方がピンホール等の欠陥が極端に少な
い。

２）反射膜を設けたため、コントラストが向上した。

等のためである６ 試料Ｎｏ、２〜Ｎｏ、５とＮｏ、６とを比較すると、Ｎ
ｏ、２〜Ｎｏ、５の方が信号／雑音比が顕著に高いこと
が認められる。膜厚条件がほぼ同じであるのに、このよ
うな性能差異が生ずるのは、前述の理由と同様である。

［発明の効果］ 以上説明した様に本発明に係わる光記録素子はＡ層、Ｂ
層及び光吸収層のうち少なくとも一層が構成物質の単分
子膜又はその累積膜からなる層で構成され、さらに反射
層が設けられているので、以下に示すような優れた効果
がある。

（１）従来の単分子膜又はその累ｉ膜を使用していない
光記録素子と比較して信号／雑音比が高く、と 記録の信頼性を向上させることができる。

（２）光記録素子のピンホール等の物理的欠陥を大幅に
減少させることができる。

（３）従来の光記録素子と比べて、より高密度記録が可
能である。

（０光記録素子の大面積化が可能である。

（５）光吸収層がＡ層とＢ層との間に介在しない構成を
とると、発色効率及び忠実性が向上する。

（６）光吸収層がＡ層とＢ層との間に介在しない構成を
とると、実質記録層を薄くすることができ、より高密度
記録が可能である。

（７）発色効率が良く、発色剤等とじてすぐれているが
、単分子膜又はその累［８を形成しにくい材料、又は単
分子膜又はその累積膜を形成しやすい誘導体に化学変化
（合成）することが経費上困難な材料を堆積膜に用いる
ことができる利点がある。

（８）積層体の一部に堆積膜を用いているので、感度が
向上し、製作の際に材料の選択の巾が広く製造が容易で
あり、又読み取りの際コントラストと非コントラストの
差がつきやすい等の光学物性上の効果がある。

（９）反射層が設けられているので、再生読み出しの際
に再生信号のコントラストを上げ１画質等の向上を図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜第１図（ｃ）は各々本発明に係わる光記
録素子の実施態様を示す概略構成断面図、第２図（ａ）
〜第２図（ｃ）は従来の光記録素子の記録プロセスを示
す説明図、第３図は単分子累積膜形成装置の概略構成断
面図、第４図（ａ）〜第４図（Ｃ）は単分子累積膜の作
製工程図及び第５図は情報記憶装置のブロック図である
。 １．１５・・・基板　　　　　２・・・Ａ層３．６・・
・光吸収層　　　４・・・３層５・・・期化剤層　　　
　　７・・・発色剤層８・・・レーザ光　　　　　９・
・・発色光１０・・・水槽　　　　　　　工１・・・水
相１２・・・親水基　　　　　　１３・・・疎水基１４
・・・仕切板　　　　　　１６・・・単分子膜■？・・
・単分子累積膜　　　１８・・・光ディスク１８・・・
対物レンズ　　　　２０・・弓／４波長板２１・・・反
射鏡２２・・・コリメートレンズ２３・・・偏光ビーム
スプリッタ ２４・・・シリンドリカルレンズ ２５・・・フォトダイオード　２６・・・半導体レーザ
２７・・・制御回路（信号制御手段） ２８・・・出力回路　　　　　２９・・・光信号３０・
・・反射層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）通常無色ないし淡色の発色性化合物からなるＡ層
   と、前記発色性化合物と接触して発色せしめる助色性化
   合物からなるＢ層と、光吸収性物質からなる光吸収層と
   、反射層とからなり、かつＡ層、Ｂ層及び光吸収層のう
   ち少なくとも一層が構成物質の単分子膜又はその累積膜
   から構成されることを特徴とする光記録素子。