JPS6163483A - 光記録素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は有機材料を利用した光記録素子に関し、特に高
度に分子配向された右ｅｔ、薄１１りを利用した高信頼
・高密度記録の可能な光記録素子に関するものである。

［従来の技術］ 最近、オフィス・オートメーション（ＯＡ）の中心的存
在として光ディスクが脚光を集めている。

その理由は光ディスク一枚で、大量の文書、文献などを
記録（又は記憶）できるからであり、したがって該光デ
ィスクを用いる情報記憶装置を導入するとオフィスにお
ける文書、文献の整理、管理に一人変革をもたらすもの
である。又、該光デイスク用記録素子としては安価性、
製作容易性、高密度記録性等の特徴を有する有機材料か
らなる素−ｒが注目されている。

この様な有機記録材を用いる従来技術の中で、１νに発
色剤と期化剤の接触による発色反応を利用する一成分系
の光記録素子（日経産業新聞　昭和５８年１０月１８０
）等が報告されている。

該光記録素子の１例を図面に基づいて説明すると、第２
図（ａ）に示す様に発色剤層７と期化剤層５とが光吸収
層６によって隔てられて基板１上に聞層された構成から
なるものである。

発色剤（ロイコ体）及び期化剤は各々単独で存存すると
きは無色又は淡色である。

該記録素子に記録を行うときは、第２１４（ｂ）に示す
様に光吸収層６の所望の位置にレーザ光８を照射すると
、光吸収層のレーザ光を照射された部分はレーザ光を吸
収して溶融し破れて小さな穴があく。

その結果、第２図（Ｃ）に示す様に光吸収層６によって
隔てられていた発色剤と期化剤がこの小さな穴を通じて
混ざり合い発色する６情報はこの発色点９の形で記録な
いし記憶され、読み出しは別の光源で該記録素子上を走
査し発色点による反射率、透過率等の変化を検出するこ
とにより行われる。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記の光記録素子に於いて、記録の高密度化を図るため
には光吸収層６が極力薄く、平坦で、かつ膜厚のむらの
ないものが望ましい。しかしながら、従来の光記録素子
において、光吸収層は例えば真空蒸着法又は回転塗布法
などによって基板上に被膜されているため、厚さを２０
０〜５００Å以下にｒ’ｌｊ　ｌ　Ｌようとすればピン
ホールが多発しやすく、このピンホールの箇所で発色剤
と期化剤の２１１（、分が接触して発色するため、信頼
性に欠ける欠点かあった。その上、前記の従来の被膜方
法で形成される各層の膜内の分子分布配向がランダムで
あるため、光照射に伴って膜内で光散乱が生じ。

微視的にみた場合、各光照射の度に生ずる化学反応の度
合が異なってくる。さらに、上述の被膜方法では光ディ
スクの基板を大面積化すると、膜厚のむらが生じ、記録
品質のむらが発生する等の欠点があった。

したがって、光記録素子としては、膜内の分子分（Ｈ５
・配向が一様で、ピンホールも膜厚のむらもないことが
望ましく、またできる限り膜厚が薄いことが、記録の高
密度化、高信頼化のために要望される０本発明はかかる
要望に鑑みてなされたもので１本発明の目的は高信頼・
高密度記録が可能　１な光記録素子を提供することにあ
る０本発明の別の目的は製作容易で安価な光記録素子を
提供することにある。本発明のさらに別の目的は大面積
の光記Ｑ７ｉ子を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］及び［作用］即ち、本
発明は通常無色ないし淡色の染料のロイコ体からなるＡ
層と、前記染料のロイコ体と接触して発色せしめるフェ
ノール性化合物からなるＢ層とを積層し、さらに光吸収
ｈヅを設けてなり、かつ （イ）前記Ａ層は染料のロイコ体の単分子膜又はその累
積膜からなる層、 （ロ）前記Ｂ層はフェノール性化合物のｃ１分子膜又は
その累積膜からなる層、 から構成されることを特徴とする光記録素子である。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明に係わる光記録素子は２成分系の発色反応を利用
するものであり、詳しくは染料のロイコ体と該染料のロ
イコ体と接触して発色せしめるフェノール性化合物との
発色反応を利用するものである。

したがって、未発ＩＪＪに係わる光記録素子は通常無色
ないし淡色の染料のロイコ体からなるＡ層と、前記染料
のロイコ体と接触して発色せしめるフェノール性化合物
からなるＢ層とを接して積層し、さらに光を吸収して加
熱される光吸収層を外側に設けて構成されるものである
。

未発１５１に用いられるＡ層の通常無色ないし淡色の゛
染料のロイコ体としては例えばトリフェニルメタン系、
フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピ
ロピラン系等があり、それ等に含まれる具体的な化合物
の詳細を掲示すると第１表の通りである。

次に、前記染料のロイコ体と接触して発色せしめるＢＦ
’のフェノール性化合物としては、例えばｐ−ｔ−ブチ
ルフェノール、α−ナフトール、β−ナフトール、フェ
ノールフタレイン、ビスフェノールＡ、４−ヒドロキシ
ジフェノキシド。

４−ヒドロキシアセトフェノン、３，５−キシレノール
、チモール、ヒドロキノン、４−ターシャリ−ブチルフ
ェノール、４−ヒドロオキシフェノキシド、メチル−４
−ヒドロオキシベンゾエート、カテコール、４−ヒドロ
オキシアセトフェノン、レゾルシン、４−ターシャリ−
オクチルカテコール、　４．４′−セカンダリ−ブチリ
デンジフェノール、　２．２′−ジヒドロキシジフェニ
ル、２．２′−メチレンビス（４−メチル−６−ターシ
ャリ−ブチルフェノール）、　２．２′−ビス（４′−
オキシフェニル）プロパン、　４．４′−イソプロピリ
デンビス（２−ターシャリ−ブチルフェノール）、　４
．４′−セカンダリ−ブチリデンジフェノール、ピロガ
ロール、フロログルシン、フロログルシンカルボン酸等
が挙げられる。

本発明においてＡ層及びＢ暦はいずれも単分子膜又はそ
の累積膜からなる層から形成されるために、前記の染料
のロイコ体及びフェノール性化合物はいずれも分子内の
適当な部位に親木基、疎水ノ＾又はその両方の基を導入
した誘導体を用いる必要がある。

疎水基及び親木基・には一般に使用されるものであれば
如何なるものでも用いることができるが。

特に好ましくは疎水基としては炭素原子ａ５〜３０のＩ
ｉ鎖アルキル基、親水基としてはカルポキシルノ１（及
びその金属塩（例えばカドミウム塩）が望ましい。

なお、Ａ層及び８層の膜厚は２００λから１０ｐＬの範
囲が望ましく、好適にはｔ　、ｏｏｏ人からｌＪＬの範
囲である。

次に、本発明における光吸収層の形成に用いられる光吸
収性物質としては赤外線を吸収する光吸収色素であれば
如何なるものでもよく、例えば赤外線を吸収して溶融す
る溶融性光吸収色素、又は赤外線を吸収して昇華する界
層性光吸収色素も用いることができるが、特に非溶融性
色素、非溶融性色素が好適である。

該かる光吸収色素の一例をあげれば、銅フタロシアニン
、バナジウムフタロシアニン等の金属フタロシアニン、
含金属アゾ染料、酸性アゾ染料、フルオレスセイン等の
キサンチン系色素等がある。　該光吸収層は従来の被膜
方法により形成される膜であれば如何なる膜でもよく、
それ等の中で例えば蒸着膜、塗布膜、浸漬膜、ラミネー
ト等の堆積膜からなる層が好ましい。

なお光吸収層の膜厚は９０Ａから１．０００への範囲が
望ましく、好適には１４０人から４００への範囲である
。

また、本発明において基板に使用される材料としては、
シリコン等の半導体材料、アルミ等の金属材料、好適に
は強化ガラス、及びアクリル（ＰＭＭＡ）　、ポリカー
ボネート（ｐｃ）、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニール
（ｐｖｃ　）　、ポリスチレン等のプラスチック材料、
セラミック材料等が好ましい。

本発明に係わる光記録素子はＡ層は染料のロイコ体の単
分子膜又はその累積膜からなる層及びＢ層はフェノール
性化合物の単分子膜又はその累積膜からなる層から構成
されることを１つの特徴とするものである。

かかる分子の高秩序性及び高配向性を有する単分子膜又
はその累積膜を作成する方法としては、例えば１．Ｌａ
ｎｇｍｕ　ｉ　ｒらの開発したラングミュア・プロジェ
ット法（ＬＢ法）を用いる。ラングミュア・プロジェッ
ト法は、例えば分子内に親木基と疎水ノ、（を有する構
造の分子において、両者のバランス（両親奴性のバラン
ス）が適度に保たれているとき、分子は水面上で親木基
を下に向けて単分子の層になることを利用して単分子膜
または単分子の累積膜を作成する方法である。水面上の
単分子層は二次元系の特徴をもつ０分子がまばらに散開
し　ｉているときは、一分子当り面積Ａと表面圧■との
間に二次元理想気体の式、 ｎＡ＝ｋＴ が成り立ち、“気体膜”となる。ここに、ｋはポルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の″゛凝ｍＭ　（また
は固体膜）”になる。凝縮膜はプラスチック基板、ガラ
ス基板などの種々の材質や形状を有する担体の表面へ一
層ずつ移すことができる。

次に本発明に使用する染料のロイコ体又を主フェノール
性化合物である親木基、疎水基を併有する有機分子の単
分子膜又はその累積膜を形成する方法についてさらに詳
述する。

まず該有機分子をベンゼン、クロロホルム等の揮発性溶
剤に溶解し、シリンダ等でこれを第３図に概略した単分
子累Ｍ１膜形成装置の水槽ｌＯ内の水相１１上に展開さ
せる。

該有機分子は、溶剤の揮発に伴って、親木基１２を水相
に向け、疎水基１３を気相に向けた状態で水相１１上に
展開する。

次にこの析出物（有機分子）が水相１１上を自由に拡散
して広がりすぎないように仕切板（または浮子）１４を
設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、
その集合状態に比例した表面圧ｎを得る。この仕切板１
４を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制
御し、表面圧を徐々にＬ昇させ、累積膜の製造に適する
表面圧■を設定することができる。この表面圧を維持し
ながら静かに清浄な基板１４を垂直に上下させることに
より単分子膜１６が基板上に移しとられる。単分子膜１
６は以上で製造されるが、単分子層累積膜１７は前記の
操作を繰り返すことにより所望の累積数の申分７一層累
ｖＩ膜が形成される。

例えば表面が親木性である基板１５を水面を横切る方向
に水中から引き上げるζ該有機分子の親水ノ、（が）、
（板１５側に向いた単分子層１６が基板１５上に形成さ
れる。前述のように基板１５を上下させると、各工程ご
とに１枚ずつ単分子層１６が積み重なっていく。成膜分
子の向きが引上げ工程と浸せき工程で逆になるので、こ
の方法によると各層間は有機分子の親木基と親木基、有
機分子の疎水基と疎水）、（が向かい合ういわゆるＹ型
膜が形成される（第４図（ａ））。

Ｙ型膜は有機分子の親水基同志、疎水基同志が向い合っ
ているので強固である。

それに対し、基板１５を水中に引き下げるときにのみ、
基板面に該有機分子を移し取る方法もある。

この方法では、累積しても、成膜分子の向きの交代はな
く全ての層において、伸水基が基板１５側に向いたＸ型
膜が形成される（第４図（ｂ））。反対に全ての層にお
いて親木基が基板１５側に向いた累積膜はＺ型膜と呼ば
れる（第４図（Ｃ）　）　。

Ｚ型膜は基板１５を水中から引」二げるときにのみ、基
板面に有機分子を移し取ることによって得られる。

以上の方法によって基板上に形成される単分子１１り及
び雫分子層累ａｔ膜は高密度でしかも高度の秩序性・配
向性を有しており、これらの膜で記録層を構成すること
によって、光熱的記録のＯｆ能な高密度で高解像度の記
録機能を有する記録素子を得ることができる。また、こ
れら成膜方法はその原理からも分る通り、非常に簡単な
方法であり、上記のような優れた記録機能を有する記録
素子を低コストで提供することができる。

以上述べた１本発明における単分子膜または単分子累積
膜を形成する基板は特に限定されないが、基板表面に界
面活性物質が付着していると。

中分子層を水面から移しとる時に、単分子膜が乱れ良好
な単分子膜または単分子層累積膜ができないので基板表
面が清浄なものを使用する必要がある。

基板上の単分子膜または単分子層累積膜は、十分に強く
固定されており基板からの剥離、剥落を生じることはほ
とんどないが、付着力を強化する目的で基板と単分子膜
または単分子層累積膜の間に接着層を設けることもでき
る。さらに単分子層形成条件例えば水相の水素イオン儂
度、イオン種、水温、担体上げ下げ速度あるいは表面圧
の選ＵＩ′等によって付着力を強化することもできる。

次に、光吸収層の堆積膜の形成方法は前記光吸収性物質
にバインダーと水を添加した水混和物を、ボールミル等
を用いて粉砕混合した後、基板等の上に従来の通常の方
法で塗着して行う。

本発明に用いられる前記バインダーとしてはゼラチン、
でんぷんのごとき天然高分子物、硝酸繊維素、カルボキ
シメチルセルローズのごとき繊維素誘導体、塩化ゴム、
環化ゴムのごとき天然ゴム可塑物などの半合成高分子物
、ポリイソブチレン、ポリスチロール、テルペン樹脂、
ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリメタア
クリル酸エステル、ポリアクリルニトリル、ポリアクリ
ルアミド、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルピロリドン、ポリアセタール樹脂、ポリ塩化ビ
ニル、ポリビニルピリジン、ポリビニルカルバゾール、
ポリブタジェン、ポリスチレン−ブタジェン、ブチルゴ
ム、ポリオキシメチレン、ポリエチレンイミン、ポリエ
チレンイミンハイドロクロライド、ポリ（２−アクリル
オキシエチルジメチルスルホニウムクロライド）などの
ごとき重合型合成高分子、フェノール樹脂、アミノ樹脂
、トルエン樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル
樹脂、アリル樹脂、ポリカーポネーＩ・、ポリアマイド
樹脂、ポリエーテル樹脂、珪素樹脂、フラン樹脂、チオ
コールゴムなどのごとき縮合重合型合成高分子、ポリウ
レタン、ポリ尿素、エポキシ樹脂などのごとき付加重合
型樹脂が挙げられる。

以上に説明した方法で製造される本発明に係わる光記録
素子の構成の１例を示すと、第１図（ａ）に示す通り、
染料のロイコ体からなるＡ層２とフェノール性化合物か
らなる８層４とを積層し、ざらに該８層４の上に光吸収
層３を設けてなり、Ａ層２及び８層４は単分子膜又はそ
の累積膜、光吸収層３は堆積膜からなる積層体で、光吸
収層３を基板１上に支持し、基板／光吸収層／　Ｂ　Ｗ
／　Ａ層の順に積層してなるものである。この場合Ａ層
２と８層４とを逆にして、基板／光吸収層／Ａ層／Ｂ層
の順に積層してもよい。

さらに、他の例を示すと、第１図（ｂ）に示す通り、Ａ
層２と８層４とを積層し、ざらに該Ａ層２の１−に光吸
収層３を設けて積層体を形成し、Ｂ層４を基板１−ｔ：
に支持し、基板／Ｂ層／Ａ層／光吸収層の順に積層して
なるものである。この場合、前記と同様にＡ層２と８層
４とを逆にして、基板／Ａ層／Ｂ層／光吸収層の順に積
層してもよい。

また、上記の第１図（ａ）　、　（ｂ）に示すいずれの
構成においても前記の積層体を２設置上積重ねて基板１
−に支持してもよい。

本発明に係わる光記録素子は染料のロイコ体からなるＡ
層とフェノール性化合物からなるＢ層とを密着せしめて
構成されているが、従来、該Ａ層と該Ｂ層が接触すると
発色反応が行われるために最初からＡ層とＢ層を接触せ
しめた構成からなる光記録素子の実現は不可部であった
。

しかしながら１本発明に係わる光記録素子においては、
Ａ層及びＢ層が分子の高度の秩序性・配向性を有する単
分子膜及びその累積膜によって構成されているため、分
子内の非反応性部位を介して、反応性部位同志を隔てる
ことができ、上記の構成をとることが可能となったので
ある。

叩ち、フェノール性化合物の分子の反応性部位と装本゛
１のロイコ体の分子の反応性部位とが接触すれば発色が
生ずるが１分子の反応性部位と分子の−ＩＩ反応性部位
（例えば、アルキル′ｌＡ）との接触では発色反応は行
われない。

従って、分子の非反応性部位によって接触面が構成、さ
れるように、単分子膜又はその累８を膜を構成すればよ
い、接触面を構成する非反応性部位はフェアノール性化
合物の分子のものであると、染料のロイコ体の分子のも
のであるとを問わない、−例をあげれば、疎水性部位（
アルキル鎖）を接触面とするように単分子膜又はその累
積膜を形成すればよい。

また、本発明に係わる光記録素子はＡ層とＢｅとを密着
させて積層し、さらに光吸収層を外側に設けて構成され
ているので、赤外線照射によって光吸収層が加熱され、
その熱伝導によってＡ層の染料のロイコ体とＢ層のフェ
ノール性化合物とが　□加熱接触して発色反応が進行し
、所定の位置に発色点を形成し情報を記録することがで
きる。

したがって本発明に係る光記録素子は主として光ディス
クとして使用することができる。該光ディスクから、情
報を書き込んだり或いは読取ったりするための光ピツク
アップの光学系を有する情報記憶装置の１例を第５図に
示す。

該情報記憶装置は、制御回路２７と光ピンクアップ光学
系からなる書き込み手段と、本発明に係わる光記録素子
と、出力回路２８と光ピツクアップ光学系からなる読取
り手段とによって構成される。

書き込みは次のようにして行う。制御回路２７は半導体
レーザ２Ｂの発振を制御する。従って、入力、情報は制
御回路２７及び半導体レーザ２６によって光信号に変換
される。光信号２９は第５図に示す光ピツクアップ光学
系を通って同期回転している光ディスク１８の記録層上
に結像され、上述の発色メカニズムにより発色記録され
る。

読取りは次のようにして行う。半導体レーザ２Ｂから発
する低出力の連続発振光を読取り光として使う、低出力
であるから、読取り中に発色記録が行われることはない
からである。または他の可視光用光源を読取り用光源と
して用いてもよい。

該読取り用光線は光ディスク１８の基板表面に結像し反
射されるが１反射率は発色点とそうでない箇所とで異な
るから、この反射光を光ピツクアップ光学系を通してフ
ォトダイオード２５の受光面にあてることにより電気信
号に変換し、再生読み出しを行う。

該かる再生信号のコントラストを上げ、画質等の向−ヒ
を図るためには、光記録素子の基板上にアルミ等の金属
反射層を付設することが好ましい。

金属反射層の膜厚は１，０００　Ａ〜２，０００　Ａが
好適である。その他必要に応じて誘電体ミラーでもよい
。

更に、Ａ層、Ｂ層、光吸収層等を保護するために最外層
の表面に保護層を設けてもよい、そのような保護層用材
料としては５ｉ０２等の誘電体、プラスチック樹脂、他
の重合性ＬＢｌ１５ｉ等が好適である。

［実施例］ 以下、実施例を示し１本発明をさらに具体的に説明する
。尚、下記において特に記述のない限り「部」は「重脣
部」を、１％」は「東歌％」を表わすものとする。

合成例１（染料のロイコ体の合成例） クリスタルバイオレートラクトンＪ導−の　′式（１） で示されるドアミノ安息香酸誘導体１部と、式（ＩＩ） ＯＨ で示されるミヒラーズヒドロール１部を酸）１部を加え
て、８時間還流し、 式（Ｉｌｌ） 　ＯＨ３ （ＯＨ２）、７０Ｈ。

でｊｌζされるトリフェニルメタン誘導体を生成した。

次に該生成物のトリフェニルメタン誘導体を２酸化鉛（
１部）存在下硫酸中で３時間加熱した後。

式（ＩＶ） ？ （ＯＨ２）、ヮ（Ｈ。

で示されるクリスタルバイオレットラクトン誘導体を得
た。

次いで、これに苛性ソーダ水溶液を加え、環化すること
により。

式（Ｖ） （ＯＨ２）　、７０Ｈヨ で示されるクリスタルバイオレットラクトン誘導体０．
２部を得た。

合成例２（フェノール性化合物の合成例）フェノールフ
タレイン′二　の　 式（Ｖｌ） （ＯＨ２）　、７０Ｈ３ で示されるオルトキシレン誘導体１部を、ｖ２０５（五
酸化バナジウム）を触媒として、熱空気（４００℃−５
００℃）を導入することにより式（■） で示される無水フタル酸誘導体を得た。

次に、これにフェノール２部、　Ｈ２ＳＯ４ａ当ｕを加
え、１３０℃で加熱し、 式（■） で示されるフェノールフタレイン誘導体０．１部を得た
。

実施例１ （１）光吸収層の形成方法 厚さ１０ｍｍ、直１￥１８０５ｍの円板Ｉ−のガラス（
ディスク）ノ、（板を充分に清浄にした。次に、光吸収
性物質であるバナジウ１、フタロシアニン７部、バイン
ダーとしてポリビニルアルコール１部、水４０部を混合
し、さらにボールミルを用いて数時間、粉砕混合し、基
板上に回転塗布して、バインダー中に分Ｍしたバナジウ
ムフタロシアニンの堆積膜（膜厚０．０１５用）を形成
した各試料を得た。

（２）Ｂ層の形成方法 次に、前記（１）で得た各試料のガラス基板上に形成し
た光吸収層のＨに、前述の単分子累積装置を用いてフェ
ノール性化合物であるフェノールフタレイン誘導体の単
分子累積膜を形成した。

該フェノールフタレイン誘導体の単分子累積膜の形成方
法は、下記のように行った。

光吸収層を形成した基板が水面と垂直になるようにして
、基板を水中に沈めた後、フェノールフタレイン誘導体
を濃度２　Ｘ　１０’　ｍｏｌ／４のクロロホルム溶液
にして水面上に滴下し単分子ｎりを水面上に１Ｍ間する
。表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃｍに設定し、速度２　ｃｓ
／ｌ１ｉｎで基板をＬ下して第２表に示す各層に累積し
た単分子累積膜（Ｙ型膜）を各試料に作成した。

（３）Ａ層の形成方法 次に、前記（２）で各試料のガラス基板上に形成したＢ
層の上に前述の単分子累積装置を用いて染ネ４１のロイ
コ体であるクリスタルバイオレットラクトン誘導体の単
分子累積膜を形成した。

該クリスタルバイオレットラクトン誘導体の単分子累積
膜の形成方法は、下記のように行った。

光吸収層及びＢ層を形成した基板が水面と垂直になるよ
うにして、基板をｐＨ４の酸性液中に沈めた後、クリス
タルバイオレットラクトン誘導体を濃度２　Ｘ　１０’
　ｍｏｌ／ＪＩＬのクロロホルム溶液にして水面［−に
滴下し単分子膜を水面上に展開する０表面　！圧を３０
ｄｙｎｅ／ｃ＋ｗに設定し、速度２　ｃｍ／ｗｉｎで基
板をＬ下して第２表に示す各層に累積した単分子累積膜
（Ｙ型膜）を各試料に作成した。

（４）性能試験 ヒ述の方法により製作された本発明に係る光記Ｑ素子と
比較例として従来の同様の構成（全てが単分子膜又はそ
の累積膜を使用しないで構成）に係る光ディスクを第５
図に示す情報記憶装置を用いて以下の記録条件下で記録
した後、読取り再生を行うことにより両者の性能比較を
行った。

〈記録条件〉 半導体レーザ波長　８３０ｎｍ レーザ出力　　６〜９ｍＷ 記録周波９　　５ＭＨｚ 光ディスクの回転数　１．８０Ｏｒｐｍ以上の条件下で
読み出しをレーザ出力１ｍＷで行い、信号／雑音比を求
めた結果を第２表番こ示す。

第２表の結果よりＮｏ、ｌ　（Ａ層及びＢ層が単分子膜
からなる場合）とＮｏ、８とを比較すると、Ｎ０１１の
方が信号／雑音比において顕著に優れることが認められ
る。　Ｎｏ、１とＮ０８６はほぼ同じ膜厚であるが、性
能にこのような差異が生ずるのはＮｏ、１の方がピンポ
ール等の欠陥が少なく、かつ分子配向性が秩１１：１Ｆ
しく保たれているためと思われる。同様に、Ｎｏ、２〜
Ｎｏ、５（Ａ層及びＢ層が単分子の累積膜からなる場合
）とＮ０２７との比較では、Ｎ００２〜Ｎｏ、５の方が
信号／雑音比において優れることが認められる。

［発明の効果］ 以ヒ説明した様に本発明に係わる光記録素子はＡ層及び
Ｂ層が単分子膜又はその累積膜からなる層、光吸収層は
堆積膜からなる層で構成されているので、以下に示すよ
うな優れた効果がある。

（１）従来の単分子膜又はその累積膜を使用していない
光記録素子と比較して信号／雑音比が高く、記録の信頼
性を向上させることができる。

（２）光記録素子のピンホール等の物理的欠陥を大幅に
減少させることができる。

（３）従来の光記録素子と比べて、より高密度記録が可
能である。

（４）光記録素子の大面積化が可能である。

（５）光吸収層がＡ層とＢ層との間に介在しないために
発色効率及び忠実性が向上する。

（６）光吸収層がＡ層とＢ層との間に介在しないために
実質記録層を薄くすることができ、より高密度記録が可
能である。

（７）光吸収性物質の中で光吸収剤としてすぐれている
が、単分子膜又はその累積層を形成しにくい材料、又は
単分子１模又はその累積層を形成しゃすい誘導体に化学
変化（合成）することが経費上困難な材料を堆積膜に用
いることができる利点がある。

（８）積層体の一部に堆Ｍ１膜を用いているので、感度
が向上し、製作の際に材料の選択の巾が広く製造が容易
であり、又読み取りの際コントラストと非コントラスト
の差がつきやすい等の光学物性上の効果がある。

４　、　＋；＊面の筒中な説明 第１図（ａ）及び第１図（ｂ）は各々本発明に係わる光
記録素子の実施態様を示す概略構成断面図、第２図（ａ
）〜第２図（Ｃ）は従来の光記録素子の記録プロセスを
示す説明図、第３図は単分子累積膜形成装置の概略構成
断面図、第４図（ａ）〜第４図（Ｃ）は単分子牙積膜の
作製工程図及び第５図は情報記憶装置のブロック図であ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）通常無色ないし淡色の染料のロイコ体からなるＡ
   層と、前記染料のロイコ体と接触して発色せしめるフェ
   ノール性化合物からなるＢ層とを積層し、さらに光吸収
   層を設けてなり、かつ （イ）前記Ａ層は染料のロイコ体の単分子膜又はその累
   積膜からなる層、 （ロ）前記Ｂ層はフェノール性化合物の単分子膜又はそ
   の累積膜からなる層、 から構成されることを特徴とする光記録素子。