JPS6164051A - 受像管 - Google Patents
受像管Info
- Publication number
- JPS6164051A JPS6164051A JP59185787A JP18578784A JPS6164051A JP S6164051 A JPS6164051 A JP S6164051A JP 59185787 A JP59185787 A JP 59185787A JP 18578784 A JP18578784 A JP 18578784A JP S6164051 A JPS6164051 A JP S6164051A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- getter
- shield member
- shielding member
- electrode
- welded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/94—Selection of substances for gas fillings; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the tube, e.g. by gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
- H10F77/143—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies comprising quantum structures
- H10F77/1433—Quantum dots
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばビームインデックス管に適用して好適
な受像管に関する。
な受像管に関する。
ビームインデックス管では、グツターフラッシュ後のダ
ソター飛散粒子がパネル及びファンネル部に付着すると
インデックス信号が得られなくなることから、通常ファ
ンネルゲッターのかわシに、第３図に示すようにネック
ゲッターが使用される。
ソター飛散粒子がパネル及びファンネル部に付着すると
インデックス信号が得られなくなることから、通常ファ
ンネルゲッターのかわシに、第３図に示すようにネック
ゲッターが使用される。
第３図において、Ｇ１及びＧ２は電子銃を構成する第１
及び第２グリツド電極であシ、夫々例えば２００ｖ及ヒ
５００■カ印加サレル。マタ、Ｇ３ｐ Ｇ４及びＧ５は
集束電極を構成する夫々第３、第４及び第５グリツド電
極である。電極Ｇ５の前端には支持スプリング（１）が
接合される。電極Ｇ３及びＧ５には例えば３０ＫＶが印
加されると共に、電極Ｇ４には例えば６ＫＶが印加され
、ユニポテンシャル型の構成トされる。
及び第２グリツド電極であシ、夫々例えば２００ｖ及ヒ
５００■カ印加サレル。マタ、Ｇ３ｐ Ｇ４及びＧ５は
集束電極を構成する夫々第３、第４及び第５グリツド電
極である。電極Ｇ５の前端には支持スプリング（１）が
接合される。電極Ｇ３及びＧ５には例えば３０ＫＶが印
加されると共に、電極Ｇ４には例えば６ＫＶが印加され
、ユニポテンシャル型の構成トされる。
また、（２）はアークサプレッサであり、リング状に形
成され、電極Ｇ３の小径部ｇ３を囲むように配される。
成され、電極Ｇ３の小径部ｇ３を囲むように配される。
このアークサプレッサ（２）には電極Ｇ２に印加される
電圧と電極Ｇ３に印加される鶏４圧との中間電圧が印加
される。例えばこのアークサプレッサ（２）は電極Ｇ４
と電気的に接続され、６ＫＶが印加される。このアーク
サプレッサ（２）が配されることによシ、例えば高圧電
極、低圧電極、ネック内壁面間の電界が安定化され、例
えば電極Ｇ３から電極０２等への放電、高電位電界が伸
びてきているネック内壁（図示せず）から電極０２等へ
の放電が効果的に抑制される。
電圧と電極Ｇ３に印加される鶏４圧との中間電圧が印加
される。例えばこのアークサプレッサ（２）は電極Ｇ４
と電気的に接続され、６ＫＶが印加される。このアーク
サプレッサ（２）が配されることによシ、例えば高圧電
極、低圧電極、ネック内壁面間の電界が安定化され、例
えば電極Ｇ３から電極０２等への放電、高電位電界が伸
びてきているネック内壁（図示せず）から電極０２等へ
の放電が効果的に抑制される。
また、図示せずも電極０１〜Ｇ５、アークサプレッサ（
２）は夫々固定ピンを介してピードガラスに固定される
。
２）は夫々固定ピンを介してピードガラスに固定される
。
そして、（３）はゲツターリングであり、電極Ｇ５に固
定された支持部材（４）に支持されている。
定された支持部材（４）に支持されている。
この第３図例のようにネックゲッターが使用されたもの
においても、充分にゲッター飛散粒子の遮蔽ができなく
、また逆にゲッター飛散粒子が外部に直接あるいは内部
にまわり込むことによシ、。
においても、充分にゲッター飛散粒子の遮蔽ができなく
、また逆にゲッター飛散粒子が外部に直接あるいは内部
にまわり込むことによシ、。
他電極、例えば電極０３〜Ｇ５等に付着しゃすくなシ、
放電の原因となっている。従って本発明においては、ゲ
ッター飛散粒子のパネル、ファンネル及び他電極への付
着を充分に抑えることができるようＫするものである。
放電の原因となっている。従って本発明においては、ゲ
ッター飛散粒子のパネル、ファンネル及び他電極への付
着を充分に抑えることができるようＫするものである。
本発明は上述問題点を解決するため、円板状の第１のシ
ールド部材（５）、円筒状の第２のシールド部材（６１
、（７）及び円錘状のゲッター偏向部材（８）が電子銃
の最終陽極Ｇ５より順次接合され、第２のシールド部材
（６１、（７）の外周にゲッタ−リング（３）が支持さ
れ、第２のシールド部材（６＋ 、 ｆ力と第１のシー
ルド部材（５）との接合部における開口部の径が電子ビ
ームの偏向に必要十分な最小径とされ、また第１のシー
ルド部材（５）の径は最終陽極Ｇ５の外径より太き（さ
れるものである。
ールド部材（５）、円筒状の第２のシールド部材（６１
、（７）及び円錘状のゲッター偏向部材（８）が電子銃
の最終陽極Ｇ５より順次接合され、第２のシールド部材
（６１、（７）の外周にゲッタ−リング（３）が支持さ
れ、第２のシールド部材（６＋ 、 ｆ力と第１のシー
ルド部材（５）との接合部における開口部の径が電子ビ
ームの偏向に必要十分な最小径とされ、また第１のシー
ルド部材（５）の径は最終陽極Ｇ５の外径より太き（さ
れるものである。
本発明は以上のように構成され、ゲッター偏向部材（８
）によシバネル及びファンネル部へのゲッター飛散粒子
が遮蔽され、また、第１のシールド部材（５）により電
極外部へのゲッター飛散粒子が遮蔽され、さらに第２の
シールド部材ｆ６１ 、 （７１によシミ極内部へのゲ
ッター飛散粒子が遮蔽される。
）によシバネル及びファンネル部へのゲッター飛散粒子
が遮蔽され、また、第１のシールド部材（５）により電
極外部へのゲッター飛散粒子が遮蔽され、さらに第２の
シールド部材ｆ６１ 、 （７１によシミ極内部へのゲ
ッター飛散粒子が遮蔽される。
以下、第１図及び第２図を参照しながら本発明の一実施
例について説明しよう。これらの図において第３図と対
応する部分には同一符号を付しその詳細説明は省略する
。
例について説明しよう。これらの図において第３図と対
応する部分には同一符号を付しその詳細説明は省略する
。
同図において、（５）は段差を有する円板状のシールド
部材であシ、その径は電極Ｇ５の外径よシ大とされる。
部材であシ、その径は電極Ｇ５の外径よシ大とされる。
このシールド部材（５）は、その段部が電極Ｇ５の内部
に嵌合された状態で、電極Ｇ５の鍔部ｇ５に溶接される
。また、（６）は鍔部（６ａ）を有する円筒状のシール
ド部材である。このシールド部材（６）の径は後述する
ゲッタ−リングの内径よシ小さく、かつ電子ビームの偏
向に支障なく、必要十分な最小径とされる。このシール
ド部材（６）の鍔部（６ａ）でない側がシールド部材（
５）の段部の中央に対応して形成された開口部（５ａ）
に嵌合され、溶接される。
に嵌合された状態で、電極Ｇ５の鍔部ｇ５に溶接される
。また、（６）は鍔部（６ａ）を有する円筒状のシール
ド部材である。このシールド部材（６）の径は後述する
ゲッタ−リングの内径よシ小さく、かつ電子ビームの偏
向に支障なく、必要十分な最小径とされる。このシール
ド部材（６）の鍔部（６ａ）でない側がシールド部材（
５）の段部の中央に対応して形成された開口部（５ａ）
に嵌合され、溶接される。
また、（力は底面（７ａ）を有する円筒状のシールド部
材であり、その底面（７ａ）には、例えばシールド部材
（６）の筒径に対応する開口部（７ｂ）が形成される。
材であり、その底面（７ａ）には、例えばシールド部材
（６）の筒径に対応する開口部（７ｂ）が形成される。
そして、この底面（７ａ）がシールド部材（６）の鍔部
（６ａ）に合せられ、溶接される。また、（８）は円錘
状のゲッター偏向部材であり、その小径側はシールド部
材（刀の開放側に合せられ、溶接される。このゲッター
偏向部材（８）にはスリット（８ａ）が形成され、ゲッ
ターの加熱時にこのゲッター偏向部材（８）に流れる誘
導電流が抑制され、このゲッター偏向部材（８）の加熱
が抑えられる。また、（３）はゲツターリングであシ、
その内径はシールド部材（７）の外径と略等しくされ、
シールド部材（７）及びゲッター偏向部材（８）の接合
境界で、シールド部材（７）の外周に溶接される。また
、（１）は支持スプリングであり、電極Ｇ５の鍔部ｇ５
に溶接される。
（６ａ）に合せられ、溶接される。また、（８）は円錘
状のゲッター偏向部材であり、その小径側はシールド部
材（刀の開放側に合せられ、溶接される。このゲッター
偏向部材（８）にはスリット（８ａ）が形成され、ゲッ
ターの加熱時にこのゲッター偏向部材（８）に流れる誘
導電流が抑制され、このゲッター偏向部材（８）の加熱
が抑えられる。また、（３）はゲツターリングであシ、
その内径はシールド部材（７）の外径と略等しくされ、
シールド部材（７）及びゲッター偏向部材（８）の接合
境界で、シールド部材（７）の外周に溶接される。また
、（１）は支持スプリングであり、電極Ｇ５の鍔部ｇ５
に溶接される。
また、電極Ｇ５の長さは短かくされ、全体の長さをそれ
程長くせずにゲッター飛散面積の増加が図られる。
程長くせずにゲッター飛散面積の増加が図られる。
本例は以上のように構成され、ゲッター偏向部材（８）
が円錘状とされており、ピック−粒子の飛散方向が制限
され、・母ネル及びファンネル部へのゲッター飛散粒子
が遮蔽される。従って、例えばビームインデックス管で
インデックス信号が得られなくなるおそれはなくなる。
が円錘状とされており、ピック−粒子の飛散方向が制限
され、・母ネル及びファンネル部へのゲッター飛散粒子
が遮蔽される。従って、例えばビームインデックス管で
インデックス信号が得られなくなるおそれはなくなる。
また、シールド部材（５）の径が電極Ｇ５の外径よシ犬
とされておシ、電極外部へのケ°ツター飛散粒子が遮蔽
されると共に、シールド部材（６）の径が電子ビームの
偏向に必要十分な最小径とされており、ゲッター偏向部
材（８）、シールド部材（７）を通して電極内部へのゲ
ッター飛散粒子が遮蔽される。従って、ゲッターが電極
に付着することＫよる放電も防止される。また、ゲッタ
ーリング（３）はシールド部材（７）に支持されており
、別個の支持部材は不要である。尚、ゲッターの飛散面
積の増加を図るため、電極Ｇ５の長さが短かくされてい
るが、シールド部材（５）が配されたことにより、電極
Ｇ５の長さが短かくとも、電極Ｇ４及び０５間の電子レ
ンズが正しく形成され問題はない。
とされておシ、電極外部へのケ°ツター飛散粒子が遮蔽
されると共に、シールド部材（６）の径が電子ビームの
偏向に必要十分な最小径とされており、ゲッター偏向部
材（８）、シールド部材（７）を通して電極内部へのゲ
ッター飛散粒子が遮蔽される。従って、ゲッターが電極
に付着することＫよる放電も防止される。また、ゲッタ
ーリング（３）はシールド部材（７）に支持されており
、別個の支持部材は不要である。尚、ゲッターの飛散面
積の増加を図るため、電極Ｇ５の長さが短かくされてい
るが、シールド部材（５）が配されたことにより、電極
Ｇ５の長さが短かくとも、電極Ｇ４及び０５間の電子レ
ンズが正しく形成され問題はない。
尚、上述実施例においては、円筒状のシールド部材（６
）及び（７）を必要とするものであるが、例えば１つの
円筒状のシールド部材で構成することもできる。要は、
シールド部材（５）との接合部における開口部の径が電
子ビームの偏向に支障のない必要十分な最小径とされて
いればよい。
）及び（７）を必要とするものであるが、例えば１つの
円筒状のシールド部材で構成することもできる。要は、
シールド部材（５）との接合部における開口部の径が電
子ビームの偏向に支障のない必要十分な最小径とされて
いればよい。
以上述べた本発明によれば、ゲッター飛散粒子のパネル
、ファンネル及び他電極への付着を充分に抑えることが
できる。従って、例えばビームインデックス管に適用し
て好適である。また、本発明によれば、ゲツターリング
の支持部材を特別に用意する必要がないメリットもある
。
、ファンネル及び他電極への付着を充分に抑えることが
できる。従って、例えばビームインデックス管に適用し
て好適である。また、本発明によれば、ゲツターリング
の支持部材を特別に用意する必要がないメリットもある
。
第１図は本発明の一実施例の電子銃を示す構成図、第２
図はその要部の分解斜視図、第３図は従来例の電子銃を
示す構成図である。 （３）はゲツターリング、（５）は円板状のシールド部
材、（６）及び（７）は夫々円筒状のシールド部材、（
８）はゲッター偏向部材である。 同 松隈秀盛、７−＋ 乍−′ゝ ワー□ −−・
図はその要部の分解斜視図、第３図は従来例の電子銃を
示す構成図である。 （３）はゲツターリング、（５）は円板状のシールド部
材、（６）及び（７）は夫々円筒状のシールド部材、（
８）はゲッター偏向部材である。 同 松隈秀盛、７−＋ 乍−′ゝ ワー□ −−・
Claims (1)
- 電子銃の最終陽極に円板状の第１のシールド部材が接合
され、この第１のシールド部材に円筒状の第２のシール
ド部材が接合され、この第２のシールド部材に円錘状の
ゲツター偏向部材が接合され、上記第２のシールド部材
の外周にゲツターリングが支持され、上記第２のシール
ド部材と上記第１のシールド部材の接合部における開口
部の径が電子ビームの偏向に必要十分な最小径とされ、
上記第１のシールド部材の径は上記最終陽極の外径より
大きくされることを特徴とする受像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59185787A JPS6164051A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 受像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59185787A JPS6164051A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 受像管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164051A true JPS6164051A (ja) | 1986-04-02 |
Family
ID=16176889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59185787A Pending JPS6164051A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 受像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6164051A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199858U (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-13 |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP59185787A patent/JPS6164051A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199858U (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-13 |
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