JPS6165420A - 高周波放電装置とそれを利用する放電反応装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、殊に半導体テパイスの半導体腓、金属膜、絶
縁杓の膜生成、エツチング、表面改質等の表面処理に用
途をもつ、励起活性種を多量に作成しかつ放射光強度を
犬にした高周波放電装置及びそれを利用する放電反応装
置に関するものである。

（従来技術とその問題点） 高密度プラズマを得る一つの方法としてホローカソード
放電がある。第７図に従来のホローカソード放電装置の
一例を示した。

図で、ＤＣ電源２０３の出力する電圧はパラスト抵抗２
０４を通して中空陰極２０１および陽極２０２に印加さ
れる。パラスト抵抗２０４は放電の電流、電圧特性を適
値に調整するものである。

放電室２０５には、放電に必要な所定の気体が満たされ
ている。

中空陰極２０１と陽極２０２間の電圧が充分大きくなる
と９両極間で放電２１０を生じ、この放電が中空陰極２
０１の内部で非常に強くなることがある。これがホロー
カソード放電である。

一般に、ホローカソード放電あるいは中空陰極放電と呼
ばれているこの放電はすべて直流放電であって、中空形
にした陰極内部に生じる放射光を伴った怖い放電を指し
て言っている。

ホローカソード放電３を含めて、一般に、直流放電を半
導体または絶縁物の薄膜の５Ｖ、豚装置等に応用した場
合、その放電は、電極上に堆積した生成膜の影響を敏感
に受け、とかく放電が安定せず。

場合によっては放電不能となる欠点がある。

また、中空陰極２０１の内壁が放電によりスパッタリン
グされ易く、陰極のスパッタリング生５ｙ物が生５１７
％中に取り込まｔｌて膵賞のはなはだしい悪化ケ招いた
りもする。

一方、高密度プラズマを得る他の方法には、第８図に示
しだＬＴＥブラズ、（ＬＴＥはＬｏｃａｌ　Ｔｈｅｒｍ
ａｌ　Ｅｇｕｉｌｉｂｒｉｕｍの略）を用いる方法があ
る。　　　　　高周波電源２５１で発生した高周波物、
圧がコイル２５２に印加されると、コイル２５２のイン
ピーダンスによって電力が消費され、電力（？費が大き
くなると通常のグロー状放笛が生じ、さらに小、力消費
を増すと放電室２０５内部にＬ　Ｔ　Ｅプラズマ２６０
が発生する。

１！ｉ電室２０５の形状、コイル２５２の形状にも左右
されるが。

通常の装置でこのＬＴＥプラズマを発生をせるためにけ
、キロワット単位の大％４力を必要とし、このプラズマ
を利用する装置の電源部は非常に高価なものとなってし
まう。

また高密度プラズマを得る他の方法には、磁場を用いて
プラズあるいは放射光強度を得るのは困難である。

以上のように、成膜工程等で必要とされる高濃度のプラ
ズマは従来の方法ではとても得られず、また得られたと
しても、電源部が大型化するなどで！４ＩｔＷ＞て高価
なものとなる。

従って、高濃琳のプラズマ、高強度の放射光を安定に発
生し。

しかも、良質の膜処理を可能にする。安価な放電装置及
びこれを第１１用する良質の放電反応装置の出現が強く
望まれている。

（発明の目的） 本発明の目的はこれら従来の装置の欠点を除いた新規な
高周波放電装置及びそれを利用する放電反応装置の提供
にある。

本願の第１の発明の目的は、電極の表面状態および材質
の変化Ｔ旬も１゛°〜 に士つ手咄安定したプラズマが確保できる高周波放電装
置゛の提供にある。

また他の目的は、高音用のプラズマを確保し、しかもち
極がスパッタリングきれにくい構造の高周波放電装置崖
の提供にある。

また別の目的は、高音１兜プラズマを低電力て作りしで
き電源糸を安価でかつコンパクトにした高周波放電装置
の提供にある。

本願の第２の発明の目的は、前記第１の発明の高周波放
電装置ケ利用する。損傷の少い、よく制御された。良質
の膜堆積、エツチング、表面改質等の処理を、高速かつ
安価に行なうことのできる放電反応装置の提供にある。

（発明の構成） 本願の第１の発明は。

（ａｌ　　中空構造の高周波印加電極とこねに高周波電
圧を印加する手段。

（ｂ）　　その中空空間内に出力線を作る手段。

（ｃ）　　その中空空間またはその一部空間で構成され
る放１．室。

（ａ）　　この放電室に所定のプラズマ誘起気体を導入
、排気する手段。

ｔｅｌ　　必要ならば放電開始のためのトリガ手段。

（ｆｌ　　必要ならは温度コントロール手段。

で構成される高周波放電装置である。

本願の第２の発明は。

（、）　　中空構造の高周波印加電極とこれに高周波電
圧を印加する手段。

（ｂ）　　その中空空間内に磁力線を作る手段。

（ｃ）その中空空間まだはその一部空間で構成される放
電室。

（ｄｌ　　この放電室に所定のプラズマ誘起気体を導入
、排気する手段。

（ｅ）　　必要ならば放電雫始のためのトリガ手段。

（ｒ）　　必要ならば温度コントロール手段。

で構成される前記第１の発明の高周波放雷、装置で生成
した放電プラズマおよび／または放射光の少なくとも一
部を。

被処理物を設置した処理室内に導き、この被処理物の表
面に所定の処理を施すよう構成した放電反応装置である
。

（実施例１） 第１図は本願の第１の発明の一実施例の正面断面図を示
す。１は石英管であり、これがプラズマ１９を作成する
放電室１０の主体をなしている。２０は高周辣亀圧印加
系である。２は中空円筒状高周波印加電極であり、高周
波電源３から絶縁体７を貫通して高周波電圧がこの中空
円筒状高周波印加′！Ｉｔ極２に印加される。そしてこ
の装置によってこの中空円筒状高周波印加＠極２の内部
に疑似的なホローカソード放電を発生させることができ
る。３０はプラズマの密度を上けるための磁界発生機構
である。石英管１および中空円筒状高周波印加電極２と
同心円状に、またこれらの外側に・・ニカム状に巻かれ
たコイル４に、ＤＣ（直流）および／またはＡＣ（交流
）電源５から絶縁体７全通して励磁電流を流すことによ
り磁界を生成することができる。そしてその励磁電、流
値を変化させて磁界の強さの制御することが可能であり
、プラズマの状態をコントロールすることができる。

６は励磁電流としてＬＪＣを用いた場合の磁力線を示す
。ＤＣを用いた場合にはプラズマの発生は時間によらず
一定となり、均一性の良いプラズマを得ることができる
。一方励磁電流としてＡＣを用いた場合にはプラズマは
ＡＣの周波数に影響され、ＡＣの周波数によってプラズ
マ状態は変化する。このため均一性に関するかぎりＤＣ
を用い次男が良い。しかしＡＣを州いる利点は、荷箱。

粒子の挙動がＤＣの場合と異ったものになりプラズマの
内部励起状態に変化を生ずる点にある。

ｉ）ＣあるいはＡＣの何れで励磁するか、又はＤＣとＡ
Ｃを重畳させた励磁電流を用いるかは用途によって使い
分けることになる。

第１図のように、高周波電極２と箱磁コイル４の間にシ
ールドがないときは、高周波電圧が磁界発生機構内に伝
播し、ＤＣおよび／またはＡＣ＆、源５に悪影響をおよ
ぼす。これを防止するためには１次の２つの方法のどち
らか一方あるいは両方が必要となる。

まず第一の方法は、コイル４をハニカム状に巻くことで
ある。／・二カム状コイルに嵩高罠なりこのためプラズ
マの空間分布が多少悪くなる。しかし、コイルの階間容
量を減少しこ＼でローパスフィルターと同様の効果を得
ることができる。

第二の方法は、積極的にコイル４と霜＃５との間に高周
波カットフィルターをＳ人するもので、高周歴歯、圧の
一５譚５への加入を効果的に防止できる。

放電室１０．中空円伊・状高周波印加雷極２および磁界
発生機構３０、を冷却するｉＫコントロール枡構４０が
あり、水冷シャケ動水をシールするオーリングである。

トリガ機構５０は、放電の初期にプラズマ１９′ｆ発生
し易くするためのもので、高圧隼源１１から針第極１２
，１２’間に高圧を印加し、フ゛ラズマ１９を誘起させ
る。

所定の勿体の流れ１３は、放電室１０内で目的とする励
起活性種および放射光等を生成し流れ１４の方向に引き
出される。ただし流ね１４の中には残留気体も混在して
お棹、それはＬ４示しない排気系で排気される。

必要ならばフィルター、作動排体等の柚を構を用いて流
れ１４の中からイオン、ラジカル、励起種等の励起活性
種および／または放射光等を引き出し、それらを表面処
理、成膜等の目的に使用することができる。

前記したように、従来技術として、磁場を用いたホロー
カソード放電装＃（例えば特開昭５８−１６９８４８）
が存在するが。

その放電はＤＣ放電であり１本発明の装置とは本質的に
異なる。

すなわち本発明は高周波放電に唱°徴があね１本発明の
場合は放電室の一部あるいはその内部に電極を設ける必
要がない。これは重要なことで、内部に電極のあるＤＣ
放電装置を半導体あるいは絶縁物の成膜装置等に利用す
る場合は、生成膜中ヘスバッタリングされた電極拐が混
入し膝、質の劣化をまねくおそれがあるが９本発明の装
置ではその懸念から開放される。

またＤＣ放電は、成膜の際に生じる％極のよごれにも敏
感で。

放電が不安定化したり時には放電不能ともなるが１本発
明の装置にはその心配がなく、安定した放電が維持でき
る。

第２図、穿、３図、第４図、第５ン１．第６図には本発
明の他の実施例を示す。

第２図は、磁界発生機構３０として永久磁石１５を用い
た例である。また温度コントロール機構４０には空冷フ
ァン１６を採用している。１７け高周波シールドケース
である。

第３図は、放電室１０の一部が、中空内置状高周波印加
電極そのもので構成されだ実施例である。７１ｄ絶縁体
である。この高周波印加箱棒にはスパッタリングさねに
くいたとえば黒鉛、タングステン、タンタル等の飼料が
選定される。

この中空円筒状高周波印加型＠１２けたはその付近の部
材）を耐ｒ材で構Ｆ！’１．．電極温度をかなり上昇を
せ、電極表面からの熱市子放出によりプラダ′？１９を
生じ易くする方法も可能である。

早４図は中空円筒状高周波印加電極２の内面全所定の材
料１８で皺伸し７．電極表面のスパッタリング効果を種
棒的に利用する構造となっている。

第５図はコイル状高周波印加箱棒２１ケ用いて誘導カン
ブリングでプラズマ１９を誘起すると共に、そのプラズ
マケ磁界によって高密度化した装置の例である。磁界発
生機構３０では市の５１から高周波カットフィルター２
０を通して、このコイル状普周波印加電極２１の高周波
電流にＤＣおよび２／−！たはＡＣ電流を重畳させるか
たちで印加し、磁界を発生させている。

第６図は第５図の装置の磁界発生機構３０として永久磁
石１５を採用し、これをコイル状高周波印加′［ｔｉ、
極２１の外側に設置した例である。永久磁石１５がＰ縁
体の場合には、コイル状高周波印加電極２１の内側に設
置しても良い。

（実施例２） 以下には、前記した第１の発明を利用する９本に６の第
２の発明の実施例を１図に基いて説明する。

第９図は前記の発明の高周波放電装置を膜の生成に利用
した。

第２の発明の成胛装饗の実施例である。高周波放電装置
６０け。

堆積室７０を構１７すする。

ステンレス製真空チェ／パー２４に連結され、基板ホル
ダ２５参と 弊電位またけ所定の矩位あるいに浮遊重付に設定する。

バルブ２２を通してプラズマ１９を誘起する気体がよ入
濱第１゜一方、バルブ２３よりは、主として堆積に関係
する気体が導入さオ］る。プラズマ１９で住した励起活
伸種および／捷たは放射光はｊ＃積室７０内に用人され
、ノ・ルプ２３を通してψ人さｔ］た所定の気体と反応
して遅柳２７上に堆積し脛を生成する。

２９．３１は排気の流す１であり、プラズマ１９から会
する励起活性種および／またね放射光３２のうち放射光
の方を主に利用する場合等には予備排気３１が有効に利
用できる。

さて１本実施の作用効呆について詣明すると、半を体デ
ノくイヌで層間Ｐ縁膜あるいはノ・ノシペーション膜と
して、ｆ７．祝濱れているＳｉＮ膜は、辿富、プラズマ
ＣＶ　Ｄ法にノリ作級されている刀・。

従来のプラズマＣＶ　１＄負では、原料ガスとしてシラ
７　（５ｉＨ４）。

窒素（Ｎ２　）　　に加えてアンモニア（Ｎｌ−１３）
を用いている。これは。

５ｉＮｐの窒素源として、窒素分子の供給のみでは窒素
分子の解離が少ないため値素か不足さみであり、袖助隼
素源、としてアンモニアを加えているのであるが、この
場合ＳｉＩ’Ｊｇψ中に多くの水素原子が取抄込まれて
絶縁性およびパッシベーション性に股い彩もを与えるこ
とが知らえ１ている。

また従来の装置ては、放電プラズマに基板が暉きねるた
めに。

荷箱オ″ｉ子の照射等のターメージが大きいことが間ｈ
１となってきている。

第９図の成肛°装慟はこの問題を解決することかできる
。

第９図の高辰波放市、ト・＠６０として坪６図の高周波
放電装置を用い、放電室１０の材質に石莢ガラスを採用
し、放電１室１０とコイル状高周波印加電極２１を水冷
し、永久磁石１５には１円柱の軸心部で約１０００カウ
ヌの磁束密度を発生させる希土類系磁石を用いる。そし
て、望東ガスをバルブ２２から導入し、プラズマ内を連
過づせて２９の方向Ｉ／ｃ派出させ、３１方向の予備排
気は用いないで、シランガスを２３のバルブ゛からｊｔ
ｔ［ｔ’Ｍ　７０にφ人する。

先述のとおり、詳周汲放τ＋ｘ、Ｈ’＞構６０の内部に
生じているプラズマ１９け、充分高密度で争素の解餌が
連んでいる。そｔｌは１発光分光分析を行なうと９通常
で＋ｉ１！、！ｉ＋ｌｊされない窒素原子の発光（２９
２（３Ｐ）　３ｐ　−＋２ｐｚ　３ｓ等）　７ｊ”＃Ａ
６”Ｉサレルコトテｈカル。高周波放′ＦｔＬ機栴６０
から引き出された励起活性種、荷電粒子は、粕稍室７０
内の３２の位置でも弱い発光を示し、この発光にはシラ
ン系ＳｉＨ，別、Ｈ２の発光も含壕れる。

この装置を用いることによって、　　Ｉ　Ｔｏｒｒ　（
Ｎ２２００　ＳＣＣＭ。

Ｓ　１）（４５ＳＣＣＭ　）の条件下で９通常のプラズ
マＣＶＤと同８度の５ＭＭ速度である３ｏＯＸ／ｍｉｎ
で、しかも屈折率２．０５のＳｉＮ膜を基か５２７表面
に５′９．膜することができた。この月４１はアンモニ
アを用いていないため、赤外吸収スペクトルによっても
Ｎ−Ｈ結合が観ル１．されず、充分な良質胎であった。

時として、Ｎ−Ｈ結合を含むｂｉＮ膜を必敬とする場合
があるか、その時にはバルブ２３からシランとともに適
搦のアンモニアを画人ずれば良い。この装備は、気体の
種類、その導入輩によって、広範囲に膜實をコントロー
ルできる。

この装置にはもう一つの犬さｌ利点かある。

それは、基栖２７が高周汲故ル：Ｐｋ構６０から遠く船
れ又いるため、夕ｆ亀粒子の強い衝Ｓｔ−受けることが
なく、夕゛メージの少ない成膜が可能なことである。

この点は非常に重要で、殊に集積回路の集積丸が進む際
にその威力を発揮する。

ところで高周波放電機構６０として第１１ン１．第２夕
１．第３図。

第４区１．第５図のものを採用してもほぼ同様の好結果
を得ることかできるっ ただ（７注意すべき５専があり、第１図、第２［ヅｌお
よび第３し；の甚周汲放１１泰邑を用いる址合匝釦１時
としＣ９故雪室１０の材質がスパックリンクされて牛５
（・脚中に７昆入することがある。

この障沓は、放−２室１０のも質としてＡｌ２Ｏ３を用
いるなとて回避できる。

前に負浸しだように２Ｍ椅的にスハツタリング効果を利
用することも可能で、８ｉＮ肛“・を作成する場合に、
ＳｉＮセラミクスを用いることで目的を１ＩＦｉｋする
こ・とができる。

第１０区１．第１１図、第１２図、第１３は１は前記の
晶周叶放１氏装置を利用するａｋ膜装置の他の実施汐１
１である。

第１０図はプラズマ１９から発する放射靭の与を利用す
るために、放＃、Ｊ却のみが這過する光学窓３３を設け
／と成膜装置である。

この光学窓３３け、放電室１０と堆積室７０とを気密に
分離し。

プラズマ１９で生じた励起活性種が堆積室内に混入する
のを防止している。光字窓３３に光学的フィルターを使
用すれば、目的とする特定の波長の光會堆ｆＡ室に導入
することができる。

この第１０図の装置で、バルブ２２から水素分子を導入
した場合のプラズマ１９の放矩、状態は９通常の放電と
大きく異なる。すなわち発光強度は全体的に非常に強く
、シかもその発光は９通常のプラズマに比較して水素分
子の連続スペクトル帯の強度よりも。

水素原子の発光（バルマー系、ライマン系等）が特に強
いものになっている。この特徴を積極的に生かして、水
素原子のライマンの＃（１２１，６量ｍ）を放射光３２
として用い、バルブ２３から導入したシランガスの分子
の直接光分解を行い、基板２７上にａ−８ｔ：Ｈ膜を作
ｂ’Ｚすることができる。光学窓３３としては１Ｍｇ１
＋’ｚのほかＬｉＦ等の材料も使用できる。

反応ガスとしてジシラン、ブトラメチルジシラン等を用
いるときは、ａ−８ｉ：Ｈ膜の高速、７　ｉ；あるいは
Ｓ　ｉ　ＣＭ’の作成等が可能になる。

第１１図はプラズマ１９から発する荷電粒子を利用し、
または荷電粒子を除去する目的でグリッド３４を設置し
た成膜装置である。３５はグリッドに所定の電圧を印加
するための電源である。

第１２図は、バルブ２２を通して導入した所定の気体が
プラズマ１９により励起活性種となり、それがそのま＼
ｊ＃積室７０に導びかれて基板２７上に堆積し膜を生成
する成膜装置である。

第１３図はプラズマ１９で生的した励起活性種を作動排
気装置３１にかけて、そのオリフィス３６群からビーム
として引き出し。

基板２７上ＫＭｐ積するようにした成膜装置である。ビ
ーム経路に電気的、電気的フィルター等を設！すること
により励起分子ビーム、ラジカルビーム、イオンビーム
等のビームを作り！シこれを酸膜に利用することができ
る。

以上、若干の実施例をか＼けたが、シ上の実施例は何ら
限定的な意味をもつものではなく１本発明の成膜装置に
はこの発明の主旨を￥ｉ重したこれらの組合せや、既存
技術の併甲などの多くの変形が可能である。

例えば高周波放電装置−の放電ｖ１０の形状および材質
、磁界発生機構３０の形状、放電を誘起させる気体の種
類等、またそれらの組み合わせは極めて多くの実施態様
を与える。

また成膜装置についても、高周波放電機構からの放射糾
、イオン、ラジカル２．励起分子等を利用の目的に応じ
て様々の形で堆積室７０に導入しこわを単独で、または
別途由−人さｔまた所定の気体と組合せて、様々に使用
できる。これらも目的に応じてその都度。

選定し設計されるべきものである。

また、上記の実＊ＩＩＪｆ”はすべて成膜装置で散開さ
れたが１本発明はドライエツチング装膚１表面改貴装置
等の諸々の放電反応装置にそのま＼応用できることが明
らかである。

これら放電反応処理装置け、あるいは基板ホルダ２５に
適宜の電圧が印加づれ、オたは適宜の電圧を印加する電
極が別途室２４内に設けられ、更には基板２７の設置位
置が変更される。などの配東が加味きねることがある。

（本発明の効果） 本発明は以上詐明した通りであって高周波放電装置にお
いては。

従来に比してけるかに置弊度の励起活性種および／また
は輝度の高い放射糾を得ることができるので、　ＦＪ１
２′ＩＦｅ用のラジカル神、光源。

励起活性種源等の応用分野に非常に秀ねた装置を提供す
るものである。

またこの高周波放電装置を利用する放電反応装置は、成
膜装置としては、　　ａ−８ｉ　：　Ｈ％等の半導体膜
、Ｓｉ３Ｎ４，５ｉ０２等の半導体デバイスの金稽膜、
絶縁膜、バノシベーシ目ン膜１表面コーティング用テフ
ロン膜、ダイヤモンドライクおよび導電性炭素膜。

有機物膜等の成＃に極めて有用であり、このほかにドラ
イエツチング、表面改質等の方面にも非常に秀れた装置
を提供するものである。本願の発明が半導体デバイスの
人造等に寄与するところは極めて大きい。工業上有為の
発明ということができる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図、第４図、第５は１．第６図は
本願の第１の発明の高周波放電装置の実施例の正面断面
図である。即７シ・ンｌ。 第８図は従来の放電装崗°の正面断面図である。第９図
１．第１０し１゜第１１り、、第１２夕１．第１３図は
本願の第２の発明の実施例である成膜装置の正面断面図
である。 １０・・・・・・放電室、　　２０・・・・・・高層＃
電圧印加系。 ３０・・・・・・磁界発生ｉ構、　　４０・・・・・・
湛変コントロール樽構。 ５０・・・・・・トリガ機構、　　　６０・・・・・・
高周波放雷機構。 ７０・・・・・・堆積室、　　　　　８０・・・・・・
基板ホルダぜ）構。 代理人　　　弁理士　　村上　健次 ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、１３ 手続補正書（自発） 昭才１１５９年ＩＯ月１９日 １、事件の表示 特願昭５９−１８７７５１ 、発明の名称 高周波放電装置とそれを利用する放電反応装置３、補正
をする者 事件との関係　　　　特許出願人 ４、代　理　人 住所　東京都府中市四谷５−８−１ ７、補正の内容 明細書第５ページ１３行目の「Ｅｇｕｉ　Ｉ　ｉｂｒｉ
ｕｍ　Ｊを「ＥｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍＪ　ト補正ｔル。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁場中で気体に高周波電圧を印加することにより
   プラズマを発生する装置であつて、 ａ、中空構造の高周波印加電極および該高周波印加電極
   に高周波電圧を印加する手段、 ｂ、該高周波印加電極の該中空構造内空間に磁界を生じ
   させる磁界発生機構、 ｃ、該高周波印加電極の該中空構造内空間またはその一
   部の空間で構成される放電室、 ｄ、該放電室内にてプラズマを発生するための所定の気
   体を導入する気体導入系およびその排気系、 ｅ、必要ならば、放電の初期に該プラズマを発生し易く
   するトリガ機構、 ｆ、必要ならば、該高周波印加電極および／または該磁
   界発生機構および／または該放電室を温度コントロール
   する手段。 を有することを特徴とする高周波放電装置。
2. （２）該中空構造の高周波印加電極が円筒状であり、そ
   の内側に、絶縁物で構成された円筒状の該放電室を、両
   円筒をほぼ同心円状にして設置することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の高周波放電装置。
3. （３）該放電室の壁の少なくとも一部が該高周波印加電
   極そのもので構成されている特許請求の範囲第１項記載
   の高周波放電装置。
4. （４）該磁界発生機構が、該高周波印加電極の外側に巻
   かれた電磁コイルに励磁電流を流すものとなつている特
   許請求の範囲第１、２または３項記載の高周波放電装置
   。
5. （５）該コイルがハニカム状に巻回されていることを特
   徴とする特許請求の範囲第４項記載の高周波放電装置。
6. （６）該磁界発生機構が、永久磁石であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１、２または３項記載の高周波放
   電装置。
7. （７）該高周波印加電極がコイル状であつて、かつ、該
   コイルの所定の部分から高周波を印加し、またコイルの
   所定の部分で接地するよう構成されている特許請求の範
   囲第１、２、３、４、５または６項記載の高周波放電装
   置。
8. （８）該コイル状高周波印加電極の内側に絶縁物で作成
   された円筒状の該放電室をほぼ同心円状に設置する特許
   請求の範囲第７項記載の高周波放電装置。
9. （９）該磁界発生機構が、該コイル状高周波印加電極の
   所定の場所にＤＣおよび／またはＡＣの励磁電流を、必
   要ならばＲＦカットフィルターを通して印加するもので
   構成されている特許請求の範囲第７または８項記載の高
   周波放電装置。
10. （１０）該磁界発生機構が、該高周波印加電極の外側あ
    るいは内側に巻かれたコイルに励磁電流を流すもので構
    成されている特許請求の範囲第７または８項記載の高周
    波放電装置。
11. （１１）磁場中で気体に高周波電圧を印加することによ
    りプラズマを発生する装置であつて、 ａ、中空構造の高周波印加電極および該高周波印加電極
    に高周波電圧を印加する手段、 ｂ、該高周波印加電極の中空構造内空間に磁界を生じさ
    せる磁界発生機構、 ｃ、該高周波印加電極の該中空構造内空間またはその一
    部の空間で構成される放電室、 ｄ、該放電室内にてプラズマを発生するための所定の気
    体を導入する気体導入系およびその排気系、 ｅ、必要ならば、放電の初期に該プラズマを発生し易く
    するトリガ機構、 ｆ、必要ならば、該高周波印加電極および／または該磁
    界発生機構および／または該放電室を温度コントロール
    する手段、を有する高周波放電装置で生成した放電プラ
    ズマおよび／または放射光の少くとも一部を、被処理物
    を設置した処理室内に導き、該被処理物の表面に所定の
    処理を施すことを特徴とする放電反応装置。