JPS6165421A - プラズマ化学気相堆積装置 - Google Patents
プラズマ化学気相堆積装置Info
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- JPS6165421A JPS6165421A JP59188309A JP18830984A JPS6165421A JP S6165421 A JPS6165421 A JP S6165421A JP 59188309 A JP59188309 A JP 59188309A JP 18830984 A JP18830984 A JP 18830984A JP S6165421 A JPS6165421 A JP S6165421A
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- Japan
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- heater
- substrate heater
- vacuum deposition
- vacuum
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はシリコンを主成分とした非晶質半導体や多結晶
半導体から成る太陽電池あるいは液晶等と組合せて画像
表示装置を構成するためのシリコンを主成分とした非晶
質半導体や多結晶半導体からなる薄膜電界効果トランジ
スタ等を大量生産するためのプラズマ化学気相堆積装置
に関するものである。
半導体から成る太陽電池あるいは液晶等と組合せて画像
表示装置を構成するためのシリコンを主成分とした非晶
質半導体や多結晶半導体からなる薄膜電界効果トランジ
スタ等を大量生産するためのプラズマ化学気相堆積装置
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
プラズマ化学気相堆積法により形成されるシリコンを主
成分とした非晶質または多結晶の半導体・薄膜や、窒化
シリコン等の絶縁体薄膜は、ラインセンサー等の光電変
換装置、液晶画像表示装置に使用する薄膜電界効果トラ
ンジスタ及び太陽電池などの材料として実用化が期待さ
れている。これらの装置は性質の異なる複数の薄膜を積
層したものから構成され、これら積層膜を工業的に大面
積かつ大量に作製する目的で、真空予備室及び複数の真
空堆積室を有するプラズマ化学気相堆積装置が開発され
ている。
成分とした非晶質または多結晶の半導体・薄膜や、窒化
シリコン等の絶縁体薄膜は、ラインセンサー等の光電変
換装置、液晶画像表示装置に使用する薄膜電界効果トラ
ンジスタ及び太陽電池などの材料として実用化が期待さ
れている。これらの装置は性質の異なる複数の薄膜を積
層したものから構成され、これら積層膜を工業的に大面
積かつ大量に作製する目的で、真空予備室及び複数の真
空堆積室を有するプラズマ化学気相堆積装置が開発され
ている。
ここでまずこのような堆積装置として、１室の真空予備
室と２室の真空堆積室を有する装置を例にとり、第１図
の概略断面図により説明する。基板１ａ、１ｂは基板保
持部２に保持されて真空予備室３に配置され、ここで基
板加熱器６により予備加熱される。その後、基板１ａ、
１ｂを基板保持部２とともに搬送機構９，１Ｑにより開
閉板１４を介して第１の真空堆積室４へ真空状態のまま
移動させ、そこで第１の薄膜を堆積する。続いて基板１
ａ、１ｂは基板保持部２とともに搬送機構１０．１１に
より開閉板１５を介して第２の真空堆積室５へ真空状態
のまま移動され、そこで第２の薄膜が堆積される。通常
、基板加熱器７，８は基板１ａ、１ｂが移動する前にあ
らかじめ所望の温度まで加熱されており、また基板保持
台１６と裏板１７で構成される基板保持部２は放電電極
１２．１３に対向する電極を兼ね、基板保持部２は搬送
機構１０．１１を介して真空堆積室４，５と同じ接地電
位に固定されるようになっている。
室と２室の真空堆積室を有する装置を例にとり、第１図
の概略断面図により説明する。基板１ａ、１ｂは基板保
持部２に保持されて真空予備室３に配置され、ここで基
板加熱器６により予備加熱される。その後、基板１ａ、
１ｂを基板保持部２とともに搬送機構９，１Ｑにより開
閉板１４を介して第１の真空堆積室４へ真空状態のまま
移動させ、そこで第１の薄膜を堆積する。続いて基板１
ａ、１ｂは基板保持部２とともに搬送機構１０．１１に
より開閉板１５を介して第２の真空堆積室５へ真空状態
のまま移動され、そこで第２の薄膜が堆積される。通常
、基板加熱器７，８は基板１ａ、１ｂが移動する前にあ
らかじめ所望の温度まで加熱されており、また基板保持
台１６と裏板１７で構成される基板保持部２は放電電極
１２．１３に対向する電極を兼ね、基板保持部２は搬送
機構１０．１１を介して真空堆積室４，５と同じ接地電
位に固定されるようになっている。
しかしながら上記の従来の構成では、基板保持部２と基
板加熱器７，８とが離れているために、基板１ａ、１ｂ
の温度は主に基板加熱器からの輻射熱と原料ガスによる
伝導熱により維持される。
板加熱器７，８とが離れているために、基板１ａ、１ｂ
の温度は主に基板加熱器からの輻射熱と原料ガスによる
伝導熱により維持される。
ここでガラス基板表面温度と基板加熱器の温度との関係
を第２図に示す。測定は、窒素３００ＣＣ１５＋。
を第２図に示す。測定は、窒素３００ＣＣ１５＋。
真空度Ｉ Ｔｏｒｒ の下で行った。第２図に示すよう
に必要とする基板表面温度が高くなるほどその基板表面
温度と基板加熱器の温度との差が拡がり、通常必要とさ
れる基板表面温度３ｏ○℃付近を得るには基板加熱器の
温度を１００℃以上高くしなければならない。
に必要とする基板表面温度が高くなるほどその基板表面
温度と基板加熱器の温度との差が拡がり、通常必要とさ
れる基板表面温度３ｏ○℃付近を得るには基板加熱器の
温度を１００℃以上高くしなければならない。
また、多結晶シリコンをプラズマ化学気相堆積法により
製造するためには通常基板温度として５００℃程度必要
である。第１図に示すような従来の構成によるプラズマ
化学気相堆積装置を使用して上記の基板温度５００℃を
得るには、第２図の基板表面温度と基板加熱器の温度と
の関係を示す図より基板加熱器の温度は６５０〜７５０
℃必要であると推定され、事実上、上述の基板加熱器の
温度を維持するには基板加熱器の材料などの点から非常
に困難である。一方基板加熱器自体を改良し上記のよう
な６５０１：〜７５０１：に耐え得る構成とした場合に
は、基板加熱器表面で原料ガスであるＳｉＨ４の熱分解
反応が急速に進展し、所望のプラズマ反応による基板上
への多結晶シリコンの堆積が抑制される欠点を有する。
製造するためには通常基板温度として５００℃程度必要
である。第１図に示すような従来の構成によるプラズマ
化学気相堆積装置を使用して上記の基板温度５００℃を
得るには、第２図の基板表面温度と基板加熱器の温度と
の関係を示す図より基板加熱器の温度は６５０〜７５０
℃必要であると推定され、事実上、上述の基板加熱器の
温度を維持するには基板加熱器の材料などの点から非常
に困難である。一方基板加熱器自体を改良し上記のよう
な６５０１：〜７５０１：に耐え得る構成とした場合に
は、基板加熱器表面で原料ガスであるＳｉＨ４の熱分解
反応が急速に進展し、所望のプラズマ反応による基板上
への多結晶シリコンの堆積が抑制される欠点を有する。
さらに基板温度の維持には原料ガスによる伝導熱が関与
していることから、基板温度は原料ガスの種類や流量、
真空度により影響を受は非常に不安定である。
していることから、基板温度は原料ガスの種類や流量、
真空度により影響を受は非常に不安定である。
また、第１図に示すような従来の構成によるプラズマ化
学気相堆積装置を使用して、ゲート金属が選択的に被着
形成されたガラス基板上に原料ガスとして７ラン、アン
モニア、希釈ガスとして窒素、水素等を用いて窒化シリ
コンとアモルファスシリコンよりなるチャンネル長１Ｑ
μｍ、チャンネル幅１０ｍｍの薄膜電界効果トランジス
タと形成したところ、そのドレイン電流−ゲート電圧特
性は極めて劣悪であり、その−例を第３図に示す。
学気相堆積装置を使用して、ゲート金属が選択的に被着
形成されたガラス基板上に原料ガスとして７ラン、アン
モニア、希釈ガスとして窒素、水素等を用いて窒化シリ
コンとアモルファスシリコンよりなるチャンネル長１Ｑ
μｍ、チャンネル幅１０ｍｍの薄膜電界効果トランジス
タと形成したところ、そのドレイン電流−ゲート電圧特
性は極めて劣悪であり、その−例を第３図に示す。
同図に示すごとく、その薄膜電界効果トランジスタの０
Ｎ１０ＦＦ 比（ゲート電圧が１５ｖの時のドレイン電
流とゲニト電圧がｏＶの時のドレイン電流との比）は２
桁（１ｏ）と非常に小さく、実用に耐えなかった。本発
明者らは、この問題点を検討したところ、基板１ａ、１
ｂの裏板１７が充分に真空堆積室４，５と同じ接地電位
に保持されていないことによるということが明らかにな
った。
Ｎ１０ＦＦ 比（ゲート電圧が１５ｖの時のドレイン電
流とゲニト電圧がｏＶの時のドレイン電流との比）は２
桁（１ｏ）と非常に小さく、実用に耐えなかった。本発
明者らは、この問題点を検討したところ、基板１ａ、１
ｂの裏板１７が充分に真空堆積室４，５と同じ接地電位
に保持されていないことによるということが明らかにな
った。
発明の目的
本発明は、前述の問題点に鑑みなされたもので、基板加
熱器と基板との温度差を小さくし、かつ基板の裏面に接
する裏板を充分に接地することにより、ガラス等の絶縁
性基板上に良好な特性を示す半導体装置を安定に再現性
よく製造することのできるプラズマ化学気相堆積装置を
提供することを目的とする。
熱器と基板との温度差を小さくし、かつ基板の裏面に接
する裏板を充分に接地することにより、ガラス等の絶縁
性基板上に良好な特性を示す半導体装置を安定に再現性
よく製造することのできるプラズマ化学気相堆積装置を
提供することを目的とする。
発明の構成
本発明のプラズマ堆積装置は、基板保持部材に基板加熱
器を密着させることができ、その密着する部分の面積が
薄膜を堆積すべき基板よりも太きく、かつ基板加熱器が
真空堆積室と同じ接地電位であるプラズマ化学気相堆積
装置を使用することにより、基板と基板加熱器の温度差
を小さくし、且つ基板電位を十分に低抵抗接地すること
により、良好な特性を示す半導体装置を量産することの
できるものである。
器を密着させることができ、その密着する部分の面積が
薄膜を堆積すべき基板よりも太きく、かつ基板加熱器が
真空堆積室と同じ接地電位であるプラズマ化学気相堆積
装置を使用することにより、基板と基板加熱器の温度差
を小さくし、且つ基板電位を十分に低抵抗接地すること
により、良好な特性を示す半導体装置を量産することの
できるものである。
実施例の説明
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第４図は本発明の一実施例における真空堆積室の概略断
面図を示すものである。第４図において、２０は真空堆
積室、２１ａ、２１ｂは基板、２７は基板保持台、２８
は裏板、２４は開閉板、２５は搬送機構、２６は放電電
極で、以上は第１図の真空堆積室４，６と同じ構成であ
り、第１図の真空堆積室と異なるのは基板保持部２９と
同じ面積基板保持部２９に密着する部分を有する基板加
熱器２３を上下させる上下動作装置２２を設けたことで
ある。また基板加熱器２３は上下動作装置２２を介して
真空堆積室２０と同じ接地電位に固定される。
面図を示すものである。第４図において、２０は真空堆
積室、２１ａ、２１ｂは基板、２７は基板保持台、２８
は裏板、２４は開閉板、２５は搬送機構、２６は放電電
極で、以上は第１図の真空堆積室４，６と同じ構成であ
り、第１図の真空堆積室と異なるのは基板保持部２９と
同じ面積基板保持部２９に密着する部分を有する基板加
熱器２３を上下させる上下動作装置２２を設けたことで
ある。また基板加熱器２３は上下動作装置２２を介して
真空堆積室２０と同じ接地電位に固定される。
基板２１ａ、２１ｂが基板保持部２つとともに隣の真空
室から開閉板２４を介して真空堆積室２０に移動した後
、基板加熱器２３を上下動作装置２２よシ基板保持部２
９［密着させて、基板２１ａ。
室から開閉板２４を介して真空堆積室２０に移動した後
、基板加熱器２３を上下動作装置２２よシ基板保持部２
９［密着させて、基板２１ａ。
２１ｂの表面温度を基板加熱器２９の温度に対して測定
したところ第６図のようになった。１１定は、基板とし
てガラスを用い、窒素流量３００ ｃｃ、ｚ％ 。
したところ第６図のようになった。１１定は、基板とし
てガラスを用い、窒素流量３００ ｃｃ、ｚ％ 。
真空度Ｉ Ｔ’ｏｒｒＯ下で行なった。
第５図に示されるごとく基板表面温度を３００℃にする
ためには基板加熱器の温度を３２０℃に設定すればよく
、第１図に示す従来の構成に比べ１００℃低い設定値で
すむ（第２図参照）。また、基板加熱器の温度を６４０
℃に設定することにより基板表面温度は５ｏｏ℃に達し
、従って本発明のプラズマ化学気相堆積法により多結晶
シリコンを量産化することが可能となる。
ためには基板加熱器の温度を３２０℃に設定すればよく
、第１図に示す従来の構成に比べ１００℃低い設定値で
すむ（第２図参照）。また、基板加熱器の温度を６４０
℃に設定することにより基板表面温度は５ｏｏ℃に達し
、従って本発明のプラズマ化学気相堆積法により多結晶
シリコンを量産化することが可能となる。
次に上述の真空堆積室をもつプラズマ化学気相堆積装置
を使用して、前述の従来例の場合と同様にゲート金属が
選択的に被着形成されたガラス基板上に原料ガスとして
シラン、アンモニア、希釈ガスとして窒素、水素等を用
いて、窒化シリコン。
を使用して、前述の従来例の場合と同様にゲート金属が
選択的に被着形成されたガラス基板上に原料ガスとして
シラン、アンモニア、希釈ガスとして窒素、水素等を用
いて、窒化シリコン。
アモルファスシリコンよリナルチャンネル長１０μｍ
、チャンネル幅１０ｍｍの薄膜電界効果トランジスタを
形成したところ、そのドレイン電流−ゲート電圧特性は
第６図に示すようなものであった。
、チャンネル幅１０ｍｍの薄膜電界効果トランジスタを
形成したところ、そのドレイン電流−ゲート電圧特性は
第６図に示すようなものであった。
図に示すととく５桁（１Ｑ ）以上の極めてすぐれたＯ
Ｎ／○ＦＦ比を示す薄膜電界効果トランジスタをガラス
基板上に形成できた。
Ｎ／○ＦＦ比を示す薄膜電界効果トランジスタをガラス
基板上に形成できた。
以上のように本実施例によれば、基板保持部に基板加熱
器を密着させることにより基板加熱器の熱を直接基板に
伝えることができ、そのため基板と基板加熱器の温度差
を小さく出来る。すなわち基板加熱器の消費電力を従来
に比べ低減することができ、さらに原料ガスの種類によ
り基板温度が影響を受けることがなくなると共に、ヒー
ターからのガス放出が低減出来製膜の再現性が向上する
・また、密着した基板加熱器の電位を真空堆積室と充分
同じ接地電位にすることにより、本発明者が出願した特
願昭５９−５００１により提案された界を安定させるこ
とができ、５桁（１０）以上の０Ｎ１０ＦＦ比を得るこ
とのできる良好な薄膜電界効果トランジスタを形成でき
た。
器を密着させることにより基板加熱器の熱を直接基板に
伝えることができ、そのため基板と基板加熱器の温度差
を小さく出来る。すなわち基板加熱器の消費電力を従来
に比べ低減することができ、さらに原料ガスの種類によ
り基板温度が影響を受けることがなくなると共に、ヒー
ターからのガス放出が低減出来製膜の再現性が向上する
・また、密着した基板加熱器の電位を真空堆積室と充分
同じ接地電位にすることにより、本発明者が出願した特
願昭５９−５００１により提案された界を安定させるこ
とができ、５桁（１０）以上の０Ｎ１０ＦＦ比を得るこ
とのできる良好な薄膜電界効果トランジスタを形成でき
た。
本発明の他の実施例を第７図に示す。第７図において、
３０は真空堆積室、３１ ａ 、 ３１ ｂは基板、３
８は基板保持台、３９は裏板、３３は基板加熱器、３４
は開閉板、３７は放電電極で、以上は第１図の従来の真
空堆積室４，５と同じ構成であり、第１図の真空堆積室
４，５と異なるのは、搬送機構３６を上下させる上下動
作装置３５ａ。
３０は真空堆積室、３１ ａ 、 ３１ ｂは基板、３
８は基板保持台、３９は裏板、３３は基板加熱器、３４
は開閉板、３７は放電電極で、以上は第１図の従来の真
空堆積室４，５と同じ構成であり、第１図の真空堆積室
４，５と異なるのは、搬送機構３６を上下させる上下動
作装置３５ａ。
ｓｓｂを設けたことである。本実施例では搬送機構３６
の上下動作に合せて放電電極３７をも上下動作させるこ
とが基板保持部材３２と放電電極３７の距離一定に保つ
には好ましい。なお基板加熱器３３は真空堆積室３ｏに
直接取付けられて、その電位は真空堆積室３ｏと同じ接
地電位に固定される０ 基板３１ａ、３１ｂが基板保持部３２とともに隣の真空
室から開閉板３４を介して移動した後、；き ニーー印ｔ−￥＋何（利ｔ＾ハぜ一÷？−ＩＣ’／ロ邊
七ヒ立ＵっりＬｌ−ＪＩｆｆＬτ千Ｊ、Ｉｋ−装置３ｓ
ａ、３５ｂにより上昇させて基板保持部３２を基板加熱
器３３に密着させる。
の上下動作に合せて放電電極３７をも上下動作させるこ
とが基板保持部材３２と放電電極３７の距離一定に保つ
には好ましい。なお基板加熱器３３は真空堆積室３ｏに
直接取付けられて、その電位は真空堆積室３ｏと同じ接
地電位に固定される０ 基板３１ａ、３１ｂが基板保持部３２とともに隣の真空
室から開閉板３４を介して移動した後、；き ニーー印ｔ−￥＋何（利ｔ＾ハぜ一÷？−ＩＣ’／ロ邊
七ヒ立ＵっりＬｌ−ＪＩｆｆＬτ千Ｊ、Ｉｋ−装置３ｓ
ａ、３５ｂにより上昇させて基板保持部３２を基板加熱
器３３に密着させる。
本実施例の真空堆積室を備えたプラズマ化学気相堆積装
置を使用したところ、前述の第１の実施例の場合と同様
に基板表面温度３０○℃にするためには基板加熱器の温
度３２０’Ｃに設定すればよく、第１図に示す従来の構
成の場合に比べ約１００℃低い設定値であった。
置を使用したところ、前述の第１の実施例の場合と同様
に基板表面温度３０○℃にするためには基板加熱器の温
度３２０’Ｃに設定すればよく、第１図に示す従来の構
成の場合に比べ約１００℃低い設定値であった。
また、前述の第１の実施例の場合と同様にガラス基板上
ニ窒化シリコン、アモルファスシリコンよりなるチャン
ネル長１０１１ｍ、チャンネル幅１０ｍ＋ｎの薄膜電界
効果トランジスタを形成したところ、５桁（１ｏ５）以
上の極めてすぐれた○Ｎ１０ Ｆ Ｆ比を示した。なお
本実施例によれば基板加熱器３３は可動部を介すること
なく直接真空堆積室３Ｑに固定されるため、基板加熱器
の電位はより安定に真空堆積室３０と同じ接地電位に固
定される利点を有する。
ニ窒化シリコン、アモルファスシリコンよりなるチャン
ネル長１０１１ｍ、チャンネル幅１０ｍ＋ｎの薄膜電界
効果トランジスタを形成したところ、５桁（１ｏ５）以
上の極めてすぐれた○Ｎ１０ Ｆ Ｆ比を示した。なお
本実施例によれば基板加熱器３３は可動部を介すること
なく直接真空堆積室３Ｑに固定されるため、基板加熱器
の電位はより安定に真空堆積室３０と同じ接地電位に固
定される利点を有する。
以上本発明の実施例として薄膜電界効果トランジスタの
製造を中心に述べだが、他の半導体装置をプラズマ化学
気相堆積法により製造する場合に本発明が有効であるこ
とはいうまでもない。
製造を中心に述べだが、他の半導体装置をプラズマ化学
気相堆積法により製造する場合に本発明が有効であるこ
とはいうまでもない。
発明の効果
本発明は、基板加熱器を基板保持部の基板が保持されて
いない側に密着させる機構を設置することにより、基板
温度と基板加熱器との温度差を小さくすることが可能と
なり、基板表面温度５００℃が達成でき、良質な多結晶
シリコン薄膜を製造できるようになったとともに、基板
加熱器の消費電力をも低減できた。また原料ガスの種類
や流量により基板温度が影響されなくなる。
いない側に密着させる機構を設置することにより、基板
温度と基板加熱器との温度差を小さくすることが可能と
なり、基板表面温度５００℃が達成でき、良質な多結晶
シリコン薄膜を製造できるようになったとともに、基板
加熱器の消費電力をも低減できた。また原料ガスの種類
や流量により基板温度が影響されなくなる。
更に真空堆積室と同じ接地電位に保持された基板加熱器
に基板保持部を密着させる事により、プラズマ励起ｒｆ
電界に対する基板保持部の接地特性が格段に改良されそ
の結果、極めてすぐれた○Ｎ１０ＦＦ比特性を有する薄
膜電界効果トランジスタを製造できるなど、数々のすぐ
れた効果を発揮することのできるプラズマ化学気相堆積
装置を提供するものである。
に基板保持部を密着させる事により、プラズマ励起ｒｆ
電界に対する基板保持部の接地特性が格段に改良されそ
の結果、極めてすぐれた○Ｎ１０ＦＦ比特性を有する薄
膜電界効果トランジスタを製造できるなど、数々のすぐ
れた効果を発揮することのできるプラズマ化学気相堆積
装置を提供するものである。
第１図は従来のプラズマ化学気相堆積装置の概略断面図
、第２図は従来のプラズマ化学気相堆積装置を使用した
時の基板加熱器の温度に対する基板表面の温度を示す図
、第３図は従来のプラズマ化学気相堆積装置を使用して
製造した薄膜電界効果トランジスタの電流−電圧特性を
示す図、第４図及び第７図は本発明の実施例におけるプ
ラズマ化学気相堆積装置の真空堆積室の部分の概略断面
図、第５図は本発明の実施例における基板加熱器の温度
に対する基板表面温度を示す図、第６図は本発明の実施
例における薄膜電界効果トランジスタの電流−電圧特性
を示す図である。 ２０．３０・・・・・・真空堆積室、２９，３２・・・
・・・基板保持部、２３．３３・・・・・・基板加熱器
、２２・・・・・・基板加熱器上下動作装置、３５ａ、
３５ｂ・・・・・・搬送機構上下動作装置。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図 デー１皇／Ｅ ＜ｖ＋ 第 ５ 面 基板刑惑芥量渓（°Ｃ） 第６図 第７図 、’１９
、第２図は従来のプラズマ化学気相堆積装置を使用した
時の基板加熱器の温度に対する基板表面の温度を示す図
、第３図は従来のプラズマ化学気相堆積装置を使用して
製造した薄膜電界効果トランジスタの電流−電圧特性を
示す図、第４図及び第７図は本発明の実施例におけるプ
ラズマ化学気相堆積装置の真空堆積室の部分の概略断面
図、第５図は本発明の実施例における基板加熱器の温度
に対する基板表面温度を示す図、第６図は本発明の実施
例における薄膜電界効果トランジスタの電流−電圧特性
を示す図である。 ２０．３０・・・・・・真空堆積室、２９，３２・・・
・・・基板保持部、２３．３３・・・・・・基板加熱器
、２２・・・・・・基板加熱器上下動作装置、３５ａ、
３５ｂ・・・・・・搬送機構上下動作装置。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図 デー１皇／Ｅ ＜ｖ＋ 第 ５ 面 基板刑惑芥量渓（°Ｃ） 第６図 第７図 、’１９
Claims (2)
- （１）真空予備室及び複数の真空堆積室が、それら内部
の開閉板を介して隣接連通し、前記真空予備室及び真空
堆積室内部に堆積膜を形成すべき基板を保持する基板保
持台の搬送機構と基板加熱器が設置され、前記基板保持
台が前記真空予備室から前記真空堆積室へ又は前記真空
堆積室間を移動する時は前記基板保持台と前記基板加熱
器間に空げきを設け、所定の位置に前記基板保持台が移
動完了した時点で前記空げきを零にし前記基板保持台と
基板加熱器を密着する様な機構を有することを特徴とす
るプラズマ化学気相堆積装置。 - （２）基板加熱器の基板保持台に密着する部分は、堆積
膜を被着すべき基板より大きい面積を有する金属部材で
構成され、前記金属部材がアースを取った真空堆積室に
電気的に接続されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のプラズマ化学気相堆積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59188309A JPS6165421A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | プラズマ化学気相堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59188309A JPS6165421A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | プラズマ化学気相堆積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165421A true JPS6165421A (ja) | 1986-04-04 |
Family
ID=16221349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59188309A Pending JPS6165421A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | プラズマ化学気相堆積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270600A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置、プラズマｃｖｄ方法及び薄膜太陽電池 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5878417A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Anelva Corp | 薄膜形成真空装置 |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP59188309A patent/JPS6165421A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5878417A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Anelva Corp | 薄膜形成真空装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270600A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置、プラズマｃｖｄ方法及び薄膜太陽電池 |
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