JPS6165483A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPS6165483A JPS6165483A JP59187388A JP18738884A JPS6165483A JP S6165483 A JPS6165483 A JP S6165483A JP 59187388 A JP59187388 A JP 59187388A JP 18738884 A JP18738884 A JP 18738884A JP S6165483 A JPS6165483 A JP S6165483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- solar cell
- amorphous
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、基板上に両面のｔ８ｉ層と共に光電変換のた
めのアモルファスシリコン（以下ａ −３ｉと記す）層
が積層されてなる太陽電池に関する。
めのアモルファスシリコン（以下ａ −３ｉと記す）層
が積層されてなる太陽電池に関する。
基板自体を一方のｔｉとしない太陽電池としては第３図
ｔａｇ、 （ｂｌ、 ｔｃ＋に示す構造のものが知られ
ている。（ａ）はガラス基板１の上に透明導電膜からな
る電極層２を設け、その上に、例えばｐｉｎ接合を有す
るａ−５ｉ層３が形成され、さらに金属電極層４が被着
されていて、ガラス基板ｌを通して入射する光によって
作動する。しかしａ−５ｉ層３の成長の際、基板１を２
５０″Ｃ程度に加熱するため、ガラス基板から不純物に
よりａ−５１層３が汚染され、所期の特性が出ないこと
がある。山）は基板の基材として金属板５を用いたもの
で、その表面に有機絶縁材料からなる絶縁Ｍ６を塗布し
、その上に金属電極４ ＋ ａ −Ｓｉ層３．透明電
Ｆ！ｉ２または格子状金属電極層が積層されている。こ
の太陽電池スが出て膜質が害されやすい、（Ｃ）は可撓
性基板７を用いたもので、その上に金属電極４．ａ −
３ｉ層３、ｉ！Ｉｔ明電極Ｎ２が積層されている。この
場合も基板７からの不純物によりａ−３ｉ層３が汚染さ
れるばかりでなく、基板が加熱により変形し易いという
問題もある。
ｔａｇ、 （ｂｌ、 ｔｃ＋に示す構造のものが知られ
ている。（ａ）はガラス基板１の上に透明導電膜からな
る電極層２を設け、その上に、例えばｐｉｎ接合を有す
るａ−５ｉ層３が形成され、さらに金属電極層４が被着
されていて、ガラス基板ｌを通して入射する光によって
作動する。しかしａ−５ｉ層３の成長の際、基板１を２
５０″Ｃ程度に加熱するため、ガラス基板から不純物に
よりａ−５１層３が汚染され、所期の特性が出ないこと
がある。山）は基板の基材として金属板５を用いたもの
で、その表面に有機絶縁材料からなる絶縁Ｍ６を塗布し
、その上に金属電極４ ＋ ａ −Ｓｉ層３．透明電
Ｆ！ｉ２または格子状金属電極層が積層されている。こ
の太陽電池スが出て膜質が害されやすい、（Ｃ）は可撓
性基板７を用いたもので、その上に金属電極４．ａ −
３ｉ層３、ｉ！Ｉｔ明電極Ｎ２が積層されている。この
場合も基板７からの不純物によりａ−３ｉ層３が汚染さ
れるばかりでなく、基板が加熱により変形し易いという
問題もある。
本発明は、上述の欠点を除去してａ −５１層形成時に
汚染等の影響を与えることなく、かつ基板を薄くした場
合にも加熱時の強度が維持される絶縁１＆板を存する太
ｌｌ！電池を提供することを目的とする。
汚染等の影響を与えることなく、かつ基板を薄くした場
合にも加熱時の強度が維持される絶縁１＆板を存する太
ｌｌ！電池を提供することを目的とする。
本発明による太陽電池は両面に電極層を備えた先覚変換
ａ−５ｉ層が一面にａ−Ｓｔ層を被着した金属板の上に
積層されることによって上記の目的を達成する。
ａ−５ｉ層が一面にａ−Ｓｔ層を被着した金属板の上に
積層されることによって上記の目的を達成する。
第１図は本発明の一実施例を示し、金属板５の上にａ−
５層層８を介して金属ｔｉ層４が設けられ、その上は第
３図（′ｂ）と同様である。ａ−５層層８はモノシラン
の分解によって生ずる１層であることが存効である。基
板５の上に高純度のａ−３ｉｌＷ８が存在することによ
り、光電変換ａ−Ｓｔ層３が基板５による汚染等の影響
を受けることが少なくなる。 また金属基板５として、例えば０．１５〜０．２ｍｍの
厚さのステンレスｍｌ板を用いることにより、可撓性で
しかも加熱時の形状変化のない基板を得ることができる
。 第２図は本発明の別の実施例として直列構造の太Ｖ４電
池を示し、二つの光電変換ａ−５ｉ層３はａ−Ｓ４層８
により絶縁され、別個の太陽電池素子を形成する。一方
の透明電ｐｉ２を延長させて他方の金属電極４と接触さ
せることにより、画素子は直列接続される。このように
して多くの太陽電池素子を直列接続することができる。
５層層８を介して金属ｔｉ層４が設けられ、その上は第
３図（′ｂ）と同様である。ａ−５層層８はモノシラン
の分解によって生ずる１層であることが存効である。基
板５の上に高純度のａ−３ｉｌＷ８が存在することによ
り、光電変換ａ−Ｓｔ層３が基板５による汚染等の影響
を受けることが少なくなる。 また金属基板５として、例えば０．１５〜０．２ｍｍの
厚さのステンレスｍｌ板を用いることにより、可撓性で
しかも加熱時の形状変化のない基板を得ることができる
。 第２図は本発明の別の実施例として直列構造の太Ｖ４電
池を示し、二つの光電変換ａ−５ｉ層３はａ−Ｓ４層８
により絶縁され、別個の太陽電池素子を形成する。一方
の透明電ｐｉ２を延長させて他方の金属電極４と接触さ
せることにより、画素子は直列接続される。このように
して多くの太陽電池素子を直列接続することができる。
本発明は、金属板にａ −５層層を被着したものを基板
として太陽電池を構成したもので、ａ −Ｓｉ層により
その上に形成される光電変換ａ−Ｓ１層への基板の影響
が阻止される。またこのａ−ｓｉ層を絶縁膜として利用
することもできるので複数の太陽電池素子を直列接続す
る場合の絶縁基板とすることもできる。さらに薄い金属
基板を用いることにより可撓性太陽電池とすることもで
きるので得られる効果は極めて大きい。
として太陽電池を構成したもので、ａ −Ｓｉ層により
その上に形成される光電変換ａ−Ｓ１層への基板の影響
が阻止される。またこのａ−ｓｉ層を絶縁膜として利用
することもできるので複数の太陽電池素子を直列接続す
る場合の絶縁基板とすることもできる。さらに薄い金属
基板を用いることにより可撓性太陽電池とすることもで
きるので得られる効果は極めて大きい。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は別の実施
例の断面図、第３図は従来の太陽電池の三つの構造を示
す断面図である。 ２：ｉ３明電極層、３：充電変換ａ−５ｉ層、４・金属
電極層、５：金属基板、８： ａ −５層層。 第１図 （ａ） （ｂ） （ｃ） 第３図
例の断面図、第３図は従来の太陽電池の三つの構造を示
す断面図である。 ２：ｉ３明電極層、３：充電変換ａ−５ｉ層、４・金属
電極層、５：金属基板、８： ａ −５層層。 第１図 （ａ） （ｂ） （ｃ） 第３図
Claims (1)
- １）基板上に両面に電極層を備えた光電変換のためのア
モルファスシリコン層を有するものにおいて、基板が一
面にアモルファスシリコン層を被着した金属板であるこ
とを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59187388A JPS6165483A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59187388A JPS6165483A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165483A true JPS6165483A (ja) | 1986-04-04 |
Family
ID=16205142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59187388A Pending JPS6165483A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165483A (ja) |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP59187388A patent/JPS6165483A/ja active Pending
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