JPS6166353U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の２次イオン質量分析装置の実
施例を示す図である。第２図は従来例を示すもの
である。 １……イオンビーム、２……試料、３……２次
イオン、４……引き込みレンズ、５……スリツト
、６……セクターマグネツト、７……２次イオン
（シリコン）、８……２次イオン（クローム）、
９……第１スリツト、１０……第１イオン検出器
、１１……静電４極レンズ、１２……第２スリツ
ト、１３……第２イオン検出器、２１……イオン
ビーム、２２……半導体製造用マスク（資料）、
２３……２次イオン、２４……引き込みレンズ、
２５……スリツト、２６……セクターマグネツト
、２７，３０……２次イオン、２８……スリツト
、２９……イオン検出器。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体製造用マスクである試料上にイオン
   ビームを照射させ、これにより発生した２次イオ
   ンを引き込み、これを集束させ、この後セクター
   マグネツトにより、質量の異なる２次イオンを分
   離し、これ等の２次イオンを検出するイオンビー
   ムマスクリペアー装置に於ける２次イオン質量分
   析装置に於いて、前記セクターマグネツトの出射
   側に配設された第１イオン検出器と、前記出射側
   に配設された第２イオン検出器と、前記第２イオ
   ン検出器と前記出射側との間に於けるイオン通過
   部分に配設された静電４極レンズとを備え、前記
   静電４極レンズにより前記第１イオン検出器に入
   力されるイオンとは異なる質量のイオンを案内し
   て、前記２次イオン検出器に入力させる様に構成
   したことを特徴とするイオンビームマスクリペア
   ー装置に於ける２次イオン質量分析装置。 (2) 第１項に於いて、前記試料に少なくとも二
   種類の互いに材質の異なる物質を有するものとし
   、前記第１、第２イオン検出器による２チヤンネ
   ル系で検出する事を特徴とするイオンビームマス
   クリペアー装置に於ける２次イオン質量分析装置
   。