JPS6167779A - エツチング液管理方法 - Google Patents

エツチング液管理方法

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Publication number
JPS6167779A
JPS6167779A JP59188314A JP18831484A JPS6167779A JP S6167779 A JPS6167779 A JP S6167779A JP 59188314 A JP59188314 A JP 59188314A JP 18831484 A JP18831484 A JP 18831484A JP S6167779 A JPS6167779 A JP S6167779A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
anode
soln
etching solution
anolyte
Prior art date
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Pending
Application number
JP59188314A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirohiko Haniyu
博彦 羽生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP59188314A priority Critical patent/JPS6167779A/ja
Publication of JPS6167779A publication Critical patent/JPS6167779A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/46Regeneration of etching compositions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、銅張配線板の回路形成を行う塩化第二銅溶液
を用いたエツチング液管理方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 従来エリ、銅張配線板の回路形成において、塩化第二鉄
溶液、アンモニウム溶液、塩化第二銅溶液等のエツチン
グ液が用いられてきた。その中で安定かつ等速のエツチ
ングができる塩化第二銅エツチングが増えつつある。し
かし、塩化第二銅エツチングは銅を溶解することにより
、二価の銅イオンが一価となりエツチングを抑制する。
そこで従来は、薬物の添加により、−価の銅イオンを二
価の銅イオンに変えることにエリ、等速エツチングを実
現してきた。しかし、その薬物添加を制御するセンサが
複雑かつ時定数の小さいものが要求されていた。すなわ
ち、塩酸濃度、塩化第一銅。
塩化第二銅の三種類を制御するセンサである。しかし、
塩化第−銅及び塩化第二銅を安定かつ制御時定数を小さ
く制御することが困難であ−)た。
また、薬液による塩化第二銅エツチング液の再生は、廃
液の増大を招き廃液処理に苦労する結果となった。
発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、電気的エツチング液32、− の再生を行い、電極電位にJ:す、エツチング液を調整
することのできる塩化第二銅エツチング液管理方法を提
供するものである。
発明の構成 上記目的を達成するために本発明のエツチング液管理方
# +(+:陰イオン透過1漢でIS易極側と陰極11
1jlに二分した再生槽を有し、1洪俊1111 K塩
r投溶液を所定濃度になる」:9制併し陽極1110に
エツチング液を循環しながら供給し、電流を電極間に流
し、陽イタ部でエツチング液中の一1曲の銅イオンを二
1曲に酸化陰イオン透過膜で隔てられた陰% (fll
lの塩酸溶液より塩素イオンを陽極側に移動させ、陽極
とエツチング液との電イ〜i差を測定し、この陽億−陽
極液間の電気抵抗値の変化に基づき極間電流を制御する
ことを特徴とし、この方法によりエツチング液の経済的
な管理が行える。
実姉例の説明 以下本発明の一実症例につめて、図面を参照しながら説
明する。第1図は本発明の一実施例におけるエツチング
液管理方法の概略を示すものである。第11図において
、1はエツチング装置本体、2はエツチング廃液タンク
、3はエツチング液、4け塩酸タンク、5は塩酸、6は
再生槽(電解槽)、7幻:陽極、8は陰極、9は隔膜(
陰イオン透過膜)である。第2図は第1図のエツチング
廃液タンク2の詳細を示すものである。第2図において
、10は一次廃液貯槽、11は濃度調整槽、12は比重
調整用水槽、13は濃度調整用塩酸槽である。
以上のように構成されたエツチング液管理方法について
以下に説明する。
まず、エツチングに用いられたエツチング液3を一次廃
液貯槽10に移し、その一部を廃液とし、残りを濃度調
整槽11に送り、比重及び塩酸濃度を調整し、再生槽6
に送る。再生槽6に送り込寸れたエツチング液は電流を
流すことにエリ陽極部で1価の銅イオンを2価に変える
。それに伴い、陰極液1則から陰イオン透過膜9を経て
陽極液(Illに塩素イオンが移動し、エツチング液の
再生を行う・そのとき、陽極とI′a極液の間の電気抵
抗値が存在するが、1価の銅イオンが無くなった時点で
陽極と陽極液との電気抵抗が一定となる。しかし、1価
の銅イオンが無くなり以後電流を流しつづけると塩素ガ
スが発生するため、エツチング条件に合う組成に相当す
る電気抵抗値を維持すべく電流を制御し、再生速度を調
節する。なお塩酸濃度は1〜35重量パーセントに制御
する。
以上のように、本実症例のエツチング液管理方法V(,
1:す、陽極と陽極液との間の電位差で、1価と2価の
鋼イオンを制御でき、塩酸濃度、比重と合わせて、セン
サとして用いられる。従来のORP訓、光量計といった
化学的及び物理的信号を電気信号に変換するセンサに比
べ安定かつ制御時定数の小さいセンサとなる。また、薬
液による再生方式に比べ、塩素ガスの発生がなくなるた
め、作業環境が改善され、薬液の使用量が減るため廃液
量の減少を可能にする。
発明の効果 以上のJ二うに本発明は、電気隔膜透析により、塩化第
二鋼エツチング液を再生することにより、地累ガスの発
生を抑制し、薬液の使用量及び廃液67、− 量の減少を招き、安定な制御を行ない得ることにより品
質の安定、向」二を得ることができ、その実用的効果は
犬なるものでかある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例におけるエツチング液管理方
法の概略図、第2図は同エツチング液管理方法の廃液タ
ンクの概略図である。 1・・・・・・エツチング装置本体、2・・・・・エツ
チング廃液タンク、3・・・・エツチング液、4・・・
・・・塩酸タンク、5・・・・・・塩酸、6・・・・・
・再生槽(電解槽)、7・・・・・・陽極、8・・・・
・・陰極、9・・・・・隔膜(イオン交換膜)、10・
・・・・−次廃液貯槽、11・・・・・・濃度調整槽、
12・・・・・・比重調整用水槽、13・・・・・濃度
調整用塩酸槽。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 2+ Cu   H+ ■       0 0′−8 G9 s 05テラFb−o  o  o  o  o  o  
o  o  o o  。 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  陰イオン透過膜で陽極側と陰極側に二分した再生槽を
    有し、陰極側に塩酸溶液を所定濃度になるよう制御し、
    陽極側のエッチング液を循環しながら供給し、電流を電
    極間に流し、陽極部でエッチング液中の一価の銅イオン
    を二価に酸化させ陰イオン透過膜で隔てられた陰極側の
    塩酸溶液より塩素イオンを陽極側に移動させ、陽極にエ
    ッチング液との電位差を測定し、この陽極−陽極液間の
    電気抵抗値の変化に基づき、上記電流を制御することを
    特徴とするエッチング液管理方法。
JP59188314A 1984-09-07 1984-09-07 エツチング液管理方法 Pending JPS6167779A (ja)

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JP59188314A JPS6167779A (ja) 1984-09-07 1984-09-07 エツチング液管理方法

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JPS6167779A true JPS6167779A (ja) 1986-04-07

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05179464A (ja) * 1991-12-27 1993-07-20 Tsurumi Soda Kk ハロゲン化銅溶液中のハロゲン根の除去方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05179464A (ja) * 1991-12-27 1993-07-20 Tsurumi Soda Kk ハロゲン化銅溶液中のハロゲン根の除去方法

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