JPS6167984A - Method for manufacturing electronic device module - Google Patents
Method for manufacturing electronic device moduleInfo
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- JPS6167984A JPS6167984A JP59191255A JP19125584A JPS6167984A JP S6167984 A JPS6167984 A JP S6167984A JP 59191255 A JP59191255 A JP 59191255A JP 19125584 A JP19125584 A JP 19125584A JP S6167984 A JPS6167984 A JP S6167984A
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- laser
- electronic device
- ceramic substrate
- layer
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- Pending
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- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明はサーマルヘッドや等倍光センサの如くグレーズ
ドセラミック基板上に形成される電子装置モジュールを
製造する方法に関し、特に同一グレーズドセラミック基
板上に複数個の電子装置モジュールを形成した後、その
グレーズドセラミック基板をレーザ光により切断して個
々の電子装置モジュールとする方法に関するものである
。Detailed Description of the Invention (Technical Field) The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device module formed on a glazed ceramic substrate, such as a thermal head or a same-magnification optical sensor, and in particular to a method for manufacturing an electronic device module formed on a glazed ceramic substrate, such as a thermal head or a same-magnification optical sensor. The present invention relates to a method of forming electronic device modules and then cutting the glazed ceramic substrate with a laser beam into individual electronic device modules.
(従来技術)
グレーズドセラミック基板はセラミック基板の表面を酸
化硅素を主成分とするグレーズ層で被覆したものである
。(Prior Art) A glazed ceramic substrate is a ceramic substrate whose surface is coated with a glaze layer containing silicon oxide as a main component.
グレーズドセラミック基板を切断する方法のうち、ダイ
シングソーを用いる方法はダイシングに用いるダイヤモ
ンドブレードが高価であり切断速度も遅いため、量産化
のための製造工程で用いるには適さない、他の切断方法
としてワイヤーソーを用いる方法があるが、この方法で
は切断部のグレーズ層が欠けるなど、切断精度が悪いた
め同一グレーズドセラミック基板に形成された複数個の
電子装置モジュールを切断して分離する方法としては適
していない。Among the methods for cutting glazed ceramic substrates, the method using a dicing saw is not suitable for use in the manufacturing process for mass production because the diamond blade used for dicing is expensive and the cutting speed is slow. There is a method that uses a wire saw, but this method has poor cutting accuracy such as chipping of the glaze layer at the cutting part, so it is not suitable for cutting and separating multiple electronic device modules formed on the same glazed ceramic substrate. Not yet.
ダイシングソーやワイヤーソーを用いて機械的に切断す
る方法に対して、レーザ光を照射して行なうレーザ切断
方法がある。しかしながら、この方法でレーザ加工機の
パワーを上げて高速で切断しようとすれば、レーザ切断
時の熱によりグレーズ層がダしたり盛り上ったり、又は
クラックが発生して電子装置部分にも損傷を与える問題
がある。In contrast to mechanical cutting using a dicing saw or wire saw, there is a laser cutting method that uses laser light irradiation. However, if you try to increase the power of the laser processing machine and cut at high speed using this method, the glaze layer may swell or swell due to the heat during laser cutting, or cracks may occur, damaging the electronic equipment. There is a problem in giving
(目的)
本発明は複数個の電子装置モジュールを形成したグレー
ズドセラミック基板をレーザ加工機を用いて切断し分離
するに際し、グレーズ層にダレや盛上り、又はクラック
が発生しないようにして。(Objective) The present invention prevents sag, bulges, or cracks from occurring in the glaze layer when cutting and separating a glazed ceramic substrate on which a plurality of electronic device modules are formed using a laser processing machine.
高速に精度よく切断できる方法を提供することを目的と
するものである。The purpose of this invention is to provide a method that allows cutting at high speed and with high precision.
(構成)
本発明の方法は、グレーズドセラミック基板のレーザ加
工代部分にはグレーズ層が存在しない状態にする工程、
レーザ加工代以外の部分にレーザ光を反射するレーザマ
スク層を形成する工程、これら2工程完了後にレーザ加
工代に沿ってレーザ光を照射しセラミック基板を切断す
る工程、及びセラミック基板切断後にレーザマスク層を
除去する工程、を含むことを特徴としている。(Structure) The method of the present invention includes a step of making a glazed ceramic substrate free from laser processing,
A step of forming a laser mask layer that reflects laser light on areas other than the laser processing margin, a step of irradiating a laser beam along the laser processing margin to cut the ceramic substrate after completing these two steps, and a step of forming a laser mask layer after cutting the ceramic substrate. The method is characterized by including a step of removing the layer.
レーザ加工代部分にグレーズ層が存在しない状態にする
には、セラミック基板にグレーズ層を塗布する段階で印
刷法によりレーザ加工代部分を除いた領域にグレーズ層
を塗布した後焼成してもよく、又はセラミック基板の全
面にグレーズ層が形成された基板を用いて複数個の電子
装置モジュールを形成し、レーザマクス層も形成した後
に、ホトリソグラフィー技術によりレーザ加工代部分の
グレーズ層を除去するようにしてもよい。In order to make the glaze layer not exist in the laser processing allowance part, the glaze layer may be applied to the area excluding the laser processing allowance part by a printing method at the stage of applying the glaze layer to the ceramic substrate, and then fired. Alternatively, a plurality of electronic device modules are formed using a ceramic substrate with a glaze layer formed on the entire surface, and after a laser mask layer is also formed, the glaze layer in the laser processing area is removed using photolithography technology. Good too.
レーザマスク層にはCu、Au又はAgなどの金属層が
使用されるが、後の工程で電子装置の電極などの金属層
との間で選択的なエツチングを行なう必要があるので、
電子装置の電極などとは異なる金属を使用する必要があ
る。A metal layer such as Cu, Au or Ag is used for the laser mask layer, but it is necessary to perform selective etching between it and metal layers such as electrodes of electronic devices in a later process.
It is necessary to use a different metal from the electrodes of electronic devices.
レーザ加工代部分にはグレーズ層が存在しないようにし
てレーザ光を照射するので、従来のようにレーザ加工代
部分のグレーズ層の溶融に伴なって生じる電子装置部分
のグレーズ層のダレや盛上り、又はクランクの発生が防
止される。Since the laser beam is irradiated so that no glaze layer exists in the laser processing area, the glaze layer on the electronic device part does not sag or bulge, which occurs as the glaze layer in the laser processing area melts, unlike conventional methods. , or the occurrence of cranking is prevented.
また、レーザ加工代以外の部分、すなわち電子装置部分
はレーザマスク層で被われているので、レーザ光がレー
ザ加工代部分からはみ出して電子装置部分へ照射されて
もそのレーザマスク層で反射され、電子装置部分のグレ
ーズ層が溶融する程加熱されることがなく、グレーズ層
に割れやクラックが生じることが防止される。In addition, since the part other than the laser processing allowance, that is, the electronic device part, is covered with a laser mask layer, even if the laser beam extends beyond the laser processing allowance and is irradiated to the electronic device part, it will be reflected by the laser mask layer. The glaze layer in the electronic device portion is not heated to the extent that it melts, and the glaze layer is prevented from cracking.
以下1本発明をサーマルヘッドに適用した一実施例につ
いて具体的に説明する。An embodiment in which the present invention is applied to a thermal head will be specifically described below.
第1図はグレーズドセラミック基板2を表わし、アルミ
ナなどのセラミック基板4の表面のうち、レーザ加工代
部分6を除いた複数の電子装置領域にグレーズ層8が被
覆されている。このグレーズ層8はスクリーン印刷法に
より形成されたものである。FIG. 1 shows a glazed ceramic substrate 2, in which a plurality of electronic device regions on the surface of a ceramic substrate 4 made of alumina or the like, excluding a laser processing allowance 6, are coated with a glaze layer 8. This glaze layer 8 is formed by a screen printing method.
第2図に示されるように、このグレーズドセラミック基
板2上にTa−N、Ta−5iO2゜Cr−3ion
Ta−5i又はTi−Nなどにてなり膜厚0.3〜1μ
mの抵抗体層10を被着し、その抵抗体層10上に後述
の電極層14との密着性をよくするためにCr又はN1
cerなどにてなり膜厚300〜3000Aの金属層1
2を被着し。As shown in FIG. 2, Ta-N, Ta-5iO2°Cr-3ion
Made of Ta-5i or Ti-N, film thickness 0.3-1μ
m resistor layer 10 is deposited, and Cr or N1 is applied on the resistor layer 10 to improve adhesion with an electrode layer 14, which will be described later.
Metal layer 1 made of cer etc. with a thickness of 300 to 3000A
2 is applied.
更にその金属層12上にAu、AQ又はCuなどにてな
り膜厚0.5〜1μmの電極層14を被着する。これら
の層10,12.14はそれぞれ真空蒸着法、スパッタ
リング法などの薄膜形成技術を用いて形成することがで
きる。Further, on the metal layer 12, an electrode layer 14 made of Au, AQ, Cu, etc. and having a thickness of 0.5 to 1 μm is deposited. Each of these layers 10, 12, and 14 can be formed using a thin film forming technique such as a vacuum evaporation method or a sputtering method.
次にホトリソグラフィー技術により複数の電子装置領域
の電極層14、金属層12及び抵抗体層10を順次にエ
ツチングして第3図に示されるように発熱部16と電極
部18.20を形成する。Next, the electrode layer 14, metal layer 12, and resistor layer 10 in a plurality of electronic device regions are sequentially etched using photolithography to form a heat generating part 16 and an electrode part 18, 20 as shown in FIG. .
そして、発熱部16を酸化や記録紙との摩擦から保護す
るために、第4図に示されるように、5ins、Ta:
05,5isN4.SiC。In order to protect the heat generating part 16 from oxidation and friction with the recording paper, as shown in FIG.
05,5isN4. SiC.
5io2−Ta2o5又は5iO2−5iaN4からな
る膜厚1〜lOμmの耐摩耗層22をスパッタリング法
又はプラズマCVD法などの方法により形成する。耐摩
耗層22は全面被着した後、ホトリソゲラフイー技術に
よりエツチングを行なって所定形状にパターン化しても
よく、又はマスクを介して被着してもよい。このように
して、同一基板上に複数の電子装置モジュールが形成さ
れる。A wear-resistant layer 22 made of 5io2-Ta2o5 or 5iO2-5iaN4 and having a thickness of 1 to 10 .mu.m is formed by a method such as a sputtering method or a plasma CVD method. After the wear-resistant layer 22 is deposited on the entire surface, it may be patterned into a predetermined shape by etching using photolithography technology, or it may be deposited through a mask. In this way, multiple electronic device modules are formed on the same substrate.
次に、Cu、Au又はAgにてなり、電極層14の金属
材料とは異なるように選択されたレーザマスク層24を
0.5〜3μmの厚さに被着し。Next, a laser mask layer 24 made of Cu, Au, or Ag and selected to be different from the metal material of the electrode layer 14 is deposited to a thickness of 0.5 to 3 μm.
第5図に示されるようにホトリソグラフィー技術により
レーザ加工代部分6のレーザマスク層を除去する。As shown in FIG. 5, the laser mask layer in the laser processing allowance portion 6 is removed by photolithography.
その後、レーザ加工機を用いてパターン表面側からGO
2レーザ光26を照射し、セラミック基板4を切断し、
各電子装置モジュール毎に分離した後、レーザマスク層
24をエツチングにより除去する。After that, GO from the pattern surface side using a laser processing machine.
2 laser beam 26 is irradiated to cut the ceramic substrate 4,
After separating each electronic device module, the laser mask layer 24 is removed by etching.
セラミック基板を切断するためのレーザ加工機は一般に
CO2レーザを使用しているが、YAGレーザなと、他
のレーザを使用することも可能である。また、各層の膜
厚は例示であって、必要に応じて変更することかで3ろ
。Laser processing machines for cutting ceramic substrates generally use a CO2 laser, but other lasers such as a YAG laser can also be used. Further, the film thickness of each layer is an example, and may be changed as necessary.
(効果)
本発明ではレーザ加工代部分のグレーズ層を取り除いた
ので、レーザ切断時の熱によるグレーズ層のダレ、盛上
り、又はクラックが発生しなくなる。また電子装置部分
をレーザマスクで被覆したので、レーザ加工機の精度の
問題でレーザビームがレーザ加工代部分から外れた場合
や、レーザパワーを大きくしてレーザビーム径が大きく
なり、レーザビームがレーザ加工代部分からはみ出した
場合にも電子装置部分にグレーズ層のクラックなどは発
生しなかった。(Effects) In the present invention, since the glaze layer in the laser processing allowance is removed, the glaze layer does not sag, bulge, or crack due to heat during laser cutting. In addition, since the electronic device part is covered with a laser mask, there is a possibility that the laser beam may deviate from the laser processing allowance due to accuracy problems of the laser processing machine, or if the laser power is increased and the laser beam diameter increases, the laser beam may Even when the glaze layer protruded beyond the processing allowance, no cracks occurred in the glaze layer in the electronic device area.
その結果、CO2レーザ光を用いて300〜500 m
m7分という高速でセラミック基板を切断することがで
き、しかも高精度に切断できるようになった。As a result, the distance between 300 and 500 m using CO2 laser light
Ceramic substrates can now be cut at a high speed of m7 minutes, and with high precision.
第1図ないし第5図は本発明の一実施例を工程順に断面
図で示す図である。
2・・・・・・グレーズドセラミック基板、6・・・・
・・レーザ加工代部分、 24・・・・・・L/−サ?
スク層、 26・・・・・・レーザ光。1 to 5 are cross-sectional views showing an embodiment of the present invention in the order of steps. 2... Glazed ceramic substrate, 6...
...Laser machining allowance part, 24...L/-sa?
26...laser light.
Claims (1)
装置モジュールを形成した後、レーザ加工機を用いて各
電子装置モジュール毎に切断し分離する方法において、 グレーズドセラミック基板のレーザ加工代部分にはグレ
ーズ層が存在しない状態にする工程、レーザ加工代以外
の部分にレーザ光を反射するレーザマスク層を形成する
工程、 上記2工程完了後レーザ加工代に沿ってレーザ光を照射
しセラミック基板を切断する工程、及びセラミック基板
切断後にレーザマスク層を除去する工程、を含むことを
特徴とする電子装置モジュールの製造方法。(1) In the method of forming multiple electronic device modules on the same glazed ceramic substrate and then cutting and separating each electronic device module using a laser processing machine, there is no glaze on the laser processing portion of the glazed ceramic substrate. A step of making the layer non-existent, a step of forming a laser mask layer that reflects the laser beam in areas other than the laser processing margin, and after completing the above two steps, irradiating the laser beam along the laser processing margin to cut the ceramic substrate. A method for manufacturing an electronic device module, comprising the steps of: and removing a laser mask layer after cutting the ceramic substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59191255A JPS6167984A (en) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | Method for manufacturing electronic device module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59191255A JPS6167984A (en) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | Method for manufacturing electronic device module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167984A true JPS6167984A (en) | 1986-04-08 |
Family
ID=16271492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59191255A Pending JPS6167984A (en) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | Method for manufacturing electronic device module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167984A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02250390A (en) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Ngk Insulators Ltd | Manufacture of ceramic board for feeding |
| JPH02250391A (en) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Ngk Insulators Ltd | Manufacture of ceramic board for feeding |
| US6012511A (en) * | 1996-02-05 | 2000-01-11 | Sanden Corporation | Heat exchanger formed by brazing a provisional assembly and method of manufacturing the same with a brazing defect suppressed |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP59191255A patent/JPS6167984A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02250390A (en) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Ngk Insulators Ltd | Manufacture of ceramic board for feeding |
| JPH02250391A (en) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Ngk Insulators Ltd | Manufacture of ceramic board for feeding |
| US6012511A (en) * | 1996-02-05 | 2000-01-11 | Sanden Corporation | Heat exchanger formed by brazing a provisional assembly and method of manufacturing the same with a brazing defect suppressed |
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