JPS6167984A - 電子装置モジユ−ルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明はサーマルヘッドや等倍光センサの如くグレーズ
ドセラミック基板上に形成される電子装置モジュールを
製造する方法に関し、特に同一グレーズドセラミック基
板上に複数個の電子装置モジュールを形成した後、その
グレーズドセラミック基板をレーザ光により切断して個
々の電子装置モジュールとする方法に関するものである
。

（従来技術） グレーズドセラミック基板はセラミック基板の表面を酸
化硅素を主成分とするグレーズ層で被覆したものである
。

グレーズドセラミック基板を切断する方法のうち、ダイ
シングソーを用いる方法はダイシングに用いるダイヤモ
ンドブレードが高価であり切断速度も遅いため、量産化
のための製造工程で用いるには適さない、他の切断方法
としてワイヤーソーを用いる方法があるが、この方法で
は切断部のグレーズ層が欠けるなど、切断精度が悪いた
め同一グレーズドセラミック基板に形成された複数個の
電子装置モジュールを切断して分離する方法としては適
していない。

ダイシングソーやワイヤーソーを用いて機械的に切断す
る方法に対して、レーザ光を照射して行なうレーザ切断
方法がある。しかしながら、この方法でレーザ加工機の
パワーを上げて高速で切断しようとすれば、レーザ切断
時の熱によりグレーズ層がダしたり盛り上ったり、又は
クラックが発生して電子装置部分にも損傷を与える問題
がある。

（目的） 本発明は複数個の電子装置モジュールを形成したグレー
ズドセラミック基板をレーザ加工機を用いて切断し分離
するに際し、グレーズ層にダレや盛上り、又はクラック
が発生しないようにして。

高速に精度よく切断できる方法を提供することを目的と
するものである。

（構成） 本発明の方法は、グレーズドセラミック基板のレーザ加
工代部分にはグレーズ層が存在しない状態にする工程、
レーザ加工代以外の部分にレーザ光を反射するレーザマ
スク層を形成する工程、これら２工程完了後にレーザ加
工代に沿ってレーザ光を照射しセラミック基板を切断す
る工程、及びセラミック基板切断後にレーザマスク層を
除去する工程、を含むことを特徴としている。

レーザ加工代部分にグレーズ層が存在しない状態にする
には、セラミック基板にグレーズ層を塗布する段階で印
刷法によりレーザ加工代部分を除いた領域にグレーズ層
を塗布した後焼成してもよく、又はセラミック基板の全
面にグレーズ層が形成された基板を用いて複数個の電子
装置モジュールを形成し、レーザマクス層も形成した後
に、ホトリソグラフィー技術によりレーザ加工代部分の
グレーズ層を除去するようにしてもよい。

レーザマスク層にはＣｕ、Ａｕ又はＡｇなどの金属層が
使用されるが、後の工程で電子装置の電極などの金属層
との間で選択的なエツチングを行なう必要があるので、
電子装置の電極などとは異なる金属を使用する必要があ
る。

レーザ加工代部分にはグレーズ層が存在しないようにし
てレーザ光を照射するので、従来のようにレーザ加工代
部分のグレーズ層の溶融に伴なって生じる電子装置部分
のグレーズ層のダレや盛上り、又はクランクの発生が防
止される。

また、レーザ加工代以外の部分、すなわち電子装置部分
はレーザマスク層で被われているので、レーザ光がレー
ザ加工代部分からはみ出して電子装置部分へ照射されて
もそのレーザマスク層で反射され、電子装置部分のグレ
ーズ層が溶融する程加熱されることがなく、グレーズ層
に割れやクラックが生じることが防止される。

以下１本発明をサーマルヘッドに適用した一実施例につ
いて具体的に説明する。

第１図はグレーズドセラミック基板２を表わし、アルミ
ナなどのセラミック基板４の表面のうち、レーザ加工代
部分６を除いた複数の電子装置領域にグレーズ層８が被
覆されている。このグレーズ層８はスクリーン印刷法に
より形成されたものである。

第２図に示されるように、このグレーズドセラミック基
板２上にＴａ−Ｎ、Ｔａ−５ｉＯ２゜Ｃｒ−３ｉｏｎ　
Ｔａ−５ｉ又はＴｉ−Ｎなどにてなり膜厚０．３〜１μ
ｍの抵抗体層１０を被着し、その抵抗体層１０上に後述
の電極層１４との密着性をよくするためにＣｒ又はＮ１
ｃｅｒなどにてなり膜厚３００〜３０００Ａの金属層１
２を被着し。

更にその金属層１２上にＡｕ、ＡＱ又はＣｕなどにてな
り膜厚０．５〜１μｍの電極層１４を被着する。これら
の層１０，１２．１４はそれぞれ真空蒸着法、スパッタ
リング法などの薄膜形成技術を用いて形成することがで
きる。

次にホトリソグラフィー技術により複数の電子装置領域
の電極層１４、金属層１２及び抵抗体層１０を順次にエ
ツチングして第３図に示されるように発熱部１６と電極
部１８．２０を形成する。

そして、発熱部１６を酸化や記録紙との摩擦から保護す
るために、第４図に示されるように、５ｉｎｓ、Ｔａ：
０５，５ｉｓＮ４．ＳｉＣ。

５ｉｏ２−Ｔａ２ｏ５又は５ｉＯ２−５ｉａＮ４からな
る膜厚１〜ｌＯμｍの耐摩耗層２２をスパッタリング法
又はプラズマＣＶＤ法などの方法により形成する。耐摩
耗層２２は全面被着した後、ホトリソゲラフイー技術に
よりエツチングを行なって所定形状にパターン化しても
よく、又はマスクを介して被着してもよい。このように
して、同一基板上に複数の電子装置モジュールが形成さ
れる。

次に、Ｃｕ、Ａｕ又はＡｇにてなり、電極層１４の金属
材料とは異なるように選択されたレーザマスク層２４を
０．５〜３μｍの厚さに被着し。

第５図に示されるようにホトリソグラフィー技術により
レーザ加工代部分６のレーザマスク層を除去する。

その後、レーザ加工機を用いてパターン表面側からＧＯ
２レーザ光２６を照射し、セラミック基板４を切断し、
各電子装置モジュール毎に分離した後、レーザマスク層
２４をエツチングにより除去する。

セラミック基板を切断するためのレーザ加工機は一般に
ＣＯ２レーザを使用しているが、ＹＡＧレーザなと、他
のレーザを使用することも可能である。また、各層の膜
厚は例示であって、必要に応じて変更することかで３ろ
。

（効果） 本発明ではレーザ加工代部分のグレーズ層を取り除いた
ので、レーザ切断時の熱によるグレーズ層のダレ、盛上
り、又はクラックが発生しなくなる。また電子装置部分
をレーザマスクで被覆したので、レーザ加工機の精度の
問題でレーザビームがレーザ加工代部分から外れた場合
や、レーザパワーを大きくしてレーザビーム径が大きく
なり、レーザビームがレーザ加工代部分からはみ出した
場合にも電子装置部分にグレーズ層のクラックなどは発
生しなかった。

その結果、ＣＯ２レーザ光を用いて３００〜５００　ｍ
ｍ７分という高速でセラミック基板を切断することがで
き、しかも高精度に切断できるようになった。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第５図は本発明の一実施例を工程順に断面
図で示す図である。 ２・・・・・・グレーズドセラミック基板、６・・・・
・・レーザ加工代部分、　２４・・・・・・Ｌ／−サ？
スク層、　　２６・・・・・・レーザ光。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）同一のグレーズドセラミック基板に複数個の電子
   装置モジュールを形成した後、レーザ加工機を用いて各
   電子装置モジュール毎に切断し分離する方法において、 グレーズドセラミック基板のレーザ加工代部分にはグレ
   ーズ層が存在しない状態にする工程、レーザ加工代以外
   の部分にレーザ光を反射するレーザマスク層を形成する
   工程、 上記２工程完了後レーザ加工代に沿ってレーザ光を照射
   しセラミック基板を切断する工程、及びセラミック基板
   切断後にレーザマスク層を除去する工程、を含むことを
   特徴とする電子装置モジュールの製造方法。