JPS6169120A - 液相成長用ボ−ト - Google Patents
液相成長用ボ−トInfo
- Publication number
- JPS6169120A JPS6169120A JP59190906A JP19090684A JPS6169120A JP S6169120 A JPS6169120 A JP S6169120A JP 59190906 A JP59190906 A JP 59190906A JP 19090684 A JP19090684 A JP 19090684A JP S6169120 A JPS6169120 A JP S6169120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- slider
- crystal
- growing
- boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/265—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using solutions
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、通信用発光ダイオード等の化合物半導体のエ
ピタキシャル成長に使用するスライド式液相成長用ボー
トに関する。
ピタキシャル成長に使用するスライド式液相成長用ボー
トに関する。
従来、通信用発光ダイオードの液相成長には、第３図に
示すようなスライド式カーボンボードを用いていた。す
なわち、第３図で示した装置は、浴槽部１０と、クエー
ハスライド板２０（以下、スライダーと称する）と、ガ
イド３０とから成シ、ガイド３０に挿入された浴槽１°
０の下側を、スライダー２０のスライドによってウェー
ハ保持部２０ＬＫ保持され九ウェーハが各溶液の底部に
運ばれて多層成長が行なわれる。一般に、成長用結晶は
スライダー２０の結晶保持部２０１に載置するが、′第
２回置に示すように面発光型通信用発光ダイオードのウ
ィンド層４０は、厚みが３０〜７０〔μ・ｍ〕であシ、
基板結晶ウェーハ６０の厚みの数分のＬＫ及び、さらに
、クエーハ６０の端部での工、ジグ誼−ス層４０１は、
成長層厚の数倍から１０倍にも達する。そのためスライ
ダー２０の上面と、結晶表面までの距離（スキ間）を大
！くしなければ、溶質核や工、ヂグロースのためにスラ
イドが防げられる。ところが、前記スキ間を大きく取シ
過ぎると各溶液が、前記スキ間を介して持ち込まれ、成
長境界面および続く成長層の組成比、キャリア濃度の制
御性と再現性が低下する。
示すようなスライド式カーボンボードを用いていた。す
なわち、第３図で示した装置は、浴槽部１０と、クエー
ハスライド板２０（以下、スライダーと称する）と、ガ
イド３０とから成シ、ガイド３０に挿入された浴槽１°
０の下側を、スライダー２０のスライドによってウェー
ハ保持部２０ＬＫ保持され九ウェーハが各溶液の底部に
運ばれて多層成長が行なわれる。一般に、成長用結晶は
スライダー２０の結晶保持部２０１に載置するが、′第
２回置に示すように面発光型通信用発光ダイオードのウ
ィンド層４０は、厚みが３０〜７０〔μ・ｍ〕であシ、
基板結晶ウェーハ６０の厚みの数分のＬＫ及び、さらに
、クエーハ６０の端部での工、ジグ誼−ス層４０１は、
成長層厚の数倍から１０倍にも達する。そのためスライ
ダー２０の上面と、結晶表面までの距離（スキ間）を大
！くしなければ、溶質核や工、ヂグロースのためにスラ
イドが防げられる。ところが、前記スキ間を大きく取シ
過ぎると各溶液が、前記スキ間を介して持ち込まれ、成
長境界面および続く成長層の組成比、キャリア濃度の制
御性と再現性が低下する。
溶液の残ｊ５による持ち込まれに対しては、洗浄溶液（
ウォッシュメルト）を使用して、組成比の制御をある程
度行うことが可能であるが、本発明者の検討によれば、
約３００〔μ・ｍ３以上のスキ間では、ウォッシュメル
ト効果の再現性が乏しい事が明らかであるから、スキ間
は５０〜２００〔μ・ｍ〕に抑えなければならない。上
記理由によシ、通信用発光ダイオードのエピタキシャル
成長の際ＩＣは、あらかじめウェーハ端部の面取りを行
ない実用に供していた。
ウォッシュメルト）を使用して、組成比の制御をある程
度行うことが可能であるが、本発明者の検討によれば、
約３００〔μ・ｍ３以上のスキ間では、ウォッシュメル
ト効果の再現性が乏しい事が明らかであるから、スキ間
は５０〜２００〔μ・ｍ〕に抑えなければならない。上
記理由によシ、通信用発光ダイオードのエピタキシャル
成長の際ＩＣは、あらかじめウェーハ端部の面取りを行
ない実用に供していた。
しかし、クエーハ端部の面取〕は、その作業工程中にウ
ェーハ表面に欠陥を導入せしめる危険性が高く、素子の
信頼度上問題であシ、さらに洗浄工程等の作業工数も必
要であシ、液相エピタ中シ１ ．２□。、、あよ７
．よ工、。
ェーハ表面に欠陥を導入せしめる危険性が高く、素子の
信頼度上問題であシ、さらに洗浄工程等の作業工数も必
要であシ、液相エピタ中シ１ ．２□。、、あよ７
．よ工、。
本発明の目的は、各成長層の組成比の制御性を維持し、
ウェーハ端部の面取）を不要として、生産性の向上をは
かることができる液相成長用ボートを提供するととにあ
る。
ウェーハ端部の面取）を不要として、生産性の向上をは
かることができる液相成長用ボートを提供するととにあ
る。
本発明は、スライダーの結晶保持部のスライド方向に直
角の方向の外稜を好ましくは巾０．２〜２．０（ｍｍ）
削シ落して、成長用溶液をウェーハ端部側面にも接触せ
しめることを特徴とする。
角の方向の外稜を好ましくは巾０．２〜２．０（ｍｍ）
削シ落して、成長用溶液をウェーハ端部側面にも接触せ
しめることを特徴とする。
上記ボートを用いることによって、溶質の析出が端部側
面でも生じ、端部での成長層厚方向への厚み分を減少せ
しめることができる。このため、スキ間をより減少せし
めることが可能となシ各層の組成比の制御性が、一段と
高まシ、さらに、端部の面取シをしない基板ウェーハを
使用することができるため、素子の信頼性が向上し処理
工数が減少し、エピタキシャル成長の生産性が向上した
。
面でも生じ、端部での成長層厚方向への厚み分を減少せ
しめることができる。このため、スキ間をより減少せし
めることが可能となシ各層の組成比の制御性が、一段と
高まシ、さらに、端部の面取シをしない基板ウェーハを
使用することができるため、素子の信頼性が向上し処理
工数が減少し、エピタキシャル成長の生産性が向上した
。
以下、本発明を図面を参照して述べる。
第り図は本発明の一実施例であシ、スライダー２０の結
晶保持部２０１の外稜が削シ落とされている。巾０．２
〜２．０（ｍｍ）Ｋ削るのが好ましい。
晶保持部２０１の外稜が削シ落とされている。巾０．２
〜２．０（ｍｍ）Ｋ削るのが好ましい。
ここに、端部面取シをしていない基板クエーハが設置さ
れ１．スキ間が１５０Ｃμｍ〕になる様にする。
れ１．スキ間が１５０Ｃμｍ〕になる様にする。
次に、第３図と同じように、浴槽１０をスライダ２０に
載置し、ガイド３０の一方の側から挿入する。しかる後
に浴槽ＬＯＫ各成長用ソースをチャージして８５０〔℃
〕で保持した後に０．２〔Ｃ／Ｍｉｎ〕で除冷し、通信
用発光ダイオードの第１層ウィンド層４０を約５０〔μ
・ｍ〕成長せしめる。上記結晶保持部２０１に設置され
た基板ウェーハの端部に於いては、第２図の）に示すよ
うに、ウェーハ６０の成長層方向には約７０〜Ｌ３０〔
μ・ｍ〕成長し、側面には厚さ５０〜【ＯＯ〔μ・ｍ〕
成長する。スキ間が１５０〔μ・石〕であるため、スラ
イダー２０のスライドを防げることなく、かつ持ち込ま
れ量をウォッシュメルトによって洗浄して、続く第２層
成長溶液の位置に前記基板クエーノ・を位置せしめるこ
とができる。順次必要な層を連続的にエピタキシャル成
長を行ない、各層の組成比の制御を再現性よく実現し、
かつ工、デクロースによるスライド停止等の工程上の事
故も皆無となシ良質の通信用発光ダイオードの成長結晶
が得られた。
載置し、ガイド３０の一方の側から挿入する。しかる後
に浴槽ＬＯＫ各成長用ソースをチャージして８５０〔℃
〕で保持した後に０．２〔Ｃ／Ｍｉｎ〕で除冷し、通信
用発光ダイオードの第１層ウィンド層４０を約５０〔μ
・ｍ〕成長せしめる。上記結晶保持部２０１に設置され
た基板ウェーハの端部に於いては、第２図の）に示すよ
うに、ウェーハ６０の成長層方向には約７０〜Ｌ３０〔
μ・ｍ〕成長し、側面には厚さ５０〜【ＯＯ〔μ・ｍ〕
成長する。スキ間が１５０〔μ・石〕であるため、スラ
イダー２０のスライドを防げることなく、かつ持ち込ま
れ量をウォッシュメルトによって洗浄して、続く第２層
成長溶液の位置に前記基板クエーノ・を位置せしめるこ
とができる。順次必要な層を連続的にエピタキシャル成
長を行ない、各層の組成比の制御を再現性よく実現し、
かつ工、デクロースによるスライド停止等の工程上の事
故も皆無となシ良質の通信用発光ダイオードの成長結晶
が得られた。
以上のとおシ、本発明のボートによれば半導体ウェーハ
を再取りすることなく再現性よく成長層が得られる。
を再取りすることなく再現性よく成長層が得られる。
第り図は、本発明の一実施例を示す斜視図、第２図（Ａ
ｌ 、 （ａは夫々従来および本発明の一実施例による
エビウェーハの断面図、第３図は、従来例を示す外観図
である。 １０・・・・・・浴槽、２０・・・・・・基板ウェーハ
スライド板（スライダー）、３０・・・・・・ガイド、
２０Ｌ・・団・結晶保持部、４０・・・・・・面発光型
、通信用発光ダイオードのウィンド層、５０・・・・・
・成長用溶液。
ｌ 、 （ａは夫々従来および本発明の一実施例による
エビウェーハの断面図、第３図は、従来例を示す外観図
である。 １０・・・・・・浴槽、２０・・・・・・基板ウェーハ
スライド板（スライダー）、３０・・・・・・ガイド、
２０Ｌ・・団・結晶保持部、４０・・・・・・面発光型
、通信用発光ダイオードのウィンド層、５０・・・・・
・成長用溶液。
Claims (1)
- 浴槽部、ウェーハスライド板、および両者を格納保持
するガイド部を有するスライド式液相エピタキシャル成
長用ボートにおいて、前記ウェーハスライド板に設けら
れた結晶保持部の外稜を削り落して、成長用溶液が基板
ウェーハの端部側面にも接触するようにしたことを特徴
とする液相成長用ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190906A JPS6169120A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 液相成長用ボ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190906A JPS6169120A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 液相成長用ボ−ト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6169120A true JPS6169120A (ja) | 1986-04-09 |
Family
ID=16265680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59190906A Pending JPS6169120A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 液相成長用ボ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6169120A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100407461C (zh) * | 2005-11-28 | 2008-07-30 | 晶元光电股份有限公司 | 高发光效率的发光元件的制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4945683A (ja) * | 1972-09-01 | 1974-05-01 | ||
| JPS5219191A (en) * | 1975-08-06 | 1977-02-14 | Sakai Chem Ind Co Ltd | Catalyst and process for removing nox |
| JPS5643634A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Fujitsu Ltd | Negative type resist material |
| JPS5732620A (en) * | 1980-08-05 | 1982-02-22 | Fujitsu Ltd | Method for liquid-phase epitaxial growth and growing boat |
-
1984
- 1984-09-12 JP JP59190906A patent/JPS6169120A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4945683A (ja) * | 1972-09-01 | 1974-05-01 | ||
| JPS5219191A (en) * | 1975-08-06 | 1977-02-14 | Sakai Chem Ind Co Ltd | Catalyst and process for removing nox |
| JPS5643634A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Fujitsu Ltd | Negative type resist material |
| JPS5732620A (en) * | 1980-08-05 | 1982-02-22 | Fujitsu Ltd | Method for liquid-phase epitaxial growth and growing boat |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100407461C (zh) * | 2005-11-28 | 2008-07-30 | 晶元光电股份有限公司 | 高发光效率的发光元件的制造方法 |
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