JPS6071595A - 液相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシャル成長装置Info
- Publication number
- JPS6071595A JPS6071595A JP58177305A JP17730583A JPS6071595A JP S6071595 A JPS6071595 A JP S6071595A JP 58177305 A JP58177305 A JP 58177305A JP 17730583 A JP17730583 A JP 17730583A JP S6071595 A JPS6071595 A JP S6071595A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- epitaxial growth
- growth
- molten liquid
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、結晶の多層エピタキシャル成長に適した液相
エピタキシャル成長装置に関するものである。
エピタキシャル成長装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、結晶の多層液相エピタキシャル成長ニ用いている
スライド式カーボン製ボートヲ第１図に示す。成長用溶
融液ホルダー１の下に、基板２を取り付けたスライダー
３を有し、前記スライダーを矢印４の方向に引き出し、
基板２ｖｌ−順次各成長用溶融液已に所望の成長時間接
する様にする。基板２には土産の手順によって所望のエ
ピタキシＡ。
スライド式カーボン製ボートヲ第１図に示す。成長用溶
融液ホルダー１の下に、基板２を取り付けたスライダー
３を有し、前記スライダーを矢印４の方向に引き出し、
基板２ｖｌ−順次各成長用溶融液已に所望の成長時間接
する様にする。基板２には土産の手順によって所望のエ
ピタキシＡ。
ル成長層が多層成長される。基板２は成長用溶融液間を
移動する際、仕切りによって溶融液を拭っていく。従っ
て仕切りと成長表面が接し、表面に傷をつけたり、カー
ボン等の不純物を付着させたりする欠点があった。
移動する際、仕切りによって溶融液を拭っていく。従っ
て仕切りと成長表面が接し、表面に傷をつけたり、カー
ボン等の不純物を付着させたりする欠点があった。
発明の目的
本発明は、基板表面と成長用ホートラ直接接する事なく
複数の成長用溶融液に接し、多層の液相エピタキシャル
成長を行い、良好な表面状態を持つ多層エピタキシャル
結晶基板を得ることのできる成長装置を提供するもので
ある。
複数の成長用溶融液に接し、多層の液相エピタキシャル
成長を行い、良好な表面状態を持つ多層エピタキシャル
結晶基板を得ることのできる成長装置を提供するもので
ある。
発明の構成
本発明は、液相エピタキシャル成長用スライド式ポート
の基板引き出し方向と平行にポート両端に波状のガイド
を有し、ガイドに沿って基板を上下動させながら成長用
溶融液間の仕切りとは非接触に移動し、複数の溶融液と
接することにより、良好な表面状態の多層エピタキシャ
ル成長結晶を得ることを可能としている。
の基板引き出し方向と平行にポート両端に波状のガイド
を有し、ガイドに沿って基板を上下動させながら成長用
溶融液間の仕切りとは非接触に移動し、複数の溶融液と
接することにより、良好な表面状態の多層エピタキシャ
ル成長結晶を得ることを可能としている。
実施例の説明
本発明を図にもとづいて説明する。第２図の様に溶融液
ホルダー６のスライド方向７に平行な波状のガイド８を
設置する。成長用基板９が取り付けられたスライダー１
０（Ｈスライド方向７に引き出すと、ガイド８に沿って
基板９はスライダー７と一諸に上下動を繰り返す。まず
第３図では、基板９が溶融液１１に接して所望の成長条
件のもとで液相エピタキシャル成長が行なわれる。さら
に次の層を成長するために、次の溶融液槽に移動させる
が、第４図の様に基板９は、スライダー７とともにスラ
イド嬶せると、ガイド８に沿って上昇し溶融液間の仕切
りとは非接触に次の溶融液槽へ移動できる。以上の繰り
返しにより、所望のエピタキシャル成長層をボートの仕
切りとの接触による表面状態への悪影響なしに、良好な
表面の多層エピタキシャル成長が可能となる。
ホルダー６のスライド方向７に平行な波状のガイド８を
設置する。成長用基板９が取り付けられたスライダー１
０（Ｈスライド方向７に引き出すと、ガイド８に沿って
基板９はスライダー７と一諸に上下動を繰り返す。まず
第３図では、基板９が溶融液１１に接して所望の成長条
件のもとで液相エピタキシャル成長が行なわれる。さら
に次の層を成長するために、次の溶融液槽に移動させる
が、第４図の様に基板９は、スライダー７とともにスラ
イド嬶せると、ガイド８に沿って上昇し溶融液間の仕切
りとは非接触に次の溶融液槽へ移動できる。以上の繰り
返しにより、所望のエピタキシャル成長層をボートの仕
切りとの接触による表面状態への悪影響なしに、良好な
表面の多層エピタキシャル成長が可能となる。
なお波状のガイドについては上記の形式のものに限らず
、例えば第５図に示す様にボートの両側にスライド方向
と平行にボート内側に波状の溝によるガイド１２を設け
ても有効である。
、例えば第５図に示す様にボートの両側にスライド方向
と平行にボート内側に波状の溝によるガイド１２を設け
ても有効である。
発明の効果
以上のように本発明は、スライド式ボートの基板ひき出
し方向と平行の波状のガイドを設けることにより、基板
を上下させながら溶融液に浸し仕切りとの接触なしに多
層エピタキシャル成長するものである。従って本発明に
よ扛ば、溶融液間の仕切りとの接触による傷や、ボート
のカーボン等の付着を防ぐ事が可能である。捷だ溶融液
を基板で他の槽へ引き込んだりする事も防ぎ、良好寿表
面状態の多層液相エピタキシャル成長基板を得る事が可
能である。
し方向と平行の波状のガイドを設けることにより、基板
を上下させながら溶融液に浸し仕切りとの接触なしに多
層エピタキシャル成長するものである。従って本発明に
よ扛ば、溶融液間の仕切りとの接触による傷や、ボート
のカーボン等の付着を防ぐ事が可能である。捷だ溶融液
を基板で他の槽へ引き込んだりする事も防ぎ、良好寿表
面状態の多層液相エピタキシャル成長基板を得る事が可
能である。
第１図は従来の液相エピタキシャル成長用スライド式ボ
ートの断面図、第２図は本発明の一実施例のスライド式
ボートの斜視図、第３図、第４図は本発明の一実施例の
で一トの成長時の断面図、第６図は本発明の別の実施例
のボートの部分斜視図である。 ６・ ・ボート、７・・・・基板引き出し方向、８・・
−・波状のガイド、９・・・・・・基板、１ｏ・・・・
・・スライダー、１２・・・・・・ガイド。
ートの断面図、第２図は本発明の一実施例のスライド式
ボートの斜視図、第３図、第４図は本発明の一実施例の
で一トの成長時の断面図、第６図は本発明の別の実施例
のボートの部分斜視図である。 ６・ ・ボート、７・・・・基板引き出し方向、８・・
−・波状のガイド、９・・・・・・基板、１ｏ・・・・
・・スライダー、１２・・・・・・ガイド。
Claims (1)
- 液相エピタキシャル成長のスライド式ポートの両側に、
基板ひき出し方向と平行に波状のガイドを設け、前記基
板を上下させながら成長用溶融液に浸し多層エピタキシ
ャル成長を行うことを特徴とする液相エピタキシャル成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177305A JPS6071595A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177305A JPS6071595A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6071595A true JPS6071595A (ja) | 1985-04-23 |
Family
ID=16028664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177305A Pending JPS6071595A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6071595A (ja) |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58177305A patent/JPS6071595A/ja active Pending
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