JPS6169182A - 光半導体の製造法 - Google Patents
光半導体の製造法Info
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- JPS6169182A JPS6169182A JP59191115A JP19111584A JPS6169182A JP S6169182 A JPS6169182 A JP S6169182A JP 59191115 A JP59191115 A JP 59191115A JP 19111584 A JP19111584 A JP 19111584A JP S6169182 A JPS6169182 A JP S6169182A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/134—Irradiation with electromagnetic or particle radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/12—Active materials
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（４）技術分野の説明
本発明は、光照射によりその電気抵抗の値がいちじるし
く減少する特性（光伝導性または光半導性と菖う）を示
す酸化ビスマスとその固溶体の製（ｉｍｆｌｘに関する
ものであり、この技術は主として光検出材料や光スイツ
チング材料としてオプトエレクトロニクスの分野での応
用が期待できる。
く減少する特性（光伝導性または光半導性と菖う）を示
す酸化ビスマスとその固溶体の製（ｉｍｆｌｘに関する
ものであり、この技術は主として光検出材料や光スイツ
チング材料としてオプトエレクトロニクスの分野での応
用が期待できる。
（Ｂ） 本発明の背景
光伝導とは、るる種の半導坏や絶縁体に光を照射した際
、その電気伝導率が増加する現象のことであり、テレビ
カメラ、赤外線検出器、光度計などに広く応用されてい
る。現在実用化されている光伝導性物質は、硫化カドミ
ウム（ＣｄＳ ） 、硫化鉛（ＰｂＳ）、−１ｚ＋ｚン
化鉛（ＰｂＳｅ）、テ／Ｉ／／Ｉ／化カドミウム水銀（
ＣｄＨｇＴｅ ）などのカルコゲン化合物のほか、適当
な種類と量の不純物を添加したシリコン（Ｓｉ ）やゲ
ルマニウム（Ｇｅ ） 単結晶ｆｘどで、はとんど非酸
化物系物質に集中している。
、その電気伝導率が増加する現象のことであり、テレビ
カメラ、赤外線検出器、光度計などに広く応用されてい
る。現在実用化されている光伝導性物質は、硫化カドミ
ウム（ＣｄＳ ） 、硫化鉛（ＰｂＳ）、−１ｚ＋ｚン
化鉛（ＰｂＳｅ）、テ／Ｉ／／Ｉ／化カドミウム水銀（
ＣｄＨｇＴｅ ）などのカルコゲン化合物のほか、適当
な種類と量の不純物を添加したシリコン（Ｓｉ ）やゲ
ルマニウム（Ｇｅ ） 単結晶ｆｘどで、はとんど非酸
化物系物質に集中している。
これらは通常薄膜の形で用いられ、かなり高感度の光伝
導性を与えるが、熱的、化学的に不安定である上、その
組成を厳密に定めなければならないなど、製造上かなり
高度の技術を必要とし、また操作温度が低いなど使用条
件にも一定の制約がある。このような銭点から簡単な製
造法による安定で良好な特性を示す酸化物光伝導体の開
光が望まれている。しかしながら、酸化物で光伝ｍｔ示
す例は非常に少なく、現在のところ乙Ｂｉ２Ｏ３・Ｓ１
０□（略称ＢＳＯ）や乙Ｂｉ２Ｏ３・Ｇｅ０２（同ＢＧ
Ｏ）組成の１− Ｂｉ２Ｏ３固溶体などほんの二・三の
例が知られているにすぎない。ｒ−ＢＳＯと、 −ＢＧ
Ｏの場合、その単結晶を用い・て可視光の照射によりそ
の電気伝導率が２桁程度増加することが観察されている
（たとえばＲ，Ｅ、Ａｌｄｒｉｃｈ他著、Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 、 ／り７
／年、第７２巻、４ｔ９３頁およびＳ、Ｌ、Ｈｏｕ他著
、Ａｐｐｌｉｅｄｐｈｙｓｉｃｓ ＬｅｔｔＥｌｒ１３
、 ／ ？ ７ ／年、第１ｇ巻、３２６頁参照）。
導性を与えるが、熱的、化学的に不安定である上、その
組成を厳密に定めなければならないなど、製造上かなり
高度の技術を必要とし、また操作温度が低いなど使用条
件にも一定の制約がある。このような銭点から簡単な製
造法による安定で良好な特性を示す酸化物光伝導体の開
光が望まれている。しかしながら、酸化物で光伝ｍｔ示
す例は非常に少なく、現在のところ乙Ｂｉ２Ｏ３・Ｓ１
０□（略称ＢＳＯ）や乙Ｂｉ２Ｏ３・Ｇｅ０２（同ＢＧ
Ｏ）組成の１− Ｂｉ２Ｏ３固溶体などほんの二・三の
例が知られているにすぎない。ｒ−ＢＳＯと、 −ＢＧ
Ｏの場合、その単結晶を用い・て可視光の照射によりそ
の電気伝導率が２桁程度増加することが観察されている
（たとえばＲ，Ｅ、Ａｌｄｒｉｃｈ他著、Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 、 ／り７
／年、第７２巻、４ｔ９３頁およびＳ、Ｌ、Ｈｏｕ他著
、Ａｐｐｌｉｅｄｐｈｙｓｉｃｓ ＬｅｔｔＥｌｒ１３
、 ／ ？ ７ ／年、第１ｇ巻、３２６頁参照）。
Ｂｉ２Ｏ３とその固溶体には、α型のほかにα、β、δ
型など結晶構造の異なるいくつかの多形が存在する。δ
−Ｂｉ２Ｏ３は酸素空孔の多い面心立方の蛍石型構造を
とシ、その酸素イオン伝導性は安定化ジルコニア（Ｚｒ
０２）のそれよりも高いとされていｌ る・そ０ため
ａ−Ｂｌ・０・０工業的利用法とバは・もっばら低温用
の酸素センサや固体電解質に関心が集まっており、その
光伝導特注についてはほとんど気付かれていない。本発
明は、従来知られていなかったδ−Ｂｉ２Ｏ３とその固
ｉ”１体の光伝棉性（光中導性）に注目し、その特性を
生かした光学素子の開発とその応用上図ろうとするもの
でらる。
型など結晶構造の異なるいくつかの多形が存在する。δ
−Ｂｉ２Ｏ３は酸素空孔の多い面心立方の蛍石型構造を
とシ、その酸素イオン伝導性は安定化ジルコニア（Ｚｒ
０２）のそれよりも高いとされていｌ る・そ０ため
ａ−Ｂｌ・０・０工業的利用法とバは・もっばら低温用
の酸素センサや固体電解質に関心が集まっており、その
光伝導特注についてはほとんど気付かれていない。本発
明は、従来知られていなかったδ−Ｂｉ２Ｏ３とその固
ｉ”１体の光伝棉性（光中導性）に注目し、その特性を
生かした光学素子の開発とその応用上図ろうとするもの
でらる。
（Ｑ 発明が解決しようとする間辿点
δ−Ｂｉ−２Ｏ３はα、βおよびα型に対して制温安定
相であるため、その製造法は通常安定化Ｚ ｒ○２を得
るのと同じように原料のＢ１□０３ （α型）にあ・る
特定の第２成分を添加して焼成し、δ型に安定化する方
法がとられている。しかし、単味のＢ１４０３や第２成
分の添加量が少ない場合には、それらの融体を超急冷す
ることによって得ることができる（たとえば、Ｔ、５ｕ
ｚｕｋｉ他著、Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌ
５ｃｉｅｎｃｅ １／りｇ３年、第ｙＬｆ巻、／ざグ
５頁およびＴ、５ｅｋｊ−ｙａ他著、Ｍａｔｅｒｉａｌ
Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｂｕ：Ｌｌｅｔｉ、ｎ、 ／りｇ４
を年、第１り巻、ｇｇ！頁参照）。一方、ローラを用い
た超急冷法は、最近、アモルファス物質を得る手段とし
て注目されているが、従来技術で得ることが不可能でめ
った高温相を凍結した９、配向結晶化したセラミック映
を得る手段としても注目されつつめる（たとえば、Ｙ、
Ｔｏｒｎ他著、Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒｅ５ｅａｒＣｈ
Ｂｕｌｌｅｔ４ｎ、 ／りｇ／年、第１乙巻、７１５３
頁、Ｔ 、 ５ｕｚｕｋｊ−他著、Ｊｏｕｒｎａｌ Ｏ
ｆ Ｍａｔｅｒｉａ工５ｃｉｅｎｃｅ、 ／り、ｆ３年
、第１ざ巻、１１４１６頁およびＴ、５ｅｋｉ、ｙａ他
著、Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒｅ５ｅａｒｃｈＢｕｌｌｅｔ
ｉｎ、 ／りざグ年、第７９巻、ｇざ５頁参照）。本発
明方法は、双ローラ法と呼ばれる超急冷装置（Ｍ、Ｔａ
ｔｓｕｍｉｓａｇｏ他著、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｍｅ
ｒｉｃａｎ ｃｅｒａｍｉｃ ５ｏｃｉｅｔｙ、７７１
７年、第６り巻、Ｃ−７７頁参照）を用い、Ｂｉ２Ｏ３
系融体を超急冷することにより、γ−ＢＳＯやγ−ＢＧ
Ｏとは異なった構造をもち、光中導性を示すＢｉ２Ｏ３
系固溶体を得ようとするものである。
相であるため、その製造法は通常安定化Ｚ ｒ○２を得
るのと同じように原料のＢ１□０３ （α型）にあ・る
特定の第２成分を添加して焼成し、δ型に安定化する方
法がとられている。しかし、単味のＢ１４０３や第２成
分の添加量が少ない場合には、それらの融体を超急冷す
ることによって得ることができる（たとえば、Ｔ、５ｕ
ｚｕｋｉ他著、Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌ
５ｃｉｅｎｃｅ １／りｇ３年、第ｙＬｆ巻、／ざグ
５頁およびＴ、５ｅｋｊ−ｙａ他著、Ｍａｔｅｒｉａｌ
Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｂｕ：Ｌｌｅｔｉ、ｎ、 ／りｇ４
を年、第１り巻、ｇｇ！頁参照）。一方、ローラを用い
た超急冷法は、最近、アモルファス物質を得る手段とし
て注目されているが、従来技術で得ることが不可能でめ
った高温相を凍結した９、配向結晶化したセラミック映
を得る手段としても注目されつつめる（たとえば、Ｙ、
Ｔｏｒｎ他著、Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒｅ５ｅａｒＣｈ
Ｂｕｌｌｅｔ４ｎ、 ／りｇ／年、第１乙巻、７１５３
頁、Ｔ 、 ５ｕｚｕｋｊ−他著、Ｊｏｕｒｎａｌ Ｏ
ｆ Ｍａｔｅｒｉａ工５ｃｉｅｎｃｅ、 ／り、ｆ３年
、第１ざ巻、１１４１６頁およびＴ、５ｅｋｉ、ｙａ他
著、Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒｅ５ｅａｒｃｈＢｕｌｌｅｔ
ｉｎ、 ／りざグ年、第７９巻、ｇざ５頁参照）。本発
明方法は、双ローラ法と呼ばれる超急冷装置（Ｍ、Ｔａ
ｔｓｕｍｉｓａｇｏ他著、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｍｅ
ｒｉｃａｎ ｃｅｒａｍｉｃ ５ｏｃｉｅｔｙ、７７１
７年、第６り巻、Ｃ−７７頁参照）を用い、Ｂｉ２Ｏ３
系融体を超急冷することにより、γ−ＢＳＯやγ−ＢＧ
Ｏとは異なった構造をもち、光中導性を示すＢｉ２Ｏ３
系固溶体を得ようとするものである。
旧 発明の構成
この超急冷処理により、一体は溝膜化され、Ｂｉ、Ｏ，
単味および第２成分を添加したほとんどの場合、δ型に
凍結されるが、第２成分の梗類によって二、三のものは
β型となる。また、これらの超急冷膜のほとんどは（／
／ ／）面に強く配向結晶化しており、光照射に
よる電気抵抗が減少する度合は、ｒ −ＢＳＯやｒ−Ｂ
ＧＯ単結晶の場合とほぼ匹敵する。しかも、光の波長と
電気抵抗に関するヌペク） ／Ｌ／はよりシャープであ
るため、光スイツチング素子としての応用が十分可能で
あると考えられる。また、本発明方法は単結晶の育成、
結晶切り出し等の従来技術のような手間を要さず、得ら
れた薄膜に電極を施すだけで、素子としてただちに実用
化できるため、製造コストの面での利点も有している。
単味および第２成分を添加したほとんどの場合、δ型に
凍結されるが、第２成分の梗類によって二、三のものは
β型となる。また、これらの超急冷膜のほとんどは（／
／ ／）面に強く配向結晶化しており、光照射に
よる電気抵抗が減少する度合は、ｒ −ＢＳＯやｒ−Ｂ
ＧＯ単結晶の場合とほぼ匹敵する。しかも、光の波長と
電気抵抗に関するヌペク） ／Ｌ／はよりシャープであ
るため、光スイツチング素子としての応用が十分可能で
あると考えられる。また、本発明方法は単結晶の育成、
結晶切り出し等の従来技術のような手間を要さず、得ら
れた薄膜に電極を施すだけで、素子としてただちに実用
化できるため、製造コストの面での利点も有している。
これらの超急冷膜が多結晶体膜にもかかわらず、単結晶
なみの特性を示す大きな理由は、；、’ｊ、 膜中の結
晶粒子が特定の方向に配向化したためであり、配向結晶
化は、融体がローラ間を通過する際の一方向凝固の条件
が満足された結果起る。これは、他の電磁気および光学
材料にも適用できる技術として注目に値する。
なみの特性を示す大きな理由は、；、’ｊ、 膜中の結
晶粒子が特定の方向に配向化したためであり、配向結晶
化は、融体がローラ間を通過する際の一方向凝固の条件
が満足された結果起る。これは、他の電磁気および光学
材料にも適用できる技術として注目に値する。
（ト）発明の実施例
以下に実施例をめげて況明する。
Ｂｉ２Ｏ３に添加する第２成分として、二酸化ケイ素（
５ｊ−０２） 、二酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、五歌
化ニオブ（Ｎ’ｂ２Ｏ５）、五酸化タンタｌｌ／（Ｔａ
２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭＯＯ３） 、ｎ化タング
ステン、（ＷＯ３） 、酸化ジルコニラｌ−（Ｚｒ０２
）および鹸化セリウム（ＣｅＯ２）を用いた。所定の割
合で十分混合した原料粉末をプレスを用い、錠剤に成形
し、電気炉中で７３０ ’ＣでＳ時間焼成したのち、こ
れを粉砕し、再びプレスを用いＳ羽×５羽×Ｊ Ｑ ｒ
７１ｍ金属製双ローラにより構成されている。炉内で溶
融した試料は液滴とな９、回転している双ローラ間に落
下し、圧延とともに超急冷され、薄膜状物質が得られる
。各組成の超急冷膜については、その生成相および結晶
配向性をＸ線回折によって調、ｊ べた。その結果を
表／に示す。
５ｊ−０２） 、二酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、五歌
化ニオブ（Ｎ’ｂ２Ｏ５）、五酸化タンタｌｌ／（Ｔａ
２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭＯＯ３） 、ｎ化タング
ステン、（ＷＯ３） 、酸化ジルコニラｌ−（Ｚｒ０２
）および鹸化セリウム（ＣｅＯ２）を用いた。所定の割
合で十分混合した原料粉末をプレスを用い、錠剤に成形
し、電気炉中で７３０ ’ＣでＳ時間焼成したのち、こ
れを粉砕し、再びプレスを用いＳ羽×５羽×Ｊ Ｑ ｒ
７１ｍ金属製双ローラにより構成されている。炉内で溶
融した試料は液滴とな９、回転している双ローラ間に落
下し、圧延とともに超急冷され、薄膜状物質が得られる
。各組成の超急冷膜については、その生成相および結晶
配向性をＸ線回折によって調、ｊ べた。その結果を
表／に示す。
表／ 超急冷処理結果
結晶配向性については、（／ ／ ／）の反射によ
るピークとさらに高次の（ｈ ｈ ｈ）ピークのみ
をポしたものについては「完全」とし、それ以外のピー
クが少しでも出現したものについては「やや不完全」と
記した。ＺｒＯ２とＣｅＯ□を含んだ場合、正方晶のβ
相を生成し、同様にＣ７／／）に強く配向結晶化した膜
でめったが、配向性はさらに多少劣ったので「不完全」
とした。
るピークとさらに高次の（ｈ ｈ ｈ）ピークのみ
をポしたものについては「完全」とし、それ以外のピー
クが少しでも出現したものについては「やや不完全」と
記した。ＺｒＯ２とＣｅＯ□を含んだ場合、正方晶のβ
相を生成し、同様にＣ７／／）に強く配向結晶化した膜
でめったが、配向性はさらに多少劣ったので「不完全」
とした。
このようにして得られた超急冷膜に尋電性銀ペーストを
塗布し電極とし、光照射時における電気抵抗（表面固有
抵抗）を測定した。用いた照射光 −の波長は３００〜
７００ ｎｍであり、照射エネルギーは！×１０〜／９
×１１０５ｅｒ／ｃ！１でめる。
塗布し電極とし、光照射時における電気抵抗（表面固有
抵抗）を測定した。用いた照射光 −の波長は３００〜
７００ ｎｍであり、照射エネルギーは！×１０〜／９
×１１０５ｅｒ／ｃ！１でめる。
その測定結果を表２に示す。
表２光照射結果
■ 発明の効果
以上の実施例の結果より、δ−Ｂｊ−□０３系固溶体が
光半導性を示すことが明らかとなった。光半導性は大体
！ ００ ｎｍ前後において最大を示したが、これは超
急冷膜の色と関係している。すなわち、これらの超急冷
膜のほとんどは橙色あるいは濃橙色を呈していることか
ら、緑色系の光（波長、！； ００ ｎｍ前後）の吸収
があることを意味しており、光半導性はこの光の吸収に
よって励起された格子振動に起因するものと言える。光
半導性と膜組成の関係は、第２成分の添加量が少なくて
も弱を選べばさらに良好な光半導性を与える溝膜の製ｔ
造は可能であると考えられる。実際に、りｊＢｉ２
Ｏ３・ｊ’ｒａｚｏｓ （実施例１０）やりｊＢｉｚｏ
３・６Ｗ○３（実施例／３）のように、２桁以上の電気
抵抗の減少を示すものが得られたが、これらは光スイッ
チング菓子として十分応用できる特性をもっている。
光半導性を示すことが明らかとなった。光半導性は大体
！ ００ ｎｍ前後において最大を示したが、これは超
急冷膜の色と関係している。すなわち、これらの超急冷
膜のほとんどは橙色あるいは濃橙色を呈していることか
ら、緑色系の光（波長、！； ００ ｎｍ前後）の吸収
があることを意味しており、光半導性はこの光の吸収に
よって励起された格子振動に起因するものと言える。光
半導性と膜組成の関係は、第２成分の添加量が少なくて
も弱を選べばさらに良好な光半導性を与える溝膜の製ｔ
造は可能であると考えられる。実際に、りｊＢｉ２
Ｏ３・ｊ’ｒａｚｏｓ （実施例１０）やりｊＢｉｚｏ
３・６Ｗ○３（実施例／３）のように、２桁以上の電気
抵抗の減少を示すものが得られたが、これらは光スイッ
チング菓子として十分応用できる特性をもっている。
図／は、比較的良好な光半棉性を示した超急冷膜の表面
固有抵抗と照射光の波長との関係を示している。図中の
番号は実施例番号であシ、その組成はつぎのとおりであ
る。 ２ ： タｊＢｉ。０３・ｊｓ１０２ ４ｔ
： ９７ＪＢ’Ｊ４０３・２．！Ｖ ２Ｏ Ｓ７ ：
タｊＢ１−２Ｏ３−夕Ｎｂ２Ｏ５／ ０ ： ’
？！；Ｂｉ２Ｏ３・ｊＴａｚＯｓ／ ２ ： ５
ｉ’ｊＢｉ、、０３−ｊＭｏｏ３ ／ ３
： ９ｊＢｌｚＱ）＋・！′＃Ｏａ／ 、！；
： ４Ｂｉ□０３−ＣｅＯ２１ｉｊｊ射光の波長
（ｎｍ１ 図 １゜ 手続補正書（自発） ６０名技特第 ！；３号 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１９１１１５号 ２、発明の名称 光半導体の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所（〒１００） 東京都千代田区霞が関１丁目３
番１号″″１″′−′＋４′す９トトリキイタル氏名（
１１４）工業技術院長 等４カ 達６、 ｐｌＩ正
により増加する発明の数 ０７、補正の対象 ２、特許請求の範囲 （Ａ） 酸化ビスマス（”２Ｏ３）またはそれに若干
量の第２成分を添加した融体を急冷することを特徴とす
る元手導性を示す面心立方構造のデルタ型酸化ビスマス
（δ−ＢＩ３０３）またはその固溶体の製造法。 （Ｂ） 若干量の第２成分を添加した酸化ビスマスの
融体を急冷することを特徴とする元手導性を示す面心正
方構造の酸化ビスマス固溶体の製造法。
固有抵抗と照射光の波長との関係を示している。図中の
番号は実施例番号であシ、その組成はつぎのとおりであ
る。 ２ ： タｊＢｉ。０３・ｊｓ１０２ ４ｔ
： ９７ＪＢ’Ｊ４０３・２．！Ｖ ２Ｏ Ｓ７ ：
タｊＢ１−２Ｏ３−夕Ｎｂ２Ｏ５／ ０ ： ’
？！；Ｂｉ２Ｏ３・ｊＴａｚＯｓ／ ２ ： ５
ｉ’ｊＢｉ、、０３−ｊＭｏｏ３ ／ ３
： ９ｊＢｌｚＱ）＋・！′＃Ｏａ／ 、！；
： ４Ｂｉ□０３−ＣｅＯ２１ｉｊｊ射光の波長
（ｎｍ１ 図 １゜ 手続補正書（自発） ６０名技特第 ！；３号 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１９１１１５号 ２、発明の名称 光半導体の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所（〒１００） 東京都千代田区霞が関１丁目３
番１号″″１″′−′＋４′す９トトリキイタル氏名（
１１４）工業技術院長 等４カ 達６、 ｐｌＩ正
により増加する発明の数 ０７、補正の対象 ２、特許請求の範囲 （Ａ） 酸化ビスマス（”２Ｏ３）またはそれに若干
量の第２成分を添加した融体を急冷することを特徴とす
る元手導性を示す面心立方構造のデルタ型酸化ビスマス
（δ−ＢＩ３０３）またはその固溶体の製造法。 （Ｂ） 若干量の第２成分を添加した酸化ビスマスの
融体を急冷することを特徴とする元手導性を示す面心正
方構造の酸化ビスマス固溶体の製造法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ａ）酸化ビスマス（Ｂｉ＿２Ｏ＿３）またはそれに若
干量の第２成分を添加した融体を急冷することを特徴と
する光半導性を示す面心立方構造のデルタ型酸化ビスマ
ス（δ−Ｂｉ＿２Ｏ＿３）またはその固溶体の製造法。 （Ｂ）若干量の第２成分を添加した酸化ビスマスの融体
を急冷することを特徴とする光半導性を示す面心正方構
造のベータ型酸化ビスマス（β−Ｂｉ＿２Ｏ＿３）固溶
体の製造法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59191115A JP2535733B2 (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 光半導体の製造法 |
| US06/775,393 US4678732A (en) | 1984-09-12 | 1985-09-12 | Method for manufacture of photo-semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59191115A JP2535733B2 (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 光半導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6169182A true JPS6169182A (ja) | 1986-04-09 |
| JP2535733B2 JP2535733B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=16269111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59191115A Expired - Lifetime JP2535733B2 (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 光半導体の製造法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4678732A (ja) |
| JP (1) | JP2535733B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US382321A (en) * | 1888-05-08 | Manufacture of sheet metal | ||
| US2008626A (en) * | 1932-02-04 | 1935-07-16 | Murakami Yoshimichi | Method for manufacturing metallic materials by rotating rolls or wheels containing a molten metal between them |
| US4165351A (en) * | 1975-09-25 | 1979-08-21 | General Electric Company | Method of manufacturing a metal oxide varistor |
| US4042535A (en) * | 1975-09-25 | 1977-08-16 | General Electric Company | Metal oxide varistor with improved electrical properties |
| US4082861A (en) * | 1976-09-23 | 1978-04-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | Continuous tone imaging film |
-
1984
- 1984-09-12 JP JP59191115A patent/JP2535733B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1985
- 1985-09-12 US US06/775,393 patent/US4678732A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4678732A (en) | 1987-07-07 |
| JP2535733B2 (ja) | 1996-09-18 |
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