JPH0361286B2 - - Google Patents
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- JPH0361286B2 JPH0361286B2 JP57168361A JP16836182A JPH0361286B2 JP H0361286 B2 JPH0361286 B2 JP H0361286B2 JP 57168361 A JP57168361 A JP 57168361A JP 16836182 A JP16836182 A JP 16836182A JP H0361286 B2 JPH0361286 B2 JP H0361286B2
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- JP
- Japan
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- composition
- sio
- zro
- thin film
- lithium
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1525—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material characterised by a particular ion transporting layer, e.g. electrolyte
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M6/00—Primary cells; Manufacture thereof
- H01M6/14—Cells with non-aqueous electrolyte
- H01M6/18—Cells with non-aqueous electrolyte with solid electrolyte
- H01M6/185—Cells with non-aqueous electrolyte with solid electrolyte with oxides, hydroxides or oxysalts as solid electrolytes
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Primary Cells (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、酸化リチウム系非晶質体に関する。
さらに詳細には、高イオン伝導性薄膜を構成する
Li2O、SiO2、ZrO2組成物よりなる酸化リチウム
系非晶質体に関するものである。 〔従来技術〕 近年、リチウムイオン伝導性固体に関する関心
が高まりつつある。特に、リチウムイオン伝導体
は、リチウム電池の固体電解質として、また、エ
レクトロクロミツクデイスプレーの電解質とし
て、その実用化が進みつつある。前者は、電子機
器の小型化、薄型化に伴い、電池の薄型化への要
望が強まつてきたため、近年急速にその用途が開
けつつあるものである。後者は、上記固体電解質
を用い、エレクトロクロミツクデイスプレー素子
を全固体化しその素子特性の安定化を図ろうとす
るものである。これら両者に共通に言えることは
イオン伝導性が高く、かつ、通常の雰囲気で安定
な固体電解質を開発することである。さらに、こ
の固体電解質を全固体電気化学デバイスへ適用す
る場合、リチウム電極と電解質との化学的安定性
の良好な電解質材料を開発することが必要不可欠
である。これまで、高リチウムイオン導電性を示
す固体電解質薄膜材料およびその製造方法につい
ては、特開昭57−60669などで明らかにされてい
る。しかし、これら材料が、高リチウムイオン導
電性と同時にリチウム金属に対し化学的安定性に
すぐれるという重要な性質を兼備しているもので
はなかつた。そのため、これら電解質を用いた全
固体電池、全固体ECDでは、電解質とし、電極
との反応により長期保存寿命、サイクル寿命など
が短くなるという問題点を有していた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記に述べた従来技術の問題
点を解決した、高イオン伝導性の優れた薄膜を構
成する酸化リチウム系非晶質体を提供することに
ある。 〔発明の概要〕 本発明の酸化リチウム系非晶質体は、高イオン
導伝性非晶質薄膜を構成するLi2O、SiO2および
ZrO2よりなる三元系組成物にして、該組成物は
第１図に示すLi2O、SiO2、ZrO2の三成分を頂点
とする三元系組成図における四辺形ABCD以内
の領域によつて示される組成を有するものであ
り、ここに辺AD，BCはそれぞれLi2Oが80％お
よび50％を示す線上にあり、辺AB，CDはそれ
ぞれLi2Oの頂点を通りSiO2：ZrO2の比が100：
0.5および１：９を示す線上にあるものである。 以上の本発明組成物の範囲は多数の実験・試作
の結果から到達したもので、その理由は、LiO2
が80％を超えたものは吸湿性があつて実用に供し
難く、LiO2が50％より小なるものおよびSiO2：
ZrO2比の値が200以下にして１／９以上である範
囲から外れたものはイオン伝導性に劣ることが確
認されたことによるものである。 これらの本発明における組成物が非晶質である
ことは、後述する実施例で得られた各薄膜の電子
回折およびＸ線回折の結果から確かめられた。 これらの薄膜は、後述の実施例から確認される
ように優れたイオン伝導性を示すものである。 このような本発明の非晶質体は、 (i) リチウムシリケート（Li4SiO4）、並びにリチ
ウムジルコネート（Li8ZrO6）又はZrO2及びス
パツタリングによつてLi2Oを形成できるリチ
ウム化合物、例えばLi2O、Li2CO3など、の混
合物をターゲツトとしてスパツタリング法によ
る方法、 (ii) SiO2、ZrO2及びスパツタリングによつて
Li2Oを形成し得るリチウム化合物の混合物を
ターゲツトとしてスパツタリング法による方
法、 などによつて製造することができる。 ここで混合物とは、各々の成分粉末の混合物あ
るいは、各々の成分粉末をペレツト状に成型した
ものの混合体をさす。 この混合物ターゲツト、例えばSiO2、ZrO2、
Li2Oの混合物、を用いてスパツタリング法によ
り薄膜を形成した場合、得られる薄膜の組成は、
ターゲツト組成から主としてLi2O量が減少した
ものとなる。一例を挙げると、0.33Li2O・
0.33SiO2・0.33ZrO2組成のターゲツト（第１図中
ａ点の組成に対応する）を用いて薄膜形成すると
薄膜組成は、第１図中ｂ点の組成0.10Li2O・
0.49SiO2・0.41ZrO2となる。ところがターゲツト
組成としてａ点に対応する組成物にさらにLi2O
を４モル過剰に加えたターゲツトを用いると、得
られる薄膜はａ点にほぼ等しい組成となつて得ら
れる。さらに、混合するLi2Oなどの量を増加さ
せることにより、上記ターゲツトの組成により近
い組成のもの、または上記ターゲツトの組成よ
り、さらにLi2Oが増加した組成の生成物が得ら
れる。すなわち、第１図に四辺形ABCDで示す
広い組成範囲の高イオン伝導性非晶質薄膜が得ら
れる。また、Li2Oを混合させる方法として、
Li2O粉末を該リチウムシリケート、ジルコニア、
リチウムジルコネートなどの混合物に均一に混合
させる場合と、Li2Oペレツトを該化合物ターゲ
ツト上に配置する場合とがある。 つぎに、混合するLi2Oの量であるが、これを
大過剰に混合するとLi2O含有率の多い組成物、
例えば第１図において点ADを結んだ線より上方
（Li2O側）の組成のものが得られる。しかし、こ
のような組成のものは、耐湿性が低下して実用上
好ましくない欠点を有する。後述の実施例および
比較例からもわかるように、過剰に混合する
Li2O量は（１−ｘ）SiO2・xZrO21モルに対して
８モル以下が好ましい。Li2Oをペレツトとして
用いる場合は、ターゲツトの表面積の10〜30％を
Li2Oペレツトをおおうことが好ましい。 すでに述べた通り、スパツタリングによつて
Li2Oを形成するリチウム化合物はLi2Oと同じよ
うに用いることができる。しかしながら、リチウ
ム、酸素以外の元素として、生成物と反応する元
素、例えばハロゲン元素などを有する化合物は好
ましくない。それ故Li2O、Li2CO3およびLiOHか
らなる群中から選ばれた少なくとも一種類の化合
物を用いることが好ましい。 本発明の混合物ターゲツトは、各々の粉末を単
に混合した粉末のまま用いることも、またさらに
成型、焼結したものを用いることもできる。 また、本発明と同様に、溶融リチウムに対し安
定で、かつ高イオン導電性非晶質体が得られる組
成としては、Li2O−SiO2−HfO2系、Li2O−SiO2
−La2O3系がある。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を実施例によつて、さらに詳細に
説明する。 実施例 １〜６ Li4SiO4、ZrO2粗粒粉末を第１表のごとく配合
した混合物をターゲツトとし、スパツタアツプ方
式でそれぞれ薄膜形成を行なつた。但し、上記タ
ーゲツトの表面の20％に相当する面積をLi2Oペ
レツトでおおい、スパツタリング中に失われるLi
を補償した。
さらに詳細には、高イオン伝導性薄膜を構成する
Li2O、SiO2、ZrO2組成物よりなる酸化リチウム
系非晶質体に関するものである。 〔従来技術〕 近年、リチウムイオン伝導性固体に関する関心
が高まりつつある。特に、リチウムイオン伝導体
は、リチウム電池の固体電解質として、また、エ
レクトロクロミツクデイスプレーの電解質とし
て、その実用化が進みつつある。前者は、電子機
器の小型化、薄型化に伴い、電池の薄型化への要
望が強まつてきたため、近年急速にその用途が開
けつつあるものである。後者は、上記固体電解質
を用い、エレクトロクロミツクデイスプレー素子
を全固体化しその素子特性の安定化を図ろうとす
るものである。これら両者に共通に言えることは
イオン伝導性が高く、かつ、通常の雰囲気で安定
な固体電解質を開発することである。さらに、こ
の固体電解質を全固体電気化学デバイスへ適用す
る場合、リチウム電極と電解質との化学的安定性
の良好な電解質材料を開発することが必要不可欠
である。これまで、高リチウムイオン導電性を示
す固体電解質薄膜材料およびその製造方法につい
ては、特開昭57−60669などで明らかにされてい
る。しかし、これら材料が、高リチウムイオン導
電性と同時にリチウム金属に対し化学的安定性に
すぐれるという重要な性質を兼備しているもので
はなかつた。そのため、これら電解質を用いた全
固体電池、全固体ECDでは、電解質とし、電極
との反応により長期保存寿命、サイクル寿命など
が短くなるという問題点を有していた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記に述べた従来技術の問題
点を解決した、高イオン伝導性の優れた薄膜を構
成する酸化リチウム系非晶質体を提供することに
ある。 〔発明の概要〕 本発明の酸化リチウム系非晶質体は、高イオン
導伝性非晶質薄膜を構成するLi2O、SiO2および
ZrO2よりなる三元系組成物にして、該組成物は
第１図に示すLi2O、SiO2、ZrO2の三成分を頂点
とする三元系組成図における四辺形ABCD以内
の領域によつて示される組成を有するものであ
り、ここに辺AD，BCはそれぞれLi2Oが80％お
よび50％を示す線上にあり、辺AB，CDはそれ
ぞれLi2Oの頂点を通りSiO2：ZrO2の比が100：
0.5および１：９を示す線上にあるものである。 以上の本発明組成物の範囲は多数の実験・試作
の結果から到達したもので、その理由は、LiO2
が80％を超えたものは吸湿性があつて実用に供し
難く、LiO2が50％より小なるものおよびSiO2：
ZrO2比の値が200以下にして１／９以上である範
囲から外れたものはイオン伝導性に劣ることが確
認されたことによるものである。 これらの本発明における組成物が非晶質である
ことは、後述する実施例で得られた各薄膜の電子
回折およびＸ線回折の結果から確かめられた。 これらの薄膜は、後述の実施例から確認される
ように優れたイオン伝導性を示すものである。 このような本発明の非晶質体は、 (i) リチウムシリケート（Li4SiO4）、並びにリチ
ウムジルコネート（Li8ZrO6）又はZrO2及びス
パツタリングによつてLi2Oを形成できるリチ
ウム化合物、例えばLi2O、Li2CO3など、の混
合物をターゲツトとしてスパツタリング法によ
る方法、 (ii) SiO2、ZrO2及びスパツタリングによつて
Li2Oを形成し得るリチウム化合物の混合物を
ターゲツトとしてスパツタリング法による方
法、 などによつて製造することができる。 ここで混合物とは、各々の成分粉末の混合物あ
るいは、各々の成分粉末をペレツト状に成型した
ものの混合体をさす。 この混合物ターゲツト、例えばSiO2、ZrO2、
Li2Oの混合物、を用いてスパツタリング法によ
り薄膜を形成した場合、得られる薄膜の組成は、
ターゲツト組成から主としてLi2O量が減少した
ものとなる。一例を挙げると、0.33Li2O・
0.33SiO2・0.33ZrO2組成のターゲツト（第１図中
ａ点の組成に対応する）を用いて薄膜形成すると
薄膜組成は、第１図中ｂ点の組成0.10Li2O・
0.49SiO2・0.41ZrO2となる。ところがターゲツト
組成としてａ点に対応する組成物にさらにLi2O
を４モル過剰に加えたターゲツトを用いると、得
られる薄膜はａ点にほぼ等しい組成となつて得ら
れる。さらに、混合するLi2Oなどの量を増加さ
せることにより、上記ターゲツトの組成により近
い組成のもの、または上記ターゲツトの組成よ
り、さらにLi2Oが増加した組成の生成物が得ら
れる。すなわち、第１図に四辺形ABCDで示す
広い組成範囲の高イオン伝導性非晶質薄膜が得ら
れる。また、Li2Oを混合させる方法として、
Li2O粉末を該リチウムシリケート、ジルコニア、
リチウムジルコネートなどの混合物に均一に混合
させる場合と、Li2Oペレツトを該化合物ターゲ
ツト上に配置する場合とがある。 つぎに、混合するLi2Oの量であるが、これを
大過剰に混合するとLi2O含有率の多い組成物、
例えば第１図において点ADを結んだ線より上方
（Li2O側）の組成のものが得られる。しかし、こ
のような組成のものは、耐湿性が低下して実用上
好ましくない欠点を有する。後述の実施例および
比較例からもわかるように、過剰に混合する
Li2O量は（１−ｘ）SiO2・xZrO21モルに対して
８モル以下が好ましい。Li2Oをペレツトとして
用いる場合は、ターゲツトの表面積の10〜30％を
Li2Oペレツトをおおうことが好ましい。 すでに述べた通り、スパツタリングによつて
Li2Oを形成するリチウム化合物はLi2Oと同じよ
うに用いることができる。しかしながら、リチウ
ム、酸素以外の元素として、生成物と反応する元
素、例えばハロゲン元素などを有する化合物は好
ましくない。それ故Li2O、Li2CO3およびLiOHか
らなる群中から選ばれた少なくとも一種類の化合
物を用いることが好ましい。 本発明の混合物ターゲツトは、各々の粉末を単
に混合した粉末のまま用いることも、またさらに
成型、焼結したものを用いることもできる。 また、本発明と同様に、溶融リチウムに対し安
定で、かつ高イオン導電性非晶質体が得られる組
成としては、Li2O−SiO2−HfO2系、Li2O−SiO2
−La2O3系がある。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を実施例によつて、さらに詳細に
説明する。 実施例 １〜６ Li4SiO4、ZrO2粗粒粉末を第１表のごとく配合
した混合物をターゲツトとし、スパツタアツプ方
式でそれぞれ薄膜形成を行なつた。但し、上記タ
ーゲツトの表面の20％に相当する面積をLi2Oペ
レツトでおおい、スパツタリング中に失われるLi
を補償した。
【表】
基板温度の上昇を防ぐため、基板を水冷しなが
ら、真空度：２×10-2mmHg、放電ガス：Ar／O2
＝60／40、プレート電圧：2kV、膜形成速度：
0.5μｍ／ｈのスパツタリング条件で石英ガラス基
板上に約2μｍの薄膜を形成した。このようにし
て得た薄膜は、化学分析の結果第１図点１，２，
３，４，５，６に対応する組成のもの、すなわち
本発明の範囲内の組成のものであつた。 これらの薄膜のブロツキング電極を用いて交流
法で測定したイオン伝導度の温度変化を第２図に
示した。第２図中の符号１′，２′，３′，４′，
５′，６′は、それぞれ第１図に符号１，２，３，
４，５，６で示した点の組成に対応するものの線
図であることを示す。本図には参考のため、
Li8ZrO6(a)、Li4SiO4(b)焼結体のイオン伝導度の
温度変化も同時に示した。 第２図からわかるように、本発明の実施例にな
る薄膜は非晶質であることに特長があり、任意の
組成を有する薄膜をスパツタ法により得ることが
できる。また、非晶質であるため、通常のプロセ
スで作つた焼結体のイオン導電率と比べ、非常に
大きい値を示す。 実施例 ７〜13 実施例１〜６と同様に、Li4SiO4、ZrO2、
SiO2、Li8ZrO6などの粗粒粉を、第２表に示す配
合で混合し、混合物ターゲツトを作成した。ま
た、Li2Oペレツトでターゲツト表面のある部分
をおおつてスパツタするが、このLi2Oが占める
ターゲツトの表面の面積割合もあわせて第２表に
示した。
ら、真空度：２×10-2mmHg、放電ガス：Ar／O2
＝60／40、プレート電圧：2kV、膜形成速度：
0.5μｍ／ｈのスパツタリング条件で石英ガラス基
板上に約2μｍの薄膜を形成した。このようにし
て得た薄膜は、化学分析の結果第１図点１，２，
３，４，５，６に対応する組成のもの、すなわち
本発明の範囲内の組成のものであつた。 これらの薄膜のブロツキング電極を用いて交流
法で測定したイオン伝導度の温度変化を第２図に
示した。第２図中の符号１′，２′，３′，４′，
５′，６′は、それぞれ第１図に符号１，２，３，
４，５，６で示した点の組成に対応するものの線
図であることを示す。本図には参考のため、
Li8ZrO6(a)、Li4SiO4(b)焼結体のイオン伝導度の
温度変化も同時に示した。 第２図からわかるように、本発明の実施例にな
る薄膜は非晶質であることに特長があり、任意の
組成を有する薄膜をスパツタ法により得ることが
できる。また、非晶質であるため、通常のプロセ
スで作つた焼結体のイオン導電率と比べ、非常に
大きい値を示す。 実施例 ７〜13 実施例１〜６と同様に、Li4SiO4、ZrO2、
SiO2、Li8ZrO6などの粗粒粉を、第２表に示す配
合で混合し、混合物ターゲツトを作成した。ま
た、Li2Oペレツトでターゲツト表面のある部分
をおおつてスパツタするが、このLi2Oが占める
ターゲツトの表面の面積割合もあわせて第２表に
示した。
【表】
又、得られた薄膜の組成と室温におけるリチウ
ムイオン伝導度を第３表に示す。
ムイオン伝導度を第３表に示す。
【表】
以上説明したように本発明によると5μｍ以下
の薄膜においてもイオン伝導度の著しく高い薄膜
が得られる。バルク材料に比べ薄膜は厚さが３桁
程小であるため、イオン伝導に伴うデバイスの抵
抗は３桁小となる。これは固体電解質を各種デバ
イスに適用する場合著しい効果が期待できるもの
である。なお本薄膜は非晶質であるが、結晶体と
同程度のイオン伝導度を有しているため、スパツ
タ後熱処理し結晶化させる必要がなく、各種電子
デバイス材料として非常に有望と考えられる。
の薄膜においてもイオン伝導度の著しく高い薄膜
が得られる。バルク材料に比べ薄膜は厚さが３桁
程小であるため、イオン伝導に伴うデバイスの抵
抗は３桁小となる。これは固体電解質を各種デバ
イスに適用する場合著しい効果が期待できるもの
である。なお本薄膜は非晶質であるが、結晶体と
同程度のイオン伝導度を有しているため、スパツ
タ後熱処理し結晶化させる必要がなく、各種電子
デバイス材料として非常に有望と考えられる。
第１図は、本発明における組成物の組成を示す
Li2O・SiO2・ZrO2三元系組成図、第２図は、本
発明の実施例の組成物のイオン伝導度の温度変化
を示す図である。
Li2O・SiO2・ZrO2三元系組成図、第２図は、本
発明の実施例の組成物のイオン伝導度の温度変化
を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高イオン導伝性非晶質薄膜を構成するLi2O、
SiO2、ZrO2よりなる三元系組成物にして、該組
成物はLi2O、SiO2、ZrO2の三成分を頂点とする
第１図の三元系組成図における四辺形ABCD以
内の領域によつて示される成分組成であり、辺
ADはLi2Oが80％一定を示す線上にあり、辺AB
はLi2Oの頂点を通りSiO2：ZrO2＝100：0.5を示
す線上にあり、辺BCはLi2Oが50％一定を示す線
上にあり、辺DCはLi2Oの頂点を通りSiO2：ZrO2
＝１：９を示す線上にあることを特徴とする酸化
リチウム系非晶質イオン導電体。 ２ 上記非晶質薄膜が、原料をスパツタリングす
ることにより形成してなるものである特許請求の
範囲第１項記載の酸化リチウム系非晶質イオン導
電体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168361A JPS5960814A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 酸化リチウム系非晶質イオン導電体 |
| US06/535,834 US4474686A (en) | 1982-09-29 | 1983-09-26 | Lithium oxide-based amorphous ionic conductor |
| DE8383305771T DE3362938D1 (en) | 1982-09-29 | 1983-09-27 | Lithium oxide-based amorphous ionic conductor |
| EP83305771A EP0104936B1 (en) | 1982-09-29 | 1983-09-27 | Lithium oxide-based amorphous ionic conductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168361A JPS5960814A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 酸化リチウム系非晶質イオン導電体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960814A JPS5960814A (ja) | 1984-04-06 |
| JPH0361286B2 true JPH0361286B2 (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=15866652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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