JPS6169972A - 化学銅めつきの処理方法 - Google Patents
化学銅めつきの処理方法Info
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- JPS6169972A JPS6169972A JP19151584A JP19151584A JPS6169972A JP S6169972 A JPS6169972 A JP S6169972A JP 19151584 A JP19151584 A JP 19151584A JP 19151584 A JP19151584 A JP 19151584A JP S6169972 A JPS6169972 A JP S6169972A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper plating
- soln
- current density
- electrolysis
- chemical copper
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1617—Purification and regeneration of coating baths
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は化学銅めっき液の処理方法に係り、特に化学銅
めっきに用いた化学銅めっき液など（以下化学銅めっき
廃液と言う）の処理方法に関する。
めっきに用いた化学銅めっき液など（以下化学銅めっき
廃液と言う）の処理方法に関する。
従来、化学銅めっき液は、電解を行なってから放電して
いた。しかし、電解を１０時間行なっても、［１度５０
ｐｐｍ 、キレート剤濃度（００Ｄ値で示す）２００
０７ｐｍであり、多量の水で希釈して低濃度にして放電
せねばなうなかっれ（「公害防止設備工程画集」装置線
、第９６頁、昭和４８年１２月、化学工業社発行） したがって、更に＃！濃度、キレート剤濃度を低くする
必要があった。
いた。しかし、電解を１０時間行なっても、［１度５０
ｐｐｍ 、キレート剤濃度（００Ｄ値で示す）２００
０７ｐｍであり、多量の水で希釈して低濃度にして放電
せねばなうなかっれ（「公害防止設備工程画集」装置線
、第９６頁、昭和４８年１２月、化学工業社発行） したがって、更に＃！濃度、キレート剤濃度を低くする
必要があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、化
学銅めっき廃液を高効率で処理する方法を提供するにあ
る。
学銅めっき廃液を高効率で処理する方法を提供するにあ
る。
そして本発明の要点は、電解効率が悪くなった時点で無
公害の強電解質無機化合物を加えて電解効率を高めて更
に電解を行なう点にある。
公害の強電解質無機化合物を加えて電解効率を高めて更
に電解を行なう点にある。
次に本発明で使用する材料などについて説明する。
化学銅めっき廃液は、例えば銅７〜１３ ｆ／ｌ（７０
００〜５０００ＰＰｍ）、Ｉｌｉ Ｄ Ｔ Ａ ” ２
Ｎａ５０〜５０ｆ／ｌ（３００００〜５００００
）、苛性ソＰｍ −ｒｊＯ〜１４ｔ／１（１００００〜ｊ４０００ｐｐｍ
）、３７％ホルマリン溶液２．９５〜３．０５ｔｄ／Ｌ
（１０９０〜１１３０ ｐｐｍ ）を主成分とし、必
要に応じて添加剤を加えたものである。
００〜５０００ＰＰｍ）、Ｉｌｉ Ｄ Ｔ Ａ ” ２
Ｎａ５０〜５０ｆ／ｌ（３００００〜５００００
）、苛性ソＰｍ −ｒｊＯ〜１４ｔ／１（１００００〜ｊ４０００ｐｐｍ
）、３７％ホルマリン溶液２．９５〜３．０５ｔｄ／Ｌ
（１０９０〜１１３０ ｐｐｍ ）を主成分とし、必
要に応じて添加剤を加えたものである。
また、銅イオン濃度５０００ ｐｐｍ ％キレート剤５
０００ ｐｐｍ ｓ苛性ソーダ７０００ ｐｐｍ ｓホ
ルマリン８００ ｐｐｍの化学銅廃液も処理できる。っ
まり銅イオン５０００ ｐｐｍ以上、キレート剤５００
０ＰＰｍ以上のものに適用できる。
０００ ｐｐｍ ｓ苛性ソーダ７０００ ｐｐｍ ｓホ
ルマリン８００ ｐｐｍの化学銅廃液も処理できる。っ
まり銅イオン５０００ ｐｐｍ以上、キレート剤５００
０ＰＰｍ以上のものに適用できる。
電解は、電流密度１〜２０ Ａ ／ ｄｍ”で行なう。
そして第１回の電解は上記電流密度で１〜３時間行なう
。その後無公害の強電解質無機塩素化合物を塩素量とし
て１〜１ｏｙ７を添加して第２回めの電解を上記電流密
度で７〜１０時間行なう。
。その後無公害の強電解質無機塩素化合物を塩素量とし
て１〜１ｏｙ７を添加して第２回めの電解を上記電流密
度で７〜１０時間行なう。
電解の際、ｖａ極には炭素板又は二酸化鉛板を用し風険
極にはステンレス板を用いた。
極にはステンレス板を用いた。
、無公害の強電解質無機化合物は、塩化ナトリウム、塩
化カリである。
化カリである。
中和には硫酸、塩酸を用いる。
以下、本発明を実施例によって更に説明すも〔発明の実
施例〕 硫酸銅１０ ｆ／ｌ（１００００ｐｐｍ）、ＫＤＴＡφ
２Ｎα４０ｆ／ｌ（４００００ＰＰｍ） 、苛性ソーダ
１２２／ｌ（１２０００１Ｐｍ）および添加剤からなる
化学銅めっき廃液を、陽極に炭素、陰極にステンレスを
用いて電流密度２ Ａ ／ ｄｒＩＬ２で２時間通電し
て電解ならびに陽極酸化を行なった。この時点で添付図
に示すようにＯＯＤ濃度は初期の１／１０、銅イオン濃
度は初期の１／４０に減少した。
施例〕 硫酸銅１０ ｆ／ｌ（１００００ｐｐｍ）、ＫＤＴＡφ
２Ｎα４０ｆ／ｌ（４００００ＰＰｍ） 、苛性ソーダ
１２２／ｌ（１２０００１Ｐｍ）および添加剤からなる
化学銅めっき廃液を、陽極に炭素、陰極にステンレスを
用いて電流密度２ Ａ ／ ｄｒＩＬ２で２時間通電し
て電解ならびに陽極酸化を行なった。この時点で添付図
に示すようにＯＯＤ濃度は初期の１／１０、銅イオン濃
度は初期の１／４０に減少した。
ここで、塩化ナトリウムを塩素量にして８？／ｌとなる
よう加え、更に上記と同一条件で８時間電解ならびに陽
極酸化を行なりた。この時点で第２図に示すようにＯＯ
Ｄ濃度は初期の１、’ｔｏｏ、鋼イオン濃度は初期の１
／２０００となった。
よう加え、更に上記と同一条件で８時間電解ならびに陽
極酸化を行なりた。この時点で第２図に示すようにＯＯ
Ｄ濃度は初期の１、’ｔｏｏ、鋼イオン濃度は初期の１
／２０００となった。
この処理液は、塩酸で中和し、２〜３倍に稀釈して放流
した。
した。
以上述べたように、本発明によれば、従来より短時間で
高効率に処理でき、稀釈水使用量も減少する。
高効率に処理でき、稀釈水使用量も減少する。
図は本発明による電解法を眉いた場合の電解時間と銅濃
度、ＯＯＤ濃度の関係を示す図である。 １・・・電解のみの時のＯＯＤ濃度変化、２・・・電解
＋塩素化合物の時のＯＯＤ濃度変化、３・・・電解のみ
の時の銅濃度変化、 ４・・・電解＋塩素化合物の時の銅濃度変化。 代理人弁理士 高 橋 明 来 電 ＾＋′闘内（Ｈヒ２
度、ＯＯＤ濃度の関係を示す図である。 １・・・電解のみの時のＯＯＤ濃度変化、２・・・電解
＋塩素化合物の時のＯＯＤ濃度変化、３・・・電解のみ
の時の銅濃度変化、 ４・・・電解＋塩素化合物の時の銅濃度変化。 代理人弁理士 高 橋 明 来 電 ＾＋′闘内（Ｈヒ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、化学銅めっき液に電流密度１Ａ／ｄｍ＾２〜２０Ａ
／ｄｍ＾２で通電して電気分解を行ない、次いで無公害
の強電解質無機塩素化合物を塩素量として化学銅めっき
液１ｌに対して１ｇ〜１０ｇ加え、更に電流密度１Ａ／
ｄｍ＾２〜２０Ａ／ｄｍ＾２で通電して電気分解するこ
とを特徴とする化学銅めっき液の処理方法。 ２、前記無公害の強電解質無機塩素化合物が、ＮａＣｌ
、ＫＣｌをまたはこれらの混合物であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の化学銅めっき液の処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19151584A JPS6169972A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 化学銅めつきの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19151584A JPS6169972A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 化学銅めつきの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6169972A true JPS6169972A (ja) | 1986-04-10 |
Family
ID=16275935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19151584A Pending JPS6169972A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 化学銅めつきの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6169972A (ja) |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP19151584A patent/JPS6169972A/ja active Pending
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