JPS6170516A - 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル - Google Patents
光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS6170516A JPS6170516A JP19154984A JP19154984A JPS6170516A JP S6170516 A JPS6170516 A JP S6170516A JP 19154984 A JP19154984 A JP 19154984A JP 19154984 A JP19154984 A JP 19154984A JP S6170516 A JPS6170516 A JP S6170516A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical
- optical isolator
- laser module
- isolator according
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光アイソレータ付半導体レーザモジュールに係
わり、特に光アイソレータの特性を充分に活かしながら
光ファイバへの結合を容易にし、かつ製造し易く、安定
性に富んだ小型なモジュールの構造に関する。
わり、特に光アイソレータの特性を充分に活かしながら
光ファイバへの結合を容易にし、かつ製造し易く、安定
性に富んだ小型なモジュールの構造に関する。
光通信や光ディスクに用いられる半導体レーザの発振周
波数の安定性はシステムの性能が高くなるほど重要な要
因の一つとなってくる。半導体レーザにおいては出射し
た光が光フアイバ端面なとで反射して戻ってくると発振
周波数が著しく不安定になることが知られており、その
対策として半導体レーザと光ファイバの間に光アイソレ
ータを挿入して戻り光を減少させる方法も知られている
。
波数の安定性はシステムの性能が高くなるほど重要な要
因の一つとなってくる。半導体レーザにおいては出射し
た光が光フアイバ端面なとで反射して戻ってくると発振
周波数が著しく不安定になることが知られており、その
対策として半導体レーザと光ファイバの間に光アイソレ
ータを挿入して戻り光を減少させる方法も知られている
。
例えば特開昭５７−１７３９９２号公報には第１集光レ
ンズにＹＩＧなどのファラデー回転子と構成して、光の
戻りを減らし、かつ小型化をはかつている。
ンズにＹＩＧなどのファラデー回転子と構成して、光の
戻りを減らし、かつ小型化をはかつている。
また、特開昭５７−６６６８６号公報には第１集光レン
ズと第２集光レンズの配置を適当にして半導体レーザの
発光を効率よく光ファイバに導入する方法が記載されて
いる。
ズと第２集光レンズの配置を適当にして半導体レーザの
発光を効率よく光ファイバに導入する方法が記載されて
いる。
これらは半導体レーザを安定に動作させる一要因である
が、これらより影響が大きい光軸合わせに関する記載は
ない。
が、これらより影響が大きい光軸合わせに関する記載は
ない。
本発明の目的は光アイソレータ、レンズなどの光部品を
半導体レーザと光ファイバの間に挿入し。
半導体レーザと光ファイバの間に挿入し。
レーザ光と光ファイバの結合を容易に行うことができる
光アイソレータ付半導体レーザモジュールの構造を提供
することにある。
光アイソレータ付半導体レーザモジュールの構造を提供
することにある。
光通信や光ディスクに用する安定な半導体レーザモジュ
ールには光アイソレータの設置が不可欠であるが、その
場合の光アイソレータのｆ２１１！方法や光アイソレー
タの性能をより高めるための関連構成部品の条件につい
て種々検討をした結果、次に示す結論を得た。
ールには光アイソレータの設置が不可欠であるが、その
場合の光アイソレータのｆ２１１！方法や光アイソレー
タの性能をより高めるための関連構成部品の条件につい
て種々検討をした結果、次に示す結論を得た。
１、半導体レーザモジュールは、第１図に示すように少
なくとも半導体レーザ１．集光用第１レンズ２、ファラ
デー回転子３、検光子４、集光用第２レンズＳおよび光
ファイバ６で構成される。
なくとも半導体レーザ１．集光用第１レンズ２、ファラ
デー回転子３、検光子４、集光用第２レンズＳおよび光
ファイバ６で構成される。
２、半導体レーザモジュールにおいて半導体レーザと光
ファイバの結合損失を３ｄＢ以下にするためには光軸の
ずれが４μｍ”以下でなければならない。
ファイバの結合損失を３ｄＢ以下にするためには光軸の
ずれが４μｍ”以下でなければならない。
３、上記結合損失を３ｄＢ以下にし、かつモジュールの
長さを４０ｍ、外径を１５ｍ以内にするためには第１集
光レンズはサファイア（ＡＱ、Ｏ，）または鉛ガラス（
ｐ ｂ ｏ）などの屈折率が高い材料を用いた直径１喧
以下の球状レンズでなければならない。
長さを４０ｍ、外径を１５ｍ以内にするためには第１集
光レンズはサファイア（ＡＱ、Ｏ，）または鉛ガラス（
ｐ ｂ ｏ）などの屈折率が高い材料を用いた直径１喧
以下の球状レンズでなければならない。
４、光アイソレータの消光比（戻り光を減らす割合）を
高くするにはファラデー回転子内を伝搬する光が光軸方
向の光路長面内で一様になるようにしなければならない
。
高くするにはファラデー回転子内を伝搬する光が光軸方
向の光路長面内で一様になるようにしなければならない
。
５、消光比を３０〜４０ｄＢにするためには検光子の偏
光方向が半導体レーザの偏光方向と４５゜をなすように
するための回転調節機能が必要である。
光方向が半導体レーザの偏光方向と４５゜をなすように
するための回転調節機能が必要である。
６．構成部品の固定に際してはレーザから順次積み重ね
て光軸を調節しながら固定する方法が最も容易であるた
め、重ね合わせが可能な支持具に構成部品を設けなけれ
ばならない。
て光軸を調節しながら固定する方法が最も容易であるた
め、重ね合わせが可能な支持具に構成部品を設けなけれ
ばならない。
７、光アイソレータの面およびファイバ入射端面による
光軸方向への反射光を減少させるため、これらの面が光
軸と垂直な面にないように、すなわち光軸に対して傾斜
させなければならない。
光軸方向への反射光を減少させるため、これらの面が光
軸と垂直な面にないように、すなわち光軸に対して傾斜
させなければならない。
その角度は５度が望ましいが、４度から９度の範囲であ
れば実用できる。
れば実用できる。
８、構成部品もしくは支持具が円筒形などの軸対象形お
よび球状の場合には熱膨張が軸対象となり光軸にくるい
を生じない。
よび球状の場合には熱膨張が軸対象となり光軸にくるい
を生じない。
９、光軸方向における各構成部品の位置精度は数１０μ
ｍでも問題はない。
ｍでも問題はない。
上記の結論を留意した結果、半導体レーザ、集′
光レンズ、ファラデー回転子、光ファイバ等の構成
部品を円筒形の支持具に設置し、半導体レーザの上に光
軸のずれを少なくするように肩整しながら順次積み重ね
て固定する方法が最適であることがわかった。
光レンズ、ファラデー回転子、光ファイバ等の構成
部品を円筒形の支持具に設置し、半導体レーザの上に光
軸のずれを少なくするように肩整しながら順次積み重ね
て固定する方法が最適であることがわかった。
光軸のずれは損失を３ｄＢ以下にする場合には４μｍ以
下であるが、使用目的によって１０μｍでも充分である
０例えば一般の通信用としては５μｍ（損失約６ｄＢ）
以下、高度の通信用として１μｍ（損失約１ｄＢ）以下
が望ましく、また伝送距離がより短かい用途では１０μ
ｍ（損失約１０ｄＢ）でもよい、しかし１０μｍ以上に
なると半導体レーザモジュールからの光出力が小さくな
り実用性が乏しくなる。
下であるが、使用目的によって１０μｍでも充分である
０例えば一般の通信用としては５μｍ（損失約６ｄＢ）
以下、高度の通信用として１μｍ（損失約１ｄＢ）以下
が望ましく、また伝送距離がより短かい用途では１０μ
ｍ（損失約１０ｄＢ）でもよい、しかし１０μｍ以上に
なると半導体レーザモジュールからの光出力が小さくな
り実用性が乏しくなる。
なお第１集光レンズとファラデー回転子の間に偏光子を
挿入する場合には光軸を中心に回転微調機能を有し、そ
の端面を光軸に垂直な面に対して傾斜させるようにすれ
ばよい。
挿入する場合には光軸を中心に回転微調機能を有し、そ
の端面を光軸に垂直な面に対して傾斜させるようにすれ
ばよい。
以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。
光学構成部品として、半導体レーザ１、半導体レーザ１
からの出射光を平行にするための第１集光レンズ２、フ
ァラデー回転子３、検光子４、単一モード光ファイバ６
に対する光の結合をよくするための第２集光レンズ５、
単一モード光ファイバ６が順次並べられる。ファラデー
回転子３には、円筒磁石２２により光軸方向に磁界が加
えられている。ファラデー回転子３．並びに検光子４、
光ファイバ６は、端面での反射光が半導体レーザに戻ら
ないように前２者は５度、光ファイバは８度。
からの出射光を平行にするための第１集光レンズ２、フ
ァラデー回転子３、検光子４、単一モード光ファイバ６
に対する光の結合をよくするための第２集光レンズ５、
単一モード光ファイバ６が順次並べられる。ファラデー
回転子３には、円筒磁石２２により光軸方向に磁界が加
えられている。ファラデー回転子３．並びに検光子４、
光ファイバ６は、端面での反射光が半導体レーザに戻ら
ないように前２者は５度、光ファイバは８度。
端面を光軸に対して傾けた。各光学部品を円筒形の支持
具１５，２３，３２，４２，５２で保持する。第１集光
レンズ２には直径０．８ｍ＋の無反射コーティングされ
たＡΩ２ｏ３からなる球レンズ２を、半導体レーザ１に
は波長１．５μｒｎ で動作し、直ｖＡ偏光波の出力を
もつ埋め込み形半導体レーザ（ＢＨレーザ）を用いた。
具１５，２３，３２，４２，５２で保持する。第１集光
レンズ２には直径０．８ｍ＋の無反射コーティングされ
たＡΩ２ｏ３からなる球レンズ２を、半導体レーザ１に
は波長１．５μｒｎ で動作し、直ｖＡ偏光波の出力を
もつ埋め込み形半導体レーザ（ＢＨレーザ）を用いた。
半導体レーザ光の半値全幅は３０〜４０度であり、この
球レンズ２と約０．０６ｍ＋＋離すことにより直径が約
０．３ｏｎの平行ビームが得られた。なお半導体レーザ
１と第１集光レンズ２は、あらかじめ出射平行ビームが
支持具１５の前端面にほぼ重直になるように調整し、一
体化されている。
球レンズ２と約０．０６ｍ＋＋離すことにより直径が約
０．３ｏｎの平行ビームが得られた。なお半導体レーザ
１と第１集光レンズ２は、あらかじめ出射平行ビームが
支持具１５の前端面にほぼ重直になるように調整し、一
体化されている。
支持具２３でマウントされたファラデー回転子３は長さ
２．６閣、直径１■のＹＩＧ ＣＹ、Ｆ ｆ３＊ｏｌｓ）からなり、４５度のファラデ
ー回転が与えられるように永久磁石２２によってＩＫＯ
ｅの磁界がファラデー回転子３に印加されている。なお
、ファラデー回転子３は５＠光軸に対して傾斜して配置
しである。支持具２３は支持具１５とほぼ同じ直径１２
＋ｍの円筒形でその両端面は５．５■離れて平行である
。第１集光レンズ２よりの平行光がファラデー回転子３
よ□り効率よく出射させるため、支持具１５を保持し、
検光子の支持具２３を微動台により端面上を移動させ、
光出力が最大になる所で支持具１５と２３を接着剤で固
定させた。
２．６閣、直径１■のＹＩＧ ＣＹ、Ｆ ｆ３＊ｏｌｓ）からなり、４５度のファラデ
ー回転が与えられるように永久磁石２２によってＩＫＯ
ｅの磁界がファラデー回転子３に印加されている。なお
、ファラデー回転子３は５＠光軸に対して傾斜して配置
しである。支持具２３は支持具１５とほぼ同じ直径１２
＋ｍの円筒形でその両端面は５．５■離れて平行である
。第１集光レンズ２よりの平行光がファラデー回転子３
よ□り効率よく出射させるため、支持具１５を保持し、
検光子の支持具２３を微動台により端面上を移動させ、
光出力が最大になる所で支持具１５と２３を接着剤で固
定させた。
次にファラデー回転子３と同じ傾きをもって検光子４を
中央部に設置した円筒形の支持具３２を平行光が効率よ
く出射させるための微動台によって支持具２３の面上を
移動させ、ファラデー回転子２１で４５度傾いた偏光波
が損失なく伝搬できるように支持具３２を支持具２３の
端面内で回転させる１回転機能を容易にするため中央部
が円筒形支持具２３の内部に約１１１１挿入できるよう
凸凹の突起をもつ構造になっている。
中央部に設置した円筒形の支持具３２を平行光が効率よ
く出射させるための微動台によって支持具２３の面上を
移動させ、ファラデー回転子２１で４５度傾いた偏光波
が損失なく伝搬できるように支持具３２を支持具２３の
端面内で回転させる１回転機能を容易にするため中央部
が円筒形支持具２３の内部に約１１１１挿入できるよう
凸凹の突起をもつ構造になっている。
検光子より出射した平行光の光軸は直径３ｍのＢＫ−７
からなる球レンズの支持具４２を微動させることで光軸
合わせがなされる。
からなる球レンズの支持具４２を微動させることで光軸
合わせがなされる。
各々の光学部品の位置合わせが終了した後に、各々の円
筒支持具の間隙に接着剤を流入し、順次ファラデー回転
部Ｂ、検光子部Ｃ１集光レンズ部り、光フアイバ部Ｅと
固定する。光ファイバ６に関しては最後に、光軸方向の
暑動を行ない光軸のずれが３μｍ以内になるような最適
位置に合わせた後に固定した。上記光学部品の固定が終
了した後にキャップ１６をかぶせてレーザ部Ａにもしく
はファラデー回転子部Ｂに固定しモジュール全体を保護
した。
筒支持具の間隙に接着剤を流入し、順次ファラデー回転
部Ｂ、検光子部Ｃ１集光レンズ部り、光フアイバ部Ｅと
固定する。光ファイバ６に関しては最後に、光軸方向の
暑動を行ない光軸のずれが３μｍ以内になるような最適
位置に合わせた後に固定した。上記光学部品の固定が終
了した後にキャップ１６をかぶせてレーザ部Ａにもしく
はファラデー回転子部Ｂに固定しモジュール全体を保護
した。
本光アイソレータ付半導体モジュールは長さ３９膿、外
径１４■と小形で、光アイソレーション２５ｄＢ、挿入
損失２．９ ｄ Ｂ と高性能であつた。
径１４■と小形で、光アイソレーション２５ｄＢ、挿入
損失２．９ ｄ Ｂ と高性能であつた。
上記光アイソレータ付半導体レーザモジュールにおける
光ファイバの光軸のずれと半導体モジュールの光出力の
関係の測定結果を第３図に示す。
光ファイバの光軸のずれと半導体モジュールの光出力の
関係の測定結果を第３図に示す。
図中、横軸は光ファイバの光軸ずれ量、縦軸は半導体レ
ーザモジュールの光出力をとっている。ず九量が４μｍ
までは顕著な結合パワーの低下は認められないが、４μ
ｍよりばれ量が大きくなると急激に半導体レーザモジュ
ールの光出力の低下が認められる。しかし前述のように
使用目的によっては例えば伝送距離の短かい通信システ
ムなどでは１０μｍのずれでも実用し得る。
ーザモジュールの光出力をとっている。ず九量が４μｍ
までは顕著な結合パワーの低下は認められないが、４μ
ｍよりばれ量が大きくなると急激に半導体レーザモジュ
ールの光出力の低下が認められる。しかし前述のように
使用目的によっては例えば伝送距離の短かい通信システ
ムなどでは１０μｍのずれでも実用し得る。
本実施例では単一モード光ファイバを取り扱ったが、グ
レーデツトインデックス型などの多モード光ファイバも
同様の結果が得られた。
レーデツトインデックス型などの多モード光ファイバも
同様の結果が得られた。
第１図は本発明の基本構成図、第２図は実施例を説明す
るための図である。第３図は光ファイバの光軸のずれと
半導体レーザもジュールの光出力の関係を示す図である
。 １・・・半導体レーザ、２・・・第１集光レンズもしく
は球レンズ、３・・・ファラデー回転子、４・・・検光
子。 ５・・・第２集光レンズもしくは球レンズ、６・・・光
ファイバ、１３．１４・・・電気端子、１５・・・半導
体レーザおよび第１集光レンズ支持具、１６・・・キャ
ップ、２２・・・円筒磁石、２３・・・ファラデー回転
子支持具、３２・・・検光子支持具、４２・・・第２集
光レンズ支持具、５２・・・光フアイバ支持具、Ａ・・
・半導体レーザ部、Ｂ・・・ファラデー回転子部、Ｃ・
・・検光子方 １ 図 て ３ 図 光７ｒイ八°゛り尤章力／）ｒ”４ Ｖ”）手続補正書 ’Ｉｉ ｌ’ｌの大小 昭和５９ 年特許願第 １９１５４９ 号発明の名称 ｆフイ７Ｌ／−タ付半導体し−ザモジュール；市＋１：
、をする昔 ｌｌｌ１軸１’ｌｉ、ｉ 特許出願人に ｆ＋
□５１０１１’１式会ン１１１ 立 ）２ 作 所代
理 人 １市＋Ｉｇの１人Ｊ容
るための図である。第３図は光ファイバの光軸のずれと
半導体レーザもジュールの光出力の関係を示す図である
。 １・・・半導体レーザ、２・・・第１集光レンズもしく
は球レンズ、３・・・ファラデー回転子、４・・・検光
子。 ５・・・第２集光レンズもしくは球レンズ、６・・・光
ファイバ、１３．１４・・・電気端子、１５・・・半導
体レーザおよび第１集光レンズ支持具、１６・・・キャ
ップ、２２・・・円筒磁石、２３・・・ファラデー回転
子支持具、３２・・・検光子支持具、４２・・・第２集
光レンズ支持具、５２・・・光フアイバ支持具、Ａ・・
・半導体レーザ部、Ｂ・・・ファラデー回転子部、Ｃ・
・・検光子方 １ 図 て ３ 図 光７ｒイ八°゛り尤章力／）ｒ”４ Ｖ”）手続補正書 ’Ｉｉ ｌ’ｌの大小 昭和５９ 年特許願第 １９１５４９ 号発明の名称 ｆフイ７Ｌ／−タ付半導体し−ザモジュール；市＋１：
、をする昔 ｌｌｌ１軸１’ｌｉ、ｉ 特許出願人に ｆ＋
□５１０１１’１式会ン１１１ 立 ）２ 作 所代
理 人 １市＋Ｉｇの１人Ｊ容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも半導体レーザ、集光用第１レンズ、光ア
イソレータ、検光子、集光用第２レンズ、光ファイバよ
り成る光学構成部品群がそれぞれの支持具で保持され、
前記構成部品のそれぞれの光軸のがれが所定値以下にな
るように、かつ前記構成部品群を上記記載の順序で配置
がなされていることを特徴とする光アイソレータ付半導
体レーザモジュール。 ２、上記支持具が相互に接着剤を用いて固定されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光アイソ
レータ付半導体レーザモジュール。 ３、上記光アイソレータをファラデー回転子とすること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光アイソレー
タ付半導体レーザモジュール。 ４、上記集光用第１レンズがファイアまたは鉛ガラスで
成る直径１ｍｍ以下の球状レンズであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光アイソレータ付半導体
レーザモジュール。 ５、上記検光子の支持具に該検光子の光軸に垂直左面内
で該検光子を回転し得る機構を設けたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光アイソレータ付半導体レ
ーザモジュール。 ６、上記光アイソレータ、ファラデー回転子、上記検光
子および上記光ファイバの端面が光軸と垂直な面内にな
いことを特徴とする特許請求の範囲第１項もしくは３項
記載の光アイソレータ付半導体レーザモジュール。 ７、上記支持具が軸対象形であることを特徴とする特許
請求の範囲第１もしくは２項記載の光アイソレータ付半
導体レーザモジュール。 ８、上記光軸のずれを所定値を１０μｍ以下とすること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光アイソレー
タ付半導体レーザモジュール。 ９、上記光軸のずれの所定値を５μｍ以下とすることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光アイソレータ
付半導体レーザモジュール。 １０、上記光軸のずれの所定値を４μｍ以下とすること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光アイソレー
タ付半導体レーザモジュール。 １１、上記光軸のずれの所定値を１μｍ以下とすること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光アイソレー
タ付半導体レーザモジュール。 １２、上記支持具が円筒形であることを特徴とする特許
請求の範囲第１もしくは２項記載の光アイソレータ付半
導体レーザモジュール。 １３、上記光アイソレータ、ファラデー回転子、上記検
光子および上記光ファイバの端面と光軸と垂直な面とが
なす角度が４度から９度の範囲であることを特徴とする
特許請求の範囲第１、３もしくは６項記載の光アイソレ
ータ付半導体レーザモジュール。 １４、上記配置が積み重ねによりなされていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光アイソレータ付
半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19154984A JPS6170516A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19154984A JPS6170516A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6170516A true JPS6170516A (ja) | 1986-04-11 |
Family
ID=16276521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19154984A Pending JPS6170516A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6170516A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220593A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Nec Corp | アイソレ−タ内蔵型半導体レ−ザモジユ−ル |
| JPS63304214A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Fujitsu Ltd | 光アイソレ−タ内蔵レ−ザダイオ−ドモジュ−ル |
| JPS6457666U (ja) * | 1987-09-30 | 1989-04-10 | ||
| JPH01200208A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-11 | Nec Corp | 光半導体モジュール |
| JPH02230107A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-09-12 | Fuller Res Corp | 光導波路への光学的エネルギの整列方法及び装置 |
| JPH04270307A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-09-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 光学副集成部品 |
| JPH05215943A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-08-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | オプトエレクトロニクス・アセンブリ |
| CN112526682A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-03-19 | 四川光恒通信技术有限公司 | 一种超小型化新型单纤单向发射光器件及其封装方法 |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP19154984A patent/JPS6170516A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220593A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Nec Corp | アイソレ−タ内蔵型半導体レ−ザモジユ−ル |
| JPS63304214A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Fujitsu Ltd | 光アイソレ−タ内蔵レ−ザダイオ−ドモジュ−ル |
| JPS6457666U (ja) * | 1987-09-30 | 1989-04-10 | ||
| JPH01200208A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-11 | Nec Corp | 光半導体モジュール |
| JPH02230107A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-09-12 | Fuller Res Corp | 光導波路への光学的エネルギの整列方法及び装置 |
| JPH04270307A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-09-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 光学副集成部品 |
| JPH05215943A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-08-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | オプトエレクトロニクス・アセンブリ |
| CN112526682A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-03-19 | 四川光恒通信技术有限公司 | 一种超小型化新型单纤单向发射光器件及其封装方法 |
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